JPS58165330A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58165330A JPS58165330A JP4959982A JP4959982A JPS58165330A JP S58165330 A JPS58165330 A JP S58165330A JP 4959982 A JP4959982 A JP 4959982A JP 4959982 A JP4959982 A JP 4959982A JP S58165330 A JPS58165330 A JP S58165330A
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- film
- reaction
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- thin film
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体な
どの対象基板上へ選択的に絶縁膜、半導体膜あるいは金
属膜などの薄膜を形成する丸めの方法に係わるものであ
る。
どの対象基板上へ選択的に絶縁膜、半導体膜あるいは金
属膜などの薄膜を形成する丸めの方法に係わるものであ
る。
半導体基板上への絶縁族、半導体膜あるいは金属膜など
の各種の薄膜は、従来から各膜対応に異なる装置により
各別に形成させ、ま丸缶薄膜を選択的にバターニングし
て形成する場合にも、形成しようとする薄膜を一旦紘基
板の全表面に禎着させ九〇ち、写真製版技術などを利用
して、その不要部分を除去する方法が一般的であつ九。
の各種の薄膜は、従来から各膜対応に異なる装置により
各別に形成させ、ま丸缶薄膜を選択的にバターニングし
て形成する場合にも、形成しようとする薄膜を一旦紘基
板の全表面に禎着させ九〇ち、写真製版技術などを利用
して、その不要部分を除去する方法が一般的であつ九。
しかし乍らとのような従来の方法では、得られる薄膜の
パターン精度が不要部分を除去する丸めの、マスク自体
Ｏｓ度およびマスク合わせの精度によ）左右されるはか
、工程的にも成ＩＩ！、転写および蝕刻のように複雑で
、しかも各工程毎に異なる装置でのｌ＆ｙｓが必要であ
るなどの欠点があった。
パターン精度が不要部分を除去する丸めの、マスク自体
Ｏｓ度およびマスク合わせの精度によ）左右されるはか
、工程的にも成ＩＩ！、転写および蝕刻のように複雑で
、しかも各工程毎に異なる装置でのｌ＆ｙｓが必要であ
るなどの欠点があった。
仁の発明は従来のむのような欠点を改善するため、光化
学反応を利用して、同一装置内でこれらの各薄膜を選択
的に形成し得るようにし九ものである。
学反応を利用して、同一装置内でこれらの各薄膜を選択
的に形成し得るようにし九ものである。
以下、この発明方法の一実施例につき、添付図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
添付図Ｉ＋９杜この実施例方法を適用した装置構成の概
要を示している。この図面において、符号（１）は色素
励起用のレーザー、例えばＮ、レーザーで、色素（２）
の種類によりそのレーザービームの発振波長を変え得る
ようになってお９、かつ回折格子（３）によりその励起
波長がきびしく選択され、励起エネルギー選択可能な光
源を構成すると共に、そのレーザービーム（４）は位置
制御系（５）によシ精密に作動制御されるミラー（６）
を介して照射方向が特定される。
要を示している。この図面において、符号（１）は色素
励起用のレーザー、例えばＮ、レーザーで、色素（２）
の種類によりそのレーザービームの発振波長を変え得る
ようになってお９、かつ回折格子（３）によりその励起
波長がきびしく選択され、励起エネルギー選択可能な光
源を構成すると共に、そのレーザービーム（４）は位置
制御系（５）によシ精密に作動制御されるミラー（６）
を介して照射方向が特定される。
またσ）は前記レーザービーム（４）の入射窓儂）を有
し、かつガスの導入口（９）、導出口（１０）を設けた
反応室、（１１）はこの反応室σ）内に設けられて被加
工物である半導体基板（１２）を載置するステージ、（
１３）はとの半導体基板（１２）を加熱する加熱コイル
、（１４）。
し、かつガスの導入口（９）、導出口（１０）を設けた
反応室、（１１）はこの反応室σ）内に設けられて被加
工物である半導体基板（１２）を載置するステージ、（
１３）はとの半導体基板（１２）を加熱する加熱コイル
、（１４）。
（１５）は図示省略した高周波電源に接続されて、反応
室つ内に導入されるガスを必要に応じプラズマ化するた
め、この反応室″□σ）内に設けられ九ｌ対の電極、（
１Ｇ）は前記レー讐Ｌｏ）の他方から取〕出される奥い
レーザー光でＪｉ（１′とのレーザー光（１Ｇ）を前、
１１ “ 記入引窓（８）に当て、その反射光を光検出器（１Ｔ）
によシモニタリングすることによシ、同人引窓（８）の
汚れを検知してその交換時期を確認できるようにしてい
る。なお（１ｓ）は光検出器（ＩＴ）のための電源回路
である。
室つ内に導入されるガスを必要に応じプラズマ化するた
め、この反応室″□σ）内に設けられ九ｌ対の電極、（
１Ｇ）は前記レー讐Ｌｏ）の他方から取〕出される奥い
レーザー光でＪｉ（１′とのレーザー光（１Ｇ）を前、
１１ “ 記入引窓（８）に当て、その反射光を光検出器（１Ｔ）
によシモニタリングすることによシ、同人引窓（８）の
汚れを検知してその交換時期を確認できるようにしてい
る。なお（１ｓ）は光検出器（ＩＴ）のための電源回路
である。
従ってこの装置構成においては、反応＊ａ＞内を所定圧
力に保持し良状態で、導入口（Ｓ）、導出口（１のを通
して、例えばシラン（８ｔＨｎ）とアンモニア（Ｍｉｇ
）との混合ガスを供給すると共に、加熱コイル（１３）
Ｋよ）半導体基板（１２）を加熱して、この半導体基板
（１２）を供給ガスとの反応が促進されない＠縦の温度
９例えば７５０℃前後に保持しておく。
力に保持し良状態で、導入口（Ｓ）、導出口（１のを通
して、例えばシラン（８ｔＨｎ）とアンモニア（Ｍｉｇ
）との混合ガスを供給すると共に、加熱コイル（１３）
Ｋよ）半導体基板（１２）を加熱して、この半導体基板
（１２）を供給ガスとの反応が促進されない＠縦の温度
９例えば７５０℃前後に保持しておく。
そしてこの状態で反応ガスの吸収の大きい励起波長に選
択し九レーザー光（４）を、位置制御系６）により制御
されるミラー（６）によ〕入射１！ （ＩＩ）を経て半
導体基板（１２）の所定表面位置に照射すると、仁の基
板上の照射表面で導入ガス成分の分解、ラジカル化が促
進され１．−公的にこの場合はシリコン窒化膜（８１ｓ
Ｎ＋）を効ニーよ（選択的に形成できるのであ！Ｉ、
ＩＥＩｍ（１２）、Ｊ′・１．）Ｋよ、ヵ、１ヶ？−’
（ｆｆ（ｔＬ、１１゜ もよい。
択し九レーザー光（４）を、位置制御系６）により制御
されるミラー（６）によ〕入射１！ （ＩＩ）を経て半
導体基板（１２）の所定表面位置に照射すると、仁の基
板上の照射表面で導入ガス成分の分解、ラジカル化が促
進され１．−公的にこの場合はシリコン窒化膜（８１ｓ
Ｎ＋）を効ニーよ（選択的に形成できるのであ！Ｉ、
ＩＥＩｍ（１２）、Ｊ′・１．）Ｋよ、ヵ、１ヶ？−’
（ｆｆ（ｔＬ、１１゜ もよい。
を良問様に導入ガスを適宜選択することによシ、その他
の絶縁膜、半導体膜、もしくは金属膜などの薄膜を選択
的に形成したシ、場合によってはこれらの薄膜を選択的
にエツチング除去する仁とができる。
の絶縁膜、半導体膜、もしくは金属膜などの薄膜を選択
的に形成したシ、場合によってはこれらの薄膜を選択的
にエツチング除去する仁とができる。
なおこ＼で被加工物としての基板の材質は例であっても
よく、ま良問基板の平面上に所定厚さの膜を堆積形成し
ても、Ｔｏるいは基板凹部を瀧めるように同腹を形成し
てもよいことは勿論である。
よく、ま良問基板の平面上に所定厚さの膜を堆積形成し
ても、Ｔｏるいは基板凹部を瀧めるように同腹を形成し
てもよいことは勿論である。
以上詳述し丸ようにこの発明方法によるときは、形成し
ようとする所望薄膜に対応して、導入ガスの種類、なら
びに照射するに一ザー光の励起波長を選択し、ガスまた
はプラズマ雰囲気中（保持された対象基板面に、レーザ
ー光を位置制御して照射させることによシ、同基板面に
所期の薄膜を形成し、もしくはこれをエツチング除去す
るようにしたから、写真製版技術などを利用する従来方
法のように、多くの工程および各工程毎に異なる処理装
置などを全く必要とせず、同一の装置によ）良好なパタ
ーン精度で絶縁層、半導伴膜−金禰膜など各種の薄膜を
選択的に形成できる４のである。
ようとする所望薄膜に対応して、導入ガスの種類、なら
びに照射するに一ザー光の励起波長を選択し、ガスまた
はプラズマ雰囲気中（保持された対象基板面に、レーザ
ー光を位置制御して照射させることによシ、同基板面に
所期の薄膜を形成し、もしくはこれをエツチング除去す
るようにしたから、写真製版技術などを利用する従来方
法のように、多くの工程および各工程毎に異なる処理装
置などを全く必要とせず、同一の装置によ）良好なパタ
ーン精度で絶縁層、半導伴膜−金禰膜など各種の薄膜を
選択的に形成できる４のである。
図面はこの発明方法の一実施例を適用した製造装置の概
要構成を示す説明図である。 （１）・・Φ・レーザー、Ｑ）・・・・色素、０）・・
・・回折格子、（４）・Φ・・選択された励起波長のレ
ーザー光、（５）・・・・−位置制御系、（６）・・・
ゆきラー、σ）・・・・反応室、―）・・・・入射窓、
（９） 、 （１０）・・・拳ガス導入ロ、導出口、（
１１）・・・、・ステージ、（１２）・・・・半導体基
板、（１３）・・・・加熱コイル、（１４）、（Ｉｓ）
・・・・高周波電源に接続される１対の電極。 代理人 葛 野 信 −（外１名）
要構成を示す説明図である。 （１）・・Φ・レーザー、Ｑ）・・・・色素、０）・・
・・回折格子、（４）・Φ・・選択された励起波長のレ
ーザー光、（５）・・・・−位置制御系、（６）・・・
ゆきラー、σ）・・・・反応室、―）・・・・入射窓、
（９） 、 （１０）・・・拳ガス導入ロ、導出口、（
１１）・・・、・ステージ、（１２）・・・・半導体基
板、（１３）・・・・加熱コイル、（１４）、（Ｉｓ）
・・・・高周波電源に接続される１対の電極。 代理人 葛 野 信 −（外１名）
Claims (1)
- 形成しようとする所望薄ｌ［Ｋ対応して導入ガスを選択
し、そのガスを丸線プラズマ雰囲気中に対象基板を保持
させると共に、反応ガスの吸収の大きい励起波長に選択
され九レーザー光を、前記対象基板上に位置制御手段に
よ）選択的に照射させ、この照射部分に絶縁膜、半導体
膜、あるい紘金属膜などの薄膜を選択的に形成し、もし
くは同薄膜を選択的にエツチング除去することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4959982A JPS58165330A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4959982A JPS58165330A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58165330A true JPS58165330A (ja) | 1983-09-30 |
Family
ID=12835690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4959982A Pending JPS58165330A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58165330A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60236219A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-25 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | プラズマ生成したソースガスを用いた蒸着方法 |
| JPS60241268A (ja) * | 1984-05-16 | 1985-11-30 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JPS61117822A (ja) * | 1984-11-14 | 1986-06-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造装置 |
| JPS61220415A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜製造方法 |
| JPS628628U (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-19 | ||
| JPS6298775A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-08 | Canon Inc | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| EP0268301A2 (en) * | 1986-11-20 | 1988-05-25 | Nec Corporation | Method and apparatus for writing a line on a patterned substrate |
| JPH0567475U (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-07 | 株式会社新来島どっく | 船舶エンジン吸排気弁分解用４つ目プッシャ治具 |
| JPH05243488A (ja) * | 1992-02-18 | 1993-09-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP1598857A1 (en) * | 2003-02-28 | 2005-11-23 | Japan Science and Technology Agency | Production method for antenna and production device for antenna |
-
1982
- 1982-03-25 JP JP4959982A patent/JPS58165330A/ja active Pending
Cited By (13)
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|---|---|---|---|---|
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| EP1598857A1 (en) * | 2003-02-28 | 2005-11-23 | Japan Science and Technology Agency | Production method for antenna and production device for antenna |
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