JPS60255972A - 薄膜蒸着装置 - Google Patents
薄膜蒸着装置Info
- Publication number
- JPS60255972A JPS60255972A JP11345784A JP11345784A JPS60255972A JP S60255972 A JPS60255972 A JP S60255972A JP 11345784 A JP11345784 A JP 11345784A JP 11345784 A JP11345784 A JP 11345784A JP S60255972 A JPS60255972 A JP S60255972A
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- Japan
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- thin film
- ion beam
- source
- substrate
- deposition apparatus
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は薄膜蒸着装置、とくに薄膜形成を制御できる
ものに関するものである。
ものに関するものである。
従来、高密度、高品質の薄膜を形成する薄膜蒸着装置と
しては第１図に示すようなりラスタイオンビーム（以後
ＩＣＥと略記する。）蒸着装置があった。
しては第１図に示すようなりラスタイオンビーム（以後
ＩＣＥと略記する。）蒸着装置があった。
図においか、ｉｌ＋は真空槽、（２１はＩＣＥ源、（３
）はＩＣＥ、（４）は真空槽中（二設置された基板、■
は茶気 板（４）に蒸着すべき物質（２りの蒸２を真空槽ｔｌｌ
中に噴出してクラスタを発生するクラスタ発生源で、例
えばカーボン製るつぼ＠、電子衝撃用フィラメントシ４
、及び熱シールド板（２樟より構成される。（２ｉｌは
上記クラスタをイオン化するイオン化手段で、イオン化
フィラメント（ハ）、電子引出し用格子電極四及び熱シ
ールド板（ハ）より構成される。罰はイオン化されたク
ラスタを加速する加速手段で加速電極である。
）はＩＣＥ、（４）は真空槽中（二設置された基板、■
は茶気 板（４）に蒸着すべき物質（２りの蒸２を真空槽ｔｌｌ
中に噴出してクラスタを発生するクラスタ発生源で、例
えばカーボン製るつぼ＠、電子衝撃用フィラメントシ４
、及び熱シールド板（２樟より構成される。（２ｉｌは
上記クラスタをイオン化するイオン化手段で、イオン化
フィラメント（ハ）、電子引出し用格子電極四及び熱シ
ールド板（ハ）より構成される。罰はイオン化されたク
ラスタを加速する加速手段で加速電極である。
次に動作について説明する。真空槽（１）内は一般に拡
散ポンプ（図示せず）によってＩ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒ
ｒ以下の高真空に保持されている。電子衝撃によって加
熱されたるつぼΩの上部の小孔から噴出した蒸着物質（
ハ）は、断熱膨張により冷却され、５００〜２０００個
の元素がゆるく結合したクラスタとなる。るつぼ（ハ）
から噴出したクラスタは、引出し電極（至）（：よって
イオン化フィラメント（ハ）から引出された電子によっ
てイオン化され、加速電極−によって加速されてＩＣＢ
（３１となり、基板＋４１ に蒸着する。
散ポンプ（図示せず）によってＩ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒ
ｒ以下の高真空に保持されている。電子衝撃によって加
熱されたるつぼΩの上部の小孔から噴出した蒸着物質（
ハ）は、断熱膨張により冷却され、５００〜２０００個
の元素がゆるく結合したクラスタとなる。るつぼ（ハ）
から噴出したクラスタは、引出し電極（至）（：よって
イオン化フィラメント（ハ）から引出された電子によっ
てイオン化され、加速電極−によって加速されてＩＣＢ
（３１となり、基板＋４１ に蒸着する。
第２図及び第３図は従来の薄膜蒸着装置により形成した
薄膜を示す断面図である。
薄膜を示す断面図である。
従来の装置は上記のように構成されているので第２図に
示すような段差のある基板や、第３図に示すような容器
（４１）に蒸着する場合、その蒸着ビームに平行な側面
や陰になる面には蒸着薄膜（５）が付着しにくいという
欠点があった。
示すような段差のある基板や、第３図に示すような容器
（４１）に蒸着する場合、その蒸着ビームに平行な側面
や陰になる面には蒸着薄膜（５）が付着しにくいという
欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、真空槽中に設置された基板表面に
薄膜を形成する蒸着用ビーム源及びこの蒸着用ビーム源
による蒸着時又は交互に、薄膜の所定個所にイオンビー
ムな照射するスパッタ用イオンビーム源を同じ真空槽中
に設けることにより、例えば段差のある基板や容器の側
面（二も蒸着物質を付着させ、所望の薄膜が形成できる
ものを提供するものである。
めになされたもので、真空槽中に設置された基板表面に
薄膜を形成する蒸着用ビーム源及びこの蒸着用ビーム源
による蒸着時又は交互に、薄膜の所定個所にイオンビー
ムな照射するスパッタ用イオンビーム源を同じ真空槽中
に設けることにより、例えば段差のある基板や容器の側
面（二も蒸着物質を付着させ、所望の薄膜が形成できる
ものを提供するものである。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第４
図はこの発明の一実施例による薄膜蒸着装置を示す構成
図である。図（−おいて、ａυは真空排気通路、０りは
開閉バルブ、（２１は真空槽（１）中に設置された基板
（４）表面に薄膜を形成する蒸着用ビーム源で、この場
合、第１図と同様のＩＣＢ源である。（６）は真空槽ｆ
ｉｌ中に設けられ、蒸着用ビーム源（２）による薄膜形
成時又は交互に基板の所定個所にイオンビーム（７）を
照射するスパッタ用イオンビーム源であり、例えばデイ
オプラズマ形のような集束イオンビーム（Ｆ’ＩＢと略
記する。）（７）を発する。ＦＩＢ源であ）、デュオプ
ラズマトロン（６１）、集束レンズ（６２）及び偏向装
置（６３）により構成される。（４０はＦＩＢ（７１の
電流を集めるコレクター電極である。
図はこの発明の一実施例による薄膜蒸着装置を示す構成
図である。図（−おいて、ａυは真空排気通路、０りは
開閉バルブ、（２１は真空槽（１）中に設置された基板
（４）表面に薄膜を形成する蒸着用ビーム源で、この場
合、第１図と同様のＩＣＢ源である。（６）は真空槽ｆ
ｉｌ中に設けられ、蒸着用ビーム源（２）による薄膜形
成時又は交互に基板の所定個所にイオンビーム（７）を
照射するスパッタ用イオンビーム源であり、例えばデイ
オプラズマ形のような集束イオンビーム（Ｆ’ＩＢと略
記する。）（７）を発する。ＦＩＢ源であ）、デュオプ
ラズマトロン（６１）、集束レンズ（６２）及び偏向装
置（６３）により構成される。（４０はＦＩＢ（７１の
電流を集めるコレクター電極である。
次に動作について説明する。
真空槽（１１内は一般（二拡散ポンプ（図示せず）によ
ってＩ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下の高真空に保持され
ている。
ってＩ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒ以下の高真空に保持され
ている。
Ｉ ＯＢ ＋２１から噴出されたシャワービーム状のＩ
ＣＢ ＋３１と、ＦＩＢ源（６）から発生されたＦＩＢ
（７１は同時に基板＋４１へ照射される。この時Ｆ Ｉ
Ｂ （７１は偏向装置（６３）によりその位置が精度
よく偏向制御され走査される。第５図、第６図はこの発
明の一実施例による薄膜蒸着装置により形成した薄膜を
示す断面図であり、例えば第５図のように段差のある基
板（４）にＡｔをＩ ＯＢ （３１により１λ／Ｓｅｅ
の速度が蒸着しながら、１〜１０ＫｅＶのＡｒ のＦ
Ｉ Ｂ （７１を、段差の谷部へ向けて撰択的に走査照
射すると谷部に蒸着中のＡｊの一部かスパッタされて、
スパッタ粒子（８）となりＩＣＨの蒸着しにくい側面（
ｒａｂに平行な面）にスパッタ蒸着される。
ＣＢ ＋３１と、ＦＩＢ源（６）から発生されたＦＩＢ
（７１は同時に基板＋４１へ照射される。この時Ｆ Ｉ
Ｂ （７１は偏向装置（６３）によりその位置が精度
よく偏向制御され走査される。第５図、第６図はこの発
明の一実施例による薄膜蒸着装置により形成した薄膜を
示す断面図であり、例えば第５図のように段差のある基
板（４）にＡｔをＩ ＯＢ （３１により１λ／Ｓｅｅ
の速度が蒸着しながら、１〜１０ＫｅＶのＡｒ のＦ
Ｉ Ｂ （７１を、段差の谷部へ向けて撰択的に走査照
射すると谷部に蒸着中のＡｊの一部かスパッタされて、
スパッタ粒子（８）となりＩＣＨの蒸着しにくい側面（
ｒａｂに平行な面）にスパッタ蒸着される。
又、第６図のような容器（４１）にＩ ＣＢ １３＋を
照射しながらＩ ＯＢ ＋３１が蒸着しゃすい容器（４
１）の底面にＦＩＢ（７１を適度に照射、走査すること
（二より、そこに蒸着中の蒸着薄膜（５）がスパッタさ
れてスパッタ粒子（８）となり、Ｉ ＣＢ （３＋が蒸
着しにくい側面にスパッタ蒸着されて、均一に蒸着出来
る。
照射しながらＩ ＯＢ ＋３１が蒸着しゃすい容器（４
１）の底面にＦＩＢ（７１を適度に照射、走査すること
（二より、そこに蒸着中の蒸着薄膜（５）がスパッタさ
れてスパッタ粒子（８）となり、Ｉ ＣＢ （３＋が蒸
着しにくい側面にスパッタ蒸着されて、均一に蒸着出来
る。
なお、上記実施例ではＩ ＯＢ （３１とＦ Ｉ Ｂ
＋７１は同時に照射したが、交互に照射してもよい。
＋７１は同時に照射したが、交互に照射してもよい。
また、上記実施例では基板（４）を回転や並進させなか
ったが、回転や並進と組合わせることによって一層均一
な膜が形成できる。
ったが、回転や並進と組合わせることによって一層均一
な膜が形成できる。
また、蒸着用ビーム源（２１として、上記実施例ではＩ
ＣＢ源を用いたが、並進の真空蒸着ビーム源を用いても
よい。またスパッタ用イオンビーム源＋６１として、デ
イオプラズマ形の集束イオンビーム源を用いたが、ＰＩ
Ｃ）形イオン源やカウフマン形イオン源など他のイオン
ビーム源を用いてもよい。
ＣＢ源を用いたが、並進の真空蒸着ビーム源を用いても
よい。またスパッタ用イオンビーム源＋６１として、デ
イオプラズマ形の集束イオンビーム源を用いたが、ＰＩ
Ｃ）形イオン源やカウフマン形イオン源など他のイオン
ビーム源を用いてもよい。
また、上記実施例ではスパッタ用イオンビームをスパッ
タ蒸着１：使用したが、生成膜のスバッタ加工に使用し
てもよく、その例を第７図及び第８図に示す。ｊｌ！７
図及び第８図はこの発明の一実施例による薄膜蒸着装置
により形成した蒸着薄膜の斜視図である。第７図におい
て（４）は平らなシリコン基板、（５１）は５ｉＯｚ膜
で、ＩＯＢ源（２）より蒸着用の５ｉ０２のシャワー状
ビーム（３１を照射しなからＦ’ＩＨ源（６）よりスパ
ッタ用Ａｒ イオンビーム（７）を精度よく走査照射し
、Ｓｉの基板上に５ｉＯｚのパターンをマスクレスで形
成するものである。
タ蒸着１：使用したが、生成膜のスバッタ加工に使用し
てもよく、その例を第７図及び第８図に示す。ｊｌ！７
図及び第８図はこの発明の一実施例による薄膜蒸着装置
により形成した蒸着薄膜の斜視図である。第７図におい
て（４）は平らなシリコン基板、（５１）は５ｉＯｚ膜
で、ＩＯＢ源（２）より蒸着用の５ｉ０２のシャワー状
ビーム（３１を照射しなからＦ’ＩＨ源（６）よりスパ
ッタ用Ａｒ イオンビーム（７）を精度よく走査照射し
、Ｓｉの基板上に５ｉＯｚのパターンをマスクレスで形
成するものである。
また第８図は第７図に示すパターンの上（二ｌ０ｈｌ源
より蒸着用の８１のシャワー状ビームを照射しながらＦ
ＩＲ源よりスパッタ用Ａｒ イオンビームを山部に多く
、谷部に少なく走査しながら照射したもので、こうする
こと（二より、Ｓｌ中（二５ｉＯｚのパターンを形成出
来、かつ表面は平ら（ニすることか出来る。
より蒸着用の８１のシャワー状ビームを照射しながらＦ
ＩＲ源よりスパッタ用Ａｒ イオンビームを山部に多く
、谷部に少なく走査しながら照射したもので、こうする
こと（二より、Ｓｌ中（二５ｉＯｚのパターンを形成出
来、かつ表面は平ら（ニすることか出来る。
以上のようにこの発明によれば、真空槽中に薄膜形成用
の蒸着用ビーム源と、この蒸着用ビーム源（：よる薄膜
形成時又は交互に基板の所定個所にイオンビームな照射
するスパッタ用イオンビーム源とを設けたので、例えば
段差のある基板や容器の側面にも均一に膜が形成でき、
マスクレスでパターン蒸着ができる等、所望の薄膜を形
成できる効果がある。
の蒸着用ビーム源と、この蒸着用ビーム源（：よる薄膜
形成時又は交互に基板の所定個所にイオンビームな照射
するスパッタ用イオンビーム源とを設けたので、例えば
段差のある基板や容器の側面にも均一に膜が形成でき、
マスクレスでパターン蒸着ができる等、所望の薄膜を形
成できる効果がある。
第１図は従来の薄膜蒸着装置を示す構成図、第２図、第
３図は従来の薄膜蒸着装置により形成した薄膜を示す断
面図、第４図はこの発明の一実施例による薄膜蒸着装置
を示す構成図、第５図及び第６図はこの発明の一実施例
による薄膜蒸着装置により形成した薄膜を示す断面図、
第７図及び第８図はこの発明の一実施例（二よる薄膜蒸
着装置により形成した蒸着薄膜を示す斜視図である。 図において、（１）は真空槽、（２）は蒸着用ビーム源
、（４）は基板、（５）は薄膜、（６）はスパッタ用イ
オンビーム源、（７）はイオンビーム、翰はクラスタ発
生源、 １２ｎはイオン化手段、罰は加速手段である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 に 第６図 ／、１．７ 第７図 第８図 ２ 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １ 事件の表示 特願昭ｆｐ−／／３好７３゛２ 発明
の名称 薄膜蒸着装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代口」区九の内二丁「」２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ・１代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁［〕２番３汗５、補
正の対象 （１）明細書の発明の詳細な説明の欄 （２）図面（第４図） ６、補正の内容 （１）、明細書第２頁第１１行の「図においが、１をｒ
図においてヨに訂正する。 （２）、同第４頁第２０行の１デイオプラズマ」を「デ
ュオプラズマ、に訂正する。 （３）、同ｆｆ１５頁第２行ノ「ル。ＦＩＢ源テ、 ；
’、−ｒルＦＩＢ源で、に訂正する。 （４）第４図を別紙のように訂正する。 ７、 添付書類の目録 補正した図面 第４図 １通 量 上 第４図
３図は従来の薄膜蒸着装置により形成した薄膜を示す断
面図、第４図はこの発明の一実施例による薄膜蒸着装置
を示す構成図、第５図及び第６図はこの発明の一実施例
による薄膜蒸着装置により形成した薄膜を示す断面図、
第７図及び第８図はこの発明の一実施例（二よる薄膜蒸
着装置により形成した蒸着薄膜を示す斜視図である。 図において、（１）は真空槽、（２）は蒸着用ビーム源
、（４）は基板、（５）は薄膜、（６）はスパッタ用イ
オンビーム源、（７）はイオンビーム、翰はクラスタ発
生源、 １２ｎはイオン化手段、罰は加速手段である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 に 第６図 ／、１．７ 第７図 第８図 ２ 手続補正書（自発） 特許庁長官殿 １ 事件の表示 特願昭ｆｐ−／／３好７３゛２ 発明
の名称 薄膜蒸着装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代口」区九の内二丁「」２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社 代表者片山仁八部 ・１代理人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁［〕２番３汗５、補
正の対象 （１）明細書の発明の詳細な説明の欄 （２）図面（第４図） ６、補正の内容 （１）、明細書第２頁第１１行の「図においが、１をｒ
図においてヨに訂正する。 （２）、同第４頁第２０行の１デイオプラズマ」を「デ
ュオプラズマ、に訂正する。 （３）、同ｆｆ１５頁第２行ノ「ル。ＦＩＢ源テ、 ；
’、−ｒルＦＩＢ源で、に訂正する。 （４）第４図を別紙のように訂正する。 ７、 添付書類の目録 補正した図面 第４図 １通 量 上 第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｉｌ＋真空槽中に設置された基板表面に薄膜を形成する
蒸着用ビーム源及び上記真空中１−設置され、上記蒸着
用ビーム源による薄膜形成時又は交互１：上記基板の所
定個所にイオンビームを照射するスパッタ用イオンビー
ム源を備えた薄膜蒸着装置。 （２）蒸着用ビーム源は基板に蒸着すべき物質の蒸気を
真空槽中に噴出してクラスタを発生するクラスタ発生源
、上記クラスタをイオン化するイオン化手段、及びイオ
ン化されたクラスタを加速する加速手段で構成されたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜蒸着装
置。 （３）スパッタ用イオンビーム源は集束イオンビームな
発することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
項記載の薄膜蒸着装置。 （４）スパッタ用イオンビーム源の集束イオンビームな
偏向走査することを特徴とする特許請求の範囲第３項記
載の薄膜蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11345784A JPS60255972A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11345784A JPS60255972A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 薄膜蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60255972A true JPS60255972A (ja) | 1985-12-17 |
| JPH0236673B2 JPH0236673B2 (ja) | 1990-08-20 |
Family
ID=14612721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11345784A Granted JPS60255972A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60255972A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02104661A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
| US4980104A (en) * | 1988-01-19 | 1990-12-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing high density SiC sintered body |
| JPH03202461A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-04 | Nissin Electric Co Ltd | 高絶縁酸化ケイ素薄膜の形成方法 |
| US5525158A (en) * | 1992-10-26 | 1996-06-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film deposition apparatus |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0427276U (ja) * | 1990-06-29 | 1992-03-04 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5668932A (en) * | 1979-11-07 | 1981-06-09 | Sekisui Chem Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP11345784A patent/JPS60255972A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5668932A (en) * | 1979-11-07 | 1981-06-09 | Sekisui Chem Co Ltd | Manufacture of magnetic recording medium |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4980104A (en) * | 1988-01-19 | 1990-12-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing high density SiC sintered body |
| JPH02104661A (ja) * | 1988-10-12 | 1990-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
| JPH03202461A (ja) * | 1989-12-29 | 1991-09-04 | Nissin Electric Co Ltd | 高絶縁酸化ケイ素薄膜の形成方法 |
| US5525158A (en) * | 1992-10-26 | 1996-06-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thin film deposition apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0236673B2 (ja) | 1990-08-20 |
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