JPH0139712Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0139712Y2 JPH0139712Y2 JP1982176552U JP17655282U JPH0139712Y2 JP H0139712 Y2 JPH0139712 Y2 JP H0139712Y2 JP 1982176552 U JP1982176552 U JP 1982176552U JP 17655282 U JP17655282 U JP 17655282U JP H0139712 Y2 JPH0139712 Y2 JP H0139712Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- substrate holder
- evaporation source
- filter
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は蒸着効率の向上を図つた蒸着装置に関
する。
する。
蒸着技術は、最近広い範囲に適用されるように
なつてきている。この蒸着技術の長所はメツキ等
に比べ公害を発生しないという点である。しかし
ながら、生産性は極めて悪い短所がある。これは
蒸着効率10％程度であることに起因する。
なつてきている。この蒸着技術の長所はメツキ等
に比べ公害を発生しないという点である。しかし
ながら、生産性は極めて悪い短所がある。これは
蒸着効率10％程度であることに起因する。
本考案は、上記の点に鑑み、真空室内の側面に
フイルタを立設し、該フイルタの背面より前面方
向にガスを放出する構成とすることにより、真空
室の側壁への無駄な蒸着をなくし蒸着効率の大幅
な向上を図つた蒸着装置を提供しようとするもの
である。
フイルタを立設し、該フイルタの背面より前面方
向にガスを放出する構成とすることにより、真空
室の側壁への無駄な蒸着をなくし蒸着効率の大幅
な向上を図つた蒸着装置を提供しようとするもの
である。
以下、本考案に係る蒸着装置の実施例を図面に
従つて説明する。
従つて説明する。
図示の実施例はプラズマCVD（ケミカル・ベー
パー・デポジシヨン）の原理を蒸着に応用したも
のである。図において、ベルジヤ１の底部にはる
つぼ２に電子ビームを当てて蒸発物質を溶融させ
る電子銃式蒸発源３が配置され、その上方に基板
（サブストレート）を保持する基板ホルダ４が配
設されている。そして、ベルジヤ１の側壁内側に
は蒸発源３と基板ホルダ４との空間の四方を囲む
ごとく磁器製のフイルタ５が立設されている。こ
の磁器製フイルタ５は通気性を有するものであ
り、この後面に矢印Ａの如くガスが導入される。
そして、電子銃側及びベルジヤ側にてそれぞれ真
空排気系６Ａ，６Ｂによりポンピングを行い、電
子銃側よりも基板ホルダ４が配置されたベルジヤ
側の方がさらに真空度が高くなるごとく設定す
る。このとき、基板（サブストレート）にフエラ
イトを用いる場合、あるいはコンデンサ薄膜を形
成する場合には前記矢印Ａの方向に導入するガス
として酸素O2ガスを、その他の場合はアルゴン
Ar等の中性ガスを用いる。
パー・デポジシヨン）の原理を蒸着に応用したも
のである。図において、ベルジヤ１の底部にはる
つぼ２に電子ビームを当てて蒸発物質を溶融させ
る電子銃式蒸発源３が配置され、その上方に基板
（サブストレート）を保持する基板ホルダ４が配
設されている。そして、ベルジヤ１の側壁内側に
は蒸発源３と基板ホルダ４との空間の四方を囲む
ごとく磁器製のフイルタ５が立設されている。こ
の磁器製フイルタ５は通気性を有するものであ
り、この後面に矢印Ａの如くガスが導入される。
そして、電子銃側及びベルジヤ側にてそれぞれ真
空排気系６Ａ，６Ｂによりポンピングを行い、電
子銃側よりも基板ホルダ４が配置されたベルジヤ
側の方がさらに真空度が高くなるごとく設定す
る。このとき、基板（サブストレート）にフエラ
イトを用いる場合、あるいはコンデンサ薄膜を形
成する場合には前記矢印Ａの方向に導入するガス
として酸素O2ガスを、その他の場合はアルゴン
Ar等の中性ガスを用いる。
上記構成において、矢印Ａの如く導入されたガ
スはフイルタ５の背面より前面側に微量流出し、
この結果フイルタ５には蒸発物質の蒸気は付着せ
ず、蒸発源３側よりも前記基板ホルダ４側の方が
真空度が高くなるように真空排気系６Ｂで排気す
ることにより殆どが基板ホルダ４側に流れて基板
に付着する。従つて、大幅な蒸着効率の改善を図
ることができる。
スはフイルタ５の背面より前面側に微量流出し、
この結果フイルタ５には蒸発物質の蒸気は付着せ
ず、蒸発源３側よりも前記基板ホルダ４側の方が
真空度が高くなるように真空排気系６Ｂで排気す
ることにより殆どが基板ホルダ４側に流れて基板
に付着する。従つて、大幅な蒸着効率の改善を図
ることができる。
以上説明したように、本考案によれば、真空室
内の側面にフイルタを立設し、該フイルタの背面
より前面方向にガスを送出する構成を採用するこ
とにより、蒸着効率の大幅向上を図つた蒸着装置
を得ることができ、生産性向上の効果は大きい。
内の側面にフイルタを立設し、該フイルタの背面
より前面方向にガスを送出する構成を採用するこ
とにより、蒸着効率の大幅向上を図つた蒸着装置
を得ることができ、生産性向上の効果は大きい。
図は本考案に係る蒸着装置の実施例を示す断面
図である。 １……ベルジヤ、２……るつぼ、３……電子銃
式蒸発源、４……基板ホルダ、５……フイルタ、
６Ａ，６Ｂ……真空排気系。
図である。 １……ベルジヤ、２……るつぼ、３……電子銃
式蒸発源、４……基板ホルダ、５……フイルタ、
６Ａ，６Ｂ……真空排気系。
Claims (1)
- 真空室内の底部に蒸発源を配置し、上部に基板
ホルダを設けた蒸着装置において、前記真空室側
壁内側に前記蒸発源と前記基板ホルダ間の空間の
四方を囲む如く通気性フイルタを立設し、該フイ
ルタ背面より前面方向にガスを送出するととも
に、前記蒸発源側よりも前記基板ホルダ側の方が
真空度が高くなるように真空排気系で排気するこ
とを特徴とする蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17655282U JPS5980463U (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17655282U JPS5980463U (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5980463U JPS5980463U (ja) | 1984-05-31 |
| JPH0139712Y2 true JPH0139712Y2 (ja) | 1989-11-29 |
Family
ID=30383819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17655282U Granted JPS5980463U (ja) | 1982-11-24 | 1982-11-24 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5980463U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5742866A (en) * | 1980-08-28 | 1982-03-10 | Diesel Kiki Co Ltd | Obstacle detector |
| JPS57176554A (en) * | 1981-04-07 | 1982-10-29 | Philips Nv | Magnetic tape cassette device |
-
1982
- 1982-11-24 JP JP17655282U patent/JPS5980463U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5742866A (en) * | 1980-08-28 | 1982-03-10 | Diesel Kiki Co Ltd | Obstacle detector |
| JPS57176554A (en) * | 1981-04-07 | 1982-10-29 | Philips Nv | Magnetic tape cassette device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5980463U (ja) | 1984-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4867859A (en) | Apparatus for forming a thin film | |
| JPS6345365A (ja) | 基板に反応性蒸着する方法及び装置 | |
| JPH0139712Y2 (ja) | ||
| JPH0641733A (ja) | 反応性スパッタリング装置 | |
| JPS62199767A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
| US2985756A (en) | Ionic bombardment cleaning apparatus | |
| EP0095384A3 (en) | Vacuum deposition apparatus | |
| JPS61210190A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH0397855A (ja) | スパッタリング装置 | |
| JPH0830272B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPS60255972A (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
| JPS6225249B2 (ja) | ||
| JPH03215664A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH04210466A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPS5782471A (en) | Formation of thin film | |
| JPS58161634U (ja) | 反応性イオンプレ−テイング装置 | |
| JPH0672300B2 (ja) | ハイブリツドイオンプレ−テイング装置 | |
| JPH0399762U (ja) | ||
| JPH01177502A (ja) | アルミニウム反射薄膜の製造方法 | |
| JPS57161059A (en) | Film forming device | |
| JPS61220415A (ja) | 薄膜製造方法 | |
| JPH0499265A (ja) | 化合物の高速蒸着方法及び装置 | |
| JPS63283737A (ja) | 真空用反応容器 | |
| JPH05271904A (ja) | 立方晶窒化硼素膜の製造方法 | |
| JPH0238573A (ja) | 直接励起気相析出法による薄膜の製造装置 |