JPH0397855A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
- Publication number
- JPH0397855A JPH0397855A JP23364089A JP23364089A JPH0397855A JP H0397855 A JPH0397855 A JP H0397855A JP 23364089 A JP23364089 A JP 23364089A JP 23364089 A JP23364089 A JP 23364089A JP H0397855 A JPH0397855 A JP H0397855A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- vapor deposition
- moisture
- deposition chamber
- target
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分ＭＦ ’）
本発明は超伝導薄膜製造とかＩ ＣＪｆｌＡ ｅ配線等
に用いられるスパッタリング装置に関する。
に用いられるスパッタリング装置に関する。
（従来の技術）
ＡｅとかＮｂ等のゲッター作用のある物質の薄膜をスパ
ッタリング法によって制作する場合、ＡｅとかＮｂは水
分と反応して酸化されるため、製膜に当って雰囲気中の
水分の除去が不可欠である。このため従来は蒸着室を１
０−８Ｔｏｒｒ以上の高真空に排気し、かつ充分にプ
レスパッタリングを行って蒸着室の壁面から放出される
水分を除去するようにしている。しかし陰極スパッタリ
ングとか高周波スパッタリングを行う場合蒸着室に導入
されるＡｒ等の雰囲気ガスが元々（不純物として）含ん
でいる水分とかガス導入用配管から放出される水分はそ
のま＼蒸着室に流入してしまうので、水分の充分な除去
はきわめて困難であった。
ッタリング法によって制作する場合、ＡｅとかＮｂは水
分と反応して酸化されるため、製膜に当って雰囲気中の
水分の除去が不可欠である。このため従来は蒸着室を１
０−８Ｔｏｒｒ以上の高真空に排気し、かつ充分にプ
レスパッタリングを行って蒸着室の壁面から放出される
水分を除去するようにしている。しかし陰極スパッタリ
ングとか高周波スパッタリングを行う場合蒸着室に導入
されるＡｒ等の雰囲気ガスが元々（不純物として）含ん
でいる水分とかガス導入用配管から放出される水分はそ
のま＼蒸着室に流入してしまうので、水分の充分な除去
はきわめて困難であった。
（発明が解決しようとする課題）
本発明はプレスパッタリングによっては除去できない雰
囲気ガスおよびその導入管系に由来する水分をも充分に
除去できるようにしたスパッタリング装置を提供しよう
とするものである。
囲気ガスおよびその導入管系に由来する水分をも充分に
除去できるようにしたスパッタリング装置を提供しよう
とするものである。
（課題を解決するための手段）
蒸着室に連通させて予備室を設け、この予備室を通して
雰囲気ガスを導入するようにすると共に、予備室内でゲ
ッター作用のある物質のスパッタリングを行うようにし
た。
雰囲気ガスを導入するようにすると共に、予備室内でゲ
ッター作用のある物質のスパッタリングを行うようにし
た。
（作用）
雰囲気ガスは予備室を通して蒸着室に導入され、予備室
においてゲッター作用のある物質のスパッタリングが行
われているので、予備室において雰囲気ガス中にもとｔ
）と含まれていた水分および雰囲気ガス導入管系の壁面
から放出される水分はスパッタリング物質により吸収さ
れてしまい、蒸着室内雰囲気の水分は充分に除去された
状態となる。
においてゲッター作用のある物質のスパッタリングが行
われているので、予備室において雰囲気ガス中にもとｔ
）と含まれていた水分および雰囲気ガス導入管系の壁面
から放出される水分はスパッタリング物質により吸収さ
れてしまい、蒸着室内雰囲気の水分は充分に除去された
状態となる。
（実施例）
図面は本発明の一実施例装置を示す。１は蒸着室で排気
装立２に接続されている．，排気装置にはターボ分Ｔボ
ンブとかクラ−１′１ボ．．・ブが用いられる。３は予
備室で蒸着室１とはなるべく短距離に直紀され、両者の
間にはバルブ４が設けられている。５はスパッタリング
を行・うたぬの雰囲気ガスのＡ ｒガス溜である。この
装置は高周波スパッタリングを行う装置Ｃ゛、６は製脇
基板でアースに接続されており、７は基板６に対向して
配置されたターゲットで蒸着物質例ズばＮｂで作られて
おり、マッチング回路８を介し１′Ｔ″高周波電源９に
接続されている。予備室３内において、１０はゲッター
作用のある物質よりなるクーゲットで、マッヂング回路
１１を介して高周波電源１２に接続されている。予備室
内に設置されるターゲットはゲッター作用のある物質で
あればよいが、基板８上に形戒する膜と同種物質を用い
ると予備室にわけるスパッタリング＠質による基板の汚
染かなくなる。
装立２に接続されている．，排気装置にはターボ分Ｔボ
ンブとかクラ−１′１ボ．．・ブが用いられる。３は予
備室で蒸着室１とはなるべく短距離に直紀され、両者の
間にはバルブ４が設けられている。５はスパッタリング
を行・うたぬの雰囲気ガスのＡ ｒガス溜である。この
装置は高周波スパッタリングを行う装置Ｃ゛、６は製脇
基板でアースに接続されており、７は基板６に対向して
配置されたターゲットで蒸着物質例ズばＮｂで作られて
おり、マッチング回路８を介し１′Ｔ″高周波電源９に
接続されている。予備室３内において、１０はゲッター
作用のある物質よりなるクーゲットで、マッヂング回路
１１を介して高周波電源１２に接続されている。予備室
内に設置されるターゲットはゲッター作用のある物質で
あればよいが、基板８上に形戒する膜と同種物質を用い
ると予備室にわけるスパッタリング＠質による基板の汚
染かなくなる。
基板交換時にはバルブ４を閉じ、蒸着室を大気に開放し
て基板交換を行い、一旦高真空に排気して蒸着室内でプ
レスバッタリングを行い、基板交換時に大気に触れた蒸
着室壁からの放出水分を陀き、その後バルブ４を開く。
て基板交換を行い、一旦高真空に排気して蒸着室内でプ
レスバッタリングを行い、基板交換時に大気に触れた蒸
着室壁からの放出水分を陀き、その後バルブ４を開く。
このようにすると基板交換時に予備室に大気からの水蒸
気が入り込むのが防がれ予備室の状態が安定するまでの
時間が短縮され作業能率が向上ずる。
気が入り込むのが防がれ予備室の状態が安定するまでの
時間が短縮され作業能率が向上ずる。
上述実施例では予ｉ室におけるゲッター物質のスパッタ
リングに高周波スバックリングを用いているが、水分除
大は／７”ツター作用を持つ物質の活性原子或は分子に
よって行われるので、活性原子或は分子を作る方法は任
意であり、高周波スパッタリングの他、ＥＣＲプラズマ
，反応性蒸着なとによっても活性厭子或は分子を作るこ
とができる。
リングに高周波スバックリングを用いているが、水分除
大は／７”ツター作用を持つ物質の活性原子或は分子に
よって行われるので、活性原子或は分子を作る方法は任
意であり、高周波スパッタリングの他、ＥＣＲプラズマ
，反応性蒸着なとによっても活性厭子或は分子を作るこ
とができる。
（発明の効果）
従来は製膜に当って蒸着室壁面の水分除去だけでなく、
導入される雰囲気ガスの導入管系の水分の放出が充分低
下する迄プレスバッタリングを続ける必要があって、プ
レスバッタリングに長時間を要し、しかも雰囲気ガスが
もともと含んでいる水分の除去はできなかったが、本発
明では雰囲気ガス導入管系からの放出水分は雰囲気ガス
そのものの含有水分と共に予備室で除去されるので管系
の水分放山が充分低下するのを待つ必要がなく、作業能
率が向上すると共に、従来除去困難であった雰囲気ガス
中の水分の除ノニもできて、得られる膜の品質が向上す
る。
導入される雰囲気ガスの導入管系の水分の放出が充分低
下する迄プレスバッタリングを続ける必要があって、プ
レスバッタリングに長時間を要し、しかも雰囲気ガスが
もともと含んでいる水分の除去はできなかったが、本発
明では雰囲気ガス導入管系からの放出水分は雰囲気ガス
そのものの含有水分と共に予備室で除去されるので管系
の水分放山が充分低下するのを待つ必要がなく、作業能
率が向上すると共に、従来除去困難であった雰囲気ガス
中の水分の除ノニもできて、得られる膜の品質が向上す
る。
図面は本発明の一実施例装詮の側面図である。
１・・・蒸着室、２・・・排気装置、３・・・予Ｉｉｉ
室、４・・・バルブ、ら・・・Ａｒガス溜め、６・・・
基板、７・・・夕一ゲット、９・・・高周波Ｔ４源、】
０・・・ゲッター作用物質のターゲット、１２・・・高
周波電源。
室、４・・・バルブ、ら・・・Ａｒガス溜め、６・・・
基板、７・・・夕一ゲット、９・・・高周波Ｔ４源、】
０・・・ゲッター作用物質のターゲット、１２・・・高
周波電源。
Claims (1)
- 蒸着室に連通させて予備室を設け、この予備室に雰囲
気ガス導入系を接続し、予備室内にゲッター作用のある
物質のスパッタリング手段を設けたことを特徴とするス
パッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23364089A JPH0397855A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23364089A JPH0397855A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397855A true JPH0397855A (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=16958211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23364089A Pending JPH0397855A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0397855A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997004142A1 (en) * | 1995-07-19 | 1997-02-06 | Teer Coatings Limited | Methods for deposition of molybdenum sulphide |
| JP2009065181A (ja) * | 2006-03-03 | 2009-03-26 | Canon Anelva Corp | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| US8367156B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-02-05 | Canon Anelva Corporation | Method of manufacturing magnetoresistive device and apparatus for manufacturing the same |
-
1989
- 1989-09-07 JP JP23364089A patent/JPH0397855A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997004142A1 (en) * | 1995-07-19 | 1997-02-06 | Teer Coatings Limited | Methods for deposition of molybdenum sulphide |
| JP2009065181A (ja) * | 2006-03-03 | 2009-03-26 | Canon Anelva Corp | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
| US8367156B2 (en) | 2006-03-03 | 2013-02-05 | Canon Anelva Corporation | Method of manufacturing magnetoresistive device and apparatus for manufacturing the same |
| US10629804B2 (en) | 2006-03-03 | 2020-04-21 | Canon Anelva Corporation | Method of manufacturing magnetoresistive device |
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