JPS60125369A - 薄膜蒸着装置 - Google Patents
薄膜蒸着装置Info
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- JPS60125369A JPS60125369A JP23557983A JP23557983A JPS60125369A JP S60125369 A JPS60125369 A JP S60125369A JP 23557983 A JP23557983 A JP 23557983A JP 23557983 A JP23557983 A JP 23557983A JP S60125369 A JPS60125369 A JP S60125369A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、Ｗｉ膜蒸着装置に関し、特にクラスタイオン
ビーム蒸着法により薄膜を蒸着形成する場合のクラスタ
発生源の改良に関するものである。
ビーム蒸着法により薄膜を蒸着形成する場合のクラスタ
発生源の改良に関するものである。
従来この種の薄膜形成方法としては、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、ＣＶＤ法、イオンブレーティング法、ク
ラスタイオンビーム蒸着法などがあるが、特にイオン化
粒子または励起粒子を用いる方法は高品質薄膜の形成が
可能であり、中でもクラスタイオンビーム蒸着法は数多
くの優れた特徴を有しているため、高品質薄膜形成方法
として広い用途が考えられている。
ッタリング法、ＣＶＤ法、イオンブレーティング法、ク
ラスタイオンビーム蒸着法などがあるが、特にイオン化
粒子または励起粒子を用いる方法は高品質薄膜の形成が
可能であり、中でもクラスタイオンビーム蒸着法は数多
くの優れた特徴を有しているため、高品質薄膜形成方法
として広い用途が考えられている。
このクラスタイオンビーム蒸着法による薄膜形成方法は
、真空槽内において、基板に蒸着すべき物質の蒸気を噴
出して該蒸気中の多数の原子が緩く結合したクラスタ（
塊状原子集団）を生成し、該クラスタに電子のシャワー
を浴びせて該クラスタをそのうちの１個の原子がイオン
化されたクラスタ・イオンにし、該クラスタ・イオンを
加速して基板に衝突せしめ、これにより基板に薄膜を蒸
着形成する方法である。
、真空槽内において、基板に蒸着すべき物質の蒸気を噴
出して該蒸気中の多数の原子が緩く結合したクラスタ（
塊状原子集団）を生成し、該クラスタに電子のシャワー
を浴びせて該クラスタをそのうちの１個の原子がイオン
化されたクラスタ・イオンにし、該クラスタ・イオンを
加速して基板に衝突せしめ、これにより基板に薄膜を蒸
着形成する方法である。
このような薄膜形成方法を実施する装置として、従来、
第１図及び第２図に示すものがあった。第１図は従来の
薄膜蒸着装置を模式的に示す概略構成図、第２図はその
主要部の一部を切り欠いて内部を示す斜視図である。図
において、■は所定の真空度に保持された真空槽、２は
該真空槽１内の排気を行なうための排気通路で、これは
図示しない真空排気装置に接続されている。３は該排気
通路２を開閉する真空用バルブである。
第１図及び第２図に示すものがあった。第１図は従来の
薄膜蒸着装置を模式的に示す概略構成図、第２図はその
主要部の一部を切り欠いて内部を示す斜視図である。図
において、■は所定の真空度に保持された真空槽、２は
該真空槽１内の排気を行なうための排気通路で、これは
図示しない真空排気装置に接続されている。３は該排気
通路２を開閉する真空用バルブである。
４は直径１１〜２＋１１１１１のノズル４ａが設りられ
た密閉形るつぼで、これには基板に蒸着されるべき蒸着
物質５が収容される。６は上記るつぼ４に熱電子を照射
し、これの加熱を行なうボンバード用フィラメント、７
はモリブデン（Ｍｏ）やタンクル（Ｔａ）等で形成され
上記フィラメント６からの輻射熱を遮断する熱シールド
板であり、上記るつぼ４．ボンバード用フィラメント６
及び熱シールド板７により、基板に蒸着すべき物質の蒸
気を上記真空槽１内に噴出してクラスタを生成せしめる
蒸気発生源８が形成されている。なお、１９は上記熱シ
ールド板７を支持する絶縁支持部材、２０は上記るつぼ
４を支持する支持台である。
た密閉形るつぼで、これには基板に蒸着されるべき蒸着
物質５が収容される。６は上記るつぼ４に熱電子を照射
し、これの加熱を行なうボンバード用フィラメント、７
はモリブデン（Ｍｏ）やタンクル（Ｔａ）等で形成され
上記フィラメント６からの輻射熱を遮断する熱シールド
板であり、上記るつぼ４．ボンバード用フィラメント６
及び熱シールド板７により、基板に蒸着すべき物質の蒸
気を上記真空槽１内に噴出してクラスタを生成せしめる
蒸気発生源８が形成されている。なお、１９は上記熱シ
ールド板７を支持する絶縁支持部材、２０は上記るつぼ
４を支持する支持台である。
９は２０００℃以上に熱せられてイオン化用の熱電子１
３を放出するイオン化フィラメント、１０は該イオン化
フィラメント９から放出された熱電子１３を加速する電
子引き出し電極、１１はイオン化フィラメント９からの
輻射熱を遮断する熱シールド板であり、上記イオン化フ
ィラメント９．電子引き出し電極１０及び熱シールド板
１１により、上記蒸気発生源８からのクラスタをイオン
化するためのイオン化手段Ｉ２が形成されている。なお
、２３は熱シールド板１１を支持する絶縁支持部材であ
る。
３を放出するイオン化フィラメント、１０は該イオン化
フィラメント９から放出された熱電子１３を加速する電
子引き出し電極、１１はイオン化フィラメント９からの
輻射熱を遮断する熱シールド板であり、上記イオン化フ
ィラメント９．電子引き出し電極１０及び熱シールド板
１１により、上記蒸気発生源８からのクラスタをイオン
化するためのイオン化手段Ｉ２が形成されている。なお
、２３は熱シールド板１１を支持する絶縁支持部材であ
る。
１４は上記イオン化されたクラスタ・イオン１６を加速
し、これを基板１８に衝突させて薄膜を蒸着させる加速
電極であり、これは電子引き出し電極１０との間に最大
１０ｋＶまでの電位を印加できる。なお、２４は加速電
極１４を支持する絶縁支持部材、２２は基板１８を支持
する基板ホルダ、２１は該基板ホルダ２２を支持する絶
縁支持部材、１７はクラスタ・イオン１６と中性クラス
タ１５とからなるクラスタビームである。
し、これを基板１８に衝突させて薄膜を蒸着させる加速
電極であり、これは電子引き出し電極１０との間に最大
１０ｋＶまでの電位を印加できる。なお、２４は加速電
極１４を支持する絶縁支持部材、２２は基板１８を支持
する基板ホルダ、２１は該基板ホルダ２２を支持する絶
縁支持部材、１７はクラスタ・イオン１６と中性クラス
タ１５とからなるクラスタビームである。
次に動作について説明する。
まず蒸着すべき金属５をるつぼ４内に充填し、上記真空
排気装置により真空槽１内の空気を排気して該真空槽ｌ
内を所定の真空度にする。
排気装置により真空槽１内の空気を排気して該真空槽ｌ
内を所定の真空度にする。
次いで、ボンバード用フィラメント６に通電して発熱せ
しめ、該ボンバード用フィラメント６からの輻射熱によ
り、または該フィラメント６から放出される熱電子をる
つぼ４に衝突させること、即ち電子衝撃によって、該る
つぼ４内の金属５を加熱し蒸発せしめる。そして該るつ
ぼ４内の金属層気圧が０．１〜１０Ｔｏｒｒ程度になる
温度まで昇温すると、ノズル４ａから噴出した金属蒸気
は、るつぼ４と真空槽ｌとの圧力差により断熱膨張して
クラスタと呼ばれる、多数の原子が緩く結合した塊状原
子集団となる。
しめ、該ボンバード用フィラメント６からの輻射熱によ
り、または該フィラメント６から放出される熱電子をる
つぼ４に衝突させること、即ち電子衝撃によって、該る
つぼ４内の金属５を加熱し蒸発せしめる。そして該るつ
ぼ４内の金属層気圧が０．１〜１０Ｔｏｒｒ程度になる
温度まで昇温すると、ノズル４ａから噴出した金属蒸気
は、るつぼ４と真空槽ｌとの圧力差により断熱膨張して
クラスタと呼ばれる、多数の原子が緩く結合した塊状原
子集団となる。
このクラスタ状のクラスタビーム１７は、イオン化フィ
ラメント９から電子引き出し電極ｌＯによって引き出さ
れた熱電子１３と衝突し、このため上記クラスタビーム
１７の一部のクラスタはそのうちの１個の原子がイオン
化されてクラスタ・イオン１６となる。このクラスタ・
イオン１６は加速電極１４と電子引き出し電極１０との
間に形成された電界により適度に加速されて基板１８に
衝突し、これにより該基板Ｉ８上に器錐薄膜が蒸着され
る。またこの際、イオン化されていない中性クラスタ１
５は、上記るつぼ４から噴出された運動エネルギでもっ
て上記基板１８に衝突し、上記クラスタ・イオン１６と
ともに該基板１８上に蒸着される。
ラメント９から電子引き出し電極ｌＯによって引き出さ
れた熱電子１３と衝突し、このため上記クラスタビーム
１７の一部のクラスタはそのうちの１個の原子がイオン
化されてクラスタ・イオン１６となる。このクラスタ・
イオン１６は加速電極１４と電子引き出し電極１０との
間に形成された電界により適度に加速されて基板１８に
衝突し、これにより該基板Ｉ８上に器錐薄膜が蒸着され
る。またこの際、イオン化されていない中性クラスタ１
５は、上記るつぼ４から噴出された運動エネルギでもっ
て上記基板１８に衝突し、上記クラスタ・イオン１６と
ともに該基板１８上に蒸着される。
なお、上記基板１８は上記加速電極１４と同電位に設定
されるのが一般的である。
されるのが一般的である。
ところが、この従来の装置では、蒸着物質５の蒸気を得
る際に、るつぼ４を加熱することによってその中に充填
された蒸着物質５を加熱し、その蒸気を得るようにして
いるため、熱効率が悪く、装置の運転に非常に大きな電
力が必要であり、また蒸着物質５として、その蒸気化に
為温度を必要とする物質、例えばタングステン（Ｗ）、
クンタル（Ｔａ ） 、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（
Ｔｉ）、炭素（Ｃ）など、及び非常に反応性の高い物質
、例えばシリコン（Ｓｉ ）などを使用する場合におい
ては、るつぼ４に特殊な材料を用いる必要があるという
欠点があった。
る際に、るつぼ４を加熱することによってその中に充填
された蒸着物質５を加熱し、その蒸気を得るようにして
いるため、熱効率が悪く、装置の運転に非常に大きな電
力が必要であり、また蒸着物質５として、その蒸気化に
為温度を必要とする物質、例えばタングステン（Ｗ）、
クンタル（Ｔａ ） 、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（
Ｔｉ）、炭素（Ｃ）など、及び非常に反応性の高い物質
、例えばシリコン（Ｓｉ ）などを使用する場合におい
ては、るつぼ４に特殊な材料を用いる必要があるという
欠点があった。
さらに、上記従来の装置では、クラスタをイオン化する
ためのイオン化フィラメント９等が高温になるため、そ
の輻射熱により基板１８の温度が上昇し、基板として高
分子シート等耐熱性の低いものは使用できないという欠
点があった。
ためのイオン化フィラメント９等が高温になるため、そ
の輻射熱により基板１８の温度が上昇し、基板として高
分子シート等耐熱性の低いものは使用できないという欠
点があった。
本発明は、上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、クラスクイオンビーム蒸着装置に
おいて、常温ガスの物質を用いてクラスタを発生させる
ようにすることにより、構造が簡単で、かつ運転に必要
な電力を著しく低減できるとともに、反応性の高い物質
等の薄膜をも容易に形成でき、しかも、上記常温ガスを
収容するガ７．収容部内で放電を起こして該ガス収容部
から発生されるクラスタの一部をクラスタ・イオンとす
ることにより、基板の温度上昇が生ずることのない薄膜
蒸着装置を提供することを目的としている。
めになされたもので、クラスクイオンビーム蒸着装置に
おいて、常温ガスの物質を用いてクラスタを発生させる
ようにすることにより、構造が簡単で、かつ運転に必要
な電力を著しく低減できるとともに、反応性の高い物質
等の薄膜をも容易に形成でき、しかも、上記常温ガスを
収容するガ７．収容部内で放電を起こして該ガス収容部
から発生されるクラスタの一部をクラスタ・イオンとす
ることにより、基板の温度上昇が生ずることのない薄膜
蒸着装置を提供することを目的としている。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第３図は本発明の一実施例による薄膜蒸着装置を模式的
に示す概略構成図である。図において、第１図と同一符
号は同−又は相当部分を示し、３０は真空槽ｌ内に設け
られその頭部にノズル３０ａを有するガス収容部であり
、これは基板１８に蒸着すべき物質を有する常温ガスの
化合物３１を収容するとともに、上記蒸着物質原子をノ
ズル３０ａから噴出して、該蒸着物質原子のクラスタを
発生するためのものである。３２は上記化合物ガス３１
が収納されたガス容器、３３はこのガス容器３２から上
記ガス収容部３０に供給される化合物ガス３１の量を制
御し、上記ガス収容部３０の内圧等をコントロールする
ためのバルブである。
に示す概略構成図である。図において、第１図と同一符
号は同−又は相当部分を示し、３０は真空槽ｌ内に設け
られその頭部にノズル３０ａを有するガス収容部であり
、これは基板１８に蒸着すべき物質を有する常温ガスの
化合物３１を収容するとともに、上記蒸着物質原子をノ
ズル３０ａから噴出して、該蒸着物質原子のクラスタを
発生するためのものである。３２は上記化合物ガス３１
が収納されたガス容器、３３はこのガス容器３２から上
記ガス収容部３０に供給される化合物ガス３１の量を制
御し、上記ガス収容部３０の内圧等をコントロールする
ためのバルブである。
また、３４は上記ガス収容部３０の周囲に配設された冷
却管であり、上記ガス収容部３０を冷却し、該ガス収容
部３０から発生されるクラスタのサイズ、即ち１つのク
ラスタを構成する原子の個数をコントロールするための
ものである。３７は加速電極１４を支持する絶縁支持部
材である。
却管であり、上記ガス収容部３０を冷却し、該ガス収容
部３０から発生されるクラスタのサイズ、即ち１つのク
ラスタを構成する原子の個数をコントロールするための
ものである。３７は加速電極１４を支持する絶縁支持部
材である。
また、３５ａ、３５ｂは上記ガス収容部３０内に対向配
置された放電電極、３６はこの放電電極３５ａ、３５ｂ
間に放電を発生させるための電源（電圧印加手段）であ
り、これは上記ガス収容部３０内の化合物ガス３１を分
解して蒸着物質原子を生成するとともに、該蒸着物質原
子のうちの一部をイオン化するためのものである。
置された放電電極、３６はこの放電電極３５ａ、３５ｂ
間に放電を発生させるための電源（電圧印加手段）であ
り、これは上記ガス収容部３０内の化合物ガス３１を分
解して蒸着物質原子を生成するとともに、該蒸着物質原
子のうちの一部をイオン化するためのものである。
次に動作について説明する。
ここで、本実施例においては、基板１８の表面にシリコ
ン（Ｓｉ ）薄膜を蒸着形成する場合について説明する
。
ン（Ｓｉ ）薄膜を蒸着形成する場合について説明する
。
まず、真空槽１内を真空排気装置により１０＝Ｔ。
ｒｒ （通常１０１〜１０−’ Ｔｏｒｒ程度）の真空
度に排気する。そして常温ガスの化合物３１としてシラ
ン（ＳｉＨ４）を用い、これをガス収容部３０に、その
内部のガス圧が１０Ｔｏｒｒ （通常１０−” 〜１０
３Ｔｏｒｒ程度）になるよう調整しながら供給する。
度に排気する。そして常温ガスの化合物３１としてシラ
ン（ＳｉＨ４）を用い、これをガス収容部３０に、その
内部のガス圧が１０Ｔｏｒｒ （通常１０−” 〜１０
３Ｔｏｒｒ程度）になるよう調整しながら供給する。
次に電源３６により放電電極３５ａ、３５ｂ間に高電圧
を印加すると該電極３５−ａ、３５ｂ間で放電が開始し
、この放電によりガス収容部３０内のシランガス（Ｓｉ
Ｈ４）３１が分解してシリコ（Ｓｔ ）と水素（２Ｈ
２）とが生成される。またこれと同時に、上記シリコン
原子の一部は上記放電によりイオン化される。そしてこ
のイオン化されたシリコン原子は、イオン化されていな
い中性のシリコン原子とともにノズル３０ａを通って真
空槽１内に噴出され、これにより上記シリコンは、上記
イオン化されたシリコン原子を含むクラスタ・イオン１
６及びイオン化されていないシリコン原子のみからなる
中性クラスタ１５となる。この際、冷却管３４によって
上記ガス収容部３０の温度をコントロールすることによ
り、上記各クラスタ１５．１６のサイズがコントロール
される。
を印加すると該電極３５−ａ、３５ｂ間で放電が開始し
、この放電によりガス収容部３０内のシランガス（Ｓｉ
Ｈ４）３１が分解してシリコ（Ｓｔ ）と水素（２Ｈ
２）とが生成される。またこれと同時に、上記シリコン
原子の一部は上記放電によりイオン化される。そしてこ
のイオン化されたシリコン原子は、イオン化されていな
い中性のシリコン原子とともにノズル３０ａを通って真
空槽１内に噴出され、これにより上記シリコンは、上記
イオン化されたシリコン原子を含むクラスタ・イオン１
６及びイオン化されていないシリコン原子のみからなる
中性クラスタ１５となる。この際、冷却管３４によって
上記ガス収容部３０の温度をコントロールすることによ
り、上記各クラスタ１５．１６のサイズがコントロール
される。
そして上記クラスタ・イオン１６は、加速電極１４と上
記ガス収容部３０との間に形成された電界によって適度
に加速されて基板１８に衝突し、これにより該基板１８
上にシリコン薄膜が蒸着形成される。またこの際、中性
クラスタ１５は加速されないので、上記ガス収容部３０
から噴出された運動エネルギでもって上記基板１８に衝
突し、上記クラスタ・イオン１６とともに該基板１Ｂ上
に蒸着される。なお、上記シラン分子から分離生成され
た水素ガスは、真空槽ｌ外へ排気される。
記ガス収容部３０との間に形成された電界によって適度
に加速されて基板１８に衝突し、これにより該基板１８
上にシリコン薄膜が蒸着形成される。またこの際、中性
クラスタ１５は加速されないので、上記ガス収容部３０
から噴出された運動エネルギでもって上記基板１８に衝
突し、上記クラスタ・イオン１６とともに該基板１Ｂ上
に蒸着される。なお、上記シラン分子から分離生成され
た水素ガスは、真空槽ｌ外へ排気される。
このような本実施例装置では、常温ガスの化合物３１を
用いてクラスタを発生させるようにし、しかもその化合
物ガス収容部３０において放電を利用して蒸着物質原子
を生成し、かつイオン化するようにしたので、従来装置
のように蒸着物質蒸気を得るための加熱機構、及びクラ
スタをイオン化するためのイオン化手段が全く不要とな
り、装置の構造を非常に簡単に、かつ運転に必要な電力
を著しく低減できる。また、蒸気化させるのに高温度を
要する物質や、反応性の高い物質の薄膜をも容易に形成
でき、しかも従来のようなイオン化手段からの輻射熱に
より基板１８が温度上昇することもなく、そのため薄膜
形成に不都合を生じることもない、また、上述のように
イオン化をガス収容部３０内の放電を利用して行なって
いるので、非常に効率よく、低エネルギでクラスタ・イ
オンを得ることができる。
用いてクラスタを発生させるようにし、しかもその化合
物ガス収容部３０において放電を利用して蒸着物質原子
を生成し、かつイオン化するようにしたので、従来装置
のように蒸着物質蒸気を得るための加熱機構、及びクラ
スタをイオン化するためのイオン化手段が全く不要とな
り、装置の構造を非常に簡単に、かつ運転に必要な電力
を著しく低減できる。また、蒸気化させるのに高温度を
要する物質や、反応性の高い物質の薄膜をも容易に形成
でき、しかも従来のようなイオン化手段からの輻射熱に
より基板１８が温度上昇することもなく、そのため薄膜
形成に不都合を生じることもない、また、上述のように
イオン化をガス収容部３０内の放電を利用して行なって
いるので、非常に効率よく、低エネルギでクラスタ・イ
オンを得ることができる。
なお、上記実施例ではシラン（ＳｉＨ４）を用いてシリ
コン（Ｓｉ ）薄膜を形成する場合について説明したが
、本発明はこれに限るものではなく、例えば炭素（Ｃ）
薄膜を形成する場合はメタン（ＣＨ４）を用い、タング
ステン（Ｗ）薄膜を形成する場合はフン化タングステン
（ＷＦａ）を用いるなど、適当な化合物ガスを選んで上
記実施例と同様の方法で各種の薄膜形成が可能となる。
コン（Ｓｉ ）薄膜を形成する場合について説明したが
、本発明はこれに限るものではなく、例えば炭素（Ｃ）
薄膜を形成する場合はメタン（ＣＨ４）を用い、タング
ステン（Ｗ）薄膜を形成する場合はフン化タングステン
（ＷＦａ）を用いるなど、適当な化合物ガスを選んで上
記実施例と同様の方法で各種の薄膜形成が可能となる。
以上のように、本発明によれば、クラスタイオンビーム
蒸着装置において、常温ガス物質を用いてクラスタを発
生させようにしたので、構造が簡単で、かつ運転に必要
な電力を著しく低減できるとともに、反応性の高い物質
等の１ｌｌｌＩｌをも容易に形成でき、しかも上記常温
ガスを収容するガス収容部内に放電電極を設けて、該放
電電極間の放電により上記ガス収容部から発生されるク
ラスタの一部をクラスタ・イオンとするようにしたので
、基板の温度上昇を無くすことができる効果がある。
蒸着装置において、常温ガス物質を用いてクラスタを発
生させようにしたので、構造が簡単で、かつ運転に必要
な電力を著しく低減できるとともに、反応性の高い物質
等の１ｌｌｌＩｌをも容易に形成でき、しかも上記常温
ガスを収容するガス収容部内に放電電極を設けて、該放
電電極間の放電により上記ガス収容部から発生されるク
ラスタの一部をクラスタ・イオンとするようにしたので
、基板の温度上昇を無くすことができる効果がある。
第１図は従来の薄膜蒸着装置の概略構成図、第２図はそ
の真空槽内を示す斜視図、第３図は本発明の一実施例に
よるＩ！Ｅｌ！！蒸着装置の概略構成図である。 １・・・真空槽、１４・・・加速電極（加速手段）、１
５・・・中性クラスタ、１６・・・クラスタ・イオン、
１８・・・基板、３０・・・ノズル付ガス収容部、３１
・・・常温ガスの化合物、３５ａ、３５ｂ・・・放電電
極、３６・・・電源（電圧印加手段）。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 第１頁の続き ■発明者 花卉 正ヤ Ｖ 尼崎重環日本町８丁目１番１号 三菱電機株式会社
伊丹製作所内 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭 ５８−２３５５７９号２、発
明の名称 薄膜蒸着装置 ３、補正をする者 メ ＼ ）。 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄１発明の詳細な説明の欄、
及び図面の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 （１１明細書の特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２） 明細書第７頁第１５行、第８頁第１２行。 第１１頁第９行、及び第１３頁第１２〜１３行の「常温
ガスの」を「常温でガス状の」に訂正する。 （３）同第１Ｏ頁第１行のｒ１０３ＴｏｒｒＪをｒ １
０Ｔｏｒｒ」に訂正する。 （４）同第１１頁第７行の「分離」を「分解」に訂正す
る。 以 上 特許請求の範囲 （１）所定の真空度に保持された真空槽と、該真空槽内
に設けられ基板に蒸着すべき物質を有する常温ヱガス状
の化合物を収容するとともに上記蒸着物質原子を噴出し
て該蒸着物質原子が緩く結合したクラスタを発生するノ
ズル付ガス収容部と、該ガス収容部内に対向配置された
放電電極と、該放電電極間に電圧を印加して放電させ上
記化合物を分解して上記蒸着物質原子を生成するととも
に上記ガス収容部から発生されるクラスタの一部をイオ
ン化されたクラスタとする電圧印加手段と、該イオン化
されたクラスタ・イオンを加速しこれをイオン化されて
いない中性クラスタとともに基板にｉＦ突させて１１１
Ｎ＊を蒸着させる加速手段とを備えたことを特徴とする
薄膜蒸着装置。
の真空槽内を示す斜視図、第３図は本発明の一実施例に
よるＩ！Ｅｌ！！蒸着装置の概略構成図である。 １・・・真空槽、１４・・・加速電極（加速手段）、１
５・・・中性クラスタ、１６・・・クラスタ・イオン、
１８・・・基板、３０・・・ノズル付ガス収容部、３１
・・・常温ガスの化合物、３５ａ、３５ｂ・・・放電電
極、３６・・・電源（電圧印加手段）。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 第１頁の続き ■発明者 花卉 正ヤ Ｖ 尼崎重環日本町８丁目１番１号 三菱電機株式会社
伊丹製作所内 手続補正書（自発） １、事件の表示 特願昭 ５８−２３５５７９号２、発
明の名称 薄膜蒸着装置 ３、補正をする者 メ ＼ ）。 ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄１発明の詳細な説明の欄、
及び図面の簡単な説明の欄 ６、補正の内容 （１１明細書の特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２） 明細書第７頁第１５行、第８頁第１２行。 第１１頁第９行、及び第１３頁第１２〜１３行の「常温
ガスの」を「常温でガス状の」に訂正する。 （３）同第１Ｏ頁第１行のｒ１０３ＴｏｒｒＪをｒ １
０Ｔｏｒｒ」に訂正する。 （４）同第１１頁第７行の「分離」を「分解」に訂正す
る。 以 上 特許請求の範囲 （１）所定の真空度に保持された真空槽と、該真空槽内
に設けられ基板に蒸着すべき物質を有する常温ヱガス状
の化合物を収容するとともに上記蒸着物質原子を噴出し
て該蒸着物質原子が緩く結合したクラスタを発生するノ
ズル付ガス収容部と、該ガス収容部内に対向配置された
放電電極と、該放電電極間に電圧を印加して放電させ上
記化合物を分解して上記蒸着物質原子を生成するととも
に上記ガス収容部から発生されるクラスタの一部をイオ
ン化されたクラスタとする電圧印加手段と、該イオン化
されたクラスタ・イオンを加速しこれをイオン化されて
いない中性クラスタとともに基板にｉＦ突させて１１１
Ｎ＊を蒸着させる加速手段とを備えたことを特徴とする
薄膜蒸着装置。
Claims (1)
- （１）所定の真空度に保持された真空槽と、該真空槽内
に設けられ基板に蒸着すべき物質を有する常温ガスの化
合物を収容するとともに上記蒸着物質原子を噴出して該
蒸着物質原子が緩く結合したクラスタを発生するノズル
付ガス収容部と、該ガス収容部内に対向配置された放電
電極と、該放電電極間に電圧を印加して放電させ上記化
合物を分解して上記蒸着物質原子を生成するとともに上
記ガス収容部から発生されるクラスタの一部をイオン化
されたクラスタとする電圧印加手段と、該イオン化され
たクラスタ・イオンを加速しこれをイオン化されていな
い中性クラスタとともに基板に衝突させて薄膜を蒸着さ
せる加速手段とを備えたことを特徴とする薄膜蒸着装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235579A JPH0830268B2 (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235579A JPH0830268B2 (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60125369A true JPS60125369A (ja) | 1985-07-04 |
| JPH0830268B2 JPH0830268B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=16988078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58235579A Expired - Lifetime JPH0830268B2 (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0830268B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5089289A (en) * | 1986-03-05 | 1992-02-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of forming thin films |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5567526A (en) * | 1978-11-08 | 1980-05-21 | Toko Inc | Production of zinc oxide thin film |
| JPS5832009A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-02-24 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-12 JP JP58235579A patent/JPH0830268B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5567526A (en) * | 1978-11-08 | 1980-05-21 | Toko Inc | Production of zinc oxide thin film |
| JPS5832009A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-02-24 | Canon Inc | 電子写真感光体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5089289A (en) * | 1986-03-05 | 1992-02-18 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of forming thin films |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0830268B2 (ja) | 1996-03-27 |
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