JPS60124921A - 薄膜蒸着装置 - Google Patents

薄膜蒸着装置

Info

Publication number
JPS60124921A
JPS60124921A JP23557183A JP23557183A JPS60124921A JP S60124921 A JPS60124921 A JP S60124921A JP 23557183 A JP23557183 A JP 23557183A JP 23557183 A JP23557183 A JP 23557183A JP S60124921 A JPS60124921 A JP S60124921A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
vapor
substance
vapor deposition
deposited
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23557183A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichiro Yamanishi
山西 健一郎
Akira Nushihara
主原 昭
Yoshifumi Minowa
美濃和 芳文
Sanjiyu Ko
広 三寿
Teruo Ina
伊奈 照夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP23557183A priority Critical patent/JPS60124921A/ja
Publication of JPS60124921A publication Critical patent/JPS60124921A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/221Ion beam deposition

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、薄膜蒸着装置に関し、特にクラスタイオンビ
ーム蒸着法により薄膜を蒸着形成する場合の蒸気発生源
の改良に関するものである。
〔従来技術〕
一般に、クラスタイオンビーム蒸着法による薄膜蒸着方
法は、真空槽内において、基板に蒸着すべき物質の蒸気
を噴出して該蒸気中の多数の原子が緩く結合したクラス
タ(塊状原子集団)を生成し、該クラスタに電子のシャ
ワーを浴びせて該クラスタをそのうちの1個の原子がイ
オン化されたクラスタ・イオンにし、該クラスタ・イオ
ンを加速して基板に衝突せしめ、これにより基板に薄膜
を蒸着形成する方法である。
このような薄膜蒸着方法を実施する装置として、従来、
第1図及び第2図に示すものがあった。第1図は従来の
薄膜蒸着装置を模式的に示す概略構成図、第2図はその
主要部の一部を切り欠いて内部を示す斜視図である。図
において、1は所定の真空度に保持された真空槽、2ば
該真空槽1内の排気を行なうための排気通路で、これは
図示しない真空排気装置に接続されている。3は該排気
通路2を開閉する真空用パルプである。
4は直径1mm〜2mInのノズル4aが設けられた密
閉形るつぼで、これは通當カーボン製である。
そしてこのるつぼ4には基板に蒸着されるべき蒸着物質
、例えば銅((:u) 、コバル) (Go)等の粉末
状金属5が収容される。6は上記るつぼ4に熱電子を照
射し、これの加熱を行なうボンバード用フィラメント、
7はモリブデン(Mo)やタンタル(Ta)等で形成さ
れ」ニラフィラメント6からの輻射熱を遮断する熱シー
ルド板であり、上記るつぼ4、ボンバード用フィラメン
ト6及び熱シールド板7により、基板に蒸着すべき物質
の蒸気を上記真空槽1内に噴出してクラスタを生成せし
める蒸気発生源8が形成されている。なお、19は上記
熱シールド板7を支持する絶縁支持部材、20は上記る
つぼ4を支持する支持台である。
9は2000℃以上に熱せられてイオン化用の熱電子1
3を放出するイオン化フィラメント、10は該イオン化
フィラメント9から放出された熱電子13を加速する電
子引き出し電極、11はイオン化フィラメント9からの
輻射熱を遮断する熱シールド板であり、上記イオン化フ
ィラメント9.電子引き出し電極10及び熱シールド板
11により、上記蒸気発生源8からのクラスタをイオン
化するためのイオン化手段12が形成されている。なお
、23は熱シールド板11を支持する絶縁支持部材であ
る。
14は上記イオン化されたクラスタ・イオン16を加速
し、これを基板18に衝突させて薄膜を蒸着させる加速
電極であり、これは電子引き出し電極lOとの間に最大
10kVまでの電位を印加できる。なお、24は加速電
極14を支持する絶縁支持部材、22は基板18を支持
する基板ホルダ、21は該基板ホルダ22を支持する絶
縁支持部材、17はクラスタ・イオン16と中性クラス
タ15とからなるクラスタビームである。
次に動作について説明する。
まず蓼着すべき金属5をるつぼ4内に充填し、上記真空
排気装置により真空槽1内の空気を排気して該真空槽1
内を10 ’Torr程度の真空度にする。
次いで、ボンバード用フィラメント6に通電して200
0〜2200℃まで発熱せしめ、該ボンバード用フィラ
メント6からの輻射熱により、または該フィラメント6
から放出される熱電子をるつぼ4に衝突さセること、即
ち電子衝撃によって、該るつぼ4内の金属5を加熱し尊
発せしめる。そして該るつぼ4内の金属蒸気圧が0.1
〜10Torr程度になるまで昇温すると、ノズル4a
から噴出した金属蒸気は、るつぼ4と真空槽lとの圧力
差により断熱膨張してクラスタと呼ばれる、多数の原子
が緩く結合した塊状原子集団となる。
このクラスタ状のクラスタビーム17は、イオン化フィ
ラメント9から電子引き出し電極10によって引き出さ
れた熱電子13と衝突し、このため上記クラスタビーム
17の一部のクラスタはそのうちの1個の原子がイオン
化されてクラスタ・イオン16となる。このクラスタ・
イオン16は加速電極14と電子引き出し電極10との
間に形成された電界により適度に加速されて基板18に
衝突し、これにより該基板18上に薄膜が蒸着形成され
る。またこの際、イオン化されていない中性クラスタ1
5は、上記るつぼ4から噴出された運動エネルギでもっ
て上記基板18に衝突し、上記クラスタ・イオン16と
ともに該基板18上に蒸着される。
ところがこの従来の装置では、蒸着物質5の蒸気を得る
際に、るつぼ4を加熱することによってその中に充填さ
れた蒸着物質5を加熱し、その蒸気を得るようにしてい
るため、熱効率が悪く、装置の運転に弗素に大きな電力
が必要であるという欠点があった。さらに、蒸着物質5
として反応性の高い物質、例えばコバルト、アルミニウ
ム、ケイ素などを使用する場合においては、溶融した上
記蒸着物質5と高温に加熱されたるつぼ4とが反応し、
該るつぼ4が侵食されるとともに、侵食されたるつぼ材
が蒸着膜中に混入してしまうという欠点があった。
〔発明の概要〕
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、るつぼ内に蒸着物質からなる蒸
着物質ワイヤを配設し、この蒸着物質ワイヤの先端にレ
ーザー光、電子ビーム等のビームを照射して該蒸着物質
を蒸気化するとともに、上記蒸着物質ワイヤをるつぼ内
に連続的に供給することにより、装置の運転に必要な電
力を低減できるとともに、るつぼの侵食を無くして高品
質の蒸着膜を形成することができ、さらには長時間蒸着
が容易に実現できる薄膜蒸着装置を提供することを目的
としている。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第3図は本発明の一実施例による薄膜蒸着装置を模式的
に示す概略構成図であ、す、図において、第1図と同一
符号は同−又は相当部分を示す。30は蒸着物質がワイ
ヤ状に形成された蒸着物質ワイヤ、31はレーザー発振
器(ビーム発生源)であり、これはそのレーザー光32
が熱シールド板7及びるつぼ4の照射孔7b、4bを通
って上記蒸着物質ワイヤ30の先端に照射されるよう配
置されている。33は上記蒸着物質ワイヤ30が巻取収
納されたリール、34はこのり−ル33の蒸着物質ワイ
ヤ30をるつぼ4内に供給するためのローラ(蒸着物質
ワイヤ供給手段)であり、上記るつぼ4.レーザ発振器
31.ローラ34.及び熱シールド板7により、蒸着物
質蒸気を真空槽1内に噴出してクラスタを発生する蒸気
発生源80が構成されている。
次に動作について説明する。
まず従来と同様に、真空槽l内を真空排気装置によりI
Q Torr程度の真空度に排気する。
次にレーザー発振器31によってるつぼ4内の蒸着物質
ワイヤ30先端にレーザー光32を照射すると、該蒸着
物質ワイヤ30は加熱され、所定の温度に達すると該蒸
着物質の蒸気が発生し始める。ここで、レーザー光32
の照射が継続されている間、上記蒸着物質ワイヤ30は
蒸発によって消耗されるが、ローラ34によって、リー
ル33に収納されている蒸着物質ワイヤ30が上記るつ
ぼ4内に連続的に供給されるので、長時間にわたって蒸
着物質蒸気を発生することが可能となる。
そして上記るつぼ4内の蒸気圧が0.ITorr以上に
なると該るつぼ4のノズル4aから上記蒸着物質の蒸気
が噴出し、これによりクラスタが形成される。
このるつぼ4からのクラスタの一部は、イオン化手段1
2からの熱電子13によってイオン化されてクラスタ・
イオン16となり、このクラスタ・イオン16は加速電
極14と電子引き出し電極10との間°に形成された電
界によっ適度に加速されて基板18に衝突し、これによ
り基板18上に薄膜が蒸着形成される。またこの際、中
性クラスタ15は上記るつぼ4から噴出された運動エネ
ルギでもって上記基板18に1■i突し、上記クラスタ
・イオン16とともに該基板18上に蒸着される。
ここで、第3図におけるフィラメント6は、従来のよう
にるつぼ4全体を加熱するためのものとは異なり、るつ
ぼ4のノズル4aの部分だけを加熱するためのものであ
る。即ち、るっぽ4内で発生した金属蒸気はノズル4a
の部分で冷却されて液滴となり、これが該ノズル4aを
塞いでしまうことかあ、るが、上記フィラメント6によ
りノズル4aの部分を加熱しておけば、上述のような問
題を防止することができる。
このような本実施例装置では、従来装置におけるボンバ
ード用フィラメントは全く必要でなく、レーザー光32
の照射によって蒸着物質を直接加熱するようにしている
ので、熱効率は大幅に改善され、装置の運転に必要な電
力を著しく低減できる。また従来のように溶融した金属
がるつぼ4内に存在しないため、あるいは存在してもご
く少量であるため、るつぼ4の侵食はほとんど起こらず
、蒸着膜中にるつぼ材が混入するようなこともない。
さらに、蒸着物質はるつぼ4外部から連続的に供給され
るので、るつぼ4の容積を弗素に小さくでき、しかも長
時間の蒸着が可能となり、また従来のように、るつぼ4
のふたを開けて蒸着材料を供給するという煩雑な作業も
必要なく、その作業効率は著しく改善される。
なお、−上記実施例ではビーム発生源としてレーザー発
振器を使用し、そのレーザー光によって蒸着物質を加熱
するようにしたが、これは電子ビームを発生する電子銃
を使用してもよく、上記実施例と同様の効果が得られる
(発明の効果〕 以上のように、この発明に係る薄膜蒸着装置によれば、
るつぼ内に蒸着物質からなる蒸着物質ワイヤを配設し、
この蒸着物質ワイヤにレーザー光等のビームを照射し該
蒸着物質を蒸気化するとともに、上記蒸着物質ワイヤを
るつぼ内に連続的に供給するようにしたので、装置の運
転に必要な電力を低減できるとともに、るつぼの侵食を
無くすことができ、さらには長時間蒸着が容易に実現で
きる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の薄膜蒸着装置の概略構成図、第2図はそ
の真空槽内を示す斜視図、第3図は本発明の一実施例に
よる薄膜蒸着装置の概略構成図である。 1・・・真空槽、4・・・るつぼ、12・・・イオン化
手段、14・・・加速電極、15・・・中性クラスタ、
16・・・クラスタ・イオン、18・・・基板、30・
・・蒸着物質ワイヤ、31・・・レーザー発振器(ビー
ム発生堀)、34・・・ローラ(蒸着物質ワイヤ供給手
段)、80・・・蒸気発生源。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第1図 第2図 第1頁の続き 0発 明 者 伊 奈 照 夫 尼崎市塚日来町作所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (11所定の真空度に保持された真空槽と、該真空槽内
    に設けられその中に基板に蒸着すべき物質からなる蒸着
    物質ワイヤが配設されたノズル付るつぼ、上記蒸着物質
    ワイヤの先端にビームを照射してE記蒸着物質の蒸気を
    発生せしめるビーム発生源、及び上記蒸着物質ワイヤを
    上記るつぼ内に連続的に供給する蒸着物質ワイヤ供給手
    段を有し上記ビーム照射により上記るつぼから蒸着物質
    の蒸気を噴出して上記蒸着物質の多数の原子が緩く結合
    したクラスタを発生する蒸気発生源と、該蒸気発生源か
    らのクラスタをイオン化するイオン化手段と、該イオン
    化されたクラスタ・イオンを加速しこれをイオン化され
    ていない中性クラスタとともに基板に衝突させて薄膜を
    蒸着させる加速電極とを備えたことを特徴とする薄膜蒸
    着装置。
JP23557183A 1983-12-12 1983-12-12 薄膜蒸着装置 Pending JPS60124921A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23557183A JPS60124921A (ja) 1983-12-12 1983-12-12 薄膜蒸着装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23557183A JPS60124921A (ja) 1983-12-12 1983-12-12 薄膜蒸着装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60124921A true JPS60124921A (ja) 1985-07-04

Family

ID=16987958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23557183A Pending JPS60124921A (ja) 1983-12-12 1983-12-12 薄膜蒸着装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60124921A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4812326A (en) Evaporation source with a shaped nozzle
JPH05171423A (ja) 真空蒸着用偏向電子銃装置
JPH089774B2 (ja) 薄膜形成装置
JP2000144392A (ja) 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JPH07258832A (ja) 真空蒸着装置用電子銃およびそれを備えた真空蒸着装置
JPS60124921A (ja) 薄膜蒸着装置
JPH0543784B2 (ja)
JP4065725B2 (ja) ピアス式電子銃およびこれを備える真空蒸着装置
JPS60124923A (ja) 薄膜蒸着装置
JPS60124920A (ja) 薄膜蒸着装置
JPS60158619A (ja) 薄膜蒸着装置
JPS60124918A (ja) 薄膜蒸着装置
JPS60124929A (ja) 薄膜蒸着装置
JPH05339720A (ja) 薄膜形成装置
JPS60124932A (ja) 薄膜蒸着装置
JPH0443412B2 (ja)
JPS60124931A (ja) 薄膜蒸着装置
JPS60124927A (ja) 薄膜蒸着装置
JPH0735569B2 (ja) 薄膜形成装置
JPH0830268B2 (ja) 薄膜蒸着装置
JPS60124933A (ja) 薄膜蒸着装置
JPH0586474B2 (ja)
JPS60124913A (ja) 薄膜蒸着装置
JPS60124930A (ja) 薄膜蒸着装置
JPH06172985A (ja) 薄膜形成装置