JPS60124924A - 薄膜蒸着装置 - Google Patents
薄膜蒸着装置Info
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- JPS60124924A JPS60124924A JP23557483A JP23557483A JPS60124924A JP S60124924 A JPS60124924 A JP S60124924A JP 23557483 A JP23557483 A JP 23557483A JP 23557483 A JP23557483 A JP 23557483A JP S60124924 A JPS60124924 A JP S60124924A
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- cluster
- clusters
- thin film
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/221—Ion beam deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、薄膜蒸着装置に関し、特にクラスタイオンビ
ーム蒸着法により薄膜を蒸着形成する場合のクラスタ発
生源の改良に関するものである。
ーム蒸着法により薄膜を蒸着形成する場合のクラスタ発
生源の改良に関するものである。
従来この種の薄膜形成方法としては、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、ＣＶＤ法、イオンブレーティング法、ク
ラスタイオンビーム蒸着法などがあるが、特にイオン化
粒子または励起粒子を用いる方法は高品質１１膜の形成
が可能であり、中でもクラスタイオンビーム蒸着法は数
多くの優れた特徴を有しているため、高品質薄膜形成方
法として広い用途が考えられている。
ッタリング法、ＣＶＤ法、イオンブレーティング法、ク
ラスタイオンビーム蒸着法などがあるが、特にイオン化
粒子または励起粒子を用いる方法は高品質１１膜の形成
が可能であり、中でもクラスタイオンビーム蒸着法は数
多くの優れた特徴を有しているため、高品質薄膜形成方
法として広い用途が考えられている。
このクラスタイオンビーム蒸着法による薄膜形成方法は
、真空槽内において基板に蒸着すべき物質の蒸気を噴出
して該蒸気中の多数の原子が緩く結合したクラスタ（塊
状原子築団）を生成し、該クラスタに電子のシャワーを
浴びせて該クラスタをそのうちの１個の原子がイオン化
されたクラスタ・イオンにし、該クラスタ・イオンを加
速して基板に衝突せしめ、これにより基板に薄膜を蒸着
形成する方法である。
、真空槽内において基板に蒸着すべき物質の蒸気を噴出
して該蒸気中の多数の原子が緩く結合したクラスタ（塊
状原子築団）を生成し、該クラスタに電子のシャワーを
浴びせて該クラスタをそのうちの１個の原子がイオン化
されたクラスタ・イオンにし、該クラスタ・イオンを加
速して基板に衝突せしめ、これにより基板に薄膜を蒸着
形成する方法である。
このような薄膜形成方法を実施する装置として、従来、
第１図及び第２図に示すものがあった。第１図は従来の
薄膜蒸着装置を模式的に示す概略構成図、第２図はその
主要部の一部を切り欠いて内部を示す斜視図である。図
において、１は所定の真空度に保持された真空槽、２は
該真空槽１内の排気を行なうための排気通路で、これは
図示しない真空排気装置に接続されている。３は該排気
通路２を開閉する真空用バルブである。
第１図及び第２図に示すものがあった。第１図は従来の
薄膜蒸着装置を模式的に示す概略構成図、第２図はその
主要部の一部を切り欠いて内部を示す斜視図である。図
において、１は所定の真空度に保持された真空槽、２は
該真空槽１内の排気を行なうための排気通路で、これは
図示しない真空排気装置に接続されている。３は該排気
通路２を開閉する真空用バルブである。
４は直径１ｍｍ〜２ＩＩＩＩ１１のノズル４ａが設けら
れた密閉形るつぼで、これには基板に蒸着されるべき蒸
着物質５が収容される。６は上記るつぼ４に熱電子を照
射し、これの加熱を行なうボンバード用フィラメント、
７はモリブデン（Ｍｏ）やタンタル（Ｔａ ）等で形成
され上記フィラメント６からの輻射熱を遮断する熱シー
ルド板であり、上記るつぼ４．ボンバード用フィラメン
ト６及び熱シールド板７により、基板に蒸着すべき物質
の蒸気を上記真空槽１内に噴出してクラスタを生成せし
める蒸気発生源８が形成されている。なお、１９は上記
熱シールド板７を支持する絶縁支持部材、２０は上記る
つぼ４を支持する支持台である。
れた密閉形るつぼで、これには基板に蒸着されるべき蒸
着物質５が収容される。６は上記るつぼ４に熱電子を照
射し、これの加熱を行なうボンバード用フィラメント、
７はモリブデン（Ｍｏ）やタンタル（Ｔａ ）等で形成
され上記フィラメント６からの輻射熱を遮断する熱シー
ルド板であり、上記るつぼ４．ボンバード用フィラメン
ト６及び熱シールド板７により、基板に蒸着すべき物質
の蒸気を上記真空槽１内に噴出してクラスタを生成せし
める蒸気発生源８が形成されている。なお、１９は上記
熱シールド板７を支持する絶縁支持部材、２０は上記る
つぼ４を支持する支持台である。
９は２０００℃以上に熱せられてイオン化用の熱電子１
３を放出するイオン化フィラメント、１０は該イオン化
フィラメント９から放出された熱電子１３を加速する電
子引き出し電極、１１はイオン化フィラメント９からの
輻射熱を遮断する熱シールド板であり、上記イオン化フ
ィラメント９．電子引き出し電極１０及び熱シールド板
１１により、上記蒸気発生源８からのクラスタをイオン
化するためのイオン化手段１２が形成されている。なお
、２３は熱シールド板１１を支持する絶縁支持部材であ
る。
３を放出するイオン化フィラメント、１０は該イオン化
フィラメント９から放出された熱電子１３を加速する電
子引き出し電極、１１はイオン化フィラメント９からの
輻射熱を遮断する熱シールド板であり、上記イオン化フ
ィラメント９．電子引き出し電極１０及び熱シールド板
１１により、上記蒸気発生源８からのクラスタをイオン
化するためのイオン化手段１２が形成されている。なお
、２３は熱シールド板１１を支持する絶縁支持部材であ
る。
１４は上記イオン化されたクラスタ・イオン１６を加速
し、これを基板１８に衝突させて薄膜を蒸着させる加速
電極であり、これは電子引き出し電極１０との間に最大
１０ｋＶまでの電位を印加できる。なお、２４は加速電
極１４を支持する絶縁支持部材、２２は基板１８を支持
する基板ホルダ、２１は該基板ホルダ２２を支持する絶
縁支持部材、１７はクラスタ・イオン１６と中性クラス
タ１５とからなるクラスタビームである。
し、これを基板１８に衝突させて薄膜を蒸着させる加速
電極であり、これは電子引き出し電極１０との間に最大
１０ｋＶまでの電位を印加できる。なお、２４は加速電
極１４を支持する絶縁支持部材、２２は基板１８を支持
する基板ホルダ、２１は該基板ホルダ２２を支持する絶
縁支持部材、１７はクラスタ・イオン１６と中性クラス
タ１５とからなるクラスタビームである。
次に動作について説明する。
まず蒸着ずべき金属５をるつぼ４内に充填し、上記真空
排気装置により真空槽１内の空気を排気して該真空槽１
内を所定の真空度にする。
排気装置により真空槽１内の空気を排気して該真空槽１
内を所定の真空度にする。
次いで、ボンバード用フィラメント６に通電して発熱せ
しめ、該ボンバード用フィラメント６からの輻射熱によ
り、または該フィラメント６から放出される熱電子をる
つぼ４に衝突させること、即ち電子衝撃によって、該る
つぼ４内の金属５を加熱し蒸発せしめる。そして該るつ
ぼ４内の金属蒸気圧が０．１〜１０Ｔｏｒｒ程度になる
温度まで昇温すると、ノズル４ａから噴出した金属蒸気
は、るつぼ４と真空槽１との圧力差により断熱膨張して
クラスタと呼ばれる、多数の原子が緩く結合した塊状原
子集団となる。
しめ、該ボンバード用フィラメント６からの輻射熱によ
り、または該フィラメント６から放出される熱電子をる
つぼ４に衝突させること、即ち電子衝撃によって、該る
つぼ４内の金属５を加熱し蒸発せしめる。そして該るつ
ぼ４内の金属蒸気圧が０．１〜１０Ｔｏｒｒ程度になる
温度まで昇温すると、ノズル４ａから噴出した金属蒸気
は、るつぼ４と真空槽１との圧力差により断熱膨張して
クラスタと呼ばれる、多数の原子が緩く結合した塊状原
子集団となる。
このクラスタ状のクラスタビーム１７は、イオン化フィ
ラメンｌ−９から電子引き出し電極１０によって引き出
された熱電子１３と衝突し、このために記りラスタビー
ム１７の一部のクラスタはそのうちの１個の原子がイオ
ン化されてクラスタ・イオン１６となる。このクラスタ
・イメ°ン１６しよ加速電極１４と電子引き出し電極１
０との間Ｇこ形成された電界により適度に加速されて基
板１Ｂ４こ衝突し、これにより該基板１８上に薄膜が蒸
着形成される。またこの際、イオン化されてＧ１なＧ１
中性クラスタ１５は、上記るつぼ４から噴出された運動
エネルギでもって上記基板１８に衝突し、」―記りラス
タ・イオン１６とともに該基板１８上に蒸着される。
ラメンｌ−９から電子引き出し電極１０によって引き出
された熱電子１３と衝突し、このために記りラスタビー
ム１７の一部のクラスタはそのうちの１個の原子がイオ
ン化されてクラスタ・イオン１６となる。このクラスタ
・イメ°ン１６しよ加速電極１４と電子引き出し電極１
０との間Ｇこ形成された電界により適度に加速されて基
板１Ｂ４こ衝突し、これにより該基板１８上に薄膜が蒸
着形成される。またこの際、イオン化されてＧ１なＧ１
中性クラスタ１５は、上記るつぼ４から噴出された運動
エネルギでもって上記基板１８に衝突し、」―記りラス
タ・イオン１６とともに該基板１８上に蒸着される。
なお、上記基板１８は上記加速電極１４と同電位に設定
されるのが一般的である。
されるのが一般的である。
ところがこの従来の装置では、蒸着物質５の蒸気を得る
際に、るつぼ４を加熱することによってその中に充填さ
れた蒸着物質５を加熱し、その蒸気を得るようにしてい
るため、熱効率が悪く、装置の運転に非常に大きな電力
が必要であると５Ｓ’）欠点があった。さらに、蒸着物
質５として、その蒸気化に高温度を必要とする物質、例
えばタンク゛ステン（Ｗ）、タンクル（Ｔａ ） 、モ
リブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、炭素（Ｃ）など、
及び非常に反戚性の高い物質、例えばシリコン（Ｓｔ）
などを使用する場合においては、るっぽ４に特殊な材料
を用いる必要があるなどの欠点があった。
際に、るつぼ４を加熱することによってその中に充填さ
れた蒸着物質５を加熱し、その蒸気を得るようにしてい
るため、熱効率が悪く、装置の運転に非常に大きな電力
が必要であると５Ｓ’）欠点があった。さらに、蒸着物
質５として、その蒸気化に高温度を必要とする物質、例
えばタンク゛ステン（Ｗ）、タンクル（Ｔａ ） 、モ
リブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、炭素（Ｃ）など、
及び非常に反戚性の高い物質、例えばシリコン（Ｓｔ）
などを使用する場合においては、るっぽ４に特殊な材料
を用いる必要があるなどの欠点があった。
この発明は、−Ｆ記のような従来のものの欠点を除去す
るためになされたもので、クラスタイオンビーム蒸着装
置において、常温ガスの物質物を、ノズル付ガス収容部
から噴出してクラスタを発生させるようにすることによ
り、構造が簡単で、がつその運転に必要な電力を著しく
低減できるとともに、反応性の高い物質等の薄膜をも容
易に形成テキ、しかも上記ガス収容部を冷却することに
より、発生されるクラスタを構成する原子１個に与えら
れるエネルギを容易に制御することができる薄膜蒸着装
置を提供することを目的としている。
るためになされたもので、クラスタイオンビーム蒸着装
置において、常温ガスの物質物を、ノズル付ガス収容部
から噴出してクラスタを発生させるようにすることによ
り、構造が簡単で、がつその運転に必要な電力を著しく
低減できるとともに、反応性の高い物質等の薄膜をも容
易に形成テキ、しかも上記ガス収容部を冷却することに
より、発生されるクラスタを構成する原子１個に与えら
れるエネルギを容易に制御することができる薄膜蒸着装
置を提供することを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第３図は本発明の一実施例による薄Ｉｌｌ！蒸着装置を
模式的に示す概略構成図である。図において、第１図と
同一符号は同−又は相当部分を示し、３０は真空槽１内
に設けられその頭部にノズル３０ａを有するガス収容部
であり、これは基板１８に蒸着すべき物質を有する常温
ガスの化合物３１をそのノズル３０ａから噴出して、該
化合物３１のクラスタを発生するためのものである。３
２は上記化合物ガス３１が収納されたガス容器、３３は
このガス容器３２から上記ガス収容部３０に供給される
化合物ガス３１の量を制御し、上記ガス収容部３０の内
圧等をコントロールするためのバルブである。また、３
４は上記ガス収容部３０の周囲に配設された冷却管（冷
却手段）であり、この冷却管３４の中に例えば液体窒素
等を通して上記ガス収容部３０を冷却するためのもので
ある。なお、３９はイオン化手段１２及び加速電極１４
を支持する絶縁支持部材である。
模式的に示す概略構成図である。図において、第１図と
同一符号は同−又は相当部分を示し、３０は真空槽１内
に設けられその頭部にノズル３０ａを有するガス収容部
であり、これは基板１８に蒸着すべき物質を有する常温
ガスの化合物３１をそのノズル３０ａから噴出して、該
化合物３１のクラスタを発生するためのものである。３
２は上記化合物ガス３１が収納されたガス容器、３３は
このガス容器３２から上記ガス収容部３０に供給される
化合物ガス３１の量を制御し、上記ガス収容部３０の内
圧等をコントロールするためのバルブである。また、３
４は上記ガス収容部３０の周囲に配設された冷却管（冷
却手段）であり、この冷却管３４の中に例えば液体窒素
等を通して上記ガス収容部３０を冷却するためのもので
ある。なお、３９はイオン化手段１２及び加速電極１４
を支持する絶縁支持部材である。
次に動作について説明する。
ここで、本実施例においては、基板１８の表面にシリコ
ン（Ｓｉ ）薄膜を蒸着形成する場合について説明する
。
ン（Ｓｉ ）薄膜を蒸着形成する場合について説明する
。
まず、真空槽１内を真空排気装置により１０′７Ｔ’。
ｒｒ （通、常１０ 〜１０ Ｔｏｒｒ程度）の真空度
に排気する。そして常温ガスの化合物３１としてシラン
（ＳｉＨ４）を用い、これをガス収容部３０に、その内
部のガス圧が１０ Ｔｏｒｒ （通常１０〜２〜１０３
Ｔｏｒｒ程度）になるようバルブ３３により調整しなが
ら供給し、該シランガス３１をノズル３０ａから噴出さ
せる。すると、このノズル３０ａから噴出されたシラン
ガスは、上記ガス収容部３０と真空槽ｌとの圧力差によ
り断熱膨張してシラン分子のクラスタとなる。
に排気する。そして常温ガスの化合物３１としてシラン
（ＳｉＨ４）を用い、これをガス収容部３０に、その内
部のガス圧が１０ Ｔｏｒｒ （通常１０〜２〜１０３
Ｔｏｒｒ程度）になるようバルブ３３により調整しなが
ら供給し、該シランガス３１をノズル３０ａから噴出さ
せる。すると、このノズル３０ａから噴出されたシラン
ガスは、上記ガス収容部３０と真空槽ｌとの圧力差によ
り断熱膨張してシラン分子のクラスタとなる。
ここで、クラスタを発生させる場合、温度が低いほどそ
のサイズを大きく、即ち１つのクラスタを構成する分子
又は原子の個数を多くすることができる訳であるが、本
実施例においては、冷却管３４内に液体窒素を通すこと
によってガス収容部３０の温度をコントロールし、これ
により上記クラスタのサイズをコントロールしている。
のサイズを大きく、即ち１つのクラスタを構成する分子
又は原子の個数を多くすることができる訳であるが、本
実施例においては、冷却管３４内に液体窒素を通すこと
によってガス収容部３０の温度をコントロールし、これ
により上記クラスタのサイズをコントロールしている。
次に、上記シラン分子のクラスタにイオン化フィラメン
ト９からの電子を衝撃すると、該シラン（ＳｉＨ４）分
子から水素（Ｈ２）が分離されてシリコン（Ｓｉ ）原
子のクラスタが生成される。
ト９からの電子を衝撃すると、該シラン（ＳｉＨ４）分
子から水素（Ｈ２）が分離されてシリコン（Ｓｉ ）原
子のクラスタが生成される。
またこれと同時に、上記シリコン原子のクラスタの一部
は、該クラスタを構成するうちの１個の原子がイオン化
されてクラスタ・イオン１６となる。
は、該クラスタを構成するうちの１個の原子がイオン化
されてクラスタ・イオン１６となる。
そしてこのクラスタ・イオン１６は、加速電極１４と電
子引き出し電極１０との間に形成された電界によって適
度に加速され、その加速された運動エネルギでもって基
板１８に衝突し、これにより基板１８上にシリコン薄膜
が蒸着形成される。またこの際、イオン化されていない
中性クラスタ１５は加速されないので、上記ガス収容部
３０から噴出された運動エネルギでもって上記基板１８
に衝突し、上記クラスタ・イオン１６とともに該基板１
８上に蒸着される。なお、上記イオン化手段１２によっ
てシラン分子から分離生成された水素ガスは、真空槽１
外へ排気される。
子引き出し電極１０との間に形成された電界によって適
度に加速され、その加速された運動エネルギでもって基
板１８に衝突し、これにより基板１８上にシリコン薄膜
が蒸着形成される。またこの際、イオン化されていない
中性クラスタ１５は加速されないので、上記ガス収容部
３０から噴出された運動エネルギでもって上記基板１８
に衝突し、上記クラスタ・イオン１６とともに該基板１
８上に蒸着される。なお、上記イオン化手段１２によっ
てシラン分子から分離生成された水素ガスは、真空槽１
外へ排気される。
このような本実施例装置では、常温ガスの化合物を用い
てクラスタを発生させるようにしたので、従来装置のよ
うに蒸着物質蒸気を得るための加熱機構が全く不要とな
り、装置の構造を簡単に、かつ運転に必要な電力を著し
く低減することができ、また、蒸気化させるのに高温度
を要する物質や、反応性の高い物質の薄膜をも容易に形
成することができる。また、ガス収容部３０の内圧、即
ちノズル３０ａからのガスの噴出量をバルブ３３によっ
て非常に容易にコントロールすることができる。
てクラスタを発生させるようにしたので、従来装置のよ
うに蒸着物質蒸気を得るための加熱機構が全く不要とな
り、装置の構造を簡単に、かつ運転に必要な電力を著し
く低減することができ、また、蒸気化させるのに高温度
を要する物質や、反応性の高い物質の薄膜をも容易に形
成することができる。また、ガス収容部３０の内圧、即
ちノズル３０ａからのガスの噴出量をバルブ３３によっ
て非常に容易にコントロールすることができる。
さらに、従来装置では、蒸着物質原子が基板１８へ衝突
する際のエネルギの調整は、加速電極１４に印加される
電圧によって行なわれていた訳であるが、本実施例装置
では、冷却管３４によって１つのクラスタを構成する分
子又は原子の個数をもコントロールできるので、上記加
速電極１４によって１つのクラスタに与えられるエネル
ギが同じであっても、該クラスタを構成する分子又は原
子１個あたりのエネルギを変えることができ、所望の品
質の薄膜の形成に非常に便利である。
する際のエネルギの調整は、加速電極１４に印加される
電圧によって行なわれていた訳であるが、本実施例装置
では、冷却管３４によって１つのクラスタを構成する分
子又は原子の個数をもコントロールできるので、上記加
速電極１４によって１つのクラスタに与えられるエネル
ギが同じであっても、該クラスタを構成する分子又は原
子１個あたりのエネルギを変えることができ、所望の品
質の薄膜の形成に非常に便利である。
なお、上記実施例ではシラン（ＳｉＨ４）を用いてシリ
コン（Ｓｉ）１％を形成する場合について説明したが、
本発明はこれに限るものではなく、例えば炭素（Ｃ）薄
膜を形成する場合はメタン（ＣＨ４）を用い、タングス
テン（Ｗ）薄膜を形成する場合はフン化タングステン（
ＷＦｓ）を用いるなど、適当な化合物ガスを選んで上記
実施例と同様の方法で各種の薄膜形成が可能となる。
コン（Ｓｉ）１％を形成する場合について説明したが、
本発明はこれに限るものではなく、例えば炭素（Ｃ）薄
膜を形成する場合はメタン（ＣＨ４）を用い、タングス
テン（Ｗ）薄膜を形成する場合はフン化タングステン（
ＷＦｓ）を用いるなど、適当な化合物ガスを選んで上記
実施例と同様の方法で各種の薄膜形成が可能となる。
また、上記実施例では、加速電極は必ずしも必要ではな
く、基板と電子引き出し電極間の電位差によりクラスタ
・イオンを加速するようにしてもよい。
く、基板と電子引き出し電極間の電位差によりクラスタ
・イオンを加速するようにしてもよい。
さらに、上記実施例では、化合物のクラスタを分解、イ
オン化する方法として、該クラスタに電子を衝突させる
ようにしたが、これを、例えば光エネルギを利用した方
法などであってもよく、上記実施例と同様の効果を奏す
る。
オン化する方法として、該クラスタに電子を衝突させる
ようにしたが、これを、例えば光エネルギを利用した方
法などであってもよく、上記実施例と同様の効果を奏す
る。
以上のように、この発明によれば、クラスクイオンビー
ム層着装置において、常温ガスの化合物、をガス収容部
から噴出してクラスタを発生させるようにしたので、構
造が簡単で、かつ運転に必要な電力を著しく低減できる
とともに、反応性の高い物質等の薄膜をも容易に形成で
き、さらに、上記クラスタを生成する際、上記ガス収容
部を冷却して発生されるクラスタのサイズをコントロー
ルするようにしたので、所望の品質の薄膜を形成するに
際し、非常に便利となる効果がある。
ム層着装置において、常温ガスの化合物、をガス収容部
から噴出してクラスタを発生させるようにしたので、構
造が簡単で、かつ運転に必要な電力を著しく低減できる
とともに、反応性の高い物質等の薄膜をも容易に形成で
き、さらに、上記クラスタを生成する際、上記ガス収容
部を冷却して発生されるクラスタのサイズをコントロー
ルするようにしたので、所望の品質の薄膜を形成するに
際し、非常に便利となる効果がある。
第１図は従来の薄膜蒸着装置の概略構成図、第２図はそ
の真空槽内を示す斜視図、第３図は本発明の一実施例に
よる薄膜蒸着装置の概略構成図である。 １・・・真空槽、１２・・・イオン化手段、１４・・・
加速電極（加速手段）、１５・・・中性クラスタ、１６
・・・クラスタ・イオン、１８・・・基板、３０ａ・・
・ガス収容部、３０・・・ノズル、３１・・・常温ガス
の化合物、３４・・・冷却管（冷却手段）。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図
の真空槽内を示す斜視図、第３図は本発明の一実施例に
よる薄膜蒸着装置の概略構成図である。 １・・・真空槽、１２・・・イオン化手段、１４・・・
加速電極（加速手段）、１５・・・中性クラスタ、１６
・・・クラスタ・イオン、１８・・・基板、３０ａ・・
・ガス収容部、３０・・・ノズル、３１・・・常温ガス
の化合物、３４・・・冷却管（冷却手段）。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）所定の真空度に保持された真空槽と、該真空槽内
に設けられ基板に蒸着すべき物質を有する常温ガスの化
合物を噴出して該化合物のクラスタを発注するノズル付
ガス収容部と、該ガス収容部を冷却する冷却手段と、上
記クラスタとなっている化合物を分解して上記蒸着物質
原子のクラスタを生成するとともに該蒸着物質原子のク
ラスタの一部をイオン化するイオン化手段と、該イオン
化された蒸着物質原子のクラスタ・イオンを加速しこれ
をイオン化されていない中性クラスタとともに基板に衝
突させて薄膜を蒸着させる加速手段とを備えたことを特
徴とする薄膜蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23557483A JPS60124924A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23557483A JPS60124924A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124924A true JPS60124924A (ja) | 1985-07-04 |
| JPH0443412B2 JPH0443412B2 (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=16988001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23557483A Granted JPS60124924A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124924A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6433722A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
-
1983
- 1983-12-12 JP JP23557483A patent/JPS60124924A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6433722A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic recording medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0443412B2 (ja) | 1992-07-16 |
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