JPS5860432A - 磁気記録媒体の製造法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造法Info
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- JPS5860432A JPS5860432A JP15933881A JP15933881A JPS5860432A JP S5860432 A JPS5860432 A JP S5860432A JP 15933881 A JP15933881 A JP 15933881A JP 15933881 A JP15933881 A JP 15933881A JP S5860432 A JPS5860432 A JP S5860432A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は磁気記録媒体の製造法(こ関するものであり
、更Eこ詳細(こは、オゾンガス雰囲気中において、適
当な磁性金属または合金などの蒸着物質を非磁性基材に
蒸着させて特に薄膜型の磁気記録媒体を得る方法に関す
るものである。
、更Eこ詳細(こは、オゾンガス雰囲気中において、適
当な磁性金属または合金などの蒸着物質を非磁性基材に
蒸着させて特に薄膜型の磁気記録媒体を得る方法に関す
るものである。
従来、蒸着装置内の酸素分圧を他の気体の分圧よりも高
くした酸素雰囲気中で磁・註金属または合金を非磁性基
材ζこ蒸着させること(こよって磁気テープの保磁力を
向上させることが可能であるとの報告がある。しかし、
この方法では、酸素の分圧を犬きくすると、蒸着物質の
自由行程が短くなり十分な蒸着効率が得られないかまた
は全く蒸着されないという欠点がある。また蒸着物質が
酸素ζこよって散乱される方向もランダムになり不都合
である。また、酸素ガスを導入する方法では、反応が十
分(こ進行しないためζこ、多量の酸素ガスを要すると
いう欠点があった。
くした酸素雰囲気中で磁・註金属または合金を非磁性基
材ζこ蒸着させること(こよって磁気テープの保磁力を
向上させることが可能であるとの報告がある。しかし、
この方法では、酸素の分圧を犬きくすると、蒸着物質の
自由行程が短くなり十分な蒸着効率が得られないかまた
は全く蒸着されないという欠点がある。また蒸着物質が
酸素ζこよって散乱される方向もランダムになり不都合
である。また、酸素ガスを導入する方法では、反応が十
分(こ進行しないためζこ、多量の酸素ガスを要すると
いう欠点があった。
そこで、この発明は、従来の方法における欠点を大巾に
改善することができる方法であって、特に、従来のもの
lこ比べて格段lこ保磁力が向上した磁気記録媒体を得
ることができる方法を提供するものである。
改善することができる方法であって、特に、従来のもの
lこ比べて格段lこ保磁力が向上した磁気記録媒体を得
ることができる方法を提供するものである。
この発明に係る方法は、オゾンガス雰囲気中1こおいて
、磁性蒸着物質を非68性基材lこ蒸着させることから
なっている。
、磁性蒸着物質を非68性基材lこ蒸着させることから
なっている。
この発明において、オゾンガス雰囲気は実際には酸素ガ
スを通常のオゾンガス発生装置Eこ辿じて高濃度のオゾ
ンガスを発生させ、このオゾンガスを蒸着室内に導入し
て、その蒸着室内のオゾンガス分圧を他のいずれの気体
の分圧よりも大きいよう番こしたオゾンガス雰囲気内で
蒸着が行なわれる。
スを通常のオゾンガス発生装置Eこ辿じて高濃度のオゾ
ンガスを発生させ、このオゾンガスを蒸着室内に導入し
て、その蒸着室内のオゾンガス分圧を他のいずれの気体
の分圧よりも大きいよう番こしたオゾンガス雰囲気内で
蒸着が行なわれる。
この場合、酸素ガスがオゾンガスと当然共存しているが
、積極的ζこ非磁性基材ζこ#、小物質が蒸着されてい
る領域に酸素ガスを吹き付けることもできる。
、積極的ζこ非磁性基材ζこ#、小物質が蒸着されてい
る領域に酸素ガスを吹き付けることもできる。
なお、オゾンガスの流量は特ζこ限定されるものではな
いが、オゾンガス流量を多くすれは得られる磁気記録媒
体の保磁力が増加するという関係かあるといえる。また
、酸素ガスたけを導入する場合に比べて、オゾンガス雰
囲気して得られる一気記録媒体の保磁力を著しく向上さ
せることができる。
いが、オゾンガス流量を多くすれは得られる磁気記録媒
体の保磁力が増加するという関係かあるといえる。また
、酸素ガスたけを導入する場合に比べて、オゾンガス雰
囲気して得られる一気記録媒体の保磁力を著しく向上さ
せることができる。
この発明lこ係る方法は特(こ斜方蒸着lこ通用するの
が有利であって、蒸着物質を非磁性基材上へ魚層させる
ための入射角(θ)は、糾力盗冶できる入射角であれは
よく、好ましくは約30’ないし90°ζこなるように
するの力Sよい。まfC蒸冶9勿實はまず入射角の大き
い領域で非磁性基材上に魚庸塾れ、その基材の移動に従
って入射用が小さくなる領域で蒸着されるようtこする
のが好ましい。
が有利であって、蒸着物質を非磁性基材上へ魚層させる
ための入射角(θ)は、糾力盗冶できる入射角であれは
よく、好ましくは約30’ないし90°ζこなるように
するの力Sよい。まfC蒸冶9勿實はまず入射角の大き
い領域で非磁性基材上に魚庸塾れ、その基材の移動に従
って入射用が小さくなる領域で蒸着されるようtこする
のが好ましい。
この発明番こおいて、非(重性&Hfc魚7h切實か蒸
着される領域(以下、「蒸着領域」という)に酸素ガス
を吹きつける場合tこは、その蒸着領域の近傍に酸素ガ
ス吹出機構を設ければよい。その酸素ガス吹出機構は、
蒸着物質の蒸着率が大きい入射角の小さい蒸着領域では
酸素ガスの量が多くなるよう1こし、蒸着率の小さい入
射角の大きい蒸着領域では酸素ガスの量は小さくなるよ
うにするのがよい。酸素ガス吹田機構をそのようlこ構
成する(こは、例えば、ノズルを蒸着領域のうちで入射
角の小さい領域付近Eこ配置して、そのガス吹出し口を
蒸着領域全体に亘って酸素ガスを吹き付けることができ
るようにするか、または、酸素ガス吹き出し用のパイプ
に複数個のノズルを設け、そのノズルを蒸着領域全体に
酸素ガスを吹き出せるよう(こし、かつ、その吹出し口
の方間を―節して入射角の小さい領域により多量の酸素
ガスが吹き出すよう番こ構成することもできる。
着される領域(以下、「蒸着領域」という)に酸素ガス
を吹きつける場合tこは、その蒸着領域の近傍に酸素ガ
ス吹出機構を設ければよい。その酸素ガス吹出機構は、
蒸着物質の蒸着率が大きい入射角の小さい蒸着領域では
酸素ガスの量が多くなるよう1こし、蒸着率の小さい入
射角の大きい蒸着領域では酸素ガスの量は小さくなるよ
うにするのがよい。酸素ガス吹田機構をそのようlこ構
成する(こは、例えば、ノズルを蒸着領域のうちで入射
角の小さい領域付近Eこ配置して、そのガス吹出し口を
蒸着領域全体に亘って酸素ガスを吹き付けることができ
るようにするか、または、酸素ガス吹き出し用のパイプ
に複数個のノズルを設け、そのノズルを蒸着領域全体に
酸素ガスを吹き出せるよう(こし、かつ、その吹出し口
の方間を―節して入射角の小さい領域により多量の酸素
ガスが吹き出すよう番こ構成することもできる。
なお、この発明において#着領域とは、前述したように
、特に斜方蒸着ができる一定範囲の入射角(θ)によっ
てその蒸着物質が非磁性基材上に蒸着されて強磁性薄膜
が形成されうる領域を意味する。
、特に斜方蒸着ができる一定範囲の入射角(θ)によっ
てその蒸着物質が非磁性基材上に蒸着されて強磁性薄膜
が形成されうる領域を意味する。
この領域における酸素量が他の領域(こおけるよりも多
くなるように酸素ガスを吠き出すように構成すれはよい
。
くなるように酸素ガスを吠き出すように構成すれはよい
。
この発明lこおいて便用される#着物質とは、磁気記録
媒体の強磁性薄膜を形成しうるものであれば何れでもよ
く、例えば、Fe、 Co%N1などの金鵬あるいはl
i’e −Co合金、Fe−Ni合金、Co−N1−ル
1e−B合金などの合金からなる強磁性体などが列挙で
きる。蒸着物質は、奄熱藤、電子線なとを用いて加熱し
蒸発式せて非磁性基材上に蒸着される。
媒体の強磁性薄膜を形成しうるものであれば何れでもよ
く、例えば、Fe、 Co%N1などの金鵬あるいはl
i’e −Co合金、Fe−Ni合金、Co−N1−ル
1e−B合金などの合金からなる強磁性体などが列挙で
きる。蒸着物質は、奄熱藤、電子線なとを用いて加熱し
蒸発式せて非磁性基材上に蒸着される。
また、使用できる非磁性基材としては、磁気記録媒体を
製造するのをこ従来より使用されているものであれば何
れも使用できる。かかる非磁性基材の素材としては、例
えば、ポリエチVンテVフタV−トナトのポリエステル
、ポリプロピノンなどのポリオフフィン、セルロースト
1月アセテート、セルロースジアセテートなどのセルロ
ース誘導体、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリ
イミドなどの高分子物質などか挙けられる。
製造するのをこ従来より使用されているものであれば何
れも使用できる。かかる非磁性基材の素材としては、例
えば、ポリエチVンテVフタV−トナトのポリエステル
、ポリプロピノンなどのポリオフフィン、セルロースト
1月アセテート、セルロースジアセテートなどのセルロ
ース誘導体、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリ
イミドなどの高分子物質などか挙けられる。
この発明に係る方法(こよれば、蒸着室内をオゾンガス
雰囲気にしたことlこよって、蒸着物質を活性化にして
反応率を高めることができ、それQこよって蒸着効率を
従来の蒸着法に比べて格段と高めることができる。また
、酸素ガスだけを導入した場合より少ない流量のオゾン
ガス船こよってより高い保磁力を得ることができるので
使用ガス流量を著しく減少させることができるという利
点もある。
雰囲気にしたことlこよって、蒸着物質を活性化にして
反応率を高めることができ、それQこよって蒸着効率を
従来の蒸着法に比べて格段と高めることができる。また
、酸素ガスだけを導入した場合より少ない流量のオゾン
ガス船こよってより高い保磁力を得ることができるので
使用ガス流量を著しく減少させることができるという利
点もある。
以下、この発明を図面を参照して説明する。
第1図は、この発明を実施するための装置の一例を示す
ものである。所定の真空度、例えは約1X10’l’o
rr以丁tこした真空槽(1)fこ、蒸着物質を蒸着さ
せる非磁性基材(2)が、ローラ(3)から案内ローラ
(4)を介して巻取りローラ(5)Iこ巻取られるよう
に配置されている。またその真空イmiこはオゾンガス
発生装置Aが設けられていて、酸素ガスからオーシンガ
スを発生させて、その真空槽中に供給できるよう憂こな
っている。その真空槽の下部には、COなどの蒸着物質
(6)を電熱線、電子線などの加熱手段(7)を設けて
、その蒸着物質を加熱して蒸発させ、非磁性基材の表面
(こ所定の入射角(θ)で蒸着させて強磁性薄膜を形成
できるようになっている。なお、所定の入射角を確保す
るためlこ、辿蔽部(8)を設けて、非磁性基材の表面
lこ蒸着物質の蒸発粒子か不要部分に直接入射しない3
よう(こする。
ものである。所定の真空度、例えは約1X10’l’o
rr以丁tこした真空槽(1)fこ、蒸着物質を蒸着さ
せる非磁性基材(2)が、ローラ(3)から案内ローラ
(4)を介して巻取りローラ(5)Iこ巻取られるよう
に配置されている。またその真空イmiこはオゾンガス
発生装置Aが設けられていて、酸素ガスからオーシンガ
スを発生させて、その真空槽中に供給できるよう憂こな
っている。その真空槽の下部には、COなどの蒸着物質
(6)を電熱線、電子線などの加熱手段(7)を設けて
、その蒸着物質を加熱して蒸発させ、非磁性基材の表面
(こ所定の入射角(θ)で蒸着させて強磁性薄膜を形成
できるようになっている。なお、所定の入射角を確保す
るためlこ、辿蔽部(8)を設けて、非磁性基材の表面
lこ蒸着物質の蒸発粒子か不要部分に直接入射しない3
よう(こする。
第2図は、この発明を実施するための装置の別の例を示
すものであって、これiこは酸素ガスを蒸着領域lこ吹
きつけるためのノズル(9)を設けたバイブ(10)が
内設されていて、そのノズルから酸素(Atか、蒸着粒
子の入射角の小さい部分から大きな部分Gこ流れるよう
に配置すると共lこ、その酸:A流tこよってその蒸発
粒子か入射角の小さい領域がら大きな領域に散乱される
ようζこ構成されている。
すものであって、これiこは酸素ガスを蒸着領域lこ吹
きつけるためのノズル(9)を設けたバイブ(10)が
内設されていて、そのノズルから酸素(Atか、蒸着粒
子の入射角の小さい部分から大きな部分Gこ流れるよう
に配置すると共lこ、その酸:A流tこよってその蒸発
粒子か入射角の小さい領域がら大きな領域に散乱される
ようζこ構成されている。
以下、この発明を実施例により+l111.明する。
実施例
真空L 7 X i Q−5Tnrr lこした襖1図
番こ示すような真空槽を用いて、ポリエチVンテVフタ
V−トフイルム上lこ、入射角θヲ50°ないし90’
iこしで、Co F3 Q%、N12Q%の合金を加熱
蒸発させて蒸層厚が1000^になるように蒸着を行っ
た。この場合供給されたオゾンガスはオゾン:酸素ガス
の組成比が5:4である混合ガスであった。
番こ示すような真空槽を用いて、ポリエチVンテVフタ
V−トフイルム上lこ、入射角θヲ50°ないし90’
iこしで、Co F3 Q%、N12Q%の合金を加熱
蒸発させて蒸層厚が1000^になるように蒸着を行っ
た。この場合供給されたオゾンガスはオゾン:酸素ガス
の組成比が5:4である混合ガスであった。
第6図1こは、オゾンガス流量と得られた磁気記録媒体
の保磁力との関係か示されている。図中、曲[1はオゾ
ンガス(オゾン:酸素ガス−5=4)を供給した場合、
曲線■は実施例と同一条件で酸素ガスだけを供給した場
合である。
の保磁力との関係か示されている。図中、曲[1はオゾ
ンガス(オゾン:酸素ガス−5=4)を供給した場合、
曲線■は実施例と同一条件で酸素ガスだけを供給した場
合である。
第1図および第2図は、この発明の方法を実施するため
の装置を示す断面図、第6図はオゾンガス流量と保磁力
との関係を示すグラフである。 なお図面をご用いられた符号において、(1)・・・・
・・・・・・・・真空槽(2)・・・・・・・・・・・
・基材 (6)・・・・・・・・・・・・蒸着物質(9)・・・
・・・・・・・・・ノズルA・・・・・・・・・・・・
オゾンガス発生装置である。 代理人 上屋 勝 183− (”0XA) り)14グ少込す
の装置を示す断面図、第6図はオゾンガス流量と保磁力
との関係を示すグラフである。 なお図面をご用いられた符号において、(1)・・・・
・・・・・・・・真空槽(2)・・・・・・・・・・・
・基材 (6)・・・・・・・・・・・・蒸着物質(9)・・・
・・・・・・・・・ノズルA・・・・・・・・・・・・
オゾンガス発生装置である。 代理人 上屋 勝 183− (”0XA) り)14グ少込す
Claims (1)
- オゾンガス分圧が他のいずれの気体の分圧よりも大きい
オゾンガス雰囲気中において、非磁性基材に磁性蒸着物
質を蒸着させることを特徴とする磁気記録媒体の製造法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15933881A JPS5860432A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 磁気記録媒体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15933881A JPS5860432A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 磁気記録媒体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5860432A true JPS5860432A (ja) | 1983-04-09 |
Family
ID=15691643
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15933881A Pending JPS5860432A (ja) | 1981-10-06 | 1981-10-06 | 磁気記録媒体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5860432A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58134414A (ja) * | 1982-02-04 | 1983-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPH0428618U (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-06 |
-
1981
- 1981-10-06 JP JP15933881A patent/JPS5860432A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58134414A (ja) * | 1982-02-04 | 1983-08-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPH0428618U (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-06 |
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