JPS6212120A - 蒸発源加熱用フイラメント - Google Patents
蒸発源加熱用フイラメントInfo
- Publication number
- JPS6212120A JPS6212120A JP15198685A JP15198685A JPS6212120A JP S6212120 A JPS6212120 A JP S6212120A JP 15198685 A JP15198685 A JP 15198685A JP 15198685 A JP15198685 A JP 15198685A JP S6212120 A JPS6212120 A JP S6212120A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- filament
- nozzle
- evaporation source
- cluster
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、クラスタ・イオンビーム蒸着法において用
いられる蒸発源加熱用フィラメント、特にるつぼの温度
分布を均一化することに関するもである。
いられる蒸発源加熱用フィラメント、特にるつぼの温度
分布を均一化することに関するもである。
一般に、クラスタ・イオンビーム蒸着法による薄膜蒸着
方法は、真空槽内において、基板に蒸着すべき物質の蒸
気を噴出して該蒸気中の多数の原子が暖く結合したクラ
スタ(塊状原子集団)を生成し、該クラスタに原子のシ
ャワーを浴びせて、該クラスタをそのうちの1個の原子
がイオン化されたクラスタ・イオンにし、該クラスタ・
イオンを加速して基板に衝突せしめ、これにより基板に
i膜を蒸着形成する方法である。
方法は、真空槽内において、基板に蒸着すべき物質の蒸
気を噴出して該蒸気中の多数の原子が暖く結合したクラ
スタ(塊状原子集団)を生成し、該クラスタに原子のシ
ャワーを浴びせて、該クラスタをそのうちの1個の原子
がイオン化されたクラスタ・イオンにし、該クラスタ・
イオンを加速して基板に衝突せしめ、これにより基板に
i膜を蒸着形成する方法である。
このような蒸着方法を実施する装置として、第2図、第
3図及び第4図に示すものがあった。第2図は従来の薄
膜蒸着装置を模式的に示す+″概略構成図、第3図はそ
の一部を切り欠いて内部を示す斜視図、第4図はるつぼ
加熱部を示す概略構成図である。図において、1は所定
の真空度に保持された真空槽、2は該真空槽1内の排気
を行なうための排気通路で、これは図示していない真空
排気装置に接続されている。3は該排気通路2を開閉す
る真空用バルブである。4は直径1mm〜2mmのノズ
ル4aが設けられた密閉型るつぼで、これには基板に蒸
着されるべき蒸発物質、例えば亜鉛(Zn)5が収容さ
れる。6は配線の方向をクラスタビームの噴出方向に対
して垂直にして、上記るつぼ4を囲繞し熱電子を照射し
、これの加熱を行なう蒸発源加熱用フィラメント、7は
該フィラメント6からの輻射熱を遮断する熱シールド板
であり、上記るっぽ4.蒸発源加熱用フィラメント6及
び熱シールド板7により基板に蒸着すべき物質の蒸気を
上記真空槽1内に噴出してクラスタを生成せしめる蒸気
発生源8が形成されている。
3図及び第4図に示すものがあった。第2図は従来の薄
膜蒸着装置を模式的に示す+″概略構成図、第3図はそ
の一部を切り欠いて内部を示す斜視図、第4図はるつぼ
加熱部を示す概略構成図である。図において、1は所定
の真空度に保持された真空槽、2は該真空槽1内の排気
を行なうための排気通路で、これは図示していない真空
排気装置に接続されている。3は該排気通路2を開閉す
る真空用バルブである。4は直径1mm〜2mmのノズ
ル4aが設けられた密閉型るつぼで、これには基板に蒸
着されるべき蒸発物質、例えば亜鉛(Zn)5が収容さ
れる。6は配線の方向をクラスタビームの噴出方向に対
して垂直にして、上記るつぼ4を囲繞し熱電子を照射し
、これの加熱を行なう蒸発源加熱用フィラメント、7は
該フィラメント6からの輻射熱を遮断する熱シールド板
であり、上記るっぽ4.蒸発源加熱用フィラメント6及
び熱シールド板7により基板に蒸着すべき物質の蒸気を
上記真空槽1内に噴出してクラスタを生成せしめる蒸気
発生源8が形成されている。
19は上記熱シールド板7を支持する絶縁支持部材、2
0は上記るつぼ4を支持するるつぼ支持部材である。9
は熱せられてイオン化用の熱電子13を放出するイオン
化電子放出フィラメント、10は該イオン化電子放出フ
ィラメント9から放出された熱電子13を加速する電子
引き出し電極、11は上記イオン化フィラメント9から
の輻射熱を遮断する熱シールド板であり、上記イオン化
電子放出フィラメント9.電子引き出し電極1o及び熱
シールド板11により、上記蒸気発生源8からのクラス
タをイオン化するためのイオン化手段12が形成されて
いる。23は熱シールド板11を支持する絶縁支持部材
である。14は上記イオン化されたクラスタ・イオン1
6を加速してこれをイオン化されていない中性クラスタ
15とともに基板18に衝突させて蒸着させる加速電極
であり、これは上記電子引き出し電極10との間に電位
を印加できる。24は上記加速電極14を支持する絶縁
支持部材、22は基板18を支持する基板ホルダ、21
は該基板ホルダ22を支持する絶縁支持部材、17はク
ラスタ・イオン16と中性クラスタ15とからなるクラ
スタビームである。
0は上記るつぼ4を支持するるつぼ支持部材である。9
は熱せられてイオン化用の熱電子13を放出するイオン
化電子放出フィラメント、10は該イオン化電子放出フ
ィラメント9から放出された熱電子13を加速する電子
引き出し電極、11は上記イオン化フィラメント9から
の輻射熱を遮断する熱シールド板であり、上記イオン化
電子放出フィラメント9.電子引き出し電極1o及び熱
シールド板11により、上記蒸気発生源8からのクラス
タをイオン化するためのイオン化手段12が形成されて
いる。23は熱シールド板11を支持する絶縁支持部材
である。14は上記イオン化されたクラスタ・イオン1
6を加速してこれをイオン化されていない中性クラスタ
15とともに基板18に衝突させて蒸着させる加速電極
であり、これは上記電子引き出し電極10との間に電位
を印加できる。24は上記加速電極14を支持する絶縁
支持部材、22は基板18を支持する基板ホルダ、21
は該基板ホルダ22を支持する絶縁支持部材、17はク
ラスタ・イオン16と中性クラスタ15とからなるクラ
スタビームである。
次に基板18に亜鉛薄膜を蒸着形成する場合について説
明する。
明する。
まず亜鉛5をるつぼ4内に充填し、真空排気装置により
真空[1内の空気を排気して該真空槽1内を10=To
rr程度の真空度にする0次いで、蒸発源加熱用フィラ
メント6に通電して発熱せしめ、該蒸発源加熱用フィラ
メント6からの輻射熱、または該 フィラメント6から
放出される熱電子をるつぼ4に衝突させること、即ち電
子衝撃によって、該るつぼ4内の亜鉛5を加熱し蒸発せ
しめる。
真空[1内の空気を排気して該真空槽1内を10=To
rr程度の真空度にする0次いで、蒸発源加熱用フィラ
メント6に通電して発熱せしめ、該蒸発源加熱用フィラ
メント6からの輻射熱、または該 フィラメント6から
放出される熱電子をるつぼ4に衝突させること、即ち電
子衝撃によって、該るつぼ4内の亜鉛5を加熱し蒸発せ
しめる。
そしてるつぼ4内が亜鉛5の蒸気圧が0.1 ”10T
。
。
rr程度になる温度(500℃)に昇温すると、ノズル
4aから亜鉛蒸気が噴出する。該蒸気は、るつぼ4と真
空槽1との圧力差により断熱膨張してクラスタと呼ばれ
る多数の原子が緩く結合した塊状原子集団となる。この
クラスタ状のクラスタビーム17はイオン化電子放出フ
ィラメント9から電子引き出し電極10によって引き出
された熱電子13と衝突するため、一部のクラスタは一
個の原子がイオン化されてクラスタ・イオン16となる
。
4aから亜鉛蒸気が噴出する。該蒸気は、るつぼ4と真
空槽1との圧力差により断熱膨張してクラスタと呼ばれ
る多数の原子が緩く結合した塊状原子集団となる。この
クラスタ状のクラスタビーム17はイオン化電子放出フ
ィラメント9から電子引き出し電極10によって引き出
された熱電子13と衝突するため、一部のクラスタは一
個の原子がイオン化されてクラスタ・イオン16となる
。
このクラスタ・イオン16は加速電極14と電子引き出
し電極10との間に形成された電界により適度に加速さ
れ、イオン化されていない中性クラスタ15がるつぼ4
から噴出されるときの運動エネルギーでもって基板18
に衝突するのと共に、基板18に衝突し、これにより該
基板18上に亜鉛薄膜が蒸着形成される。
し電極10との間に形成された電界により適度に加速さ
れ、イオン化されていない中性クラスタ15がるつぼ4
から噴出されるときの運動エネルギーでもって基板18
に衝突するのと共に、基板18に衝突し、これにより該
基板18上に亜鉛薄膜が蒸着形成される。
従来の蒸発源加熱用フィラメントは以上のように構成さ
れているので、るつぼのノズルの設けられた面への#8
輻射及び電子iEr !31’ Hが少なく、該面の温
度が低下し、溶融物質の蒸気が噴出しにくくなり、クラ
スタの噴出量が少なくなるなどの問題点があった。
れているので、るつぼのノズルの設けられた面への#8
輻射及び電子iEr !31’ Hが少なく、該面の温
度が低下し、溶融物質の蒸気が噴出しにくくなり、クラ
スタの噴出量が少なくなるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、るつぼの温度分布を均一にすることのできる
蒸発源加熱用フィラメントを提供することを目的とする
。
たもので、るつぼの温度分布を均一にすることのできる
蒸発源加熱用フィラメントを提供することを目的とする
。
この発明に係る蒸発源加熱用フィラメントは、各線の配
線の方向をクラスタビームの噴出方向と同じにし、かつ
そのるつぼのノズル近傍に配置された部分をるつぼ側へ
傾けると共に、その全体がるつぼを囲繞するように配置
したものである。
線の方向をクラスタビームの噴出方向と同じにし、かつ
そのるつぼのノズル近傍に配置された部分をるつぼ側へ
傾けると共に、その全体がるつぼを囲繞するように配置
したものである。
この発明においては、蒸発源加熱用フィラメントはノズ
ル近傍に配置された部分がるつぼ側へ傾いていることに
より、ノズルの設けられた上面に対する熱輻射及び電子
衝撃量が増し、該上面が加熱しやすくなってるつぼの温
度分布を均一にする。
ル近傍に配置された部分がるつぼ側へ傾いていることに
より、ノズルの設けられた上面に対する熱輻射及び電子
衝撃量が増し、該上面が加熱しやすくなってるつぼの温
度分布を均一にする。
C実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図は本発明の一実施例による蒸発源加熱用フィラメント
を示す概略構成図であり、図において、4.4a、17
及び20は第4図に示した従来装置と全く同一のもので
ある。6はその全体がるつぼ4を囲繞するように設けら
れたフィラメントであり、該各フィラメント6はその形
状が逆゛U字形で、各線の配線方向がクラスタビーム1
7の噴出方向と同じとされ、かつノズル4a近傍に配置
された部分がるつぼ4側へ傾けられている。
図は本発明の一実施例による蒸発源加熱用フィラメント
を示す概略構成図であり、図において、4.4a、17
及び20は第4図に示した従来装置と全く同一のもので
ある。6はその全体がるつぼ4を囲繞するように設けら
れたフィラメントであり、該各フィラメント6はその形
状が逆゛U字形で、各線の配線方向がクラスタビーム1
7の噴出方向と同じとされ、かつノズル4a近傍に配置
された部分がるつぼ4側へ傾けられている。
次に作用効果について説明する。
蒸発源加熱用フィラメント6から放射された輻射熱及び
フィラメント6から放出された熱電子により、るつぼ4
が加熱されるが、本実施例フィラメントでは、フィラメ
ントのノズル近傍に配置された部分がるつぼ側へ傾いて
るつぼを取り囲んでいるため、るつぼのノズルの設けら
れた上面への輻射熱や電子衝撃量が多くなり、該上面が
加熱しやすくなってるつぼの温度分布が均一になる。ま
た、そのことにより従来と同じ電力でもってより多くの
クラスタを発生ずることができ、クラスタの発生効率が
向上する。
フィラメント6から放出された熱電子により、るつぼ4
が加熱されるが、本実施例フィラメントでは、フィラメ
ントのノズル近傍に配置された部分がるつぼ側へ傾いて
るつぼを取り囲んでいるため、るつぼのノズルの設けら
れた上面への輻射熱や電子衝撃量が多くなり、該上面が
加熱しやすくなってるつぼの温度分布が均一になる。ま
た、そのことにより従来と同じ電力でもってより多くの
クラスタを発生ずることができ、クラスタの発生効率が
向上する。
なお、上記実施例では、るつぼは円柱状のものを示した
が、これは角柱状、直方体状のものでもよい。
が、これは角柱状、直方体状のものでもよい。
また、上記実施例ではノズルがるつぼの上部にあるもの
を示したが、これはるつぼの横にあっても下にあっても
よい。
を示したが、これはるつぼの横にあっても下にあっても
よい。
さらに、上記実施例ではフィラメントの形状が逆U字形
のものを示したが、これは逆■字形、逆W字形など、他
の形状であっても良い。
のものを示したが、これは逆■字形、逆W字形など、他
の形状であっても良い。
以上のように、この発明によれば、るつぼを囲繞するフ
ィラメントの各線の配線方向をクラスタビームの噴出方
向と同じにし、かつ、るつぼのノズル近傍に配置された
部分をるつぼ側へ傾けたので、るつぼのノズルの設けら
れた上面が加熱し易くなり、該面に対する輻射熱及び電
子衝撃量が多くなり、るつぼの温度分布が均一になる効
果がある。
ィラメントの各線の配線方向をクラスタビームの噴出方
向と同じにし、かつ、るつぼのノズル近傍に配置された
部分をるつぼ側へ傾けたので、るつぼのノズルの設けら
れた上面が加熱し易くなり、該面に対する輻射熱及び電
子衝撃量が多くなり、るつぼの温度分布が均一になる効
果がある。
第1図はこの発明の一実施例による蒸発源加熱用フィラ
メントを示す概略構成図、第2図は従来の薄膜蒸着装置
の概略構成図、第3図はその一部を切り欠いて内部を示
す斜視図、第4図は従来の蒸発源加熱用フィラメントを
示す概略構成図である。 4・・・るつぼ、4a・・・ノズル、6・・・蒸発源加
熱用フィラメント。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
メントを示す概略構成図、第2図は従来の薄膜蒸着装置
の概略構成図、第3図はその一部を切り欠いて内部を示
す斜視図、第4図は従来の蒸発源加熱用フィラメントを
示す概略構成図である。 4・・・るつぼ、4a・・・ノズル、6・・・蒸発源加
熱用フィラメント。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)るつぼ内の物質を加熱し蒸発せしめる蒸発源加熱
用フィラメントにおいて、 その各線がクラスタービームの噴出方向と同じ方向に配
線されかつそのるつぼのノズル近傍に配置された部分が
るつぼ側へ傾けられ、 その全体がるつぼを囲繞するように配置されたことを特
徴とする蒸発源加熱用フィラメント。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15198685A JPS6212120A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 蒸発源加熱用フイラメント |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15198685A JPS6212120A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 蒸発源加熱用フイラメント |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6212120A true JPS6212120A (ja) | 1987-01-21 |
Family
ID=15530560
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15198685A Pending JPS6212120A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | 蒸発源加熱用フイラメント |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6212120A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60106126A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
JPS60116771A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Ulvac Corp | クラスタイオンビ−ム蒸発源装置 |
-
1985
- 1985-07-09 JP JP15198685A patent/JPS6212120A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60106126A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-11 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
JPS60116771A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-24 | Ulvac Corp | クラスタイオンビ−ム蒸発源装置 |
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