JPS60124928A - 薄膜蒸着装置 - Google Patents
薄膜蒸着装置Info
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- JPS60124928A JPS60124928A JP23557883A JP23557883A JPS60124928A JP S60124928 A JPS60124928 A JP S60124928A JP 23557883 A JP23557883 A JP 23557883A JP 23557883 A JP23557883 A JP 23557883A JP S60124928 A JPS60124928 A JP S60124928A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/513—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using plasma jets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/221—Ion beam deposition
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、薄膜蒸着装置に関し、特にクラスクイオンビ
ーム蒸着法によＩＱ薄膜を形成する場合のクラスタ発生
源の改良に関するものである。
ーム蒸着法によＩＱ薄膜を形成する場合のクラスタ発生
源の改良に関するものである。
従来この種の薄膜形成方法としては、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、ＣＶＤ法、イオンブレーティング法、ク
ラスタイオンビーム蒸着法などがあるが、特にイオン化
粒子または励起粒子を用いる方法は高品質薄膜の形成が
可能であり、中でもクラスタイオンビーム蒸着法は数多
くの優れた特徴を有しているため、高品質薄膜形成法と
して広い用途が考えられている。
ッタリング法、ＣＶＤ法、イオンブレーティング法、ク
ラスタイオンビーム蒸着法などがあるが、特にイオン化
粒子または励起粒子を用いる方法は高品質薄膜の形成が
可能であり、中でもクラスタイオンビーム蒸着法は数多
くの優れた特徴を有しているため、高品質薄膜形成法と
して広い用途が考えられている。
このクラスタイオンビーム蒸着法による薄膜形成方法は
、真空槽内において、基板に蒸着すべき物質の蒸気を噴
出して該蒸気中の多数の原子が緩く結合したクラスタ（
塊状原子集団）を生成し、該クラスタに電子のシャワー
を浴びせて該クラスタをそのうちの１（ｆｌｉｔの原子
がイオン化されたクラスタ・イオンにし、該クラスタ・
イオンを加速して基板に衝突せしめ、これにより基板に
薄膜を療養形成する方法である。
、真空槽内において、基板に蒸着すべき物質の蒸気を噴
出して該蒸気中の多数の原子が緩く結合したクラスタ（
塊状原子集団）を生成し、該クラスタに電子のシャワー
を浴びせて該クラスタをそのうちの１（ｆｌｉｔの原子
がイオン化されたクラスタ・イオンにし、該クラスタ・
イオンを加速して基板に衝突せしめ、これにより基板に
薄膜を療養形成する方法である。
このような薄膜形成方法を実施する装置として、従来、
第１図及び第２図に示すものがあった。第１図は従来の
薄膜蒸着装置を模式的に示す概略構成図、第２図はその
主要部の一部を切り欠いて内部を示す斜視図である。図
において、１は所定の真空度に保持された真空槽、２ば
該真空槽１内の排気を行なうための排気通路で、これは
図示しない真空排気装置に接続されている。３は該排気
通路２を開閉する真空用バルブである。
第１図及び第２図に示すものがあった。第１図は従来の
薄膜蒸着装置を模式的に示す概略構成図、第２図はその
主要部の一部を切り欠いて内部を示す斜視図である。図
において、１は所定の真空度に保持された真空槽、２ば
該真空槽１内の排気を行なうための排気通路で、これは
図示しない真空排気装置に接続されている。３は該排気
通路２を開閉する真空用バルブである。
４は直径１ｍｍ〜２ｍｍのノズル４ａが設りられた密閉
形るつぼで、これには基板に蒸着されるべき蒸着物質５
が収容される。６は上記るつぼ４に熱電子を照射し、こ
れの加熱を行なうボンバード用フィラメント、７はモリ
ブデン（ＭＯ）やクンクル（Ｔａ）等で形成された上記
フィラメント６からの輻射熱をｉ８断する熱シールド板
であり、上記るつぼ４．ボンバード用フィラメン１−６
及び熱シールド板７により、基板に蒸着すべき物質の蒸
気を−に配置空槽１内に噴出してクラスタを生成せしめ
る蒸気発生源８が形成されている。なお、１９は一１二
記熱シールド板７を支持する絶縁支持部材、２０は上記
るつぼ４を支持する支持台である。
形るつぼで、これには基板に蒸着されるべき蒸着物質５
が収容される。６は上記るつぼ４に熱電子を照射し、こ
れの加熱を行なうボンバード用フィラメント、７はモリ
ブデン（ＭＯ）やクンクル（Ｔａ）等で形成された上記
フィラメント６からの輻射熱をｉ８断する熱シールド板
であり、上記るつぼ４．ボンバード用フィラメン１−６
及び熱シールド板７により、基板に蒸着すべき物質の蒸
気を−に配置空槽１内に噴出してクラスタを生成せしめ
る蒸気発生源８が形成されている。なお、１９は一１二
記熱シールド板７を支持する絶縁支持部材、２０は上記
るつぼ４を支持する支持台である。
９は２０００℃以上に熱せられてイオン化用の熱電子１
３を放出するイオン化フイラメンｌ−２１０は該イオン
化フィラメント９から放出された熱電子１３を加速する
電子引き出し電極、１１はイオン化フィラメント９から
の輻射熱を遮断する熱シールド板であり、上記イオン化
フ、イセメ電子−９，電子引き出し電極１０及び棒シー
ルド板１１により、上記蒸気発生源８からのクラスタを
イオン化するためのイオン化手段１２が形成されている
。なお、２３は熱シールド板１１を支持する絶縁支持部
材である。
３を放出するイオン化フイラメンｌ−２１０は該イオン
化フィラメント９から放出された熱電子１３を加速する
電子引き出し電極、１１はイオン化フィラメント９から
の輻射熱を遮断する熱シールド板であり、上記イオン化
フ、イセメ電子−９，電子引き出し電極１０及び棒シー
ルド板１１により、上記蒸気発生源８からのクラスタを
イオン化するためのイオン化手段１２が形成されている
。なお、２３は熱シールド板１１を支持する絶縁支持部
材である。
１４は上記イオン化されたクラスタ・イオン１６を加速
し１．これを基板１８に衝突させて薄膜を蒸着させる加
速電極であり、これは電子引き出し電極１０との間に最
大１０ｋＶまでの霜焼を印加できる。なお、２４は加速
電極１４を支持する絶縁支持部材、２２は基板１８を支
持する基板ホルタ、２１は該基板ホルダ２２を支持する
絶縁支持部＋４．１７はクラスタ・イオン１６と中性ク
ラスタ１５とからなるクラスタビームである。
し１．これを基板１８に衝突させて薄膜を蒸着させる加
速電極であり、これは電子引き出し電極１０との間に最
大１０ｋＶまでの霜焼を印加できる。なお、２４は加速
電極１４を支持する絶縁支持部材、２２は基板１８を支
持する基板ホルタ、２１は該基板ホルダ２２を支持する
絶縁支持部＋４．１７はクラスタ・イオン１６と中性ク
ラスタ１５とからなるクラスタビームである。
次に動作について説明する。
まず蒸着ずべき金属５をるつぼ４内に充填し、手記真空
排気装置により真空槽１内の空気を排気して該真空槽１
内を所定の真空度にする。
排気装置により真空槽１内の空気を排気して該真空槽１
内を所定の真空度にする。
次いで、ボンバード用フィラメン１−６に［して発ｉ％
−［シめ、該ボンバード用フィラメント６からの’１１
Ｍ射熱により、または該フィラメント６から放出される
熱電子をるつは４に蓮ｊ突させること、即ｔｆ）電了得
ｉ撃によって、該るつぼ４内の金属５を加熱し蒸発・已
しめる。そして該るつは４内の金属蒸気圧が０．１〜１
０Ｔｏｒｒ程度になるまで昇温すると、ノズル４ａから
噴出した金属蒸気は、るつは４と真空槽１との圧力差に
より断熱膨張してクラスタと呼ばれる、多数の原子が緩
く結合した塊状原子集団となる。
−［シめ、該ボンバード用フィラメント６からの’１１
Ｍ射熱により、または該フィラメント６から放出される
熱電子をるつは４に蓮ｊ突させること、即ｔｆ）電了得
ｉ撃によって、該るつぼ４内の金属５を加熱し蒸発・已
しめる。そして該るつは４内の金属蒸気圧が０．１〜１
０Ｔｏｒｒ程度になるまで昇温すると、ノズル４ａから
噴出した金属蒸気は、るつは４と真空槽１との圧力差に
より断熱膨張してクラスタと呼ばれる、多数の原子が緩
く結合した塊状原子集団となる。
このクラスタ状のクラスタビーム１７は、イオン化フィ
ラメント９から電子引き出し電極（０に、１、って引き
出された熱電子１−３と拝１突し、このため−１記クラ
スタビーム１７の一部のクラスタはそのうちの１個の原
子がイオン化されてクラスタ・イオン１６となる。この
クラスタ・イオン１６は加速電極１４と電子引き出し電
極１０との間に形成された電界により適度に加速されて
基板１８に衝突し、これにより該基板１８上に薄膜が蒸
着形成される。またこの際、イオン化されていない中性
クラスタ１５ば上記るつぼ４から噴射された運動エネル
ギーでもって上記基板１８に衝突し、−１−記りラスク
・イオン１６とともに該基板１８上に蒸着される。
ラメント９から電子引き出し電極（０に、１、って引き
出された熱電子１−３と拝１突し、このため−１記クラ
スタビーム１７の一部のクラスタはそのうちの１個の原
子がイオン化されてクラスタ・イオン１６となる。この
クラスタ・イオン１６は加速電極１４と電子引き出し電
極１０との間に形成された電界により適度に加速されて
基板１８に衝突し、これにより該基板１８上に薄膜が蒸
着形成される。またこの際、イオン化されていない中性
クラスタ１５ば上記るつぼ４から噴射された運動エネル
ギーでもって上記基板１８に衝突し、−１−記りラスク
・イオン１６とともに該基板１８上に蒸着される。
なお、上記基板１８は上記加速電極１４と同電位に設定
されるのが一般的である。
されるのが一般的である。
ところがこの従来の装置では、蒸着物質５の蒸気を得る
際に、るつぼ４を加熱することによってその中に充填さ
れた蒸着物質５を加熱し、その蒸気を得るようにしてい
るため、熱効率が悪く、装置の運転に非常に大きな電力
が必要であり、また蒸着物質として、その蒸気化に高温
度をａ・要と−Ｊる物質、例えばタングステン（Ｗ）、
クンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ
）。
際に、るつぼ４を加熱することによってその中に充填さ
れた蒸着物質５を加熱し、その蒸気を得るようにしてい
るため、熱効率が悪く、装置の運転に非常に大きな電力
が必要であり、また蒸着物質として、その蒸気化に高温
度をａ・要と−Ｊる物質、例えばタングステン（Ｗ）、
クンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ
）。
炭素（Ｃ）など、及び非常に反応性の高い物質、例えば
シリコン（Ｓｉ ）などを使用する場合においては、る
つぼ４に特殊な材料を用いる必要があるという欠点があ
った。
シリコン（Ｓｉ ）などを使用する場合においては、る
つぼ４に特殊な材料を用いる必要があるという欠点があ
った。
さらに、上記従来の装置では、クラスタをイオン化する
ためのイオン化フィラメント９等が高温になるため、そ
の輻射熱により基板１８の温度が上昇し、基板として高
分子シート等耐熱性の低いものは使用できないという欠
点があった。
ためのイオン化フィラメント９等が高温になるため、そ
の輻射熱により基板１８の温度が上昇し、基板として高
分子シート等耐熱性の低いものは使用できないという欠
点があった。
本発明は、上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、クラスタイオンビーム蒸着装置に
おいて、常温ガスの物質を用いてクラスタを発生させる
ようにすることにより、構造が簡単で、かつ運転に必要
な電力を著しく低減できるとともに、反応性の高い物質
等の薄膜をも容易に形成でき、しかも、上記常温ガス物
質を収容するガス収容部内に光を照射して該ガス収容部
から発生されるクラスタの一部を励起されたクラスタと
することにより、基板の温度上昇が住することのない薄
膜蒸着装置を提供することを目的としている。
めになされたもので、クラスタイオンビーム蒸着装置に
おいて、常温ガスの物質を用いてクラスタを発生させる
ようにすることにより、構造が簡単で、かつ運転に必要
な電力を著しく低減できるとともに、反応性の高い物質
等の薄膜をも容易に形成でき、しかも、上記常温ガス物
質を収容するガス収容部内に光を照射して該ガス収容部
から発生されるクラスタの一部を励起されたクラスタと
することにより、基板の温度上昇が住することのない薄
膜蒸着装置を提供することを目的としている。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第３図は本発明の一実施例による薄膜蒸着装置を模式的
に示す概略構成図である。図において、第１図と同一符
号は同−又は相当部分を示し、３０はガラス等の光透過
性物質で形成され、その頭部にノズル３０ａを有するガ
ス収容部であり、これは真空槽ｌ内に設置されて基板１
８に蒸着すべき物質を有する常温のガスの化合物３１を
収容するとともに、上記蒸着物質原子をそのノズル３０
ａから噴出して該蒸着物質原子のクラスタを発生するた
めのものである。３２は上記化合物ガス３１が収納され
たガス容器、３３はこのガス容器３２から上記ガス収容
部３０に供給される化合物ガス３１の量を制御し、上記
ガス収容部３０の内圧等をコントロールするためのバル
ブである。また、３４は上記ガス収容部３０の周囲に配
設された冷却管であり、上記ガス収容部３０を冷却し、
該ガス収容部３０から発生されるクラスタのサイズ、即
ち、１つのクラスタを構成する蒸着物質原子の（１１ａ
数をコントロールするためのものである。
に示す概略構成図である。図において、第１図と同一符
号は同−又は相当部分を示し、３０はガラス等の光透過
性物質で形成され、その頭部にノズル３０ａを有するガ
ス収容部であり、これは真空槽ｌ内に設置されて基板１
８に蒸着すべき物質を有する常温のガスの化合物３１を
収容するとともに、上記蒸着物質原子をそのノズル３０
ａから噴出して該蒸着物質原子のクラスタを発生するた
めのものである。３２は上記化合物ガス３１が収納され
たガス容器、３３はこのガス容器３２から上記ガス収容
部３０に供給される化合物ガス３１の量を制御し、上記
ガス収容部３０の内圧等をコントロールするためのバル
ブである。また、３４は上記ガス収容部３０の周囲に配
設された冷却管であり、上記ガス収容部３０を冷却し、
該ガス収容部３０から発生されるクラスタのサイズ、即
ち、１つのクラスタを構成する蒸着物質原子の（１１ａ
数をコントロールするためのものである。
３５はレーザビーム３６を発するレーザ発振器（光源）
であり、これは上記レーザビーム３６をト記ガス収容部
３０内の化合物ガス３１に照射し、該化合物を分解して
上記蒸着物質原子を生成するとともに該蒸着物質原子の
一部を励起するためのものである。
であり、これは上記レーザビーム３６をト記ガス収容部
３０内の化合物ガス３１に照射し、該化合物を分解して
上記蒸着物質原子を生成するとともに該蒸着物質原子の
一部を励起するためのものである。
次に動作について説明する。
ここで、本実施例においては、基板１８の表面にシリコ
ン（Ｓｉ ）薄膜を蒸着形成する場合について説明する
。
ン（Ｓｉ ）薄膜を蒸着形成する場合について説明する
。
まず、真空槽１内を真空排気装置により１Ｏ−９Ｔ。
ｒｒ （通常１０〜８〜１０−’Ｔｏｒｒ程度）の真空
度に排気する。そして常温ガスの化合物３１としてシラ
ン（ＳｉＨ４）を用い、これをガス収容部３０に、その
内部のガス圧が１０Ｔｏｒｒ （通常１０−’ 〜１０
３Ｔｏｒｒ程度）になるようバルブ３３により調整しな
がら供給する。
度に排気する。そして常温ガスの化合物３１としてシラ
ン（ＳｉＨ４）を用い、これをガス収容部３０に、その
内部のガス圧が１０Ｔｏｒｒ （通常１０−’ 〜１０
３Ｔｏｒｒ程度）になるようバルブ３３により調整しな
がら供給する。
次に上記ガス収容部３０内のシランガス３１にレーザ発
振器３５からのレーザビーム３６が照射されると、シラ
ン（ＳｉＨ４）が分解してシリコン（Ｓｉ）と水素（２
Ｈ２）とが生成されるとともに、上記シリコンの一部の
原子が上記レーザビーム３６の照射により励起される。
振器３５からのレーザビーム３６が照射されると、シラ
ン（ＳｉＨ４）が分解してシリコン（Ｓｉ）と水素（２
Ｈ２）とが生成されるとともに、上記シリコンの一部の
原子が上記レーザビーム３６の照射により励起される。
そしてこのシリコンの励起原子は、励起されていない非
励起原子とともにノズル３０ａを通って真空槽１内に噴
出され、これにより上記シリコンは、励起原子を含む励
起クラスタ４６及び非励起原子のみから非励起クラスタ
１５となる。この際、冷却管３４によって上記ガス収容
部３０の温度をコントロールすることにより、上記各ク
ラスタ４６．１５のサイズがコントロールされる。
励起原子とともにノズル３０ａを通って真空槽１内に噴
出され、これにより上記シリコンは、励起原子を含む励
起クラスタ４６及び非励起原子のみから非励起クラスタ
１５となる。この際、冷却管３４によって上記ガス収容
部３０の温度をコントロールすることにより、上記各ク
ラスタ４６．１５のサイズがコントロールされる。
このようにして上記シリコンの励起クラスタ４６及び非
励起クラスタ１５ば上記ガス収容部３０から噴出された
運動エネルギでもって基板１８に衝突し、これにより基
板１８上にシリコン薄膜が蒸着形成される。なお、上記
シラン分子から分別生成された水素ガスは、真空槽１外
へ排気される。
励起クラスタ１５ば上記ガス収容部３０から噴出された
運動エネルギでもって基板１８に衝突し、これにより基
板１８上にシリコン薄膜が蒸着形成される。なお、上記
シラン分子から分別生成された水素ガスは、真空槽１外
へ排気される。
このような本実施例装置では、常温ガスの化合物を用い
てクラスタを発生させるようにしたので、従来装置のよ
うに蒸着物質蒸気を得るための加熱機構が全く不要とな
り、装置の構造を非常に簡単に、かつ運転に必要な電力
を著しく低減できるとともに、蒸気化させるのに高温度
を要する物質や、反応性の高い物質の薄膜をも容易に形
成できる。
てクラスタを発生させるようにしたので、従来装置のよ
うに蒸着物質蒸気を得るための加熱機構が全く不要とな
り、装置の構造を非常に簡単に、かつ運転に必要な電力
を著しく低減できるとともに、蒸気化させるのに高温度
を要する物質や、反応性の高い物質の薄膜をも容易に形
成できる。
またガス収容部３０内の化合物ガス３１にレーザビーム
３６を照射して蒸着物質原子を生成し、これを励起する
ようにしたので、蒸着物質原子が高密度で存在する部分
で励起化が行なわれることとなり、その励起効率を著し
く高めることができる。
３６を照射して蒸着物質原子を生成し、これを励起する
ようにしたので、蒸着物質原子が高密度で存在する部分
で励起化が行なわれることとなり、その励起効率を著し
く高めることができる。
さらに、従来装置のようにイオン化手段からの輻射熱に
より基板１８が温度上昇することもなく、そのため薄膜
形成に不都合を生しることもない。
より基板１８が温度上昇することもなく、そのため薄膜
形成に不都合を生しることもない。
なお、十記実ｊ１ム例ではシラン（ＳｉＨ４）を用いて
シリコン（Ｓｉ ） ｉｌｔ’を形成する場合について
説明したが、本発明はこれに限るものではなく、たとえ
ば炭素（Ｃ）！股を形成する場合はメタン（Ｃ）１４）
を用い、タングステン（Ｗ）’Ｎｔ膜を形成する場合は
フッ化タングステン（ＷＦｅ）を用いるなど、適当な化
合物ガスを選んで上記実施例と同様の方法で各種の薄膜
形成が可能となる。
シリコン（Ｓｉ ） ｉｌｔ’を形成する場合について
説明したが、本発明はこれに限るものではなく、たとえ
ば炭素（Ｃ）！股を形成する場合はメタン（Ｃ）１４）
を用い、タングステン（Ｗ）’Ｎｔ膜を形成する場合は
フッ化タングステン（ＷＦｅ）を用いるなど、適当な化
合物ガスを選んで上記実施例と同様の方法で各種の薄膜
形成が可能となる。
また、上記実施例では化合物にレーザビームを照射する
ようにしたが、これは可視光、紫外線、Ｘ線、γ線でも
よく、上記実施例と同様の効果が得られる。
ようにしたが、これは可視光、紫外線、Ｘ線、γ線でも
よく、上記実施例と同様の効果が得られる。
以上のように、本発明によれば、クラスタイオン蒸着装
置において、常温ガスの物質を用いてクラスタを発生さ
せるようにしたので、構造が簡単で、かつ運転に必要な
電力を著しく低減できるとともに、反応性の高い物質等
の薄膜をも容易に形成でき、しかも上記常温ガス物質を
収容するガス収容部内に光を照射して該ガス収容部から
発生されるクラスタの一部を励起されたクラスタとする
ようにしたので、基板の温度上昇を無くすことができる
効果がある。
置において、常温ガスの物質を用いてクラスタを発生さ
せるようにしたので、構造が簡単で、かつ運転に必要な
電力を著しく低減できるとともに、反応性の高い物質等
の薄膜をも容易に形成でき、しかも上記常温ガス物質を
収容するガス収容部内に光を照射して該ガス収容部から
発生されるクラスタの一部を励起されたクラスタとする
ようにしたので、基板の温度上昇を無くすことができる
効果がある。
第１図は従来の薄膜蒸着装置の概略構成図、第２図はそ
の真空槽内を示す斜視図、第３図は本発明の一実施例に
よる薄膜蒸着装置の概略構成図である。 １・・・真空槽、１５・・・励起されていないクラスタ
、１８・・・基板、３０・・・ノズル付ガス収容部、３
１・・・常温ガスの化合物、３５・・・レーザ発振器（
光源）、４６・・・励起クラスタ。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 第１頁の続き ０発 明 者 花 井 正 博 尼崎市塚口来町１作所
内 ３丁目１番１号 三菱電機株式会社伊丹製千 イ、ダこ
袖 止 書 （自発） ２ 発明の名称 薄膜蒸着装置 ：う、 ｔ＋１ｉＩＦを−４−る古 ・Ｂ ｆ’ｌとの関係 ’ｉ！’ｉｉ′ｌｌ′ｂｒ１−
所 東３；（都Ｆ“代１．１１区丸の内−ｊ′目２番
３翼−名 （ｊ、（６０１） 、−′、菱′屯機株式会
社代表台 ハ １．１１ 仁 八 部 ４代理人 １１ 所 東卓都丁−代ｌｉｔ区丸の内置１’ｌ”１２
番：３跨５、補正の対象 ］書の特許請求の範囲の欄１発明の詳細な説１、及び図
面の簡単な説明の欄 １正の内容 明細書の特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）明細書第７頁第１３行、第１１頁第１行。 第１２頁第１０行、及び第１３頁第６行の「常温ガスの
」を「常温でガス状の」に訂正する。 （３）同第９頁第１８行のｒｌｏ３ＴｏｒｒＪをｒ ｌ
０Ｔｏｒｒ」に訂正する。 （４）同第１０頁第１９行の「分離」を「分解」に訂正
する。 以 上 特許請求の範囲 ｉｌｌ所定の真空度に保持された真空槽と、該真空槽内
に設けられ基板に蒸着すべき物質を有する常温ヱガス伏
の化合物を収容するとともに上記蒸着物質原子を噴出し
て該蒸着物質原子が緩く結合したクラスタを発生するノ
ズル付ガス収容部と、該ガス収容部内の化合物に光を照
射して該化合物を分解し上記蒸着物質原子を生成すると
ともに上記ガス収容部から発生されるクラスタの一部を
励起されたクラスタとする光源とを備え、上記励起され
たクラスタを励起されていないクラスタとともに基板に
衝突させて薄膜を蒸着させることを特徴とする薄膜蒸着
袋デ。
の真空槽内を示す斜視図、第３図は本発明の一実施例に
よる薄膜蒸着装置の概略構成図である。 １・・・真空槽、１５・・・励起されていないクラスタ
、１８・・・基板、３０・・・ノズル付ガス収容部、３
１・・・常温ガスの化合物、３５・・・レーザ発振器（
光源）、４６・・・励起クラスタ。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 大岩増雄 第１図 第２図 第１頁の続き ０発 明 者 花 井 正 博 尼崎市塚口来町１作所
内 ３丁目１番１号 三菱電機株式会社伊丹製千 イ、ダこ
袖 止 書 （自発） ２ 発明の名称 薄膜蒸着装置 ：う、 ｔ＋１ｉＩＦを−４−る古 ・Ｂ ｆ’ｌとの関係 ’ｉ！’ｉｉ′ｌｌ′ｂｒ１−
所 東３；（都Ｆ“代１．１１区丸の内−ｊ′目２番
３翼−名 （ｊ、（６０１） 、−′、菱′屯機株式会
社代表台 ハ １．１１ 仁 八 部 ４代理人 １１ 所 東卓都丁−代ｌｉｔ区丸の内置１’ｌ”１２
番：３跨５、補正の対象 ］書の特許請求の範囲の欄１発明の詳細な説１、及び図
面の簡単な説明の欄 １正の内容 明細書の特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）明細書第７頁第１３行、第１１頁第１行。 第１２頁第１０行、及び第１３頁第６行の「常温ガスの
」を「常温でガス状の」に訂正する。 （３）同第９頁第１８行のｒｌｏ３ＴｏｒｒＪをｒ ｌ
０Ｔｏｒｒ」に訂正する。 （４）同第１０頁第１９行の「分離」を「分解」に訂正
する。 以 上 特許請求の範囲 ｉｌｌ所定の真空度に保持された真空槽と、該真空槽内
に設けられ基板に蒸着すべき物質を有する常温ヱガス伏
の化合物を収容するとともに上記蒸着物質原子を噴出し
て該蒸着物質原子が緩く結合したクラスタを発生するノ
ズル付ガス収容部と、該ガス収容部内の化合物に光を照
射して該化合物を分解し上記蒸着物質原子を生成すると
ともに上記ガス収容部から発生されるクラスタの一部を
励起されたクラスタとする光源とを備え、上記励起され
たクラスタを励起されていないクラスタとともに基板に
衝突させて薄膜を蒸着させることを特徴とする薄膜蒸着
袋デ。
Claims (1)
- （１）所定の真空度に保持された真空槽と、該真空槽内
に設けられ基板に蒸着すべき物質を有する常温ガスの化
合物を収容するとともに上記蒸着物質原子を噴出して該
蒸着物質原子が緩く結合したクラスタを発生ずるノズル
付ガス収容部と、該ガス収容部内の化合物に光を照射し
て該化合物を分解し上記蒸着物質原子を生成するととも
に上記ガス収容部から発生されるクラスタの一部を励起
されたクラスタとする光源とを備え、上記励起されたク
ラスタを励起されていないクラスタとともに基板に衝突
させて薄膜を蒸着させることを特徴とする薄膜蒸着装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23557883A JPS60124928A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23557883A JPS60124928A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124928A true JPS60124928A (ja) | 1985-07-04 |
Family
ID=16988063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23557883A Pending JPS60124928A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124928A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0351905A2 (de) * | 1988-07-16 | 1990-01-24 | Philips Patentverwaltung GmbH | Verfahren zur Herstellung von Festkörpern |
-
1983
- 1983-12-12 JP JP23557883A patent/JPS60124928A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0351905A2 (de) * | 1988-07-16 | 1990-01-24 | Philips Patentverwaltung GmbH | Verfahren zur Herstellung von Festkörpern |
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