JPS6080137A - 垂直磁気記録体の製造装置 - Google Patents
垂直磁気記録体の製造装置Info
- Publication number
- JPS6080137A JPS6080137A JP18696583A JP18696583A JPS6080137A JP S6080137 A JPS6080137 A JP S6080137A JP 18696583 A JP18696583 A JP 18696583A JP 18696583 A JP18696583 A JP 18696583A JP S6080137 A JPS6080137 A JP S6080137A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxygen gas
- magnetic
- base material
- room
- magnetic recording
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
従来のＣｏ−Ｃｒ系の垂直磁気記録体の製造に比し有利
に製造し得られる優れた垂直磁気記録体の製造とその装
置について出願人は先に種々出願した。その製造装置は
、真空処理容器内に下向きに設置した非磁性基材面に、
磁性金属又は合金から成る磁性材料をほとんど垂直に入
射するように蒸発させると同時に、真空処理容器内に導
入した酸素ガスによりその磁性材料の１部を酸化させな
がら蒸着するようにして、垂直に成長した磁性粒子とそ
の１部の酸化物の２相がら成る垂直磁化膜をもつ垂直磁
気記録体を製造するものであるが、その後の検討の結果
、その導入酵素ガスの流量を一定にしても、真空室内の
酸素分圧が大きく変動し、その結果、作成した垂直磁化
膜の含有量が比較的大きく変動することが認められ、そ
れだけ垂直磁化特性が変動し不均一な製品が得られるこ
とが認められた。
に製造し得られる優れた垂直磁気記録体の製造とその装
置について出願人は先に種々出願した。その製造装置は
、真空処理容器内に下向きに設置した非磁性基材面に、
磁性金属又は合金から成る磁性材料をほとんど垂直に入
射するように蒸発させると同時に、真空処理容器内に導
入した酸素ガスによりその磁性材料の１部を酸化させな
がら蒸着するようにして、垂直に成長した磁性粒子とそ
の１部の酸化物の２相がら成る垂直磁化膜をもつ垂直磁
気記録体を製造するものであるが、その後の検討の結果
、その導入酵素ガスの流量を一定にしても、真空室内の
酸素分圧が大きく変動し、その結果、作成した垂直磁化
膜の含有量が比較的大きく変動することが認められ、そ
れだけ垂直磁化特性が変動し不均一な製品が得られるこ
とが認められた。
この原因は、蒸発したＣｏ、Ｆθ、Ｎ４等の磁性金属又
は合金が、真空容器の壁や、容器内に設備した防着板、
その他の機器に付着し、この付着した磁性金属又は合金
は導入酸素をゲッターリングしてポンプ作用をする。こ
のポンプ作用は、はＫこれらの金属原子が付着する面積
に比例しているので、従来の装置は金属原子が一面に亘
って蒸着し、酸素ガスに触れる面積が非常に大きく従っ
てそのポンプ作用も非常に大きくなり、それだけ、わず
かな蒸発速度の変化に対しても真空容器中の酸素分圧が
大きく変動し、酸素含有量の変動の大きい垂直磁化膜を
もつ製品をもたらす。
は合金が、真空容器の壁や、容器内に設備した防着板、
その他の機器に付着し、この付着した磁性金属又は合金
は導入酸素をゲッターリングしてポンプ作用をする。こ
のポンプ作用は、はＫこれらの金属原子が付着する面積
に比例しているので、従来の装置は金属原子が一面に亘
って蒸着し、酸素ガスに触れる面積が非常に大きく従っ
てそのポンプ作用も非常に大きくなり、それだけ、わず
かな蒸発速度の変化に対しても真空容器中の酸素分圧が
大きく変動し、酸素含有量の変動の大きい垂直磁化膜を
もつ製品をもたらす。
本発明は、か＼る装置の改良に係り、酸素含有量の変動
の減少した良質の垂直磁化膜を製造し得る装置を提供す
るもので、真空処理容器内に下向きに設置した非磁性基
材面に、磁性金属又は合金から成る磁性材料をほとんど
垂直に入射するように蒸発させると同時に、真空処理容
器内に導入した酸素ガスによりその磁性材料の蒸気の１
部を酸化させながら蒸着するようにした垂直磁気記録体
の製造装置において、該処理容器内を隔離壁により、内
部に磁性材料を収容し、且つ基材に対面する開口面を有
する蒸発室と酸素ガス導入室とに区劃形成して成る。
の減少した良質の垂直磁化膜を製造し得る装置を提供す
るもので、真空処理容器内に下向きに設置した非磁性基
材面に、磁性金属又は合金から成る磁性材料をほとんど
垂直に入射するように蒸発させると同時に、真空処理容
器内に導入した酸素ガスによりその磁性材料の蒸気の１
部を酸化させながら蒸着するようにした垂直磁気記録体
の製造装置において、該処理容器内を隔離壁により、内
部に磁性材料を収容し、且つ基材に対面する開口面を有
する蒸発室と酸素ガス導入室とに区劃形成して成る。
次に本発明の実施例を添付図面につき説明する。
第１図は、本発明実施の１例の装置を示し、（１）は真
空容器を示し、該容器（１）内の下部にＦθ。
空容器を示し、該容器（１）内の下部にＦθ。
Ｎｉ、 Ｃｏ、等の磁性金属又は合金から成る磁性材料
（２）をるつぼ（３）内に収容して設け、その外周の輻
射型や高周波誘導式の加熱源（４）により、これを加熱
蒸発せしめるようにする。該磁性材料（２）の直上には
金属製、合成樹脂製、セラミック製などの板状の非磁性
基材（５）を保持装置（６）により下向きに水平に保持
して設ける。該処理容器（１）の側壁に穿設した貫通孔
（７）を気密に挿通して酸素ガス供給管（８）を設け、
その導入部の先端ノズル孔（９）を基材（５）面に指向
するようにした。α〔は酸素ガス供給管（８）に介在し
た流量調節弁、αＤは基材（５）外周を囲繞する防着板
、ａりは真空ポンプに接続する排気用導管、Ｑ３１は該
導管（１２＋に介入の調節弁を示す。
（２）をるつぼ（３）内に収容して設け、その外周の輻
射型や高周波誘導式の加熱源（４）により、これを加熱
蒸発せしめるようにする。該磁性材料（２）の直上には
金属製、合成樹脂製、セラミック製などの板状の非磁性
基材（５）を保持装置（６）により下向きに水平に保持
して設ける。該処理容器（１）の側壁に穿設した貫通孔
（７）を気密に挿通して酸素ガス供給管（８）を設け、
その導入部の先端ノズル孔（９）を基材（５）面に指向
するようにした。α〔は酸素ガス供給管（８）に介在し
た流量調節弁、αＤは基材（５）外周を囲繞する防着板
、ａりは真空ポンプに接続する排気用導管、Ｑ３１は該
導管（１２＋に介入の調節弁を示す。
以上の構成は、先の出願により提示した垂直磁気記録体
の製造装置と変りはない。
の製造装置と変りはない。
本発明によれば、該処理容器（１）内を隔離壁（１４）
により、内部に磁性材料（２）を収容し、且つ基材（５
）に対面する開口面（１５１を有する蒸発室（１６）と
酸素ガス導入室（１７）とに区劃形成した装置を構成す
る。
により、内部に磁性材料（２）を収容し、且つ基材（５
）に対面する開口面（１５１を有する蒸発室（１６）と
酸素ガス導入室（１７）とに区劃形成した装置を構成す
る。
図示の例では該隔離壁（１４）は、該磁性材料（２）と
その外周の加熱源（４）内蔵のるつぼ（３）とを囲続す
る筒状壁に形成し、且つその上部を基材（５）下面の近
傍まで延びる磁性金属又は合金の蒸気を基材（５）下面
に導く案内筒（１４ａ）に構成し、その上端の開口面α
９の面積を基材（５）の被着面と略同−に構成した。
その外周の加熱源（４）内蔵のるつぼ（３）とを囲続す
る筒状壁に形成し、且つその上部を基材（５）下面の近
傍まで延びる磁性金属又は合金の蒸気を基材（５）下面
に導く案内筒（１４ａ）に構成し、その上端の開口面α
９の面積を基材（５）の被着面と略同−に構成した。
該案内筒（１４ａ）の上端開口面ａ９と基材（５）下面
との間には前記蒸気が導入酸素ガスと接触反応する空間
（１ｅを存せしめる。前記の酸素ガス供給管（８）はそ
の導入部を、該案内筒（１４ａ）を囲繞する環状としそ
の環状部より上方の基材（５）に指向するノズル孔（９
）が複数個均等の間隔で配設せしめた。
との間には前記蒸気が導入酸素ガスと接触反応する空間
（１ｅを存せしめる。前記の酸素ガス供給管（８）はそ
の導入部を、該案内筒（１４ａ）を囲繞する環状としそ
の環状部より上方の基材（５）に指向するノズル孔（９
）が複数個均等の間隔で配設せしめた。
本発明上記装置は、処理容器（１）内を所定の値に排気
真空し、磁性金属又は合金の磁性材料（２）を加熱源（
４）により加熱蒸発させ該案内筒（１４ａ）に案内され
て垂直に上昇し基材（５１面にほとんど垂直に入射蒸着
せしめられるが、１方この際、その１部は、該空間Ｑ８
において、酸素ガス供給管（８）より一定の流量で酸素
ガス導入室αη内に導入される酸素ガスと接触反応して
酸化物となって基材（５）面に垂直蒸着される。かくし
て、その基材（５）面に垂直に成長した強磁性柱状粒子
と非強磁性酸化物の２相構造から成る垂直磁化膜が得ら
れる。その膜の組成は（Ｆｅｚ Ｃｏｇ Ｎｉｚ ）
１−ｍ０ＺＩｌの一般式をもち、（１）α４０≦Ｘ≦ｉ
、ｏ、ｏ≦２≦α２５゜０．２５≦ｍ≦α５（但Ｘ十Ｙ
十Ｚ＝ １） ＋２１０≦Ｘ≦（ＬＯ５。
真空し、磁性金属又は合金の磁性材料（２）を加熱源（
４）により加熱蒸発させ該案内筒（１４ａ）に案内され
て垂直に上昇し基材（５１面にほとんど垂直に入射蒸着
せしめられるが、１方この際、その１部は、該空間Ｑ８
において、酸素ガス供給管（８）より一定の流量で酸素
ガス導入室αη内に導入される酸素ガスと接触反応して
酸化物となって基材（５）面に垂直蒸着される。かくし
て、その基材（５）面に垂直に成長した強磁性柱状粒子
と非強磁性酸化物の２相構造から成る垂直磁化膜が得ら
れる。その膜の組成は（Ｆｅｚ Ｃｏｇ Ｎｉｚ ）
１−ｍ０ＺＩｌの一般式をもち、（１）α４０≦Ｘ≦ｉ
、ｏ、ｏ≦２≦α２５゜０．２５≦ｍ≦α５（但Ｘ十Ｙ
十Ｚ＝ １） ＋２１０≦Ｘ≦（ＬＯ５。
０≦２≦０．４０ 、０．１５≦ｍ≦α５ｏをもつよう
に作成することが好ましい。
に作成することが好ましい。
面して本発明装置の上記作動において・磁性金属又は合
金の蒸気は、隔離壁圓により形成される蒸発室（１６１
の外部の酸素ガス導入室（ｌηに逸出することが殆んど
なく、従って、その酸素ガス導入室（Ｌ７）の壁やその
内部の防着板等に付着することが殆んどない。従って、
該隔Ｍ壁圓がない場合の前記したような磁性金属蒸気の
付着物による酸素ガスのゲッターリング作用及びその後
のポンプ作用を大きく減少できるので、常に所定の酸素
原子を均一に含む垂直磁化膜をもつ製品が均一に得られ
る。
金の蒸気は、隔離壁圓により形成される蒸発室（１６１
の外部の酸素ガス導入室（ｌηに逸出することが殆んど
なく、従って、その酸素ガス導入室（Ｌ７）の壁やその
内部の防着板等に付着することが殆んどない。従って、
該隔Ｍ壁圓がない場合の前記したような磁性金属蒸気の
付着物による酸素ガスのゲッターリング作用及びその後
のポンプ作用を大きく減少できるので、常に所定の酸素
原子を均一に含む垂直磁化膜をもつ製品が均一に得られ
る。
第２図は、本発明装置の変形例を示し、その真空処理容
器（１１の内部に、蒸発室（ＩＱの下面に小さい連通孔
０をもつ追加の隔離壁（１４）で蒸発室（Ｌ６）と離隔
される電子ビーム式加熱源（４）を内部に収容する電子
ビームガン室（イ）を区劃形成し、該ガン室（イ）の側
面に調節弁Ｑυを介在させた排気用導管四を介し前記の
真空排気用の真空ポンプ又は別個の真空ポンプに接続せ
しめ、これにより該ガン室■を差動排気して、該加熱源
（４）のガンフィラメントをその高度の真空下に保ち、
導入される酸素ガスにより酸化されないように確実に保
護するようにし、１方そのガン（４）からの電子ビーム
は前記の連通孔αつを介して蒸発室（１６１内の磁性材
料（２）を加熱蒸発せしめるようにした。該連通孔叫は
、電子ビームの通過する最小限の孔径であれば充分であ
る。
器（１１の内部に、蒸発室（ＩＱの下面に小さい連通孔
０をもつ追加の隔離壁（１４）で蒸発室（Ｌ６）と離隔
される電子ビーム式加熱源（４）を内部に収容する電子
ビームガン室（イ）を区劃形成し、該ガン室（イ）の側
面に調節弁Ｑυを介在させた排気用導管四を介し前記の
真空排気用の真空ポンプ又は別個の真空ポンプに接続せ
しめ、これにより該ガン室■を差動排気して、該加熱源
（４）のガンフィラメントをその高度の真空下に保ち、
導入される酸素ガスにより酸化されないように確実に保
護するようにし、１方そのガン（４）からの電子ビーム
は前記の連通孔αつを介して蒸発室（１６１内の磁性材
料（２）を加熱蒸発せしめるようにした。該連通孔叫は
、電子ビームの通過する最小限の孔径であれば充分であ
る。
第３図は、本発明装置の他の変形例を示し、前記の板状
の基材（５）に代えプラスチックテープの基材に垂直蒸
着を行なうように、これを巻き解しロール（ハ）と巻き
取りロール（ハ）とにその中間の冷却キャン（２！９を
介してかけ渡し、一定速度で移行せしめ、その冷却キャ
ン（２５）の下端の略水平面部の下面に蒸発室（ｌｅか
ら上昇する磁性材料（２）の蒸気を垂直に連続的に蒸着
するようにした。
の基材（５）に代えプラスチックテープの基材に垂直蒸
着を行なうように、これを巻き解しロール（ハ）と巻き
取りロール（ハ）とにその中間の冷却キャン（２！９を
介してかけ渡し、一定速度で移行せしめ、その冷却キャ
ン（２５）の下端の略水平面部の下面に蒸発室（ｌｅか
ら上昇する磁性材料（２）の蒸気を垂直に連続的に蒸着
するようにした。
酸素ガス導入供給管（８）の導入部は、防着板０υの上
方にキャン（ハ）の下端円周面の外周に環状に配置しそ
のノズル孔（９）をその暴利（５）の下端水平面に指向
するようにし配設した。尚この実施例では、酸素ガス導
入室ａηを区劃壁（２ｅにより２分し該巻き解し、巻き
取り四−ル装置を収容する独立の室０′７）を作成し、
該室ｃ！６）に専用の真空ポンプに連る排気用導管（ハ
）を介して排気することにより該テープ状基材（５）の
巻き解し側から放出されるガスを排気し、酸素ガス導入
室（Ｉη内の不純ガス分圧を低下せしめるようにした。
方にキャン（ハ）の下端円周面の外周に環状に配置しそ
のノズル孔（９）をその暴利（５）の下端水平面に指向
するようにし配設した。尚この実施例では、酸素ガス導
入室ａηを区劃壁（２ｅにより２分し該巻き解し、巻き
取り四−ル装置を収容する独立の室０′７）を作成し、
該室ｃ！６）に専用の真空ポンプに連る排気用導管（ハ
）を介して排気することにより該テープ状基材（５）の
巻き解し側から放出されるガスを排気し、酸素ガス導入
室（Ｉη内の不純ガス分圧を低下せしめるようにした。
蒸発室αｅ及び′ｈ７．導に願）は真空ポンプに連続す
る排気用導管ａ’ａ（２υを有し、電子ビームガン室（
２０１は、処理容器（１）の外側面に設け、処理容器（
１）に穿設した連通孔四を介して蒸発室（１６１と連通
し、その側面に前記排気用導管（２１１を設けた。この
第３図示の装置で作成したＣｏ−０系垂直磁化膜をもつ
磁気テープの膜厚方向にエツチングした場合の膜中の酸
素原子の含有量を第４図（５））に示す。比較のため蒸
発室（Ｉｌ１９の隔離壁Ｑ４１を取り除いた以外は上記
と全く同じ装置により作成したＣ０−０系垂直磁化膜を
もつ磁気テープの膜厚方向の酸素原子の含有量を第４図
（Ｂ）に示す。これから明らかなように、本発明装置に
よれば、酸素含有量は変動が少なく殆んど同じ含有量の
ものが得られることが分る。尚、この本発明により作成
した前記磁気テープのヒステリシス曲線を第５図（Ａ）
に、前記の比較のため作成した磁気テープのヒステリシ
ス曲線を第５図（Ｂ）に示す。実線は垂直磁化特性、点
線は水平磁化特性を示す。これから明らかなように、本
発明−置により作成した磁気テープの垂直磁化特性が著
しく優れていることが分る。
る排気用導管ａ’ａ（２υを有し、電子ビームガン室（
２０１は、処理容器（１）の外側面に設け、処理容器（
１）に穿設した連通孔四を介して蒸発室（１６１と連通
し、その側面に前記排気用導管（２１１を設けた。この
第３図示の装置で作成したＣｏ−０系垂直磁化膜をもつ
磁気テープの膜厚方向にエツチングした場合の膜中の酸
素原子の含有量を第４図（５））に示す。比較のため蒸
発室（Ｉｌ１９の隔離壁Ｑ４１を取り除いた以外は上記
と全く同じ装置により作成したＣ０−０系垂直磁化膜を
もつ磁気テープの膜厚方向の酸素原子の含有量を第４図
（Ｂ）に示す。これから明らかなように、本発明装置に
よれば、酸素含有量は変動が少なく殆んど同じ含有量の
ものが得られることが分る。尚、この本発明により作成
した前記磁気テープのヒステリシス曲線を第５図（Ａ）
に、前記の比較のため作成した磁気テープのヒステリシ
ス曲線を第５図（Ｂ）に示す。実線は垂直磁化特性、点
線は水平磁化特性を示す。これから明らかなように、本
発明−置により作成した磁気テープの垂直磁化特性が著
しく優れていることが分る。
このように本発明によれば、真空数理容器内を隔離壁に
より、内部に磁性拐料を収容し、且つ基材に対面する昆
口面を有する蒸発室と酸素ガス導入室とに区劃形成した
ので、か＼る隔離壁のない装置により作成する垂直磁気
記録体に比し、酸素含有量が均一であり、垂直磁化特性
の優れた良好な垂直磁気記録体を作成することができる
効果を有する。
より、内部に磁性拐料を収容し、且つ基材に対面する昆
口面を有する蒸発室と酸素ガス導入室とに区劃形成した
ので、か＼る隔離壁のない装置により作成する垂直磁気
記録体に比し、酸素含有量が均一であり、垂直磁化特性
の優れた良好な垂直磁気記録体を作成することができる
効果を有する。
第１図は本発明実施の１例の装置の断面図、第２図及び
第３図は夫々変形例の断面図、第４図（Ａ）は本装置に
より得た垂直磁気記録体の垂直磁化膜の酸素原子含有量
の膜厚方向の分布図、第４図（Ｂ）は比較装置により得
た垂直磁気記録体の仝様の分布図、第５図（Ａ）は本発
明装置により得た垂直磁気記録体の磁気特性図、第５図
（Ｂ）は比較装置により得た垂直磁気記録体の仝様の図
を示す。 （１１・・・真空処理容器 （２）・・・磁性材料 （
４）・・・加熱源 （５）・・・、４９基材ａａ４・・
・隔離壁 （１５１−・・開口面 Ｃ６１・・・蒸発室
（ｌη・・・酸素ガス導入室第１図 第２図 第３図 エツチング呼聞
第３図は夫々変形例の断面図、第４図（Ａ）は本装置に
より得た垂直磁気記録体の垂直磁化膜の酸素原子含有量
の膜厚方向の分布図、第４図（Ｂ）は比較装置により得
た垂直磁気記録体の仝様の分布図、第５図（Ａ）は本発
明装置により得た垂直磁気記録体の磁気特性図、第５図
（Ｂ）は比較装置により得た垂直磁気記録体の仝様の図
を示す。 （１１・・・真空処理容器 （２）・・・磁性材料 （
４）・・・加熱源 （５）・・・、４９基材ａａ４・・
・隔離壁 （１５１−・・開口面 Ｃ６１・・・蒸発室
（ｌη・・・酸素ガス導入室第１図 第２図 第３図 エツチング呼聞
Claims (1)
- 、ｌ； 真空処理容器内に下向きに設置した非磁性基材
面に、磁性金属又は合金から成る磁性材料をほとんど垂
直に入射するように蒸発させると同時に、真空処理容器
内に導入した酸素ガスによりその磁性材料の蒸気の１部
を酸化させながら蒸着するようにした垂直磁気記録体の
製造装置において、該処理容器内を隔離壁により、内部
に磁性材料を収容し且つ基材に対面する開口面を有する
蒸発室と酸素ガス導入室とに区劃形成して成る垂直磁気
記録体の製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18696583A JPS6080137A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 垂直磁気記録体の製造装置 |
| EP84306754A EP0138515A3 (en) | 1983-10-07 | 1984-10-04 | An apparatus for use in manufacturing a perpendicular magnetic recording member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18696583A JPS6080137A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 垂直磁気記録体の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080137A true JPS6080137A (ja) | 1985-05-08 |
Family
ID=16197822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18696583A Pending JPS6080137A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 垂直磁気記録体の製造装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0138515A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6080137A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3606529A1 (de) * | 1986-02-28 | 1987-09-03 | Glyco Metall Werke | Verfahren zur herstellung von schichtwerkstoff oder schichtwerkstuecken durch aufdampfen mindestens eines metallischen werkstoffes auf ein metallisches substrat |
| DE3738722C2 (de) * | 1987-11-14 | 1995-12-14 | Leybold Ag | Vorrichtung zum beidseitigen Beschichten von Bändern |
| DE4414083C2 (de) * | 1994-04-22 | 2000-01-20 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Herstellen dünner Schichten auf Kunststoff-Substraten und zum Ätzen solcher Substrate |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54116202A (en) * | 1978-03-01 | 1979-09-10 | Tdk Corp | Production of magnetic recording media |
| JPS5853027A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-29 | Ulvac Corp | 磁気記録体の製造装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3356529A (en) * | 1964-07-31 | 1967-12-05 | Gen Electric | Method for the deposition of an electro-conductive transparent indium oxide coating |
| JPS5636128A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Reaction type ion plating device |
| EP0082001A1 (en) * | 1981-12-16 | 1983-06-22 | General Engineering Radcliffe 1979 Limited | Apparatus for and a method of metallising a length of material |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP18696583A patent/JPS6080137A/ja active Pending
-
1984
- 1984-10-04 EP EP84306754A patent/EP0138515A3/en not_active Ceased
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54116202A (en) * | 1978-03-01 | 1979-09-10 | Tdk Corp | Production of magnetic recording media |
| JPS5853027A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-29 | Ulvac Corp | 磁気記録体の製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0138515A2 (en) | 1985-04-24 |
| EP0138515A3 (en) | 1986-07-30 |
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