JPH0447969B2 - - Google Patents
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- JPH0447969B2 JPH0447969B2 JP23557783A JP23557783A JPH0447969B2 JP H0447969 B2 JPH0447969 B2 JP H0447969B2 JP 23557783 A JP23557783 A JP 23557783A JP 23557783 A JP23557783 A JP 23557783A JP H0447969 B2 JPH0447969 B2 JP H0447969B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/221—Ion beam deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、薄膜蒸着装置に関し、特にクラスタ
イオンビーム蒸着法により薄膜を形成する場合の
クラスタ発生源の改良に関するものである。
イオンビーム蒸着法により薄膜を形成する場合の
クラスタ発生源の改良に関するものである。
従来この種の薄膜形成方法としては、真空蒸着
法、スパツタリング法、CVD法、イオンプレー
テイング法、クラスタイオンビーム蒸着法などが
あるが、特にイオン化粒子または励起粒子を用い
る方法は高品質薄膜の形成が可能であり、中でも
クラスタイオンビーム蒸着法は数多くの優れた特
徴を有しているため、高品質薄膜形成法として広
い用途が考えられている。
法、スパツタリング法、CVD法、イオンプレー
テイング法、クラスタイオンビーム蒸着法などが
あるが、特にイオン化粒子または励起粒子を用い
る方法は高品質薄膜の形成が可能であり、中でも
クラスタイオンビーム蒸着法は数多くの優れた特
徴を有しているため、高品質薄膜形成法として広
い用途が考えられている。
このクラスタイオンビーム蒸着法による薄膜形
成方法は、真空槽内において、基板に蒸着すべき
物質の蒸気を噴出して該蒸気中の多数の原子が緩
く結合したクラスタ（塊状原子集団）を生成し、
該クラスタに電子のシヤワーを浴びせて該スラス
タをそのうちの１個の原子がイオン化されたクラ
スタ・イオンにし、該クラスタ・イオンを加速し
て基板に衝突せしめ、これにより基板に薄膜を蒸
着形成する方法である。
成方法は、真空槽内において、基板に蒸着すべき
物質の蒸気を噴出して該蒸気中の多数の原子が緩
く結合したクラスタ（塊状原子集団）を生成し、
該クラスタに電子のシヤワーを浴びせて該スラス
タをそのうちの１個の原子がイオン化されたクラ
スタ・イオンにし、該クラスタ・イオンを加速し
て基板に衝突せしめ、これにより基板に薄膜を蒸
着形成する方法である。
このような薄膜形成方法を実施する装置とし
て、従来、第１図及び第２図に示すものがあつ
た。第１図は従来の薄膜蒸着装置を模式的に示す
概略構成図、第２図はその主要部の一部を切り欠
いて内部を示す斜視図である。図において、１は
所定の真空度に保持された真空槽、２は該真空槽
１内の排気を行なうための排気通路で、これは図
示しない真空排気装置に接続されている。３は該
排気通路２を開閉する真空用バルブである。
て、従来、第１図及び第２図に示すものがあつ
た。第１図は従来の薄膜蒸着装置を模式的に示す
概略構成図、第２図はその主要部の一部を切り欠
いて内部を示す斜視図である。図において、１は
所定の真空度に保持された真空槽、２は該真空槽
１内の排気を行なうための排気通路で、これは図
示しない真空排気装置に接続されている。３は該
排気通路２を開閉する真空用バルブである。
４は直径１mm〜２mmのノズル４ａが設けられた
密閉形るつぼで、これには基板に蒸着させるべき
蒸発物質５が収容される。６は上気るつぼ４に熱
電子を照射し、これの加熱を行なうボンバード用
フイラメント、７はモリブデン（Mo）やタンタ
ル（Ta）等で形成され上気フイラメント６から
の輻射熱を遮断する熱シールド板であり、上気る
つぼ４、ボンバード用フイラメント６及び熱シー
ルド板７により、基板に蒸着すべき物質の蒸気を
上記真空槽１内に噴出してクラスタを生成せしめ
る蒸気発生源８が形成されている。なお、１９は
上記熱シールド板７を支持する絶縁支持部材、２
０は上記るつぼ４を支持する支持台である。
密閉形るつぼで、これには基板に蒸着させるべき
蒸発物質５が収容される。６は上気るつぼ４に熱
電子を照射し、これの加熱を行なうボンバード用
フイラメント、７はモリブデン（Mo）やタンタ
ル（Ta）等で形成され上気フイラメント６から
の輻射熱を遮断する熱シールド板であり、上気る
つぼ４、ボンバード用フイラメント６及び熱シー
ルド板７により、基板に蒸着すべき物質の蒸気を
上記真空槽１内に噴出してクラスタを生成せしめ
る蒸気発生源８が形成されている。なお、１９は
上記熱シールド板７を支持する絶縁支持部材、２
０は上記るつぼ４を支持する支持台である。
９は2000℃以上に熱せられてイオン化用の熱電
子１３を放出するイオン化フイラメント、１０は
該イオン化フイラメント９から放出された熱電子
１３を加速する電子引き出し電極、１１はイオン
化フイラメント９からの輻射熱を遮断する熱シー
ルド板であり、上記イオン化フイラメント９、電
子引き出し電極１０及び熱シールド板１１によ
り、上記蒸気発生源８からのクラスタをイオン化
するためのイオン化手段１２が形成されている。
なお、２３は熱シールド板１１を支持する絶縁支
持部材である。
子１３を放出するイオン化フイラメント、１０は
該イオン化フイラメント９から放出された熱電子
１３を加速する電子引き出し電極、１１はイオン
化フイラメント９からの輻射熱を遮断する熱シー
ルド板であり、上記イオン化フイラメント９、電
子引き出し電極１０及び熱シールド板１１によ
り、上記蒸気発生源８からのクラスタをイオン化
するためのイオン化手段１２が形成されている。
なお、２３は熱シールド板１１を支持する絶縁支
持部材である。
１４は上記イオン化されたクラスタ・イオン１
６を加速し、これを基板１８に衝突させて薄膜を
蒸着させる加速電極であり、これは電子引き出し
電極１０との間に最大10kVまでの電圧を印加で
きる。なお、２４は加速電極１４を支持する絶縁
支持部材、２２は基板１８を支持する基板ホル
ダ、２１は該基板ホルダ２２を支持する絶縁支持
部材、１７はクラスタ・イオン１６と中性クラス
タ１５とからなるクラスタビームである。
６を加速し、これを基板１８に衝突させて薄膜を
蒸着させる加速電極であり、これは電子引き出し
電極１０との間に最大10kVまでの電圧を印加で
きる。なお、２４は加速電極１４を支持する絶縁
支持部材、２２は基板１８を支持する基板ホル
ダ、２１は該基板ホルダ２２を支持する絶縁支持
部材、１７はクラスタ・イオン１６と中性クラス
タ１５とからなるクラスタビームである。
次に動作について説明する。
まず蒸着すべき金属５をるつぼ４内に充填し、
上記真空排気装置により真空槽１内の空気を排気
して該真空槽１内を所定の真空度にする。
上記真空排気装置により真空槽１内の空気を排気
して該真空槽１内を所定の真空度にする。
次いで、ボンバード用フイラメント６に通電し
て発熱せしめ、該ボンバード用フイラメント６か
らの輻射熱により、または該フイラメント６から
放出される熱電子をるつぼ４に衝突させること、
即ち電子衝撃によつて、該るつぼ４内の金属５を
加熱し蒸発せしめる。そして該るつぼ４の金属蒸
気圧が0.1〜10Torr程度になる温度まで昇温する
と、ノズル４ａから噴出した金属蒸気は、るつぼ
４と真空槽１との圧力差により断熱膨張してクラ
スタと呼ばれる、多数の原子が緩く結合した塊状
原子集団となる。
て発熱せしめ、該ボンバード用フイラメント６か
らの輻射熱により、または該フイラメント６から
放出される熱電子をるつぼ４に衝突させること、
即ち電子衝撃によつて、該るつぼ４内の金属５を
加熱し蒸発せしめる。そして該るつぼ４の金属蒸
気圧が0.1〜10Torr程度になる温度まで昇温する
と、ノズル４ａから噴出した金属蒸気は、るつぼ
４と真空槽１との圧力差により断熱膨張してクラ
スタと呼ばれる、多数の原子が緩く結合した塊状
原子集団となる。
このクラスタ状のクラスタビーム１７は、イオ
ン化フイラメント９から電子引き出し電極１０に
よつて引き出された熱電子１３と衝突し、このた
め上記クラスタビーム１７の一部のクラスタはそ
のうちの１個の原子がイオン化されてクラスタ・
イオン１６となる。このクラスタ・イオン１６は
加速電極１４と電子引き出し電極１０との間に形
成された電界により速度に加速されて基板１８に
衝突し、これにより該基板１８上に薄膜が蒸着形
成される。またこの際、イオン化されていない中
性クラスタ１５は、上記るつぼ４から噴出された
運動エネルギーでもつて上記１８に衝突し、上記
クラスタ・イオン１６とともに該基板１８上に蒸
着される。
ン化フイラメント９から電子引き出し電極１０に
よつて引き出された熱電子１３と衝突し、このた
め上記クラスタビーム１７の一部のクラスタはそ
のうちの１個の原子がイオン化されてクラスタ・
イオン１６となる。このクラスタ・イオン１６は
加速電極１４と電子引き出し電極１０との間に形
成された電界により速度に加速されて基板１８に
衝突し、これにより該基板１８上に薄膜が蒸着形
成される。またこの際、イオン化されていない中
性クラスタ１５は、上記るつぼ４から噴出された
運動エネルギーでもつて上記１８に衝突し、上記
クラスタ・イオン１６とともに該基板１８上に蒸
着される。
なお、上記基板１８は上記加速電極１４と同電
位に設定されるのが一般的である。
位に設定されるのが一般的である。
ところがこの従来の装置では、蒸着物質５の蒸
気を得る際に、るつぼ４を加熱することによつて
その中に充填された蒸着物質５を加熱し、その蒸
気を得るようにしているため、熱効率が悪く、装
置の運転に非常に大きな電力が必要であり、また
蒸着物質５として、その蒸気化に高温度を必要と
する物質、例えばタングステン（Ｗ）、タンタル
（Ta）、モリブデン（Mo）、チタン（Ti）、炭素
(C)など、及び非常に反応性の高い物質、例えばシ
リコン（Si）などを使用する場合においては、る
つぼ４に特殊な材料を用いる必要があるという欠
点があつた。
気を得る際に、るつぼ４を加熱することによつて
その中に充填された蒸着物質５を加熱し、その蒸
気を得るようにしているため、熱効率が悪く、装
置の運転に非常に大きな電力が必要であり、また
蒸着物質５として、その蒸気化に高温度を必要と
する物質、例えばタングステン（Ｗ）、タンタル
（Ta）、モリブデン（Mo）、チタン（Ti）、炭素
(C)など、及び非常に反応性の高い物質、例えばシ
リコン（Si）などを使用する場合においては、る
つぼ４に特殊な材料を用いる必要があるという欠
点があつた。
さらに、上記従来の装置では、クラスタをイオ
ン化するためのイオン化フイラメント９等が高温
になるため、その輻射熱により基板１８の温度が
上昇し、基板として高分子シート等耐熱性の低い
ものは使用できないという欠点があつた。
ン化するためのイオン化フイラメント９等が高温
になるため、その輻射熱により基板１８の温度が
上昇し、基板として高分子シート等耐熱性の低い
ものは使用できないという欠点があつた。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を
除去するためになされたもので、クラスタイオン
ビーム蒸着装置において、常温ガスの物質をガス
収容部から噴出してクラスタを発生させ、このク
ラスタに光を照射して蒸着物質原子のクラスタの
一部を励起することにより、構造が簡単で、かつ
運転に必要な電力を著しく低減できるとともに、
反応性の高い物質等の薄膜をも容易に形成でき、
さらには基板の温度上昇が生ずることのない薄膜
蒸着装置を提供することを目的としている。
除去するためになされたもので、クラスタイオン
ビーム蒸着装置において、常温ガスの物質をガス
収容部から噴出してクラスタを発生させ、このク
ラスタに光を照射して蒸着物質原子のクラスタの
一部を励起することにより、構造が簡単で、かつ
運転に必要な電力を著しく低減できるとともに、
反応性の高い物質等の薄膜をも容易に形成でき、
さらには基板の温度上昇が生ずることのない薄膜
蒸着装置を提供することを目的としている。
以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。
る。
第３図は本発明の一実施例による薄膜蒸着装置
を模式的に示す概略構成図である。図において、
第１図と同一符号は同一又は相当部分を示し、３
０は真空槽１内に設けられ、その頭部にノズル３
０ａを有するガス収容部であり、これは基板１８
に蒸着すべき物質を有する常温ガスの化合物３１
をそのノズル３０ａから噴出して、該化合物３１
のクラスタを発生するためのものである。３２は
上記化合物ガス３１が収納されたガス容器、３３
はこのガス容器３２から上記ガス収容部３０に供
給される化合物ガス３１の量を制御し、上記ガス
収容部３０の内圧等をコントロールするためのバ
ルブである。また、３４は上記ガス収容部３０の
周囲に配設された冷却管であり、上記ガス収容部
３０を冷却して該ガス収容部３０から発生される
クラスタのサイズ、即ち１つのクラスタを構成す
る分子又は原子の個数をコントロールするための
ものである。
を模式的に示す概略構成図である。図において、
第１図と同一符号は同一又は相当部分を示し、３
０は真空槽１内に設けられ、その頭部にノズル３
０ａを有するガス収容部であり、これは基板１８
に蒸着すべき物質を有する常温ガスの化合物３１
をそのノズル３０ａから噴出して、該化合物３１
のクラスタを発生するためのものである。３２は
上記化合物ガス３１が収納されたガス容器、３３
はこのガス容器３２から上記ガス収容部３０に供
給される化合物ガス３１の量を制御し、上記ガス
収容部３０の内圧等をコントロールするためのバ
ルブである。また、３４は上記ガス収容部３０の
周囲に配設された冷却管であり、上記ガス収容部
３０を冷却して該ガス収容部３０から発生される
クラスタのサイズ、即ち１つのクラスタを構成す
る分子又は原子の個数をコントロールするための
ものである。
３５はレーザビーム３６を発するレーザ発振器
（光源）であり、これは上記レーザビーム３６を
上記ガス収容部３０からの化合物のクラスタに照
射し、該化合物を分解して上記蒸着物質原子のク
ラスタを生成するとともに該蒸着物質原子のクラ
スタの一部を励起するためのものである。
（光源）であり、これは上記レーザビーム３６を
上記ガス収容部３０からの化合物のクラスタに照
射し、該化合物を分解して上記蒸着物質原子のク
ラスタを生成するとともに該蒸着物質原子のクラ
スタの一部を励起するためのものである。
次に動作について説明する。
ここで、本実施例においては、基板１８の表面
にシリコン（Si）薄膜を蒸着形成する場合につい
て説明する。
にシリコン（Si）薄膜を蒸着形成する場合につい
て説明する。
まず、真空槽１内を真空排気装置により
10-7Torr（通常10-8〜10-6Torr程度）の真空度に
排気する。そして常温ガスの化合物３１としてシ
ラン（Si H4）を用い、これをガス収容部３０に
その内部のガス圧が10Torr（通常10-2〜103Torr
程度）になるようにバルブ３３により調整しなが
ら供給し、該シランガス３１をノズル３１ａから
噴出させる。すると、このノズル３０ａから噴出
されたシランガスはシラン分子のクラスタとな
る。この際、冷却管３４よつて上記ガス収容部３
０の温度をコントロールすることにより、上記ク
ラスタのサイズがコントロールされる。
10-7Torr（通常10-8〜10-6Torr程度）の真空度に
排気する。そして常温ガスの化合物３１としてシ
ラン（Si H4）を用い、これをガス収容部３０に
その内部のガス圧が10Torr（通常10-2〜103Torr
程度）になるようにバルブ３３により調整しなが
ら供給し、該シランガス３１をノズル３１ａから
噴出させる。すると、このノズル３０ａから噴出
されたシランガスはシラン分子のクラスタとな
る。この際、冷却管３４よつて上記ガス収容部３
０の温度をコントロールすることにより、上記ク
ラスタのサイズがコントロールされる。
次に上記シラン分子のクラスタにレーザ発振器
３５からのレーザビーム３６が照射されると、該
シラン（Si H4）分子から水素（H2）が分離され
てシリコン（Si）原子のクラスタが生成される。
またこれと同時に、一部のシリコン原子のクラス
タは、該クラスタを構成するうちの１個の原子が
励起されて励起クラスタ４６となる。この場合、
上記レーザビーム３６の波長をコントロールする
ことにより、クラスタの所望レベルの励起状態が
得られる。
３５からのレーザビーム３６が照射されると、該
シラン（Si H4）分子から水素（H2）が分離され
てシリコン（Si）原子のクラスタが生成される。
またこれと同時に、一部のシリコン原子のクラス
タは、該クラスタを構成するうちの１個の原子が
励起されて励起クラスタ４６となる。この場合、
上記レーザビーム３６の波長をコントロールする
ことにより、クラスタの所望レベルの励起状態が
得られる。
そしてこの励起クラスタ４６は、励起されてい
ない非励起クラスタ１５とともにノズル３０ａか
ら噴出された運動エネルギでもつて基板１８に衝
突し、これにより基板１８上にシリコン薄膜が蒸
着形成される。なお、上記シラン分子から分離生
成された水素ガスは、真空槽１外へ排気される。
ない非励起クラスタ１５とともにノズル３０ａか
ら噴出された運動エネルギでもつて基板１８に衝
突し、これにより基板１８上にシリコン薄膜が蒸
着形成される。なお、上記シラン分子から分離生
成された水素ガスは、真空槽１外へ排気される。
このような本実施例装置では、常温ガスの化合
物を用いてクラスタを発生させるようにしたの
で、従来装置のように蒸着物質蒸気を得るための
加熱機構が全く不要となり、装置の構造を非常に
簡単に、かつ運転に必要な電力を著しく低減でき
るとともに、蒸気化させるのに高温度を要する物
質や、反応性の高い物質の薄膜をも容易に形成で
きる。さらに、従来装置のイオン化手段に代えて
レーザ発振器３５を用い、これから発せられるレ
ーザビーム３６でもつて蒸着物質原子のクラスタ
を生成し、該クラスタを励起するようにしたの
で、基板１８への輻射熱が無くなり、該基板１８
の温度が上昇することもなく、そのため薄膜形状
に不都合を生じることもない。
物を用いてクラスタを発生させるようにしたの
で、従来装置のように蒸着物質蒸気を得るための
加熱機構が全く不要となり、装置の構造を非常に
簡単に、かつ運転に必要な電力を著しく低減でき
るとともに、蒸気化させるのに高温度を要する物
質や、反応性の高い物質の薄膜をも容易に形成で
きる。さらに、従来装置のイオン化手段に代えて
レーザ発振器３５を用い、これから発せられるレ
ーザビーム３６でもつて蒸着物質原子のクラスタ
を生成し、該クラスタを励起するようにしたの
で、基板１８への輻射熱が無くなり、該基板１８
の温度が上昇することもなく、そのため薄膜形状
に不都合を生じることもない。
なお、上記実施例ではシラン（Si H4）を用い
てシリコン（Si）膜を形成する場合について説明
したが、本発明はこれに限るものではなく、例え
ば炭素(C)薄膜を形成する場合はメタン（CH4）を
用い、タングステン（Ｗ）薄膜を形成する場合は
フツ化タングステン（WF6）を用いるなど、適
当な化合物ガスを選んで上記実施例と同様の方法
で各種の薄膜形成が可能となる。
てシリコン（Si）膜を形成する場合について説明
したが、本発明はこれに限るものではなく、例え
ば炭素(C)薄膜を形成する場合はメタン（CH4）を
用い、タングステン（Ｗ）薄膜を形成する場合は
フツ化タングステン（WF6）を用いるなど、適
当な化合物ガスを選んで上記実施例と同様の方法
で各種の薄膜形成が可能となる。
また、上記実施例では化合物のクラスタにレー
ザビームを照射するようにしたが、これは可視
光、紫外線、Ｘ線、ｒ線等でもよく、上記実施例
と同様の効果が得られる。
ザビームを照射するようにしたが、これは可視
光、紫外線、Ｘ線、ｒ線等でもよく、上記実施例
と同様の効果が得られる。
以上のように、本発明によれば、クラスタイオ
ンビーム蒸着装置において、常温ガスの物質を用
いてクラスタを発生させ、このクラスタとなつて
いる化合物に光を照射して、該化合物を分解する
とともにこれにより得られた蒸着物質原子のクラ
スタの一部を励起するようにしたので、構造が簡
単で、かつ運転に必要な電力を著しく低減できる
とともに、反応性の高い物質等の薄膜をも容易に
形成でき、さらには基板の温度上昇を無くすこと
ができる効果がある。
ンビーム蒸着装置において、常温ガスの物質を用
いてクラスタを発生させ、このクラスタとなつて
いる化合物に光を照射して、該化合物を分解する
とともにこれにより得られた蒸着物質原子のクラ
スタの一部を励起するようにしたので、構造が簡
単で、かつ運転に必要な電力を著しく低減できる
とともに、反応性の高い物質等の薄膜をも容易に
形成でき、さらには基板の温度上昇を無くすこと
ができる効果がある。
第１図は従来の薄膜蒸着装置の概略構成図、第
２図はその真空槽内を示す斜視図、第３図は本発
明の一実施例による薄膜蒸着装置の概略構成図で
ある。 １……真空槽、１５……励起されていないクラ
スタ、１８……基板、３０……ノズル付ガス収容
部、３１……常温ガスの化合物、３５……レーザ
発振器（光源）、４６……励起クラスタ。なお、
図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
２図はその真空槽内を示す斜視図、第３図は本発
明の一実施例による薄膜蒸着装置の概略構成図で
ある。 １……真空槽、１５……励起されていないクラ
スタ、１８……基板、３０……ノズル付ガス収容
部、３１……常温ガスの化合物、３５……レーザ
発振器（光源）、４６……励起クラスタ。なお、
図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定の真空度に保持された真空槽と、該真空
槽内に設けられ基板に蒸着すべき物質を有する常
温ガスの化合物を噴出して該化合物のクラスタを
発生するノズル付ガス収容部と、該ガス収容部か
らの化合物のクラスタに光を照射し該化合物を分
解して上記蒸着物質原子のクラスタを生成すると
ともに該蒸着物質原子のクラスタの一部を励起す
る光源とを備え、上記励起された蒸着物質原子の
クラスタを励起されていない蒸着物質原子のクラ
スタとともに基板に衝突させて薄膜を蒸着させる
ことを特徴とする薄膜蒸着装置。 ２ 上記光源は、レーザー光を発生するものであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
薄膜蒸着装置。 ３ 上記光源は、可視光を発生するものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜
蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23557783A JPS60124927A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23557783A JPS60124927A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124927A JPS60124927A (ja) | 1985-07-04 |
| JPH0447969B2 true JPH0447969B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=16988048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23557783A Granted JPS60124927A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124927A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2592453B2 (ja) * | 1987-05-27 | 1997-03-19 | 三菱電機株式会社 | イオン流生成装置 |
-
1983
- 1983-12-12 JP JP23557783A patent/JPS60124927A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60124927A (ja) | 1985-07-04 |
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