JPS62274067A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPS62274067A JPS62274067A JP11875586A JP11875586A JPS62274067A JP S62274067 A JPS62274067 A JP S62274067A JP 11875586 A JP11875586 A JP 11875586A JP 11875586 A JP11875586 A JP 11875586A JP S62274067 A JPS62274067 A JP S62274067A
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- gaseous
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- Pending
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
＆ 発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜形成に関し、特に基板上の凹凸部の側面成
長に関する。
長に関する。
従来、薄膜形成法に関しては、ＣｖＤ法スパッタ法等の
方法があるが、基板の凹凸に対してはいずれの方法にお
いても凹凸部の形状を保存して成長が行なわれる様にな
っている。
方法があるが、基板の凹凸に対してはいずれの方法にお
いても凹凸部の形状を保存して成長が行なわれる様にな
っている。
従来のＣＶＤ法やスパッタ法では凹凸部の形状が保存さ
れるため基板表面が平坦にならず、基板表面上の配線等
が切れたりするという欠点がある。
れるため基板表面が平坦にならず、基板表面上の配線等
が切れたりするという欠点がある。
本発明の薄膜形成方法は、反応性イオンと反応ガスによ
る生成物を反応性イオンと同時に入射される不活性イオ
ンのスパッタリングにより、イオンの入射方向と垂直な
基板面〈は堆積させないで、スパッタリングが起らない
基板の凹凸側面部のみに付着させることを特徴とする。
る生成物を反応性イオンと同時に入射される不活性イオ
ンのスパッタリングにより、イオンの入射方向と垂直な
基板面〈は堆積させないで、スパッタリングが起らない
基板の凹凸側面部のみに付着させることを特徴とする。
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の薄膜成長装置の縦断面である。
カソードフィラメント１は熱電子を放出し、イオン化室
３にガス導入口４から不活性ガスＡｒと活性ガス０２が
導かれ、２の磁石により回転運動している電子と衝突し
Ａｒ とＯが生成する。生成したＡｒ、０の各ガスはグ
リッド５により加速され６の反応室に導びかれる。反応
室６にはグリッド５から加速されてくるイオンの入射方
向と垂直に試料台７があり、試料台７の上に表面に凹凸
のある基板８が置かれていて、反応性ガスＳｉＨ４がガ
ス導入口９により基板８０表面を通って１０の真空排口
によって排気される。グリッド５から入射する活性ガス
Ｏイオンは基板表面上のＳ ｉＨ。
３にガス導入口４から不活性ガスＡｒと活性ガス０２が
導かれ、２の磁石により回転運動している電子と衝突し
Ａｒ とＯが生成する。生成したＡｒ、０の各ガスはグ
リッド５により加速され６の反応室に導びかれる。反応
室６にはグリッド５から加速されてくるイオンの入射方
向と垂直に試料台７があり、試料台７の上に表面に凹凸
のある基板８が置かれていて、反応性ガスＳｉＨ４がガ
ス導入口９により基板８０表面を通って１０の真空排口
によって排気される。グリッド５から入射する活性ガス
Ｏイオンは基板表面上のＳ ｉＨ。
と反応し、Ｓｉｎ、となり基板の凹凸に沿って堆積する
。一方グリッド５から入射するＡｒイオンは反応生成物
のＳｉｎ、をスパッタし、入射方向と垂直な面の５ｉｎ
２を削り取る。従って基板表面の凹凸の側面のみに反応
生成物が堆積する。
。一方グリッド５から入射するＡｒイオンは反応生成物
のＳｉｎ、をスパッタし、入射方向と垂直な面の５ｉｎ
２を削り取る。従って基板表面の凹凸の側面のみに反応
生成物が堆積する。
以上説明したように本発明は、活性イオンと反応性ガス
により基板凹凸に沿う成長と不活性イオン入射方向と垂
直な面の不活性イオンによるスパッタリングが同時に起
るため基板凹凸部の側面のみの成長が行え、凹部が埋ま
るまで成長すれば平坦な基板が得られる。
により基板凹凸に沿う成長と不活性イオン入射方向と垂
直な面の不活性イオンによるスパッタリングが同時に起
るため基板凹凸部の側面のみの成長が行え、凹部が埋ま
るまで成長すれば平坦な基板が得られる。
又、実施例では反応ガスとしてＳｉＨ，、反応性イオン
として０イオンの組み合せを示したが、反応性イオンを
Ｎイオンにすれば当然反応生成物も変わシＳｉＮ 膜が
成長でき、その組み合せは種々あることはいうまでもな
い。
として０イオンの組み合せを示したが、反応性イオンを
Ｎイオンにすれば当然反応生成物も変わシＳｉＮ 膜が
成長でき、その組み合せは種々あることはいうまでもな
い。
第１図は本発明の成長方法を行うための装置の縦断面図
である。 １・・・・・・カソードフィラメント、２・・・・・・
磁石、３・・・・・・イオン化室、４・・・・・・活性
、不活性イオン用のガス導入口、５・・・・・・活性、
不活性イオン加速グリッド、６・・・・・−反応室、７
・・・・・・試料台、８・・・・・・凹凸のある基板、
９・・・・・・反応性ガス導入口、１０・・・・・・ガ
ス排気口。
である。 １・・・・・・カソードフィラメント、２・・・・・・
磁石、３・・・・・・イオン化室、４・・・・・・活性
、不活性イオン用のガス導入口、５・・・・・・活性、
不活性イオン加速グリッド、６・・・・・−反応室、７
・・・・・・試料台、８・・・・・・凹凸のある基板、
９・・・・・・反応性ガス導入口、１０・・・・・・ガ
ス排気口。
Claims (1)
- 反応性イオンと反応するガス中の基板に、指向性の反応
性イオンと不活性イオンを基板に対し垂直に入射させ、
反応性イオンと反応ガスによる生成物を同時に入射され
た不活性イオンのスパッタリングにより、イオンの入射
方向と垂直な基板面には生成物が堆積させないことを特
徴とする薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11875586A JPS62274067A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11875586A JPS62274067A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62274067A true JPS62274067A (ja) | 1987-11-28 |
Family
ID=14744252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11875586A Pending JPS62274067A (ja) | 1986-05-22 | 1986-05-22 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62274067A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100277321B1 (ko) * | 1997-02-19 | 2001-01-15 | 미다라이 후지오 | 반응성스퍼터링장치및이를이용하는박막형성방법 |
| KR100278190B1 (ko) * | 1997-02-19 | 2001-01-15 | 미다라이 후지오 | 박막형성장치및이를이용한박막형성방법 |
| US6238527B1 (en) | 1997-10-08 | 2001-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film forming apparatus and method of forming thin film of compound by using the same |
-
1986
- 1986-05-22 JP JP11875586A patent/JPS62274067A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100277321B1 (ko) * | 1997-02-19 | 2001-01-15 | 미다라이 후지오 | 반응성스퍼터링장치및이를이용하는박막형성방법 |
| KR100278190B1 (ko) * | 1997-02-19 | 2001-01-15 | 미다라이 후지오 | 박막형성장치및이를이용한박막형성방법 |
| US6451184B1 (en) | 1997-02-19 | 2002-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film forming apparatus and process for forming thin film using same |
| US6238527B1 (en) | 1997-10-08 | 2001-05-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film forming apparatus and method of forming thin film of compound by using the same |
| KR100317208B1 (ko) * | 1997-10-08 | 2002-01-12 | 미다라이 후지오 | 박막형성장치및그를이용한화합물박막형성방법 |
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