JPS61220415A - 薄膜製造方法 - Google Patents
薄膜製造方法Info
- Publication number
- JPS61220415A JPS61220415A JP6252485A JP6252485A JPS61220415A JP S61220415 A JPS61220415 A JP S61220415A JP 6252485 A JP6252485 A JP 6252485A JP 6252485 A JP6252485 A JP 6252485A JP S61220415 A JPS61220415 A JP S61220415A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- light
- forming apparatus
- film forming
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、薄膜形成装置およびそれを用いた薄膜形成方
法に関するものである０さらに詳しくは、放電と光照射
を同時に利用した化学気相蒸着法（ＣＶＤという）また
は物理気相蒸着法（ＰＶＤ）により薄膜を形成する技術
に関するものである。
法に関するものである０さらに詳しくは、放電と光照射
を同時に利用した化学気相蒸着法（ＣＶＤという）また
は物理気相蒸着法（ＰＶＤ）により薄膜を形成する技術
に関するものである。
従来の技術
従来より光あるいは放電を利用したＣＶＤ技術やＰＶＤ
技術は種々知られている。しかしながら、従来の光を用
いたＣＶＤ装置やＰＶＤ装置の欠点は、減圧容器内に光
を導入する際に用いる光導入窓が、薄膜形成時に汚され
て光透過率が劣化する点にある。この欠点を解決するた
めに減圧室内にミラーを設置し、直接光導入窓に薄膜材
料が付着するのを防止する方法等が用いられているが、
この場合ミラーの表面が薄膜材料で汚染され反射率が悪
くなるため、根本的な解決策とはなっていない。
技術は種々知られている。しかしながら、従来の光を用
いたＣＶＤ装置やＰＶＤ装置の欠点は、減圧容器内に光
を導入する際に用いる光導入窓が、薄膜形成時に汚され
て光透過率が劣化する点にある。この欠点を解決するた
めに減圧室内にミラーを設置し、直接光導入窓に薄膜材
料が付着するのを防止する方法等が用いられているが、
この場合ミラーの表面が薄膜材料で汚染され反射率が悪
くなるため、根本的な解決策とはなっていない。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、光を用いたＣＶＤ装置またはＰＶＤ装置にお
いて、従来より薄膜形成時に生じていた光導入窓の汚染
を防止することにより、装置連続使用時間の向上ないし
装置の可動率の向上を図るものである。
いて、従来より薄膜形成時に生じていた光導入窓の汚染
を防止することにより、装置連続使用時間の向上ないし
装置の可動率の向上を図るものである。
問題点を解決するための手段
以上述べてきた従来装置の欠点に鑑み、本発明は、光導
入窓近傍にグロー放電用電極を設置し、光導入窓近傍に
やってきた薄膜材料微粒子をグロー放電によりイオン化
させ、さらに電界によりトラップすることにより、光導
入窓の汚染を防止する方法および装置を提供するもので
ある。
入窓近傍にグロー放電用電極を設置し、光導入窓近傍に
やってきた薄膜材料微粒子をグロー放電によりイオン化
させ、さらに電界によりトラップすることにより、光導
入窓の汚染を防止する方法および装置を提供するもので
ある。
作、 用
一般にＰＶＤ法あるいは、ＣＶＤ法を用いて薄膜形成す
る場合、減圧容器内に反応ガスを導入したり、蒸発微粒
子を生成させ、これらを基板表面で反応させたシ堆積さ
せたシする方法が用いられているが、これら反応ガスや
蒸発微粒子は、当然光導入窓にも接近する。そこで、あ
らかじめ光導入窓近傍に電圧を印加したグロー放電用の
電極を設置しておき、接近してきた反応ガスや微粒子を
グロー放電によりイオン化して、電極にトラップするこ
とにより光導入窓の汚染を防止し、光導入時の光路を確
保することができる。
る場合、減圧容器内に反応ガスを導入したり、蒸発微粒
子を生成させ、これらを基板表面で反応させたシ堆積さ
せたシする方法が用いられているが、これら反応ガスや
蒸発微粒子は、当然光導入窓にも接近する。そこで、あ
らかじめ光導入窓近傍に電圧を印加したグロー放電用の
電極を設置しておき、接近してきた反応ガスや微粒子を
グロー放電によりイオン化して、電極にトラップするこ
とにより光導入窓の汚染を防止し、光導入時の光路を確
保することができる。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図を用いて説明
する。例えば、レーザビーム蒸着を行う場合、第１図に
示すように、少なくとも光導入窓１、基板保持部２．放
電用電極３．ガス導入口４゜排気口５を備えた減圧容器
６と、減圧容器６内のガスを排気する排気装置７と、外
部光源８と、放電用電源９を有する薄膜形成装置におい
て、あらかじめ減圧容器内のガスを排気した後、光ビー
ム１ｏ（例えば、Ｃ０２レーザ、ＹＡＧＬ／−ザ、ルヒ
ーレーザ、その他赤外ランプ等の光をレンズ１１を用い
て集光したもの）を用いて、薄膜材料のターゲット１２
を照射蒸発させて基板１３上に薄膜を形成する際、あら
かじめ、光導入窓１近傍の放電電極３に直流または交流
（高周波電流を含む）電圧を印加しておき、接近してき
た薄膜材料の蒸発微粒子を放電によりイオン化し、さら
に放電電極３の電位をプラスにじておくことにより光導
入窓に接近してくるイオンを反発し、マイナス電位に帯
電させた部分（例えば、基板）にトラップさせることに
より、光導入窓１の蒸発物による汚染を大幅に低減でき
る。１６は、ミラーである。
する。例えば、レーザビーム蒸着を行う場合、第１図に
示すように、少なくとも光導入窓１、基板保持部２．放
電用電極３．ガス導入口４゜排気口５を備えた減圧容器
６と、減圧容器６内のガスを排気する排気装置７と、外
部光源８と、放電用電源９を有する薄膜形成装置におい
て、あらかじめ減圧容器内のガスを排気した後、光ビー
ム１ｏ（例えば、Ｃ０２レーザ、ＹＡＧＬ／−ザ、ルヒ
ーレーザ、その他赤外ランプ等の光をレンズ１１を用い
て集光したもの）を用いて、薄膜材料のターゲット１２
を照射蒸発させて基板１３上に薄膜を形成する際、あら
かじめ、光導入窓１近傍の放電電極３に直流または交流
（高周波電流を含む）電圧を印加しておき、接近してき
た薄膜材料の蒸発微粒子を放電によりイオン化し、さら
に放電電極３の電位をプラスにじておくことにより光導
入窓に接近してくるイオンを反発し、マイナス電位に帯
電させた部分（例えば、基板）にトラップさせることに
より、光導入窓１の蒸発物による汚染を大幅に低減でき
る。１６は、ミラーである。
なお、このどき、Ａｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを少量導入
しておくと、放電を安定化しゃすい。また反応性ガスを
導入しながら蒸着を行えば、プラズマ反応を伴った蒸着
膜が得られることは言うまでもない。また、第１図の場
合には、光路上に電極を設置しているので、光ビームを
通過させるためには電極をグリッド状にしておく必要が
あるが、第２図のタイプでは、放電電極１４．１５は対
向しており、光路を邪魔することがないのでグリッド状
である必要はない。
しておくと、放電を安定化しゃすい。また反応性ガスを
導入しながら蒸着を行えば、プラズマ反応を伴った蒸着
膜が得られることは言うまでもない。また、第１図の場
合には、光路上に電極を設置しているので、光ビームを
通過させるためには電極をグリッド状にしておく必要が
あるが、第２図のタイプでは、放電電極１４．１５は対
向しており、光路を邪魔することがないのでグリッド状
である必要はない。
また、上述の原理は、レーザビーム蒸着時にのみ利用で
きるものではない。例えば、第３図に示すような光ＣＶ
Ｄにおいても本発明の効果は十分発揮される。
きるものではない。例えば、第３図に示すような光ＣＶ
Ｄにおいても本発明の効果は十分発揮される。
すなわち、あらかじめ減圧容器２１内のガスを排気した
後、反応性ガスをガス導入口２２より導入しながら、さ
らに放電電極２３に電圧を印加して放電させながら、光
導入窓２４より集光した光２５を導入し、光照射されて
いる基板２６表面で気相化学反応を生じせしめて薄膜堆
積を行うことも可能である。
後、反応性ガスをガス導入口２２より導入しながら、さ
らに放電電極２３に電圧を印加して放電させながら、光
導入窓２４より集光した光２５を導入し、光照射されて
いる基板２６表面で気相化学反応を生じせしめて薄膜堆
積を行うことも可能である。
なお、この場合も、放電用電極２３の電位をプラス電位
にしておくことにより、イオン化されたガスが光導入窓
２４に接近するのを防止することができる。さらに、基
板保持部２７または基板の電位を減圧容器内で最も低く
しておくことによりイオン化された薄膜材料を効率よく
基板表面に集めることが可能である。第３図中、２８は
排気口、２９は集光レンズ、３ｏは光源、３１は放電用
電源を示す。
にしておくことにより、イオン化されたガスが光導入窓
２４に接近するのを防止することができる。さらに、基
板保持部２７または基板の電位を減圧容器内で最も低く
しておくことによりイオン化された薄膜材料を効率よく
基板表面に集めることが可能である。第３図中、２８は
排気口、２９は集光レンズ、３ｏは光源、３１は放電用
電源を示す。
発明の効果
以上のように、本発明の薄膜形成装置およびそれを用い
た薄膜形成方法を利用することにより、光ビーム蒸着あ
るいは光ＣＶＤ等における薄膜形成時、光導入窓の汚染
を大幅に低減できるので、装置の連続使用時間の向上な
いし装置の可動率の向上が計れ、光を用いて薄膜を形成
する産業においては効果大なるものである。
た薄膜形成方法を利用することにより、光ビーム蒸着あ
るいは光ＣＶＤ等における薄膜形成時、光導入窓の汚染
を大幅に低減できるので、装置の連続使用時間の向上な
いし装置の可動率の向上が計れ、光を用いて薄膜を形成
する産業においては効果大なるものである。
第１図、第２図は本発明の実施例における薄膜形成装置
およびそれを用いた薄膜形成方法を説明するための図で
あり、第１図はグリッド電極を用いた例、第２図は対向
電極を用いた例を示・しており、第３図は本発明のさら
に他の実施例を説明するだめの図である。 １．２４・・−・・光導入窓、２，２７・・・・・・基
板保持部、３，１４，１５，２３・・・・・・放電用電
極、６゜２８・・・・・・排気口、６，２１・・・・・
・減圧容器、７・・・・・・排気装置、８，３ｏ・・・
・・・光源、９，３１・・・・・・放電用電源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
およびそれを用いた薄膜形成方法を説明するための図で
あり、第１図はグリッド電極を用いた例、第２図は対向
電極を用いた例を示・しており、第３図は本発明のさら
に他の実施例を説明するだめの図である。 １．２４・・−・・光導入窓、２，２７・・・・・・基
板保持部、３，１４，１５，２３・・・・・・放電用電
極、６゜２８・・・・・・排気口、６，２１・・・・・
・減圧容器、７・・・・・・排気装置、８，３ｏ・・・
・・・光源、９，３１・・・・・・放電用電源。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図
Claims (9)
- （１）少なくとも光導入窓、基板保持部、放電用電極、
ガス導入口、排気口を備えた減圧容器と、この減圧容器
内のガスを排気する排気装置と、外部光源と、放電用電
源を有することを特徴とする薄膜形成装置。 - （２）外部光源がレーザー光を発するものであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置。 - （３）格子状の放電用電極が光導入窓近傍に設置されて
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜
形成装置。 - （４）少なくとも光導入窓、基板保持部、放電用電極、
ガス導入口、排気口を備えた減圧容器と、この減圧容器
内のガスを排気する排気装置と、外部光源と、放電用電
源を有する薄膜形成装置を用い、あらかじめ減圧容器内
のガスを排気した後、光導入窓より集光した光を導入し
て薄膜原料を照射加熱蒸発させながら放電を行ない、基
板保持部に設置した基板の表面に蒸着膜を形成させるこ
とを特徴とする薄膜形成装置を用いた薄膜製造方法。 - （５）光導入窓に近い放電用電極の電位を他の電極の電
位より高くしておくことを特徴とする特許請求の範囲第
４項記載の薄膜形成装置を用いた薄膜製造方法。 - （６）さらに基板の電位を減圧容器内で最も低くしてお
くことを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の薄膜形
成装置を用いた薄膜製造方法。 - （７）ガス導入口より反応性ガスを導入しながら成膜を
行うことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の薄膜
形成装置を用いた薄膜製造方法。 - （８）少なくとも光導入窓、基板保持部、放電用電極、
ガス導入口、排気口を備えた減圧容器と、この減圧容器
内のガスを排気する排気装置と、外部光域と、放電用電
源を有する薄膜形成装置を用い、あらかじめ、減圧容器
内のガスを排気した後、反応性ガスを導入し、放電用電
極を用いて放電を行ないながら光導入窓より光を導入し
、光照射されている基板表面で気相化学反応を生じせし
めて薄膜堆積を行うことを特徴とする薄膜形成装置を用
いた薄膜製造方法。 - （９）光導入窓に近い放電用電極の電位を他の電極の電
位より高くしておくことを特徴とする特許請求の範囲第
８項記載の薄膜形成装置を用いた薄膜製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6252485A JPS61220415A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 薄膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6252485A JPS61220415A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 薄膜製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220415A true JPS61220415A (ja) | 1986-09-30 |
| JPH0321087B2 JPH0321087B2 (ja) | 1991-03-20 |
Family
ID=13202657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6252485A Granted JPS61220415A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | 薄膜製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220415A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156075A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Mitsubishi Metal Corp | 超電導体薄膜の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57160119A (en) * | 1981-03-28 | 1982-10-02 | Mitsugi Hanabusa | Manufacture of amorphous silicon film by reactive laser sputtering |
| JPS58165330A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6122618A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 気相エピタキシヤル結晶成長装置 |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP6252485A patent/JPS61220415A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57160119A (en) * | 1981-03-28 | 1982-10-02 | Mitsugi Hanabusa | Manufacture of amorphous silicon film by reactive laser sputtering |
| JPS58165330A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6122618A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 気相エピタキシヤル結晶成長装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02156075A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Mitsubishi Metal Corp | 超電導体薄膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0321087B2 (ja) | 1991-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6103320A (en) | Method for forming a thin film of a metal compound by vacuum deposition | |
| JPH0622222B2 (ja) | 光処理装置 | |
| JPH10229058A (ja) | コーティング付き堆積チャンバ装置 | |
| JPS61220415A (ja) | 薄膜製造方法 | |
| US4279216A (en) | Cathode shielded coating apparatus | |
| JP3394130B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置 | |
| JPH11106911A (ja) | 薄膜形成装置及びそれを用いた化合物薄膜の形成法 | |
| JPS5489983A (en) | Device and method for vacuum deposition compound | |
| US5024721A (en) | Method of forming metal surface thin film having high corrosion resistance and high adhesion | |
| JPH0885872A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH05275350A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS61210190A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JPH02156066A (ja) | 基材のクリーニング方法 | |
| JP2603919B2 (ja) | 立方晶系窒化ホウ素の結晶粒を含む窒化ホウ素膜の作製方法 | |
| JPS63458A (ja) | 真空ア−ク蒸着装置 | |
| JP2576154B2 (ja) | 試料台カバーの浄化方法 | |
| JPH04314864A (ja) | 基体表面のプラズマクリーニング方法 | |
| JPS62270766A (ja) | 蒸着装置およびそれを用いた蒸着方法 | |
| JPH03219541A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS609657B2 (ja) | イオンプレ−テイング方法及び装置 | |
| JPH01184267A (ja) | 絶縁膜コーティング方法 | |
| JPH0729829A (ja) | 直流放電型プラズマ処理方法及び装置 | |
| JPH0375355A (ja) | 成膜装置 | |
| JPS6289861A (ja) | 薄膜衝撃蒸着方法とその装置 | |
| JPH03211280A (ja) | Ｃｖｄ装置の脱ガス方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |