JPH05271904A - 立方晶窒化硼素膜の製造方法 - Google Patents
立方晶窒化硼素膜の製造方法Info
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- JPH05271904A JPH05271904A JP6852992A JP6852992A JPH05271904A JP H05271904 A JPH05271904 A JP H05271904A JP 6852992 A JP6852992 A JP 6852992A JP 6852992 A JP6852992 A JP 6852992A JP H05271904 A JPH05271904 A JP H05271904A
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- nitride film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】鉄系基材上に立方晶窒化硼素膜を成膜中で剥離
することなく形成することが可能な立方晶窒化硼素膜の
製造方法を提供することを目的とする。 【構成】鉄系基材上にイオンプレーティング法により窒
化チタン膜および窒化珪素膜を順次成膜した後、同イオ
ンプレーティング法により立方晶窒化硼素膜を成膜する
ことを特徴としている。
することなく形成することが可能な立方晶窒化硼素膜の
製造方法を提供することを目的とする。 【構成】鉄系基材上にイオンプレーティング法により窒
化チタン膜および窒化珪素膜を順次成膜した後、同イオ
ンプレーティング法により立方晶窒化硼素膜を成膜する
ことを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、立方晶窒化硼素膜の製
造方法に関する
造方法に関する
【０００２】
【従来の技術】立方晶窒化硼素（以下ｃＢＮと略す）
は、天然に産出されない化合物で、１９８５年に高温高
圧法により合成された。前記ｃＢＮ膜の製造方法として
は、従来より次のような方法が知られている。
は、天然に産出されない化合物で、１９８５年に高温高
圧法により合成された。前記ｃＢＮ膜の製造方法として
は、従来より次のような方法が知られている。
【０００３】（１）特開昭６２−４７４７２号公報、特
開昭６０−４３６１７号公報には、比較的高密度のプラ
ズマが得られるホロカソード銃を利用した反応性イオン
プレーティング法により前記ｃＢＮを製造することが開
示されている。 （２）特開平２−２５５６２号には、超硬合金基材に中
間層として窒化チタン膜を形成し、この上にｃＢＮ膜を
成膜する方法が開示されている。
開昭６０−４３６１７号公報には、比較的高密度のプラ
ズマが得られるホロカソード銃を利用した反応性イオン
プレーティング法により前記ｃＢＮを製造することが開
示されている。 （２）特開平２−２５５６２号には、超硬合金基材に中
間層として窒化チタン膜を形成し、この上にｃＢＮ膜を
成膜する方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記
（１）のホロカソード銃を利用した反応性イオンプレー
ティング法では基材（特にＳＵＳ３０４、ＳＫＨ５１な
どの鉄系基材）に前記ｃＢＮ膜を直接成膜した場合、成
膜中にｃＢＮ膜が剥離するという問題があり、所定の付
着力を有するｃＢＮ膜を形成することが実質的に困難で
あるという問題があった。また、前記（２）の方法にあ
っても前記ｃＢＮ膜が成膜中に容易に剥離するという問
題があった。
（１）のホロカソード銃を利用した反応性イオンプレー
ティング法では基材（特にＳＵＳ３０４、ＳＫＨ５１な
どの鉄系基材）に前記ｃＢＮ膜を直接成膜した場合、成
膜中にｃＢＮ膜が剥離するという問題があり、所定の付
着力を有するｃＢＮ膜を形成することが実質的に困難で
あるという問題があった。また、前記（２）の方法にあ
っても前記ｃＢＮ膜が成膜中に容易に剥離するという問
題があった。
【０００５】本発明は、前記従来の問題点を解決するた
めになされたもので、鉄系基材上に立方晶窒化硼素膜を
成膜中で剥離することなく形成することが可能な立方晶
窒化硼素膜の製造方法を提供しようとするものである。
めになされたもので、鉄系基材上に立方晶窒化硼素膜を
成膜中で剥離することなく形成することが可能な立方晶
窒化硼素膜の製造方法を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、鉄系基材上に
イオンプレーティング法により窒化チタン膜および窒化
珪素膜を順次成膜した後、同イオンプレーティング法に
より立方晶窒化硼素膜を成膜することを特徴とする立方
晶窒化硼素膜の製造方法である。前記鉄系基材として
は、例えばＳＵＳ３０４、ＳＫＨ５１等からなる基材を
挙げることができる。
イオンプレーティング法により窒化チタン膜および窒化
珪素膜を順次成膜した後、同イオンプレーティング法に
より立方晶窒化硼素膜を成膜することを特徴とする立方
晶窒化硼素膜の製造方法である。前記鉄系基材として
は、例えばＳＵＳ３０４、ＳＫＨ５１等からなる基材を
挙げることができる。
【０００７】前記窒化チタンは、化学量論的にはＴｉ／
Ｎの原子比が１／１であるが、必ずしも前記原子比であ
るものを用いなくてもよい。前記窒化チタン膜の厚さ
は、０．１〜２０μｍ、より好ましくは０．５〜１０μ
ｍにすることが望ましい。
Ｎの原子比が１／１であるが、必ずしも前記原子比であ
るものを用いなくてもよい。前記窒化チタン膜の厚さ
は、０．１〜２０μｍ、より好ましくは０．５〜１０μ
ｍにすることが望ましい。
【０００８】前記窒化珪素は、Ｓｉ3 Ｎ4 であることが
最も好ましいが、Ｓｉ／Ｎの原子比が３／４からずれた
ものでもよい。前記窒化珪素膜の厚さは、０．１〜１０
μｍ、より好ましくは０．５〜１０μｍにすることが望
ましい。
最も好ましいが、Ｓｉ／Ｎの原子比が３／４からずれた
ものでもよい。前記窒化珪素膜の厚さは、０．１〜１０
μｍ、より好ましくは０．５〜１０μｍにすることが望
ましい。
【０００９】
【作用】本発明は、鉄系基材上にイオンプレーティング
法によりｃＢＮ膜を成膜するに際し、中間層として窒化
チタン膜および窒化珪素膜をイオンプレーティング法に
より順次成膜する。前記窒化チタン膜は、前記鉄系基材
に対して優れた親和性を有し、かつ前記窒化珪素は前記
ｃＢＮ膜に対して優れた親和性を有し、さらに前記窒化
チタン膜および窒化珪素膜は互いに良好な新和性を有す
る。また、前記各膜の熱膨張係数については、窒化珪素
（Ｓｉ3 Ｎ4 ）＜ｃＢＮ＜窒化チタン＜鉄系基材の関係
になっているため、前記ｃＢＮ膜直下の中間層として窒
化珪素膜を用いることによって前記ｃＢＮ膜の圧縮応力
が緩和される。したがって、成膜中にｃＢＮ膜が剥離さ
れることなく前記中間層としての窒化珪素膜上にｃＢＮ
膜を良好に成膜することができる。
法によりｃＢＮ膜を成膜するに際し、中間層として窒化
チタン膜および窒化珪素膜をイオンプレーティング法に
より順次成膜する。前記窒化チタン膜は、前記鉄系基材
に対して優れた親和性を有し、かつ前記窒化珪素は前記
ｃＢＮ膜に対して優れた親和性を有し、さらに前記窒化
チタン膜および窒化珪素膜は互いに良好な新和性を有す
る。また、前記各膜の熱膨張係数については、窒化珪素
（Ｓｉ3 Ｎ4 ）＜ｃＢＮ＜窒化チタン＜鉄系基材の関係
になっているため、前記ｃＢＮ膜直下の中間層として窒
化珪素膜を用いることによって前記ｃＢＮ膜の圧縮応力
が緩和される。したがって、成膜中にｃＢＮ膜が剥離さ
れることなく前記中間層としての窒化珪素膜上にｃＢＮ
膜を良好に成膜することができる。
【００１０】また、前記イオンプレーティング法におい
て鉄系基材上に絶縁材料からなる中間層を成膜すると、
プラズマが次第に消滅して成膜ができなくなる。本発明
のように中間層として導電性が良好な窒化チタン膜を成
膜することによってイオンプレーティング時におけるプ
ラズマの消滅を抑制することができ、良好な成膜を遂行
することができる。
て鉄系基材上に絶縁材料からなる中間層を成膜すると、
プラズマが次第に消滅して成膜ができなくなる。本発明
のように中間層として導電性が良好な窒化チタン膜を成
膜することによってイオンプレーティング時におけるプ
ラズマの消滅を抑制することができ、良好な成膜を遂行
することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１および図２を参
照して詳細に説明する。
照して詳細に説明する。
【００１２】図１は、実施例で使用したイオンプレーテ
ィング装置を示す概略横断面図、図２は図１のII−II線
に沿う断面図である。図中の１は、正方形筒状の真空チ
ャンバであり、このチャンバ１の上部側壁には該チャン
バ１内を所定の真空度に維持するための真空ポンプと連
通する排気管２が設けられている。また、図中の３は蒸
着源である。この蒸着源３は、前記チャンバ１の底部に
設置されたルツボ４と、前記チャンバ１の側壁下部に設
けられ、前記ルツボ４に電子ビームを照射するための電
子銃５と、前記ルツボ４の上方付近に配置され、前記電
子銃５からの電子ビームを偏向させて前記ルツボ４内の
蒸着材料に照射するための一対の偏向磁石６とから構成
されている。
ィング装置を示す概略横断面図、図２は図１のII−II線
に沿う断面図である。図中の１は、正方形筒状の真空チ
ャンバであり、このチャンバ１の上部側壁には該チャン
バ１内を所定の真空度に維持するための真空ポンプと連
通する排気管２が設けられている。また、図中の３は蒸
着源である。この蒸着源３は、前記チャンバ１の底部に
設置されたルツボ４と、前記チャンバ１の側壁下部に設
けられ、前記ルツボ４に電子ビームを照射するための電
子銃５と、前記ルツボ４の上方付近に配置され、前記電
子銃５からの電子ビームを偏向させて前記ルツボ４内の
蒸着材料に照射するための一対の偏向磁石６とから構成
されている。
【００１３】前記チャンバ１の一側壁外面には、プラズ
マ発生源としてのプラズマ銃７が設けられており、前記
プラズマ銃７の後部にはアルゴン（Ａｒ）等の所定のガ
スを導入するための導入管（図示せず）が設けられてい
る。前記プラズマ銃７が設けられた前記チャンバ１の側
壁外面には、絞りコイル８が設けられ、かつ同側壁には
プラズマの絞り部９が設けられている。前記プラズマ銃
７が設けられた前記チャンバ１の一側壁を除く他の３つ
の側壁には、３つの支持軸１０1 、１０2 、１０3 が前
記プラズマ銃７と同一平面内に位置するように貫通して
挿入されている。前記各支持軸１０1 、１０2 、１０3
の前記チャンバ１内に位置する先端には、矩形状をなす
対向電極１１1 、１１2 、１１3 がそれぞれ固定されて
いる。前記各対向電極１１1 、１１2 、１１3 のうち対
向電極１１1 は、前記プラズマ銃７が設けられた側壁に
対向されている。残りの２つの対向電極１１2 、１１3
は互いに平行となるように対向して配置され、かつ前記
対向電極１１2 は前記電子銃５が設けられた前記チャン
バ１の側壁の内面近傍に配置されている。前記各対向電
極１１1 、１１2 、１１3 は、互いに対向する面がＳ極
となるように矩形状の永久磁石１２1 、１２2 、１２3
が内蔵されている。前記各支持軸１０1 、１０2 、１０
3 は、前記プラズマ銃７と電気的に接続され、かつ前記
各部材を接続する配線には前記プラズマ銃７に負電位を
印加するための直流電源１３が介装され、プラズマの精
製に際して前記プラズマ銃７と前記各対向電極１１1 、
１１2、１１3 との間で電位勾配を付与できるようにな
っている。前記プラズマ銃７が設けられた前記チャンバ
１の一側壁を除く他の３つの側壁の外面近傍には、３つ
の空心コイル１４1 、１４2 、１４3 が前記各対向電極
１１1 、１１2 、１１3と対応して配置されている。
マ発生源としてのプラズマ銃７が設けられており、前記
プラズマ銃７の後部にはアルゴン（Ａｒ）等の所定のガ
スを導入するための導入管（図示せず）が設けられてい
る。前記プラズマ銃７が設けられた前記チャンバ１の側
壁外面には、絞りコイル８が設けられ、かつ同側壁には
プラズマの絞り部９が設けられている。前記プラズマ銃
７が設けられた前記チャンバ１の一側壁を除く他の３つ
の側壁には、３つの支持軸１０1 、１０2 、１０3 が前
記プラズマ銃７と同一平面内に位置するように貫通して
挿入されている。前記各支持軸１０1 、１０2 、１０3
の前記チャンバ１内に位置する先端には、矩形状をなす
対向電極１１1 、１１2 、１１3 がそれぞれ固定されて
いる。前記各対向電極１１1 、１１2 、１１3 のうち対
向電極１１1 は、前記プラズマ銃７が設けられた側壁に
対向されている。残りの２つの対向電極１１2 、１１3
は互いに平行となるように対向して配置され、かつ前記
対向電極１１2 は前記電子銃５が設けられた前記チャン
バ１の側壁の内面近傍に配置されている。前記各対向電
極１１1 、１１2 、１１3 は、互いに対向する面がＳ極
となるように矩形状の永久磁石１２1 、１２2 、１２3
が内蔵されている。前記各支持軸１０1 、１０2 、１０
3 は、前記プラズマ銃７と電気的に接続され、かつ前記
各部材を接続する配線には前記プラズマ銃７に負電位を
印加するための直流電源１３が介装され、プラズマの精
製に際して前記プラズマ銃７と前記各対向電極１１1 、
１１2、１１3 との間で電位勾配を付与できるようにな
っている。前記プラズマ銃７が設けられた前記チャンバ
１の一側壁を除く他の３つの側壁の外面近傍には、３つ
の空心コイル１４1 、１４2 、１４3 が前記各対向電極
１１1 、１１2 、１１3と対応して配置されている。
【００１４】前記チャンバ１内のシート状プラズマ生成
領域の上方近傍には、基材を保持するためのホルダ１５
が配設されており、かつ該ホルダ１５は回転軸１６によ
り支持、吊下されている。前記回転軸１６は、可変直流
電源１７および高周波電源２１に接続され、前記回転軸
１６を通して前記ホルダ１５に電圧が印加されるように
なっている。前記チャンバ１の側壁下部には、反応ガス
の導入管１８が連結されている。次に、前述したイオン
プレーティング装置を用いてｃＢＮ膜を成膜する方法を
説明する。
領域の上方近傍には、基材を保持するためのホルダ１５
が配設されており、かつ該ホルダ１５は回転軸１６によ
り支持、吊下されている。前記回転軸１６は、可変直流
電源１７および高周波電源２１に接続され、前記回転軸
１６を通して前記ホルダ１５に電圧が印加されるように
なっている。前記チャンバ１の側壁下部には、反応ガス
の導入管１８が連結されている。次に、前述したイオン
プレーティング装置を用いてｃＢＮ膜を成膜する方法を
説明する。
【００１５】まず、ホルダ１５にＳＫＨ５１からなる鉄
系基材１９を保持し、蒸着源３のルツボ４内にＴｉを収
容した後、図示しない真空ポンプを作動して真空チャン
バ１内のガスを排気管２を通して排気してチャンバ１内
の圧力を８×１０-6Ｔｏｒｒに排気した後、ガス導入管
１８からＮ2 とＡｒの混合ガス（Ｎ2 ：Ａｒのガス流量
比は９：１）を真空チャンバ１内に供給した。つづい
て、可変直流電源１７および高周波電源２１から回転軸
１６及びホルダ１５を通して鉄系基材１９に−１００Ｖ
の直流電圧および４００Ｗの高周波電力を印加しなが
ら、電子銃５から電子ビームを放出し、一対の偏向磁石
６により前記電子ビームを前記ルツボ４内に収容したＴ
ｉに照射して溶融、蒸発させた。同時に、プラズマ銃７
にアルゴンガスを供給し、前記プラズマ銃７よりプラズ
マを生成することにより、前記プラズマ銃７に対向して
配置され、電源１３により前記プラズマ銃７との間で電
位勾配を持たせた３つの対向電極１１1 、１１2 、１１
3 によりプラズマ２０がチャンバ１内に絞り部９を通し
て引き出した。この時、前記各対向電極１１1 、１
１2、１１3 は、互いに対向する面がＳ極となるように
矩形状の永久磁石１２1 、１２2 、１２3 が内蔵され、
かつ前記対向電極１１1 、１１2 、１１3 の背面（チャ
ンバ１の側壁外面近傍）に空心コイル１４1 、１４2 、
１４3 が配置されているため、ホルダ１５の下方近傍に
前記各磁石１２1 、１２2 、１２3 の背面のＮ極から対
向面のＳ極に向かう強力な磁場（磁束密度）が発生す
る。このような磁場が発生すると、前記プラズマ銃７か
ら引き出されたプラズマ２０は前記各磁束密度に絡まっ
て前記各磁石１２1 、１２2 、１２3 に引き込まれるた
め、前記ホルダ１５の下方近傍においてシート状とな
り、高密度化される。また、前記空心コイル１４1 、１
４2 、１４3 への供給電流量を調節することにより、さ
らに強力な磁束が発生され、一層高密度化されたシート
状プラズマが形成される。しかも、前記空心コイル１４
1 、１４2 、１４3 への供給電流量を調節により前記シ
ート状プラズマ２０の平面形状が制御される。
系基材１９を保持し、蒸着源３のルツボ４内にＴｉを収
容した後、図示しない真空ポンプを作動して真空チャン
バ１内のガスを排気管２を通して排気してチャンバ１内
の圧力を８×１０-6Ｔｏｒｒに排気した後、ガス導入管
１８からＮ2 とＡｒの混合ガス（Ｎ2 ：Ａｒのガス流量
比は９：１）を真空チャンバ１内に供給した。つづい
て、可変直流電源１７および高周波電源２１から回転軸
１６及びホルダ１５を通して鉄系基材１９に−１００Ｖ
の直流電圧および４００Ｗの高周波電力を印加しなが
ら、電子銃５から電子ビームを放出し、一対の偏向磁石
６により前記電子ビームを前記ルツボ４内に収容したＴ
ｉに照射して溶融、蒸発させた。同時に、プラズマ銃７
にアルゴンガスを供給し、前記プラズマ銃７よりプラズ
マを生成することにより、前記プラズマ銃７に対向して
配置され、電源１３により前記プラズマ銃７との間で電
位勾配を持たせた３つの対向電極１１1 、１１2 、１１
3 によりプラズマ２０がチャンバ１内に絞り部９を通し
て引き出した。この時、前記各対向電極１１1 、１
１2、１１3 は、互いに対向する面がＳ極となるように
矩形状の永久磁石１２1 、１２2 、１２3 が内蔵され、
かつ前記対向電極１１1 、１１2 、１１3 の背面（チャ
ンバ１の側壁外面近傍）に空心コイル１４1 、１４2 、
１４3 が配置されているため、ホルダ１５の下方近傍に
前記各磁石１２1 、１２2 、１２3 の背面のＮ極から対
向面のＳ極に向かう強力な磁場（磁束密度）が発生す
る。このような磁場が発生すると、前記プラズマ銃７か
ら引き出されたプラズマ２０は前記各磁束密度に絡まっ
て前記各磁石１２1 、１２2 、１２3 に引き込まれるた
め、前記ホルダ１５の下方近傍においてシート状とな
り、高密度化される。また、前記空心コイル１４1 、１
４2 、１４3 への供給電流量を調節することにより、さ
らに強力な磁束が発生され、一層高密度化されたシート
状プラズマが形成される。しかも、前記空心コイル１４
1 、１４2 、１４3 への供給電流量を調節により前記シ
ート状プラズマ２０の平面形状が制御される。
【００１６】このようなプラズマ密度の高いシート状プ
ラズマ２０を前記ホルダ１５（基材１９）の下方近傍に
生成することにより、前記蒸着源３により蒸気化された
Ｔｉが前記プラズマ２０内に上昇する過程で効率よくイ
オン化されると共に、前記供給されたＮ2 ガスも前記プ
ラズマ２０内で活性化される。イオン化されたＴｉ（正
イオンのＴｉ）は、前記電圧が印加された前記鉄系基材
１９側に加速、衝突されると共に前記活性化されたＮ2
と反応することにより前記基材１９表面に厚さが１．２
μｍのＴｉＮ膜が高速成膜された。
ラズマ２０を前記ホルダ１５（基材１９）の下方近傍に
生成することにより、前記蒸着源３により蒸気化された
Ｔｉが前記プラズマ２０内に上昇する過程で効率よくイ
オン化されると共に、前記供給されたＮ2 ガスも前記プ
ラズマ２０内で活性化される。イオン化されたＴｉ（正
イオンのＴｉ）は、前記電圧が印加された前記鉄系基材
１９側に加速、衝突されると共に前記活性化されたＮ2
と反応することにより前記基材１９表面に厚さが１．２
μｍのＴｉＮ膜が高速成膜された。
【００１７】次いで、前記イオンプレーティング装置を
用いて、前記鉄系基材１９のＴｉＮ膜上に下記に示す条
件により厚さ１．０μｍのＳｉ3 Ｎ4 膜を成膜し、さら
に前記Ｓｉ3 Ｎ4 膜上に下記に示す条件により厚さ１．
０μｍのＢＮ膜を成膜した。 （Ｓｉ3 Ｎ4 の成膜条件） 全圧；１．９×１０-3Ｔｏｒｒ Ｎ2 ／Ａｒガス流量比；１／５ 基板電圧；−１００ＶのＤＣ ４００ＷのＲＦ （ＢＮの成膜条件） 全圧；１．９×１０-3Ｔｏｒｒ Ｎ2 ／Ａｒガス流量比；１／５ 基板電圧；−２００ＶのＤＣ ５００ＷのＲＦ 基材温度；５００〜６００℃
用いて、前記鉄系基材１９のＴｉＮ膜上に下記に示す条
件により厚さ１．０μｍのＳｉ3 Ｎ4 膜を成膜し、さら
に前記Ｓｉ3 Ｎ4 膜上に下記に示す条件により厚さ１．
０μｍのＢＮ膜を成膜した。 （Ｓｉ3 Ｎ4 の成膜条件） 全圧；１．９×１０-3Ｔｏｒｒ Ｎ2 ／Ａｒガス流量比；１／５ 基板電圧；−１００ＶのＤＣ ４００ＷのＲＦ （ＢＮの成膜条件） 全圧；１．９×１０-3Ｔｏｒｒ Ｎ2 ／Ａｒガス流量比；１／５ 基板電圧；−２００ＶのＤＣ ５００ＷのＲＦ 基材温度；５００〜６００℃
【００１８】本実施例により成膜されたＢＮ膜は、赤外
線吸収スペクトルにより立方晶窒化硼素膜（ｃＢＮ膜）
であることが確認された。また、前記ＢＮ膜の成膜にお
いて、成膜中に前記ＢＮ膜の剥離が全く発生せず、良好
に成膜することができた。
線吸収スペクトルにより立方晶窒化硼素膜（ｃＢＮ膜）
であることが確認された。また、前記ＢＮ膜の成膜にお
いて、成膜中に前記ＢＮ膜の剥離が全く発生せず、良好
に成膜することができた。
【００１９】これに対し、前記ＳＫＨ５１からなる鉄系
基材上に前記窒化チタンおよび窒化珪素からなる中間層
を介在させずに前記実施例と同様な条件でＢＮ膜を直接
成膜した。その結果、成膜中に剥離を生じ、チャンバか
ら取り出した鉄系基材表面にはＢＮ膜が全く成膜されて
いないかった。なお、前記実施例では鉄系基材としてＳ
ＫＨ５１を用いたが、ＳＵＳ３０４からなる鉄系基材を
用いても実施例と同様にｃＢＮ膜を成膜することができ
た。
基材上に前記窒化チタンおよび窒化珪素からなる中間層
を介在させずに前記実施例と同様な条件でＢＮ膜を直接
成膜した。その結果、成膜中に剥離を生じ、チャンバか
ら取り出した鉄系基材表面にはＢＮ膜が全く成膜されて
いないかった。なお、前記実施例では鉄系基材としてＳ
ＫＨ５１を用いたが、ＳＵＳ３０４からなる鉄系基材を
用いても実施例と同様にｃＢＮ膜を成膜することができ
た。
【００２０】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明によれば鉄系
基材上に立方晶窒化硼素膜を成膜中で剥離することなく
形成することが可能な立方晶窒化硼素膜の製造方法を提
供することができる。
基材上に立方晶窒化硼素膜を成膜中で剥離することなく
形成することが可能な立方晶窒化硼素膜の製造方法を提
供することができる。
【図１】実施例で使用したイオンプレーティング装置を
示す概略横断面図。
示す概略横断面図。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図。
１…真空チャンバ、３…蒸着源、４…ルツボ、５…電子
銃、７…プラズマ銃、１１1 、１１2 、１１3 …対向電
極、１２1 、１２2 、１２3 …永久磁石、１４1 、１４
2 、１４3 …空心コイル、１５…ホルダ、１７…可変直
流電源、１８…ガス導入管、１９…鉄系基材、２０…プ
ラズマ、２１…高周波電源。
銃、７…プラズマ銃、１１1 、１１2 、１１3 …対向電
極、１２1 、１２2 、１２3 …永久磁石、１４1 、１４
2 、１４3 …空心コイル、１５…ホルダ、１７…可変直
流電源、１８…ガス導入管、１９…鉄系基材、２０…プ
ラズマ、２１…高周波電源。
Claims (1)
- 【請求項１】 鉄系基材上にイオンプレーティング法に
より窒化チタン膜および窒化珪素膜を順次成膜した後、
同イオンプレーティング法により立方晶窒化硼素膜を成
膜することを特徴とする立方晶窒化硼素膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6852992A JPH05271904A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 立方晶窒化硼素膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6852992A JPH05271904A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 立方晶窒化硼素膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05271904A true JPH05271904A (ja) | 1993-10-19 |
Family
ID=13376354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6852992A Pending JPH05271904A (ja) | 1992-03-26 | 1992-03-26 | 立方晶窒化硼素膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05271904A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7204013B2 (en) * | 2003-07-29 | 2007-04-17 | Seagate Technology Llc | Method of manufacturing a magnetoresistive sensor |
-
1992
- 1992-03-26 JP JP6852992A patent/JPH05271904A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7204013B2 (en) * | 2003-07-29 | 2007-04-17 | Seagate Technology Llc | Method of manufacturing a magnetoresistive sensor |
| US7567411B2 (en) | 2003-07-29 | 2009-07-28 | Seagate Technology Llc | Magnetoresistive sensor |
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