JPH0426760A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH0426760A JPH0426760A JP13070690A JP13070690A JPH0426760A JP H0426760 A JPH0426760 A JP H0426760A JP 13070690 A JP13070690 A JP 13070690A JP 13070690 A JP13070690 A JP 13070690A JP H0426760 A JPH0426760 A JP H0426760A
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- Japan
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- vacuum
- vacuum container
- vacuum vessel
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- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、真空容器内で基板とターゲットとを対向さ
せ、真空容器の排気路から真空容器内を真空排気しつつ
放電ガスを導入して基板とターゲラ１−との間にグロー
放電を発生させてターゲット構成原子を叩き出し基板表
面に薄膜を形成するスパッタリング装置に関する。
せ、真空容器の排気路から真空容器内を真空排気しつつ
放電ガスを導入して基板とターゲラ１−との間にグロー
放電を発生させてターゲット構成原子を叩き出し基板表
面に薄膜を形成するスパッタリング装置に関する。
第３図にこの種のスパッタリング装置の従来の構成例を
示す。真空容器３内で、大地電位にある基板保持部６に
装着された基板５と、シール材９を用いて真空容器３か
ら気密に引き出され対地負電位に課電されるカソード部
１に装着されたターゲラｌ−２とを平行に対向させ、排
気路１３がら真空容器３内を真空排気しつつガス導入管
路４を通して放電ガスを真空容器３内に導入し、まず、
ターゲット２と大地電位にあるシャ、り８ｃ、！：の間
にグロー放電を発生させてターゲット面を清浄化するブ
リスパンタリングを行った後、シャンタ機構８の回転駆
動機構８８を操作してシャッタ８ｃを開き、グロー放電
を基板５とターゲット２との間に発生させ、グロー放電
により生成されたイオンでターゲットからターゲット構
成原子を叩き出し、この原子を基板５の面に堆積させて
薄膜形成が行われる。
示す。真空容器３内で、大地電位にある基板保持部６に
装着された基板５と、シール材９を用いて真空容器３か
ら気密に引き出され対地負電位に課電されるカソード部
１に装着されたターゲラｌ−２とを平行に対向させ、排
気路１３がら真空容器３内を真空排気しつつガス導入管
路４を通して放電ガスを真空容器３内に導入し、まず、
ターゲット２と大地電位にあるシャ、り８ｃ、！：の間
にグロー放電を発生させてターゲット面を清浄化するブ
リスパンタリングを行った後、シャンタ機構８の回転駆
動機構８８を操作してシャッタ８ｃを開き、グロー放電
を基板５とターゲット２との間に発生させ、グロー放電
により生成されたイオンでターゲットからターゲット構
成原子を叩き出し、この原子を基板５の面に堆積させて
薄膜形成が行われる。
このように構成されるスパッタリング装置において、真
空容器３内の基板以外の容器壁、基板保持部等に堆積し
た不用な薄膜を除去する作業時や、基板搬送機構を持た
ない装置における基板着脱作業時や、また、通常作業で
はないが、真空容器内部の機構の不具合処理の作業時な
どには、真空容器内を一旦大気圧まで戻し、大気開放し
て作業を行っていた。
空容器３内の基板以外の容器壁、基板保持部等に堆積し
た不用な薄膜を除去する作業時や、基板搬送機構を持た
ない装置における基板着脱作業時や、また、通常作業で
はないが、真空容器内部の機構の不具合処理の作業時な
どには、真空容器内を一旦大気圧まで戻し、大気開放し
て作業を行っていた。
このように、従来の装置では、前述した作業時に、真空
容器内が大気にさらされるため、作業の対象とならない
ターゲット表面にまで大気中の水分や不純物が吸着する
。これらの物質は、形成する薄膜の膜質に悪影響を及ば
ずため、作業終了後、再び成膜、工程に戻る前工程とし
て、吸着した物質を除去することが必要となる。このた
め、基板搬送機構を持たない装置では、前述のように基
板前面側もしくはターゲット前面側にシャッタを備え、
シャッタで基板前面側もしくはターゲット前面側を掩っ
た状態でまずクーゲラ）・とシャッタとの間にグロー放
電を発生させてブリスパッタリングを行うことによりタ
ーゲット面を清浄化した後、シャッタを開いて今度はタ
ーゲットと基板との間にグロー放電を発生させ、成膜を
行っていた（基板搬送機構を有する装置ではシャッタを
必要とせず、ブリスパッタリングは基板を取り付けずに
行われる）。このため、ブリスパッタリングの間は多大
な時間と電力エネルギー、及びターゲット材が浪費され
ることになる。
容器内が大気にさらされるため、作業の対象とならない
ターゲット表面にまで大気中の水分や不純物が吸着する
。これらの物質は、形成する薄膜の膜質に悪影響を及ば
ずため、作業終了後、再び成膜、工程に戻る前工程とし
て、吸着した物質を除去することが必要となる。このた
め、基板搬送機構を持たない装置では、前述のように基
板前面側もしくはターゲット前面側にシャッタを備え、
シャッタで基板前面側もしくはターゲット前面側を掩っ
た状態でまずクーゲラ）・とシャッタとの間にグロー放
電を発生させてブリスパッタリングを行うことによりタ
ーゲット面を清浄化した後、シャッタを開いて今度はタ
ーゲットと基板との間にグロー放電を発生させ、成膜を
行っていた（基板搬送機構を有する装置ではシャッタを
必要とせず、ブリスパッタリングは基板を取り付けずに
行われる）。このため、ブリスパッタリングの間は多大
な時間と電力エネルギー、及びターゲット材が浪費され
ることになる。
この発明の目的は、ターゲットの交換時を除いては、真
空容器の大気開放後の成膜再開時にブリスパッタリング
を必要としないスパッタリング装置を提供することであ
る。
空容器の大気開放後の成膜再開時にブリスパッタリング
を必要としないスパッタリング装置を提供することであ
る。
上記課題を解決するために、この発明においては、スパ
ッタリング装置を、真空容器のターゲット側の壁面にタ
ーゲットより大きい開口が形成されるとともに、壁面に
ターゲットより大きい開口が形成されかつターゲットが
装着されるカソード部をターゲット面に垂直方向に進退
させるカソード部移動機構を備えて開口側で前記真空容
器の開口を介して前記真空容器と連通ずる。前記真空容
器の排気路とは独立に排気路が形成された第２の真空容
器を備え、かつ前記再真空容器の内部空間が再真空容器
の開口の間で仕切り弁を介して気密に分離可能に構成さ
れた装置とするものとする。
ッタリング装置を、真空容器のターゲット側の壁面にタ
ーゲットより大きい開口が形成されるとともに、壁面に
ターゲットより大きい開口が形成されかつターゲットが
装着されるカソード部をターゲット面に垂直方向に進退
させるカソード部移動機構を備えて開口側で前記真空容
器の開口を介して前記真空容器と連通ずる。前記真空容
器の排気路とは独立に排気路が形成された第２の真空容
器を備え、かつ前記再真空容器の内部空間が再真空容器
の開口の間で仕切り弁を介して気密に分離可能に構成さ
れた装置とするものとする。
スパッタリング装置をこのように構成すれば、真空容器
の大気開放に先立ち、第２の真空容器壁面のカソード部
移動機構によりカソード部を第２の真空容器内へ移動さ
せた後、仕切り弁を下方へ移動させて第２の真空容器の
開口を気密に閉鎖し、ターゲットを真空空間内に保持す
ることができる。
の大気開放に先立ち、第２の真空容器壁面のカソード部
移動機構によりカソード部を第２の真空容器内へ移動さ
せた後、仕切り弁を下方へ移動させて第２の真空容器の
開口を気密に閉鎖し、ターゲットを真空空間内に保持す
ることができる。
また、この真空空間の真空度保持は、大気開放される真
空容器の排気路とは独立に形成された排気路を通して行
うことができる。しかる後、基板が配置された方の真空
容器を大気開放することにより、ターゲット表面への大
気中の水分や不純物の吸着が防止された状態で作業が行
われ、作業終了後に真空容器内を真空引きして仕切り弁
を開放すれば、表面が汚損されないターゲットを基板と
所定の間隔に対向させることができ、直ちに成膜工程に
入ることができる。従って成膜開始に伴う従来のような
時間や電力エネルギーやターゲット材の浪費を避けるこ
とができる。
空容器の排気路とは独立に形成された排気路を通して行
うことができる。しかる後、基板が配置された方の真空
容器を大気開放することにより、ターゲット表面への大
気中の水分や不純物の吸着が防止された状態で作業が行
われ、作業終了後に真空容器内を真空引きして仕切り弁
を開放すれば、表面が汚損されないターゲットを基板と
所定の間隔に対向させることができ、直ちに成膜工程に
入ることができる。従って成膜開始に伴う従来のような
時間や電力エネルギーやターゲット材の浪費を避けるこ
とができる。
〔実施例〕
第１図に本発明によるスパッタリング装置の一実施例と
して、スパッタリング装置が基板搬送機構を持たない場
合の装置構成例を示す。真空容器３ （以下第１の真空
容器と記す）のターゲット側の壁面には、ターゲット２
よりも大きい開口１５が形成され、この間口１５を介し
、ターゲット２より大きい開口１６が形成された第２の
真空容器１０の内部空間が開口１６側で第１の真空容器
３の内部空間と連通ずる。第２の真空容器１０の開口１
６と対面する壁面には、開口１５．１６を通ってカソー
ド部１を進退させる移動機構７が取り付けられ、また、
第１、第２の真空容器の間には仕切り弁１１が介装され
ている。この仕切り弁１１は、図の上下方向に移動させ
ることにより、再真空容器の内部空間を気密に分離し、
また再び連通させることができる。
して、スパッタリング装置が基板搬送機構を持たない場
合の装置構成例を示す。真空容器３ （以下第１の真空
容器と記す）のターゲット側の壁面には、ターゲット２
よりも大きい開口１５が形成され、この間口１５を介し
、ターゲット２より大きい開口１６が形成された第２の
真空容器１０の内部空間が開口１６側で第１の真空容器
３の内部空間と連通ずる。第２の真空容器１０の開口１
６と対面する壁面には、開口１５．１６を通ってカソー
ド部１を進退させる移動機構７が取り付けられ、また、
第１、第２の真空容器の間には仕切り弁１１が介装され
ている。この仕切り弁１１は、図の上下方向に移動させ
ることにより、再真空容器の内部空間を気密に分離し、
また再び連通させることができる。
以下、第１の真空容器３内の基板以外の容器壁や基板保
持部６等に堆積した不用な薄膜を除去する作業、あるい
は第１図のように基板搬送機構を持たないスパッタリン
グ装置における基板着脱作業などの作業を行う場合の作
業要領を第２図を用いて説明する。
持部６等に堆積した不用な薄膜を除去する作業、あるい
は第１図のように基板搬送機構を持たないスパッタリン
グ装置における基板着脱作業などの作業を行う場合の作
業要領を第２図を用いて説明する。
まず、カソード部移動機構７により、カソード部１をタ
ーゲット２を装着したまま第２の真空容器１０内へ後退
させて仕切り弁１１を閉じる。第２の真空容器１０は排
気路１４に接続される独立した排気系を持っているので
、図示の状態で内部の真空度は第１図のときと同じく裔
真空に保たれ、ターゲット表面の汚損が防止される。第
１の真空容器３内の不用な薄膜の除去作業や基板の着脱
作業を行うには、排気路１３に設けられた図示されない
主弁を閉しるとともに容器内部にＮ、や乾燥した０□な
どのリークガスを図示されない管路を介し、あるいはガ
ス導入管路４を利用して導入し、容器内を大気圧に戻し
た後、容器内を大気開放して所定の作業を行う。作業終
了後、第１の真空容器３内を所定の操作によって真空排
気し、内部の圧力を作業前と同じくした後仕切り弁を開
け、カソード部１を成膜時の位置に前進させる。ターゲ
ット面は汚損されていないので、プリスパックリングな
しにすぐに成膜作業を行うことができる。従ってシャッ
タ機構８はターゲット２の交換時にのみ使用することに
なる。
ーゲット２を装着したまま第２の真空容器１０内へ後退
させて仕切り弁１１を閉じる。第２の真空容器１０は排
気路１４に接続される独立した排気系を持っているので
、図示の状態で内部の真空度は第１図のときと同じく裔
真空に保たれ、ターゲット表面の汚損が防止される。第
１の真空容器３内の不用な薄膜の除去作業や基板の着脱
作業を行うには、排気路１３に設けられた図示されない
主弁を閉しるとともに容器内部にＮ、や乾燥した０□な
どのリークガスを図示されない管路を介し、あるいはガ
ス導入管路４を利用して導入し、容器内を大気圧に戻し
た後、容器内を大気開放して所定の作業を行う。作業終
了後、第１の真空容器３内を所定の操作によって真空排
気し、内部の圧力を作業前と同じくした後仕切り弁を開
け、カソード部１を成膜時の位置に前進させる。ターゲ
ット面は汚損されていないので、プリスパックリングな
しにすぐに成膜作業を行うことができる。従ってシャッ
タ機構８はターゲット２の交換時にのみ使用することに
なる。
以上に述べたように、この発明によれば、従来真空容器
を大気開放した後では必ず必要となっていたプリスパッ
クリングを、ターゲット交換作業後のみに限定できるた
め、大気開放後のプリスパッタリングを伴う装置の成膜
不能時間が大幅に短縮されるだけでなく、プリスパッタ
リングによるターゲット材や電力エネルギーの浪費、真
空容器内壁の汚損の進行等も抑えられ、その経済面の効
果は非常に大きい。
を大気開放した後では必ず必要となっていたプリスパッ
クリングを、ターゲット交換作業後のみに限定できるた
め、大気開放後のプリスパッタリングを伴う装置の成膜
不能時間が大幅に短縮されるだけでなく、プリスパッタ
リングによるターゲット材や電力エネルギーの浪費、真
空容器内壁の汚損の進行等も抑えられ、その経済面の効
果は非常に大きい。
第１図は本発明の一実施例によるスパッタリング装置の
構成を示す断面図、第２図は第１図に示すスパッタリン
グ装置における。真空容器内不用薄膜の除去、基板の着
脱などの作業時のターゲット位置を示す装置断面図、第
３図は従来のスパッタリング装置の構成例を示す断面図
である。 １：カソード部、２：ターゲット、３：真空容器、４：
ガス導入管路、７：移動機構（カソード部移動機構）、
１０：第２の真空容器、１１：仕切り弁、１３．１４：
排気路、１５．１６：開口。 ＝９ ＝
構成を示す断面図、第２図は第１図に示すスパッタリン
グ装置における。真空容器内不用薄膜の除去、基板の着
脱などの作業時のターゲット位置を示す装置断面図、第
３図は従来のスパッタリング装置の構成例を示す断面図
である。 １：カソード部、２：ターゲット、３：真空容器、４：
ガス導入管路、７：移動機構（カソード部移動機構）、
１０：第２の真空容器、１１：仕切り弁、１３．１４：
排気路、１５．１６：開口。 ＝９ ＝
Claims (1)
- １）真空容器内で基板とターゲットとを対向させ、真空
容器の排気路から真空容器内を真空排気しつつ放電ガス
を導入して基板とターゲットとの間にグロー放電を発生
させてターゲット構成原子を叩き出し基板表面に薄膜を
形成するスパッタリング装置において、真空容器のター
ゲット側の壁面にターゲットより大きい開口が形成され
るとともに、壁面にターゲットより大きい開口が形成さ
れかつターゲットが装着されるカソード部をターゲット
面に垂直方向に進退させるカソード部移動機構を備えて
開口側で前記真空容器の開口を介して前記真空容器と連
通する，前記真空容器の排気路とは独立に排気路が形成
された第２の真空容器を備え、かつ前記両真空容器の内
部空間が両真空容器の開口の間で仕切り弁を介して気密
に分離可能に構成されていることを特徴とするスパッタ
リング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13070690A JPH0426760A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13070690A JPH0426760A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0426760A true JPH0426760A (ja) | 1992-01-29 |
Family
ID=15040676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13070690A Pending JPH0426760A (ja) | 1990-05-21 | 1990-05-21 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0426760A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5565071A (en) * | 1993-11-24 | 1996-10-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated sputtering target assembly |
| US5603816A (en) * | 1993-11-24 | 1997-02-18 | Applied Materials, Inc. | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid |
| US5730801A (en) * | 1994-08-23 | 1998-03-24 | Applied Materials, Inc. | Compartnetalized substrate processing chamber |
| JP2007030499A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-02-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 隠蔽葉書 |
| JP2011235651A (ja) * | 2005-06-23 | 2011-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 隠蔽葉書 |
| CN106571284A (zh) * | 2015-10-09 | 2017-04-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 遮挡盘系统、反应腔室及半导体加工设备 |
-
1990
- 1990-05-21 JP JP13070690A patent/JPH0426760A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5565071A (en) * | 1993-11-24 | 1996-10-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated sputtering target assembly |
| US5603816A (en) * | 1993-11-24 | 1997-02-18 | Applied Materials, Inc. | Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid |
| US5730801A (en) * | 1994-08-23 | 1998-03-24 | Applied Materials, Inc. | Compartnetalized substrate processing chamber |
| US5883017A (en) * | 1994-08-23 | 1999-03-16 | Applied Materials, Inc. | Compartmentalized substrate processing chamber |
| JP2007030499A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-02-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 隠蔽葉書 |
| JP2011235651A (ja) * | 2005-06-23 | 2011-11-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 隠蔽葉書 |
| CN106571284A (zh) * | 2015-10-09 | 2017-04-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 遮挡盘系统、反应腔室及半导体加工设备 |
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