JPH0351087B2 - - Google Patents
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- JPH0351087B2 JPH0351087B2 JP58235567A JP23556783A JPH0351087B2 JP H0351087 B2 JPH0351087 B2 JP H0351087B2 JP 58235567 A JP58235567 A JP 58235567A JP 23556783 A JP23556783 A JP 23556783A JP H0351087 B2 JPH0351087 B2 JP H0351087B2
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- thermoelectrons
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、薄膜蒸気装置に関し、特にクラスタ
イオンビーム蒸着法により薄膜を蒸着形成する場
合の薄厚及び膜質の均一化を図つたものに関する
ものである。
イオンビーム蒸着法により薄膜を蒸着形成する場
合の薄厚及び膜質の均一化を図つたものに関する
ものである。
一般に、クラスタイオンビーム蒸着法による薄
膜蒸着方法は、真空槽内において、基板に蒸着す
べき物質の蒸気を噴出して該蒸気中の多数の原子
が緩く結合したクラスタ（塊状原子集団）を生成
し、該クラスタに電子のシヤワーを浴びせて該ク
ラスタをそのうちの１個の原子がイオン化された
クラスタ・イオンにし、該クラスタ・イオンを加
速して基板に衝突せしめ、これにより基板に薄膜
を蒸着形成する方法である。
膜蒸着方法は、真空槽内において、基板に蒸着す
べき物質の蒸気を噴出して該蒸気中の多数の原子
が緩く結合したクラスタ（塊状原子集団）を生成
し、該クラスタに電子のシヤワーを浴びせて該ク
ラスタをそのうちの１個の原子がイオン化された
クラスタ・イオンにし、該クラスタ・イオンを加
速して基板に衝突せしめ、これにより基板に薄膜
を蒸着形成する方法である。
このような薄膜蒸着方法を実施する装置とし
て、従来、第１図及び第２図に示すものあつた。
第１図は従来の薄膜蒸着装置を模式的に示す概略
構成図、第２図はその主要部の一部を切り欠いて
内部を示す斜視図である。図において、１は所定
の真空度に保持された真空槽、２は該真空槽１内
の排気を行なうための排気通路で、これは図示し
ない真空排気装置に接続されている。３は該排気
通路２を開閉する真空用バルブである。
て、従来、第１図及び第２図に示すものあつた。
第１図は従来の薄膜蒸着装置を模式的に示す概略
構成図、第２図はその主要部の一部を切り欠いて
内部を示す斜視図である。図において、１は所定
の真空度に保持された真空槽、２は該真空槽１内
の排気を行なうための排気通路で、これは図示し
ない真空排気装置に接続されている。３は該排気
通路２を開閉する真空用バルブである。
４は直径１mm〜２mmのノズル４ａが設けられた
密閉形るつぼで、これには基板に蒸着されるべき
蒸発物質、例えば亜鉛（Zn）５が収容される。
６は上記るつぼ４に熱電子を照射し、これの加熱
を行なうボンバード用フイラメント、７は該フイ
ラメント６からの幅射熱を遮断する熱シールド板
であり、上記るつぼ４、ボンバード用フイラメン
ト６及び熱シールド板７により、基板に蒸着すべ
き物質の蒸気を上記真空槽１内に噴出してクラス
タを生成せしめる蒸気発生源８が形成されてい
る。なお、１９は上記熱シールド板７を支持する
絶縁支持部材、２０は上記るつぼ４を支持する支
持台である。
密閉形るつぼで、これには基板に蒸着されるべき
蒸発物質、例えば亜鉛（Zn）５が収容される。
６は上記るつぼ４に熱電子を照射し、これの加熱
を行なうボンバード用フイラメント、７は該フイ
ラメント６からの幅射熱を遮断する熱シールド板
であり、上記るつぼ４、ボンバード用フイラメン
ト６及び熱シールド板７により、基板に蒸着すべ
き物質の蒸気を上記真空槽１内に噴出してクラス
タを生成せしめる蒸気発生源８が形成されてい
る。なお、１９は上記熱シールド板７を支持する
絶縁支持部材、２０は上記るつぼ４を支持する支
持台である。
９は2000℃以上に熱せられてイオン化用の熱電
子１３を放出するイオン化フイラメント、１０は
該イオン化フイラメント９から放出された熱電子
１３を加速する電子引き出し電極、１１はイオン
化フイラメント９からの幅射熱を遮断する熱シー
ルド板であり、上記イオン化フイラメント９、電
子引き出し電極１０及び熱シールド板１１によ
り、上記蒸気発生源８からのクラスタをイオン化
するためのイオン化手段１２が形成されている。
なお、２３は熱シールド板１１を支持する絶縁支
持部材である。
子１３を放出するイオン化フイラメント、１０は
該イオン化フイラメント９から放出された熱電子
１３を加速する電子引き出し電極、１１はイオン
化フイラメント９からの幅射熱を遮断する熱シー
ルド板であり、上記イオン化フイラメント９、電
子引き出し電極１０及び熱シールド板１１によ
り、上記蒸気発生源８からのクラスタをイオン化
するためのイオン化手段１２が形成されている。
なお、２３は熱シールド板１１を支持する絶縁支
持部材である。
１４は上記イオン化されたクラスタ・イオン１
６を加速してこれをイオン化されていない中性ク
ラスタ１５とともに基板１８に衝突させて薄膜を
蒸着させる加速電極であり、これは電子引き出し
電極１０との間に最大10kVまでの電位を印加で
きる。なお、２４は加速電極１４を支持する絶縁
支持部材、２２は基板１８を支持する基板ホル
ダ、２１は該基板ホルダ２２を支持する絶縁支持
部材、１７はクラスタ・イオン１６と中性クラス
タ１５とからなるクラスタビームである。
６を加速してこれをイオン化されていない中性ク
ラスタ１５とともに基板１８に衝突させて薄膜を
蒸着させる加速電極であり、これは電子引き出し
電極１０との間に最大10kVまでの電位を印加で
きる。なお、２４は加速電極１４を支持する絶縁
支持部材、２２は基板１８を支持する基板ホル
ダ、２１は該基板ホルダ２２を支持する絶縁支持
部材、１７はクラスタ・イオン１６と中性クラス
タ１５とからなるクラスタビームである。
次に動作について説明する。
基板１８に亜鉛薄膜を蒸着形成する場合につい
て説明すると、まず亜鉛５をるつぼ４内に充填
し、上記真空排気装置により真空槽１内の空気を
排気して該真空槽１内を10-6Torr程度の真空度
にする。
て説明すると、まず亜鉛５をるつぼ４内に充填
し、上記真空排気装置により真空槽１内の空気を
排気して該真空槽１内を10-6Torr程度の真空度
にする。
次いで、ボンバード用フイラメント６に通電し
て発熱せしめ、該ボンバード用フイラメント６か
らの幅射熱により、または該フイラメント６から
放出される熱電子をるつぼ４内に衝突させるこ
と、即ち電子衝撃によつて、該るつぼ４内の亜鉛
５を加熱し蒸発せしめる。そして該るつぼ４内が
亜鉛５の蒸気圧が0.1〜10Torr程度になる温度
（500℃）に昇温すると、ノズル４ａから噴出した
金属蒸気は、るつぼ４と真空槽１との圧力差によ
り断熱膨張してクラストと呼ばれる、多数の原子
が緩く結合した塊状原子集団となる。
て発熱せしめ、該ボンバード用フイラメント６か
らの幅射熱により、または該フイラメント６から
放出される熱電子をるつぼ４内に衝突させるこ
と、即ち電子衝撃によつて、該るつぼ４内の亜鉛
５を加熱し蒸発せしめる。そして該るつぼ４内が
亜鉛５の蒸気圧が0.1〜10Torr程度になる温度
（500℃）に昇温すると、ノズル４ａから噴出した
金属蒸気は、るつぼ４と真空槽１との圧力差によ
り断熱膨張してクラストと呼ばれる、多数の原子
が緩く結合した塊状原子集団となる。
このクラスタ状のクラスタビーム１７は、イオ
ン化フイラメント９から電子引き出し電極１０に
よつて引き出された熱電子１３と衝突するため、
その一部のクラスタはそのうちの１個の原子がイ
オン化されてクラスタ・イオン１６となる。この
クラスタ・イオン１６は加速電極１４と電子引き
出し電極１０との間に形成された電界により適度
に加速され、イオン化されていない中性クラスタ
１５がるつぼ４から噴射されるときの運動エネル
ギーでもつて基板１８に衝突するのと共に、基板
１８に衝突し、これにより該基板１８上に亜鉛薄
膜が蒸着形成される。
ン化フイラメント９から電子引き出し電極１０に
よつて引き出された熱電子１３と衝突するため、
その一部のクラスタはそのうちの１個の原子がイ
オン化されてクラスタ・イオン１６となる。この
クラスタ・イオン１６は加速電極１４と電子引き
出し電極１０との間に形成された電界により適度
に加速され、イオン化されていない中性クラスタ
１５がるつぼ４から噴射されるときの運動エネル
ギーでもつて基板１８に衝突するのと共に、基板
１８に衝突し、これにより該基板１８上に亜鉛薄
膜が蒸着形成される。
［発明が解決しようとする課題］
ところでこのような従来の薄膜蒸着装置では、
フイラメント９及び電子引き出し電極１０の形状
は、第３図ａに示すように、クラスタビームの全
周を取り囲むような形状となつており、そのため
フイラメント９から放出される熱電子e-は、同図
ｂ中の矢印のように電子引き出し電極１０の中心
部に集中する方向に引出されるため、該中心部で
の電子密度が非常に高くなり、この中央部におい
てイオン化がより頻繁に行なわれることとなる。
従つてこの従来装置ではクラスタ・イオンの分布
もクラスタビームの中心に集中することとなり、
その結果形成される薄膜の薄厚及び薄質に不均一
が生じるという欠点があつた。
フイラメント９及び電子引き出し電極１０の形状
は、第３図ａに示すように、クラスタビームの全
周を取り囲むような形状となつており、そのため
フイラメント９から放出される熱電子e-は、同図
ｂ中の矢印のように電子引き出し電極１０の中心
部に集中する方向に引出されるため、該中心部で
の電子密度が非常に高くなり、この中央部におい
てイオン化がより頻繁に行なわれることとなる。
従つてこの従来装置ではクラスタ・イオンの分布
もクラスタビームの中心に集中することとなり、
その結果形成される薄膜の薄厚及び薄質に不均一
が生じるという欠点があつた。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を
除去するためになされたもので、クラスタを噴出
するノズルに向けてイオン化のための熱電子を集
束して放射することにより、クラスタと熱電子と
の衝突確率が高まり、クラスタのイオン化が効率
よくかつ均一に行なわれ、均一な薄形成が行える
薄膜蒸着装置を提供することを目的としている。
除去するためになされたもので、クラスタを噴出
するノズルに向けてイオン化のための熱電子を集
束して放射することにより、クラスタと熱電子と
の衝突確率が高まり、クラスタのイオン化が効率
よくかつ均一に行なわれ、均一な薄形成が行える
薄膜蒸着装置を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。
る。
第４図は本発明の一実施例による薄膜蒸着装置
を示す。第４図において、第１、第２図と同一符
号は同一のものを示す。３０は本実施例において
追加された熱電子放射手段であり、熱電子１３を
るつぼ４のノズル４ａに向けて放射するものであ
る。そして該熱電子放射手段３０（第６図）にお
いて、９は熱電子を放射するフイラメント、３１
はるつぼ４の上方の該るつぼ４の中心と同心の円
周上の所定位置に配置された複数のドーナツ状の
集束電極であり、該集束電極３１は熱電子１３を
ノズル４ａに向け集束させる機能をもつ。
を示す。第４図において、第１、第２図と同一符
号は同一のものを示す。３０は本実施例において
追加された熱電子放射手段であり、熱電子１３を
るつぼ４のノズル４ａに向けて放射するものであ
る。そして該熱電子放射手段３０（第６図）にお
いて、９は熱電子を放射するフイラメント、３１
はるつぼ４の上方の該るつぼ４の中心と同心の円
周上の所定位置に配置された複数のドーナツ状の
集束電極であり、該集束電極３１は熱電子１３を
ノズル４ａに向け集束させる機能をもつ。
次に動作について説明する。
本実施例装置では、熱電子e-は上記集束電極３
１によりフイラメント９より引出されてるつぼ４
のノズル４ａに向つて進む。このノズル４ａ付近
ではクラスタビーム１７の径は小さく、熱電子が
クラスタに高い確率で衝突する。その結果クラス
タのイオン化は効率よく、かつ均一に行われるこ
ととなる。従つて基板１８に到達するクラスタイ
オンの分布も均一となり、これにより基板１８上
に形成される薄膜も薄厚、薄質の均一なものが得
られる。
１によりフイラメント９より引出されてるつぼ４
のノズル４ａに向つて進む。このノズル４ａ付近
ではクラスタビーム１７の径は小さく、熱電子が
クラスタに高い確率で衝突する。その結果クラス
タのイオン化は効率よく、かつ均一に行われるこ
ととなる。従つて基板１８に到達するクラスタイ
オンの分布も均一となり、これにより基板１８上
に形成される薄膜も薄厚、薄質の均一なものが得
られる。
このように、本実施例装置では、クラスタを発
生するるつぼ上方に集束電極を複数個設け、該る
つぼのノズルに向けて熱電子を引出し集束させる
ようにしたので、クラスタを効率よく、かつ均一
にイオン化でき、基板に均一な薄膜を形成でき
る。
生するるつぼ上方に集束電極を複数個設け、該る
つぼのノズルに向けて熱電子を引出し集束させる
ようにしたので、クラスタを効率よく、かつ均一
にイオン化でき、基板に均一な薄膜を形成でき
る。
なお、上記実施例ではるつぼを電子ボンバード
加熱してクラスタを発生させるクラスタイオンビ
ーム装置について説明したが、本発明はシラン
（SiN4）等の常温ガスをノズルを有する収容室か
ら真空槽内に噴出してクタスタを発生するクラス
タイオンビーム装置に適用してもよく、上記実施
例と同様の効果を奏する。
加熱してクラスタを発生させるクラスタイオンビ
ーム装置について説明したが、本発明はシラン
（SiN4）等の常温ガスをノズルを有する収容室か
ら真空槽内に噴出してクタスタを発生するクラス
タイオンビーム装置に適用してもよく、上記実施
例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、集束電極が
山形になつているから、熱電子が充分に集束され
クラスタに高い確率で衝突するので、クラスタの
イオン化の効率は飛躍的に増大し、かつ、イオン
化は均一に行われ、基板に到達するクラスタイオ
ンの分布も均一となり、これにより基板上に形成
される薄膜も薄厚、膜質の均一なものが得られる
という作用効果を奏する。
山形になつているから、熱電子が充分に集束され
クラスタに高い確率で衝突するので、クラスタの
イオン化の効率は飛躍的に増大し、かつ、イオン
化は均一に行われ、基板に到達するクラスタイオ
ンの分布も均一となり、これにより基板上に形成
される薄膜も薄厚、膜質の均一なものが得られる
という作用効果を奏する。
第１図は従来の薄膜蒸着装置の概略構成図、第
２図はその真空槽内を示す斜視図、第３図ａ，ｂ
は第１図のイオン化手段を示す斜視図及び断面
図、第４図は本発明の一実施例による薄膜蒸着装
置の概略構成図、第５図は集束電極が熱電子を集
束する状態を概念的に示す図、第６図は本発明の
集束電極と熱電子放射フイラメントを示す図であ
る。 １……真空槽、５……蒸着すべき物質、８……
蒸気発生源、４ａ……ノズル（蒸気噴出孔）、９
ａ〜９d′……イオン化フイラメント、１０ａ〜１
０ｄ……電子引き出し電極、１４……加速電極、
１５……中性クラスタ、１６……クラスタ・イオ
ン、１８……基板、３０……熱電子放射手段、３
１……集束電極。なお図中一符号は同一又は相当
部分を示す。
２図はその真空槽内を示す斜視図、第３図ａ，ｂ
は第１図のイオン化手段を示す斜視図及び断面
図、第４図は本発明の一実施例による薄膜蒸着装
置の概略構成図、第５図は集束電極が熱電子を集
束する状態を概念的に示す図、第６図は本発明の
集束電極と熱電子放射フイラメントを示す図であ
る。 １……真空槽、５……蒸着すべき物質、８……
蒸気発生源、４ａ……ノズル（蒸気噴出孔）、９
ａ〜９d′……イオン化フイラメント、１０ａ〜１
０ｄ……電子引き出し電極、１４……加速電極、
１５……中性クラスタ、１６……クラスタ・イオ
ン、１８……基板、３０……熱電子放射手段、３
１……集束電極。なお図中一符号は同一又は相当
部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定の真空度に保持された真空槽と、 該真空槽内に設けられ基板に蒸着すべき物質の
蒸気をその蒸気噴出孔から上記真空槽内に噴出し
て該蒸気中の多数の原子が緩く結合したクラスタ
を発生する蒸気発生源と、 熱電子を放出するフイラメントと該フイラメン
トからの熱電子を集束させる集束電極とからなり
上記クラスタをイオン化するための熱電子を集束
させ上記蒸気噴出孔に向けて放射する熱電子放射
手段と、 該放射された熱電子によりイオン化されたクラ
スタ・イオンを加速しこれをイオン化されていな
い中性クラスタとともに基板に衝突させて薄膜を
蒸着させる加速電極とを備えた薄膜蒸着装置にお
いて、上記集束電極を山形にして上記蒸気噴出孔
に向けてイオン化電子を集束するようにしたこと
を特徴とする薄膜蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23556783A JPS60124918A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23556783A JPS60124918A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124918A JPS60124918A (ja) | 1985-07-04 |
| JPH0351087B2 true JPH0351087B2 (ja) | 1991-08-05 |
Family
ID=16987900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23556783A Granted JPS60124918A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124918A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH089777B2 (ja) * | 1990-11-30 | 1996-01-31 | 松下電器産業株式会社 | イオンビーム発生装置および発生方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933890A (ja) * | 1972-07-29 | 1974-03-28 |
-
1983
- 1983-12-12 JP JP23556783A patent/JPS60124918A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4933890A (ja) * | 1972-07-29 | 1974-03-28 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60124918A (ja) | 1985-07-04 |
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