JPS60124927A - 薄膜蒸着装置 - Google Patents
薄膜蒸着装置Info
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- JPS60124927A JPS60124927A JP23557783A JP23557783A JPS60124927A JP S60124927 A JPS60124927 A JP S60124927A JP 23557783 A JP23557783 A JP 23557783A JP 23557783 A JP23557783 A JP 23557783A JP S60124927 A JPS60124927 A JP S60124927A
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- cluster
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/221—Ion beam deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔命明の技術分野〕
本発明は、薄膜蒸着装置に関し、特にクラスタイオンビ
ーム蒸着法により薄膜を形成する場合のクラスタ発生源
の改良に関するものである。
ーム蒸着法により薄膜を形成する場合のクラスタ発生源
の改良に関するものである。
〔従来技術）
従来この種の薄膜形成方法としては、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、ＣＶＤ法、イオンブレーティング法、ク
ラスタイオンビーム蒸着法などがあるが、特にイオン化
粒子または励起粒子を用いる方法は高品質薄膜の形成が
可能であり、中でもクラスタイオンビーム蒸着法は数多
くの優れた特徴を有しているため、高品質薄膜形成法と
して広い用途が考えられている。
ッタリング法、ＣＶＤ法、イオンブレーティング法、ク
ラスタイオンビーム蒸着法などがあるが、特にイオン化
粒子または励起粒子を用いる方法は高品質薄膜の形成が
可能であり、中でもクラスタイオンビーム蒸着法は数多
くの優れた特徴を有しているため、高品質薄膜形成法と
して広い用途が考えられている。
このクラスタイオンビーム蒸着法によるＭｌ’ｆｆ形成
方法は、真空槽内において、基板に蒸着すべき物質の蒸
気を噴出して該蒸気中の多数の原子が緩く結合したクラ
スタ（塊状原子集団）を生成し、該クラスタに電子のシ
ャワーを浴びせて該クラス夕をそのうちの１個の原子が
イオン化されたクラスタ・イオンにし、該クラスタ・イ
オンを加速して基板に？＃ｉ突せしめ、これにより基板
に薄膜を蒸着形成する方法である。
方法は、真空槽内において、基板に蒸着すべき物質の蒸
気を噴出して該蒸気中の多数の原子が緩く結合したクラ
スタ（塊状原子集団）を生成し、該クラスタに電子のシ
ャワーを浴びせて該クラス夕をそのうちの１個の原子が
イオン化されたクラスタ・イオンにし、該クラスタ・イ
オンを加速して基板に？＃ｉ突せしめ、これにより基板
に薄膜を蒸着形成する方法である。
このような薄膜形成方法を実施する装置として、従来、
第１図及び第２図に示すものがあった。第１図は従来の
薄膜蒸着装置を模式的に示す概略構成図、第２図はその
主要部の一部を切り欠いて内部を示す斜視図である。し
１において、１は所定の真空度に保持された真空槽、２
は該真空槽１内の排気を行なうための排気通路で、これ
は図示しない真空排気装置に接続されている。３は該排
気通路２を開閉する真空用バルブである。
第１図及び第２図に示すものがあった。第１図は従来の
薄膜蒸着装置を模式的に示す概略構成図、第２図はその
主要部の一部を切り欠いて内部を示す斜視図である。し
１において、１は所定の真空度に保持された真空槽、２
は該真空槽１内の排気を行なうための排気通路で、これ
は図示しない真空排気装置に接続されている。３は該排
気通路２を開閉する真空用バルブである。
４は直径１ｍｍ〜２ｍｍのノズル４ａが設けられた密閉
形るつぼで、これには基板に蒸着されるべき蒸発物質５
が収容される。６ば上記るつは４に熱電子を照射し、こ
れの加熱を行なうボンバード用フィラメント、７はモリ
ブデン（ＭＯ）やタンクル（Ｔ ａ ）等で形成され上
記フィラメント６からの輻射熱を遮断する熱シールド板
であり、上記るつぼ４．ボンバード用フィラメント６及
び熱シールド板７により、基板に蒸着すべき物質の蒸気
を上記真空槽１内に噴出してクラスタを生成セしめる蒸
気発生源８が形成されている。なお、１９は上記熱シー
ルド板７を支持する絶縁支持部材、２０は上記るつぼ４
を支持する支持台である。
形るつぼで、これには基板に蒸着されるべき蒸発物質５
が収容される。６ば上記るつは４に熱電子を照射し、こ
れの加熱を行なうボンバード用フィラメント、７はモリ
ブデン（ＭＯ）やタンクル（Ｔ ａ ）等で形成され上
記フィラメント６からの輻射熱を遮断する熱シールド板
であり、上記るつぼ４．ボンバード用フィラメント６及
び熱シールド板７により、基板に蒸着すべき物質の蒸気
を上記真空槽１内に噴出してクラスタを生成セしめる蒸
気発生源８が形成されている。なお、１９は上記熱シー
ルド板７を支持する絶縁支持部材、２０は上記るつぼ４
を支持する支持台である。
９は２００（１″Ｃ以上に熱せられてイオン化用の熱電
子１３を放出するイオン化フィラメント、１０は該イオ
ン化フィラメント９から放出された熱電子１３を加速す
る電子引き出し電極、１１はイオン化フィラメント９か
らの輻射熱を遮断する熱シールド板であり、上記イオン
化フィラメント９．電子引き出し電極１０及び熱シール
ド板１１により、上記蒸気発生源８からのクラスタをイ
オン化するためのイオン化手段１２が形成されている。
子１３を放出するイオン化フィラメント、１０は該イオ
ン化フィラメント９から放出された熱電子１３を加速す
る電子引き出し電極、１１はイオン化フィラメント９か
らの輻射熱を遮断する熱シールド板であり、上記イオン
化フィラメント９．電子引き出し電極１０及び熱シール
ド板１１により、上記蒸気発生源８からのクラスタをイ
オン化するためのイオン化手段１２が形成されている。
なお、２３は熱シールド板１１を支持する絶縁支持９Ｂ
＋、１である。
＋、１である。
Ｉ４は上記イオン化されたクラスタ・イオンＩ６を加速
し、これを基板１８に衝突させて薄膜を蒸着させる加速
電極であり、これは電子引き出し電極１０との間に最大
１０ｋＶまでの電圧を印加できる。なお、２４は加速電
極１４を支持する絶縁支持部材、２２は基板Ｉ８を支持
する基板ホルダ、２１は該基板ホルダ２２を支持する絶
縁支持部材、１７はクラスタ・イオン１６と中性クラス
タ１５とからなるクラスタビームである。
し、これを基板１８に衝突させて薄膜を蒸着させる加速
電極であり、これは電子引き出し電極１０との間に最大
１０ｋＶまでの電圧を印加できる。なお、２４は加速電
極１４を支持する絶縁支持部材、２２は基板Ｉ８を支持
する基板ホルダ、２１は該基板ホルダ２２を支持する絶
縁支持部材、１７はクラスタ・イオン１６と中性クラス
タ１５とからなるクラスタビームである。
次に動作について説明する。
まず蒸着ずべき金属５をるつぼ４内に充填し、−上記真
空排気装置により真空槽１内の空気を排気して該真空槽
１内を所定の真空度にする。
空排気装置により真空槽１内の空気を排気して該真空槽
１内を所定の真空度にする。
次いで、ボンバー１−月フィラメンｌ−６に通電して発
熱せしめ、該ボンバード用フィラメント６からの輻射熱
εこより、または該フィラメント６から放出される熱電
子をるつは４に（ｆｉ突さセること、即ら電子ｉ！Ｉ艷
によって、該るつぼ４内の金属５を加；忠し蒸発せしめ
る。そして該るつぼ４内の金泥蒸気圧が［）、１−１［
ＩＴｏｒｒ程度になる１Ｍ１度まで昇温すると、ノズル
４ａから噴出した金属蒸気は、るつぼ４と真空槽ｌとの
圧力差により断熱膨張してクラスタと呼ばれる、多数の
原子が緩く結合した塊状原子集団となる。
熱せしめ、該ボンバード用フィラメント６からの輻射熱
εこより、または該フィラメント６から放出される熱電
子をるつは４に（ｆｉ突さセること、即ら電子ｉ！Ｉ艷
によって、該るつぼ４内の金属５を加；忠し蒸発せしめ
る。そして該るつぼ４内の金泥蒸気圧が［）、１−１［
ＩＴｏｒｒ程度になる１Ｍ１度まで昇温すると、ノズル
４ａから噴出した金属蒸気は、るつぼ４と真空槽ｌとの
圧力差により断熱膨張してクラスタと呼ばれる、多数の
原子が緩く結合した塊状原子集団となる。
このクラスタ状のクラスタビーム１７は、イオン化フィ
ラメント９から電子引き出し電、１ＩｉｌＯによって引
き出された熱電子１３と衝突し、このため上記クラスタ
ビーム１７の一部のクラスタはそのうちの１個の原子が
イオン化されてクラスタ・イオン１６となる。このクラ
スタ・イオン１６は加速電極１４と電子引き出し電極１
０との間に形成された電界により適度に加速されて基板
１８に衝突し、これにより該基板１８上にＭ１％が蒸着
形成される。またこの際、イオン化されていない中性ク
ラスタ１５は、上記るつぼ４から噴出された運動エネル
ギでもって上記１８に衝突し１．Ｌ記りラスタ・イオン
１Ｇとともに該基板１８上に蒸着される。
ラメント９から電子引き出し電、１ＩｉｌＯによって引
き出された熱電子１３と衝突し、このため上記クラスタ
ビーム１７の一部のクラスタはそのうちの１個の原子が
イオン化されてクラスタ・イオン１６となる。このクラ
スタ・イオン１６は加速電極１４と電子引き出し電極１
０との間に形成された電界により適度に加速されて基板
１８に衝突し、これにより該基板１８上にＭ１％が蒸着
形成される。またこの際、イオン化されていない中性ク
ラスタ１５は、上記るつぼ４から噴出された運動エネル
ギでもって上記１８に衝突し１．Ｌ記りラスタ・イオン
１Ｇとともに該基板１８上に蒸着される。
なお、上記基板１８は上記加速電極１４と同電位に設定
されるのが一般的である。
されるのが一般的である。
ところがこの従来の装置では、蒸着物質５の叛気を得る
際に、るつぼ４を加熱することによってその中に充堪さ
れた蒸着物質５を加熱し、その暴気を得るようにしてい
るため、熱効率が悪く、装置の運転に非常に大きな電力
が必要であり、また蒸着物質５として、その蒸気化に高
温度を必要とする物質、例えばタングステン（Ｗ）、タ
ンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）
。
際に、るつぼ４を加熱することによってその中に充堪さ
れた蒸着物質５を加熱し、その暴気を得るようにしてい
るため、熱効率が悪く、装置の運転に非常に大きな電力
が必要であり、また蒸着物質５として、その蒸気化に高
温度を必要とする物質、例えばタングステン（Ｗ）、タ
ンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）
。
炭素（Ｃ）など、及び非常に反応性の高い物質、例えば
シリコン（Ｓｉ）などを使用する場合においては、るつ
ぼ４に特殊な材料を用いる必要があるという欠点があっ
た。
シリコン（Ｓｉ）などを使用する場合においては、るつ
ぼ４に特殊な材料を用いる必要があるという欠点があっ
た。
さらに、上記従来の装置では、クラスタをイオン化する
ためのイオン化フィラメント９等が高温になるため、そ
の輻射熱により基板１８の温度が上昇し、基板として高
分子シート等耐熱性の低いものは使用できないという欠
点があった。
ためのイオン化フィラメント９等が高温になるため、そ
の輻射熱により基板１８の温度が上昇し、基板として高
分子シート等耐熱性の低いものは使用できないという欠
点があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためになされたもので、クラスクイオンビーム蒸着装置
において、常温ガスの物質をガス収容部から噴出してク
ラスタを発生させ、このクラスタに光を照射して蒸着物
質原子のクラスタの一部を励起することにより、構造が
簡単で、かつ運転に必要な電力を著しく低減できるとと
もに、反応性の高い物質等の薄膜をも容易に形成でき、
さらには基板の温度上昇が生ずることのないＷｇ股蒸着
装置を提供することを目的としている。
ためになされたもので、クラスクイオンビーム蒸着装置
において、常温ガスの物質をガス収容部から噴出してク
ラスタを発生させ、このクラスタに光を照射して蒸着物
質原子のクラスタの一部を励起することにより、構造が
簡単で、かつ運転に必要な電力を著しく低減できるとと
もに、反応性の高い物質等の薄膜をも容易に形成でき、
さらには基板の温度上昇が生ずることのないＷｇ股蒸着
装置を提供することを目的としている。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第３図は本発明の一実施例による薄膜蒸着装置を模式的
に示す概略構成図である。図において、第１図と同一符
号は同−又は相当部分を示し、３０は真空槽ｌ内に設け
られ、その頭部にノズル３０ａを有するガス収容部であ
り、これは基板１８に蒸着すべき物質を有する常温ガス
の化合物３１をそのノズル３０ａから噴出して、該化合
物３１のクラスタを発生ずるためのものである。３２は
上記化合物ガス３１が収納されたガス容器、３３はこの
ガス容器３２から上記ガス収容部３０に供給される化合
物ガス３１の量を制御し、上記ガス収容部３０の内圧等
をコントロールするためのバルブである。また、３４は
上記ガス収容部３０の周囲に配設された冷却管であり、
上記ガス収容部３０を冷却して該ガス収容部３０から発
゛生されるクラスタのサイズ、即ち１つのクラスタを構
成する分子又は原子の個数をコントロールするためのも
のである。
に示す概略構成図である。図において、第１図と同一符
号は同−又は相当部分を示し、３０は真空槽ｌ内に設け
られ、その頭部にノズル３０ａを有するガス収容部であ
り、これは基板１８に蒸着すべき物質を有する常温ガス
の化合物３１をそのノズル３０ａから噴出して、該化合
物３１のクラスタを発生ずるためのものである。３２は
上記化合物ガス３１が収納されたガス容器、３３はこの
ガス容器３２から上記ガス収容部３０に供給される化合
物ガス３１の量を制御し、上記ガス収容部３０の内圧等
をコントロールするためのバルブである。また、３４は
上記ガス収容部３０の周囲に配設された冷却管であり、
上記ガス収容部３０を冷却して該ガス収容部３０から発
゛生されるクラスタのサイズ、即ち１つのクラスタを構
成する分子又は原子の個数をコントロールするためのも
のである。
３５はレーザビーム３６を発するレーザ発振器（光源）
であり、これは」１記レーザビーム３６を１−記ガス収
容部３０からの化合物のクラスタに照射し、該化合物を
分解して上記蒸着物質原子のクラスタを生成するととも
に該蒸着物質原子のクラスタの一部を励起するためのも
のである。
であり、これは」１記レーザビーム３６を１−記ガス収
容部３０からの化合物のクラスタに照射し、該化合物を
分解して上記蒸着物質原子のクラスタを生成するととも
に該蒸着物質原子のクラスタの一部を励起するためのも
のである。
次に動作について説明する。
ここで、本実施例におい°ζは、基板１８の表面にシリ
コン（Ｓｉ ）Ｍ股を蒸着形成する場合について説明す
る。
コン（Ｓｉ ）Ｍ股を蒸着形成する場合について説明す
る。
まず、真空槽１内を真空排気装置により１０’Ｔ。
ｒｒ （通常ｌＯ〜１０ Ｔｏｒｒ程度）の真空度に排
気する。そして常温ガスの化合物３１としてシラン（Ｓ
ｉＨ４）を用い、これをガス収容部３０にその内部のガ
ス圧が１ＯＴｏｒｒ （通當１０−２〜１０３Ｔｏｒｒ
程度）になるようバルブ３３により調整しながら供給し
、該シランガス３１をノズル３１ａから噴出させる。す
ると、このノズル３０ａから噴出されたシランガスはシ
ラン分子のクラスタとなる。この際、冷却管３４によっ
て上記ガス収容部３０の温度をコントロールすることに
より、上記クラスタのサイズがコントロールされる。
気する。そして常温ガスの化合物３１としてシラン（Ｓ
ｉＨ４）を用い、これをガス収容部３０にその内部のガ
ス圧が１ＯＴｏｒｒ （通當１０−２〜１０３Ｔｏｒｒ
程度）になるようバルブ３３により調整しながら供給し
、該シランガス３１をノズル３１ａから噴出させる。す
ると、このノズル３０ａから噴出されたシランガスはシ
ラン分子のクラスタとなる。この際、冷却管３４によっ
て上記ガス収容部３０の温度をコントロールすることに
より、上記クラスタのサイズがコントロールされる。
次に上記シラン分子のクラスタにレーザ発振器３５から
のレーザビーム３６が照射されると、該シラン（ＳｉＨ
４）分子から水素（Ｈ２）が分離されてシリコン（Ｓｉ
）原子のクラスタが生成される。またこれと同時に、
一部のシリコン原子のクラスタは、該クラスタを構成す
るうちの１個の原子が励起されて励起クラスタ４６とな
る。この場合、上記レーザビーム３６の波長をコントロ
ールすることにより、クラスタの所望レヘルの励起状態
が得られる。
のレーザビーム３６が照射されると、該シラン（ＳｉＨ
４）分子から水素（Ｈ２）が分離されてシリコン（Ｓｉ
）原子のクラスタが生成される。またこれと同時に、
一部のシリコン原子のクラスタは、該クラスタを構成す
るうちの１個の原子が励起されて励起クラスタ４６とな
る。この場合、上記レーザビーム３６の波長をコントロ
ールすることにより、クラスタの所望レヘルの励起状態
が得られる。
そしてこの励起クラスタ４６は、励起されていない非励
起クラスタ１５とともにノズル３０ａから噴出された運
動エネルギでもって基板１８に南突し、これにより基板
１８上にシリコン薄膜が蒸着形成される。なお、上記シ
ラン分子から分離生成された水素ガスは、真空槽１外へ
排気される。
起クラスタ１５とともにノズル３０ａから噴出された運
動エネルギでもって基板１８に南突し、これにより基板
１８上にシリコン薄膜が蒸着形成される。なお、上記シ
ラン分子から分離生成された水素ガスは、真空槽１外へ
排気される。
このような本実施例装置では、常温ガスの化合物を用い
てクラスタを発生させるようにしたので、従来装置のよ
うに蒸着物質蒸気を得るための加ｐ＃１機構が全く不要
となり、装置の構造を非常に簡単に、かつ運転に必要な
電力を著しく低減できるとともに、蒸気化させるのに高
温度を要する物質や、反応性の高い物質の薄膜をも容易
に形成できる。
てクラスタを発生させるようにしたので、従来装置のよ
うに蒸着物質蒸気を得るための加ｐ＃１機構が全く不要
となり、装置の構造を非常に簡単に、かつ運転に必要な
電力を著しく低減できるとともに、蒸気化させるのに高
温度を要する物質や、反応性の高い物質の薄膜をも容易
に形成できる。
さらに、従来装置のイオン化手段に代えてレーザ発振器
３５を用い、これから発せられるレーザビーム３６でも
って蒸着物質原子のクラスタを生成し、該クラスタを励
起するようにしたので、基板■８への輻射熱が無くなり
、該基板１８の温度がに界することもなく、そのため薄
膜形成に不都合を生じることもない。
３５を用い、これから発せられるレーザビーム３６でも
って蒸着物質原子のクラスタを生成し、該クラスタを励
起するようにしたので、基板■８への輻射熱が無くなり
、該基板１８の温度がに界することもなく、そのため薄
膜形成に不都合を生じることもない。
なお、上記実施例ではシラン（Ｓｉ８４）を用いてシリ
コン（Ｓｉ ）膜を形成する場合について説明したが、
本発明はこれに限るものではなく、例えば炭素（Ｃ）ｉ
Ｆ膜を形成する場合はメタン（ＣＨ４）を用い、タング
ステン（Ｗ） 薄膜を形成する場合はフン化タングステ
ン（ＷＦｅ）を用いるなど、適当な化合物ガスを選んで
上記実施例と同様の方法で各種の薄膜形成が可能となる
。
コン（Ｓｉ ）膜を形成する場合について説明したが、
本発明はこれに限るものではなく、例えば炭素（Ｃ）ｉ
Ｆ膜を形成する場合はメタン（ＣＨ４）を用い、タング
ステン（Ｗ） 薄膜を形成する場合はフン化タングステ
ン（ＷＦｅ）を用いるなど、適当な化合物ガスを選んで
上記実施例と同様の方法で各種の薄膜形成が可能となる
。
また、上記実施例では化合物のクラスタにレーザビーム
を照射するようにしたが、これは可視光。
を照射するようにしたが、これは可視光。
紫外線、Ｘ線、γ線等でもよく、上記実施例と同様の効
果が得られる。
果が得られる。
（発明の効果〕
以上のように、本発明によれば、クラスタイオンビーム
蒸着装置において、常温ガスの物質を用いてクラスタを
発生させ、このクラスタとなっている化合物に光を照射
して、該化合物を分解するとともにこれによりｊＭられ
た蒸着物質原子のクラスタの一部を励起するようにした
ので、構造が簡単で、かつ運転に必要な電力を著しく低
減できるとともに、反応性の高い物質等の薄膜をも容易
に形成でき、さらには基板の温度上昇を無くずことがで
きる効果がある。
蒸着装置において、常温ガスの物質を用いてクラスタを
発生させ、このクラスタとなっている化合物に光を照射
して、該化合物を分解するとともにこれによりｊＭられ
た蒸着物質原子のクラスタの一部を励起するようにした
ので、構造が簡単で、かつ運転に必要な電力を著しく低
減できるとともに、反応性の高い物質等の薄膜をも容易
に形成でき、さらには基板の温度上昇を無くずことがで
きる効果がある。
第１図は従来の薄膜蒸着装置の概略構成図、第２図はそ
の真空槽内を示す斜視図、第３図は本発明の一実施例に
よる薄Ｉ！！蒸着装置の概略構成図である。 １・・・真空槽、１５・・・励起されていないクラスタ
、１８・・・基板、３０・・・ノズル付ガス収容部、３
Ｉ・・・常温ガスの化合物、３５・・・レーザ発振器（
光源）、４６・・・励起クラスタ。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第１頁の続き ０発 明 者 本 吉 健 部 尼崎市塚口来町作所内
の真空槽内を示す斜視図、第３図は本発明の一実施例に
よる薄Ｉ！！蒸着装置の概略構成図である。 １・・・真空槽、１５・・・励起されていないクラスタ
、１８・・・基板、３０・・・ノズル付ガス収容部、３
Ｉ・・・常温ガスの化合物、３５・・・レーザ発振器（
光源）、４６・・・励起クラスタ。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図 第１頁の続き ０発 明 者 本 吉 健 部 尼崎市塚口来町作所内
Claims (2)
- （１） 所定の真空度に保持された真空槽と、該真空槽
内に設りられ基板に蒸着すべき物質を有する常温ガスの
化合物を噴出して該化合物のクラスタを発生ずるノズル
付ガス収容部と、該ガス収容部からの化合物のクラスタ
に光を照射し該化合物を分解して上記蒸着物質原子のク
ラスタを生成するとともに該蒸着物質原子のクラスタの
一部を励起する光源とを備え、上記励起された蒸着物質
原子のクラスタを励起されていない蒸着物質原子のクラ
スタとともに基板に衝突させてＶｆｆ膜を蒸着させるこ
とを特徴とする薄膜蒸着装置。 - （２）上記光源は、レーザー光を発生するものであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜蒸着装
置。 何）上記光源は、可視光を発生するものであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23557783A JPS60124927A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23557783A JPS60124927A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124927A true JPS60124927A (ja) | 1985-07-04 |
| JPH0447969B2 JPH0447969B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=16988048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23557783A Granted JPS60124927A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124927A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63297551A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | イオン流生成装置 |
-
1983
- 1983-12-12 JP JP23557783A patent/JPS60124927A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63297551A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-05 | Mitsubishi Electric Corp | イオン流生成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0447969B2 (ja) | 1992-08-05 |
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