JPH02115359A - 化合物薄膜作成方法および装置 - Google Patents
化合物薄膜作成方法および装置Info
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- JPH02115359A JPH02115359A JP26872488A JP26872488A JPH02115359A JP H02115359 A JPH02115359 A JP H02115359A JP 26872488 A JP26872488 A JP 26872488A JP 26872488 A JP26872488 A JP 26872488A JP H02115359 A JPH02115359 A JP H02115359A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は化合物薄膜作成方法および装置に関し、特に真
空下で化合物薄膜を成膜する化合物薄膜作成方法および
装置に関するものである。
空下で化合物薄膜を成膜する化合物薄膜作成方法および
装置に関するものである。
[従来の技術]
従来、化合物薄膜を作成する方法としては、成膜源から
粒子がはじき出された後、その粒子が基鈑に到達するま
でに1反応性ガスを吹き出して両者間に化合物化反応を
起こさせ、基板上に化合物を堆積させることにより、薄
膜を作成する方法が知られている。
粒子がはじき出された後、その粒子が基鈑に到達するま
でに1反応性ガスを吹き出して両者間に化合物化反応を
起こさせ、基板上に化合物を堆積させることにより、薄
膜を作成する方法が知られている。
この方法として、・例えばDCスパッタリング法あるい
はRFスパッタリング法等を用いた反応性スパッタリン
グ法が知られているが、この方法においては10−”T
orr程度のArガス中でグロー放電等によってスパッ
タリング現象を起こさせて成膜源から粒子をはじき出し
、この粒子が基板に向かって飛来する途中に、例えば0
2ガス、N2ガス、メタンガス、アセチレンガス、H2
ガス、H2Sガスなどの反応性ガスを吹出して、飛来す
る粒子をこの反応ガスと反応させることによって基板上
に酸化薄膜、窒化薄膜、炭化薄膜、水素化薄膜、硫化薄
膜などの化合物薄膜を基板上に作成するようになってい
る。
はRFスパッタリング法等を用いた反応性スパッタリン
グ法が知られているが、この方法においては10−”T
orr程度のArガス中でグロー放電等によってスパッ
タリング現象を起こさせて成膜源から粒子をはじき出し
、この粒子が基板に向かって飛来する途中に、例えば0
2ガス、N2ガス、メタンガス、アセチレンガス、H2
ガス、H2Sガスなどの反応性ガスを吹出して、飛来す
る粒子をこの反応ガスと反応させることによって基板上
に酸化薄膜、窒化薄膜、炭化薄膜、水素化薄膜、硫化薄
膜などの化合物薄膜を基板上に作成するようになってい
る。
また、薄膜を作成する他の方法として、抵抗加熱等によ
って成膜源を溶融蒸発させて基板に膜を堆積させる反応
性蒸着法も知られており、この方法においては10−”
〜10−’Torr程度の圧力中で蒸着中に反応性ガス
を吹き入れることによって化合物薄膜を形成するように
なっている。
って成膜源を溶融蒸発させて基板に膜を堆積させる反応
性蒸着法も知られており、この方法においては10−”
〜10−’Torr程度の圧力中で蒸着中に反応性ガス
を吹き入れることによって化合物薄膜を形成するように
なっている。
更に、成膜源より飛来する原子をイオン化あるいは励起
させて吹き入れた反応性ガスとの間に反応をおこさせる
ことにより化合物薄膜を得る反応性イオンブレーティン
グなども知られている。
させて吹き入れた反応性ガスとの間に反応をおこさせる
ことにより化合物薄膜を得る反応性イオンブレーティン
グなども知られている。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、これらの従来の方法では、いずれも成膜
源から飛来する粒子と反応させるために真空槽中に導入
された反応性ガスが1粒子の飛来する空間はもちろん成
膜源が配設されている場所にも侵入してしまう、このた
め、成膜源自体が反応性ガスに曝されることになるので
、成膜源はどうしてもこの反応性ガスの影響を受けてし
まう。
源から飛来する粒子と反応させるために真空槽中に導入
された反応性ガスが1粒子の飛来する空間はもちろん成
膜源が配設されている場所にも侵入してしまう、このた
め、成膜源自体が反応性ガスに曝されることになるので
、成膜源はどうしてもこの反応性ガスの影響を受けてし
まう。
すなわち、反応性ガスと成膜源との間で反応が起こるの
で、成膜源は化学的に変化してしまう。
で、成膜源は化学的に変化してしまう。
例えば反応性ガスとして酸素ガスを用いた場合、成膜源
の表面に酸化膜が形成してしまうので、この酸化膜によ
り成膜源の成膜レートが左右される。このため、膜厚お
よび反応の程度を制御することが難しくなり、薄膜作成
における再現性あるいは安定性がともに悪くなってしま
う。
の表面に酸化膜が形成してしまうので、この酸化膜によ
り成膜源の成膜レートが左右される。このため、膜厚お
よび反応の程度を制御することが難しくなり、薄膜作成
における再現性あるいは安定性がともに悪くなってしま
う。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであっ
て、その目的は、成膜源が反応ガスによって影響される
ことがないようにして、膜厚を容易に制御することがで
きる化合物薄膜作成方法および装置を提供することであ
る。
て、その目的は、成膜源が反応ガスによって影響される
ことがないようにして、膜厚を容易に制御することがで
きる化合物薄膜作成方法および装置を提供することであ
る。
[課題を解決するための手段]
このような課題を解決するために、請求項1の発明は、
基板上に所定膜厚の薄膜を成膜した後、この薄膜と反応
性ガスとによる化合物化反応を行うことにより、化合物
薄膜を作成することを特徴としている。
基板上に所定膜厚の薄膜を成膜した後、この薄膜と反応
性ガスとによる化合物化反応を行うことにより、化合物
薄膜を作成することを特徴としている。
また、請求項2の発明は、基板上に所定膜厚以下の薄膜
を成膜した後、この薄膜と反応性ガスとによる化合物化
反応を行い、次いで、更にこの薄膜上に薄膜を成膜した
後、再び薄膜と反応ガスとを反応させるようにして、成
膜と化合物反応とを交互行うことにより、所定膜厚の薄
膜を作成することを特徴としている。
を成膜した後、この薄膜と反応性ガスとによる化合物化
反応を行い、次いで、更にこの薄膜上に薄膜を成膜した
後、再び薄膜と反応ガスとを反応させるようにして、成
膜と化合物反応とを交互行うことにより、所定膜厚の薄
膜を作成することを特徴としている。
更に、請求項3の発明は、真空槽内を仕切壁によって成
膜室と反応室とに区画し、成膜室には成膜源を配設する
とともに1反応室には反応性ガス導入口を備えたプラズ
マ放電機構を配設することを特徴としている。
膜室と反応室とに区画し、成膜室には成膜源を配設する
とともに1反応室には反応性ガス導入口を備えたプラズ
マ放電機構を配設することを特徴としている。
[作用]
このように構成された請求項1および請求項2のそれぞ
れの発明によれば、いずれも薄膜の作成とその薄膜の反
応性ガスによる反応とが別の工程で行われるようになる
。したがって、薄膜作成時に反応性ガスが成膜源に影響
を及ぼすようなことがほとんどない。
れの発明によれば、いずれも薄膜の作成とその薄膜の反
応性ガスによる反応とが別の工程で行われるようになる
。したがって、薄膜作成時に反応性ガスが成膜源に影響
を及ぼすようなことがほとんどない。
また、請求項3の発明の薄膜作成装置によれば、成膜室
内に基板を設置することにより、この成膜室内において
成膜源からの粒子によって薄膜が基板上に作成されるよ
うになる。一方、基板上に薄膜が作成されると、この基
板を反応室の方へ移動して、この反応室においてプラズ
マ放電中にて薄膜と反応性ガスとが反応するようになる
。したがって、薄膜作成時に反応性ガスが成膜室内に侵
入して成膜源に影響を及ぼすようなことはほとんどなく
なる。
内に基板を設置することにより、この成膜室内において
成膜源からの粒子によって薄膜が基板上に作成されるよ
うになる。一方、基板上に薄膜が作成されると、この基
板を反応室の方へ移動して、この反応室においてプラズ
マ放電中にて薄膜と反応性ガスとが反応するようになる
。したがって、薄膜作成時に反応性ガスが成膜室内に侵
入して成膜源に影響を及ぼすようなことはほとんどなく
なる。
[実施例]
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明をバッチ式真空装置による化合物薄膜作
成装置に適用した一実施例の概略断面図である。
成装置に適用した一実施例の概略断面図である。
第1図に示されているように、バッチ式真空装置1の真
空槽2内には、その上部に基板回転機構3が配設されて
いる。この基板回転機構3には、2枚の基板4.5がそ
れぞれ固定されている。
空槽2内には、その上部に基板回転機構3が配設されて
いる。この基板回転機構3には、2枚の基板4.5がそ
れぞれ固定されている。
基板回転機構3の下方において、真空槽2内は仕切壁6
によって成膜室7と反応室8とに仕切られている。成膜
室7内には、その底部に薄膜成膜源9が配設されている
とともに、基板4と成膜源9との間にシャッタIOが配
設されている。また、真空槽2には、Arガスなどの不
活性ガスを成膜室7に導入するための不活性ガス導入口
】lおよび成膜室7内に連通した排気口12が設けられ
ている。
によって成膜室7と反応室8とに仕切られている。成膜
室7内には、その底部に薄膜成膜源9が配設されている
とともに、基板4と成膜源9との間にシャッタIOが配
設されている。また、真空槽2には、Arガスなどの不
活性ガスを成膜室7に導入するための不活性ガス導入口
】lおよび成膜室7内に連通した排気口12が設けられ
ている。
一方、反応室8内の底部には、カソード13が配設され
ている。また、真空槽2には1反応ガスを反応室8に導
入するための反応性ガス導入口14i5よび反応室8内
に連通した排気口15が設けられている。
ている。また、真空槽2には1反応ガスを反応室8に導
入するための反応性ガス導入口14i5よび反応室8内
に連通した排気口15が設けられている。
そして、基板回転機構3はカソード13と協働して放電
を行うアノードとして機能するようになっており、この
基板回転機構3.カソード13および反応性ガス導入口
14によって1本発明のプラズマ放電機構が構成されて
いる。
を行うアノードとして機能するようになっており、この
基板回転機構3.カソード13および反応性ガス導入口
14によって1本発明のプラズマ放電機構が構成されて
いる。
また、成膜源9としては、例えばA1.Fe、In、S
n、Si、Se、Te、Ti、Znなどの他、希土類元
素及びこれらの合金が用いられる。一方、不活性ガスと
しては、Ar、1]e。
n、Si、Se、Te、Ti、Znなどの他、希土類元
素及びこれらの合金が用いられる。一方、不活性ガスと
しては、Ar、1]e。
Ne、Xeなどが用いられ、更に、反応性ガスとしては
、CF、、CH,、C2H□、 Cl 2、H,S、H
2、N2、N83.02などが用いられる。
、CF、、CH,、C2H□、 Cl 2、H,S、H
2、N2、N83.02などが用いられる。
このように構成されたバッチ式真空装置1を用いて、例
えばスパッタリング法により薄膜を作成する場合には、
まず真空槽2内を大気圧以下の圧力に保持する。次に、
化合物薄膜を成膜するために、 I 0−3Torr
程度にの圧力に調整されたArガスを不活性ガス導入口
11から成膜室7内に導入する。次いで、この不活性ガ
スの雰囲気内でスパッタリングにより成膜源9から粒子
をはじき出させ、この粒子を基板4上に完全に所定の膜
厚となるまで堆積させることにより薄膜を形成する。
えばスパッタリング法により薄膜を作成する場合には、
まず真空槽2内を大気圧以下の圧力に保持する。次に、
化合物薄膜を成膜するために、 I 0−3Torr
程度にの圧力に調整されたArガスを不活性ガス導入口
11から成膜室7内に導入する。次いで、この不活性ガ
スの雰囲気内でスパッタリングにより成膜源9から粒子
をはじき出させ、この粒子を基板4上に完全に所定の膜
厚となるまで堆積させることにより薄膜を形成する。
次に、基板回転機構3により、基板4を回転移動して反
応室8内に移動させる。その場合、基板回転機構3によ
って、基板4は速やかに移動するようになる。
応室8内に移動させる。その場合、基板回転機構3によ
って、基板4は速やかに移動するようになる。
そして、反応性ガス導入口14から反応室8内に反応性
ガスを導入するとともに、アノードとして機能する基板
回転機構3とカソード13との間に電圧をかけてプラズ
マ放電を発生させる。これにより、プラズマ放電中にお
いて基板4上の薄膜が反応性ガスに曝されてこの反応性
ガスと反応することにより、基板4上に化合物薄膜が形
成される。
ガスを導入するとともに、アノードとして機能する基板
回転機構3とカソード13との間に電圧をかけてプラズ
マ放電を発生させる。これにより、プラズマ放電中にお
いて基板4上の薄膜が反応性ガスに曝されてこの反応性
ガスと反応することにより、基板4上に化合物薄膜が形
成される。
一方、基板4が反応室8内に移動したときには、もう一
つの基板5が成膜室7内に位置するようになる。そして
同様にして、この基板5上にスパックリング法により薄
膜が作成される。更に、基板回転機構3を回転させて基
板5を反応室8内に移動させる。この反応室8内で基板
5上の薄膜と反応性ガスとをプラズマ放電中にて反応さ
せることにより、化合物薄膜が同様に作成されるように
なる。
つの基板5が成膜室7内に位置するようになる。そして
同様にして、この基板5上にスパックリング法により薄
膜が作成される。更に、基板回転機構3を回転させて基
板5を反応室8内に移動させる。この反応室8内で基板
5上の薄膜と反応性ガスとをプラズマ放電中にて反応さ
せることにより、化合物薄膜が同様に作成されるように
なる。
反応性ガスが反応室8内に導入されるときには、仕切壁
6によって、反応性ガスが成膜室7側へ直接流入するこ
とが阻止される。したがって、反応性ガスによって成膜
源9が影響を受けて化学変化を起こすようなことは少な
い。
6によって、反応性ガスが成膜室7側へ直接流入するこ
とが阻止される。したがって、反応性ガスによって成膜
源9が影響を受けて化学変化を起こすようなことは少な
い。
化合物薄膜が形成された後、反応室8内から反応性ガス
は排気口15から排出される。このとき、排気口15が
成膜源9のある成膜室7の排気口12とは別個に設けら
れているので、これによっても反応性ガスが成膜源9に
及ぼす影響はほとんどない。
は排気口15から排出される。このとき、排気口15が
成膜源9のある成膜室7の排気口12とは別個に設けら
れているので、これによっても反応性ガスが成膜源9に
及ぼす影響はほとんどない。
また、化合物薄膜を作成する他の方法としては、成膜室
7内で基板回転機構3の基板4上に薄膜を所定膜厚以下
に堆積した後、基板回転機構3を回転させて基板4を反
応室8内に移動させ、プラズマ放電中にて基板4上の薄
膜と反応ガスとを化合物化反応させる。その後、基板回
転機構3を回転させて基板4を成膜室7内に移動して化
合物化反応した薄膜上に更に薄膜を堆積させる。そして
、再び基板回転機構3を回転させて基板4を反応室8内
に移動させてこの薄膜と反応ガスとを化合物化反応させ
る。このようにして、基板回転機構3を回転させながら
、成膜と化合物化反応とを交互に行って薄膜が所定の膜
厚となるまでこの操作を繰り返すことにより、基板4−
ヒには、所定膜厚の化合物薄膜が形成されるようになる
。
7内で基板回転機構3の基板4上に薄膜を所定膜厚以下
に堆積した後、基板回転機構3を回転させて基板4を反
応室8内に移動させ、プラズマ放電中にて基板4上の薄
膜と反応ガスとを化合物化反応させる。その後、基板回
転機構3を回転させて基板4を成膜室7内に移動して化
合物化反応した薄膜上に更に薄膜を堆積させる。そして
、再び基板回転機構3を回転させて基板4を反応室8内
に移動させてこの薄膜と反応ガスとを化合物化反応させ
る。このようにして、基板回転機構3を回転させながら
、成膜と化合物化反応とを交互に行って薄膜が所定の膜
厚となるまでこの操作を繰り返すことにより、基板4−
ヒには、所定膜厚の化合物薄膜が形成されるようになる
。
一方、基l1ii5は基板4が位置する室7.8とは逆
の室8.7に位置するようになるので、基板4に対する
工程と異なる他の工程がこの基板5に対して行われるよ
うになる。そして同様に、基板5上にも化合物薄膜が作
成される。
の室8.7に位置するようになるので、基板4に対する
工程と異なる他の工程がこの基板5に対して行われるよ
うになる。そして同様に、基板5上にも化合物薄膜が作
成される。
この場合にも、仕切壁6によって、反応室8に導入され
る反応性ガスが成膜室7の方へ流入することが阻止され
るので、成膜源9は反応性ガスによって影響を受けるこ
とが少ない。
る反応性ガスが成膜室7の方へ流入することが阻止され
るので、成膜源9は反応性ガスによって影響を受けるこ
とが少ない。
第2図は本発明による他の薄膜作成装置を示す第1図と
同様の概略断面図である。
同様の概略断面図である。
第2図に示されているように、この薄膜作成装置1aに
おいては、前述の装置lにおける二つの排気口12.1
5の代わりに、仕切壁6の下方に成膜室7と反応室8と
に連通した一つの共通の排気口16が設けられている。
おいては、前述の装置lにおける二つの排気口12.1
5の代わりに、仕切壁6の下方に成膜室7と反応室8と
に連通した一つの共通の排気口16が設けられている。
この装置1aを用いて薄膜を作成する方法としては前述
の実施例と同様であるのでその説明は省略する。
の実施例と同様であるのでその説明は省略する。
この場合には、排気口16が成膜室7と反応室8とに兼
用されているので、反応性ガスが成膜源9の方に侵入す
るおそれがあるが、その量が少ないので成膜源9が影響
されることはほとんどない。
用されているので、反応性ガスが成膜源9の方に侵入す
るおそれがあるが、その量が少ないので成膜源9が影響
されることはほとんどない。
なお、前述のいずれの実施例においても、基板回転機構
3により基板4を回転させるようにしているが、本発明
は必ずしもこれに限定されるものではなく、薄膜成膜源
9.不活性ガス導入口11.反応性ガス導入口14ある
いは排気口12.15.16等の下部機構を回転させる
ようにすることも可能である。
3により基板4を回転させるようにしているが、本発明
は必ずしもこれに限定されるものではなく、薄膜成膜源
9.不活性ガス導入口11.反応性ガス導入口14ある
いは排気口12.15.16等の下部機構を回転させる
ようにすることも可能である。
また、前述のいずれの実施例とも、基板回転機構3が放
電のためのアノードとして機能するものとしているが、
このアノードは基板回転機構3とは別個に設けるように
することもできる。
電のためのアノードとして機能するものとしているが、
このアノードは基板回転機構3とは別個に設けるように
することもできる。
更に、基板回転機構3に2枚の基板4,5を固定するも
のとしているが、これらの基板は単に1枚だけ固定する
こともできるし、また3枚以上の適宜の枚数を固定する
こともできる。
のとしているが、これらの基板は単に1枚だけ固定する
こともできるし、また3枚以上の適宜の枚数を固定する
こともできる。
第3図は、本発明を、前述のバッチ式真空装置の代わり
にインライン型真空装置式の薄膜作成装置に適用した実
施例を示す、なお、前述の実施例の構成要素と同じ構成
要素には同一の符号を付すことにより、その詳細な説明
は省略する。
にインライン型真空装置式の薄膜作成装置に適用した実
施例を示す、なお、前述の実施例の構成要素と同じ構成
要素には同一の符号を付すことにより、その詳細な説明
は省略する。
第3図に示されているように、薄膜作成装置lbの真空
槽2内は、仕切壁6によって二つの密閉状の成膜室7と
反応室8とに区画されている。
槽2内は、仕切壁6によって二つの密閉状の成膜室7と
反応室8とに区画されている。
成膜室7の上部には薄膜成膜源であるターゲット9が配
設されている。また、成膜室7の底部には基板4が配設
されている。更に真空槽2には、この成膜室7に不活性
ガスを導入するための不活性ガス導入口11が設けられ
ているとともに、排気口12が設けられている。
設されている。また、成膜室7の底部には基板4が配設
されている。更に真空槽2には、この成膜室7に不活性
ガスを導入するための不活性ガス導入口11が設けられ
ているとともに、排気口12が設けられている。
一方、反応室8内の上部にはカソード13が配設されて
いるとともに、底部にアノード17が9設されている。
いるとともに、底部にアノード17が9設されている。
また同様に真空槽2には、反応性ガスを反応室8に導入
するための反応性ガス導入口14が設けられているとと
もに、排気口15が設けられている。
するための反応性ガス導入口14が設けられているとと
もに、排気口15が設けられている。
基板4上に薄膜を形成するにあたって、この基板4を成
膜室7内に設置する1次に、成膜室7内に、導入口11
を通して不活性ガスを導入する。
膜室7内に設置する1次に、成膜室7内に、導入口11
を通して不活性ガスを導入する。
そして、スパッタリングによりターゲット9からの粒子
を基板4上に所定の膜厚となるまで堆積させて薄膜を形
成する0次いで、このような基板4を反応性ガスが導入
されている反応室8内に移動させてプラズマ放電中にお
いて反応性ガスに曝すことにより、基板4上には所定膜
厚の化合物薄膜が形成される。基板4を成膜室7から反
応室8へ移動するための手段は図示されていないが、例
えばベルトコンベア等の適宜の搬送手段を用いることが
できる。
を基板4上に所定の膜厚となるまで堆積させて薄膜を形
成する0次いで、このような基板4を反応性ガスが導入
されている反応室8内に移動させてプラズマ放電中にお
いて反応性ガスに曝すことにより、基板4上には所定膜
厚の化合物薄膜が形成される。基板4を成膜室7から反
応室8へ移動するための手段は図示されていないが、例
えばベルトコンベア等の適宜の搬送手段を用いることが
できる。
また、化合物薄膜を形成する他の方法としては、成膜室
7内で基板4上に所定膜厚以下の薄膜を堆積した後、こ
の基板4を反応室8内に移動させて基板4上の薄膜と反
応性ガスとを化合物化反応させる。その後3基板4を元
の成膜室7内に移動して化合物化反応した薄膜上に更に
薄膜を堆積させる。その後、再び基板4を反応室8内に
移動させてこの薄膜と反応性ガスとを化合物化反応させ
る。このようにして、基板4を成膜室7と反応室8との
間で往復移動させなから成膜と化合物化反応とを交互に
行う、そして、薄膜が所望の膜厚となるまでこの操作を
繰り返すことにより、基板4上には所定膜厚の化合物薄
膜が形成されるようになる。
7内で基板4上に所定膜厚以下の薄膜を堆積した後、こ
の基板4を反応室8内に移動させて基板4上の薄膜と反
応性ガスとを化合物化反応させる。その後3基板4を元
の成膜室7内に移動して化合物化反応した薄膜上に更に
薄膜を堆積させる。その後、再び基板4を反応室8内に
移動させてこの薄膜と反応性ガスとを化合物化反応させ
る。このようにして、基板4を成膜室7と反応室8との
間で往復移動させなから成膜と化合物化反応とを交互に
行う、そして、薄膜が所望の膜厚となるまでこの操作を
繰り返すことにより、基板4上には所定膜厚の化合物薄
膜が形成されるようになる。
この場合にも、仕切壁6によって、反応室8に導入され
る反応性ガスガが成膜室7の方へ流入することが阻止さ
れるので、成膜源9は反応性ガスによって影響を受ける
ようなことはほとんどない。
る反応性ガスガが成膜室7の方へ流入することが阻止さ
れるので、成膜源9は反応性ガスによって影響を受ける
ようなことはほとんどない。
なお、前述の実施例においては、いずれもスパッタリン
グによる薄膜作成について説明しているが1本発明はこ
れに限定されるものではなく、真空蒸着等の他の薄膜作
成方法を用いることもできる。
グによる薄膜作成について説明しているが1本発明はこ
れに限定されるものではなく、真空蒸着等の他の薄膜作
成方法を用いることもできる。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように、本発明による化合物薄
膜作成方法および装置によれば、成膜源が反応性ガスの
影響を受けることが阻止されるので、成膜源が化学的変
化を起こすようなことがほとんどない。したが・)C1
成膜源の成膜レートが変化することはな(、膜厚および
反応の程度の制御を簡単に行うことができるようになる
。これにより、薄膜作成における再現性および安定性が
大幅に向上する。
膜作成方法および装置によれば、成膜源が反応性ガスの
影響を受けることが阻止されるので、成膜源が化学的変
化を起こすようなことがほとんどない。したが・)C1
成膜源の成膜レートが変化することはな(、膜厚および
反応の程度の制御を簡単に行うことができるようになる
。これにより、薄膜作成における再現性および安定性が
大幅に向上する。
第1図は本発明をバッチ型真空装置による薄膜作成装置
に通用した一実施例の概略断面図、第2図は他の薄膜作
成装置の概略断面図、第3図は更に他のインライン型(
ロードロック型)真空装置による薄膜作成装置の概略断
面図である。 第1図 1.1a・・・バッチ型真空装置(薄膜作成装置)lb
・・・インライン型真空装置(薄膜作成装置)。 2・・−真空槽、3・・・基板回転機構(プラズマ放電
機構1.4.5・・・基板、6・・・仕切壁、7−・・
成膜室、8・・・反応室、9・・・成膜源、12・・・
成膜室における排気0.13・・・カソード(プラズマ
放電機構)、14・・・反応性ガス導入口(プラズマ放
電機構)。 15・・・反応室における排気口、16・・・成膜室お
よび反応室における排気口 第2図 特許出願人 大日本印刷株式会社代理人弁理
士 青 木 健 二(外5名)
に通用した一実施例の概略断面図、第2図は他の薄膜作
成装置の概略断面図、第3図は更に他のインライン型(
ロードロック型)真空装置による薄膜作成装置の概略断
面図である。 第1図 1.1a・・・バッチ型真空装置(薄膜作成装置)lb
・・・インライン型真空装置(薄膜作成装置)。 2・・−真空槽、3・・・基板回転機構(プラズマ放電
機構1.4.5・・・基板、6・・・仕切壁、7−・・
成膜室、8・・・反応室、9・・・成膜源、12・・・
成膜室における排気0.13・・・カソード(プラズマ
放電機構)、14・・・反応性ガス導入口(プラズマ放
電機構)。 15・・・反応室における排気口、16・・・成膜室お
よび反応室における排気口 第2図 特許出願人 大日本印刷株式会社代理人弁理
士 青 木 健 二(外5名)
Claims (3)
- (1)真空槽内において、基板上に所定膜厚の薄膜を成
膜した後、反応性ガスからなるプラズマ放電中にてこの
薄膜と反応性ガスとを化合物化反応させることにより、
基板上に化合物薄膜を作成することを特徴とする化合物
薄膜作成方法。 - (2)真空槽内において、基板上に所定膜厚以下の薄膜
を成膜した後、反応性ガスからなるプラズマ放電中にて
この薄膜と反応性ガスとを化合物化反応させ、次いで前
記基板上の薄膜の上に更に薄膜を成膜し、その後再び前
記プラズマ放電の中にてこの薄膜と反応性ガスとを化合
物化反応させるようにして、成膜と化合物化反応とを交
互に繰り返し行うことにより、基板上に所定膜厚の化合
物薄膜を作成することを特徴とする化合物薄膜作成方法
。 - (3)真空槽と、この真空槽内を成膜室および反応室に
区画する仕切壁と、前記成膜室に配設された成膜源と、
前記反応室に設けられ、この反応室に反応性ガスを導入
する反応性ガス導入口を備えたプラズマ放電機構と、前
記真空槽に設けられ、前記成膜室に連通した排気口と、
前記真空槽に設けられ、前記反応室に連通した排気口と
を備えていることを特徴とする化合物薄膜作成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26872488A JPH02115359A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 化合物薄膜作成方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26872488A JPH02115359A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 化合物薄膜作成方法および装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02115359A true JPH02115359A (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=17462466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26872488A Pending JPH02115359A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 化合物薄膜作成方法および装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02115359A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003013217A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Ulvac Japan Ltd | 誘電体膜の成膜方法及び成膜装置 |
JP2008078670A (ja) * | 2007-09-28 | 2008-04-03 | Ulvac Japan Ltd | シリコン半導体に於ける化合物バリア膜形成方法 |
JP2008177568A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Psk Inc | 基板処理装置及び方法 |
US7967957B2 (en) | 2002-08-09 | 2011-06-28 | Kobe Steel, Ltd. | Method for preparing alumna coating film having alpha-type crystal structure as primary structure |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP26872488A patent/JPH02115359A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003013217A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Ulvac Japan Ltd | 誘電体膜の成膜方法及び成膜装置 |
JP4678996B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2011-04-27 | 株式会社アルバック | 誘電体膜の成膜方法及び成膜装置 |
US7967957B2 (en) | 2002-08-09 | 2011-06-28 | Kobe Steel, Ltd. | Method for preparing alumna coating film having alpha-type crystal structure as primary structure |
US9260776B2 (en) | 2002-08-09 | 2016-02-16 | Kobe Steel, Ltd. | Method of producing α crystal structure-based alumina films |
JP2008177568A (ja) * | 2007-01-17 | 2008-07-31 | Psk Inc | 基板処理装置及び方法 |
JP2008078670A (ja) * | 2007-09-28 | 2008-04-03 | Ulvac Japan Ltd | シリコン半導体に於ける化合物バリア膜形成方法 |
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