JPH04285160A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
- Publication number
- JPH04285160A JPH04285160A JP4848191A JP4848191A JPH04285160A JP H04285160 A JPH04285160 A JP H04285160A JP 4848191 A JP4848191 A JP 4848191A JP 4848191 A JP4848191 A JP 4848191A JP H04285160 A JPH04285160 A JP H04285160A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- wafer
- ring
- target
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000000181 anti-adherent effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 abstract 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマを用いて薄
膜を生成させるための対向形スパッタ装置に関するもの
である。
膜を生成させるための対向形スパッタ装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来のスパッタ装置は図４に示すように
数枚に分割された防着板１４、１５、１６がチャンバ等
にネジ等で固定され、プラズマガスはパイプ８より直接
チャンバに供給され、従って排気も一系統で行われてい
た。
数枚に分割された防着板１４、１５、１６がチャンバ等
にネジ等で固定され、プラズマガスはパイプ８より直接
チャンバに供給され、従って排気も一系統で行われてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このためチャンバ内の
広範囲に渡りプラズマが発生し、チャンバ内面及びサセ
プタ４、ターゲットホルダ２、防着板１４、１５、１６
等がスパッタによって汚染され、パーティクルの発生原
因となっていた。又、スパッタ中はチャンバ内部全体が
５×１０−３Ｔｏｒｒ前後の真空度になっているために
、マルチチャンバ形及びロード・アンロード室付スパッ
タ装置に於いては、ウエハ５の給排時にチャンバ内の真
空度を５×１０−６Ｔｏｒｒ前後に上げるために、多大
の時間を必要としたためスループットが上がらなかった
。さらにスパッタによって汚染されたチャンバ内面及び
多数の防着板等を交換洗浄するため、高価なスパッタ装
置の停止時間が長く、稼動率の低下につながっていた。
広範囲に渡りプラズマが発生し、チャンバ内面及びサセ
プタ４、ターゲットホルダ２、防着板１４、１５、１６
等がスパッタによって汚染され、パーティクルの発生原
因となっていた。又、スパッタ中はチャンバ内部全体が
５×１０−３Ｔｏｒｒ前後の真空度になっているために
、マルチチャンバ形及びロード・アンロード室付スパッ
タ装置に於いては、ウエハ５の給排時にチャンバ内の真
空度を５×１０−６Ｔｏｒｒ前後に上げるために、多大
の時間を必要としたためスループットが上がらなかった
。さらにスパッタによって汚染されたチャンバ内面及び
多数の防着板等を交換洗浄するため、高価なスパッタ装
置の停止時間が長く、稼動率の低下につながっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記の問題を
解決するために、図１に示すようにターゲットホルダ２
とサセプタ４の間に、プラズマ領域を最小限にチャンバ
内部と隔絶するための防着リング６を配し、防着リング
６の一方の端にウエハ給排口を設け、この給排口をシャ
ッタ９でウエハ５給排時に開閉出来るようにした。又、
他の一方の端にガス排気口を設け、排気パイプ７で直接
チャンバ外に排気出来るようにした。プラズマガスの導
入もパイプ８によりチャンバ外から直接防着リング６内
に取り入れられる構造にした。
解決するために、図１に示すようにターゲットホルダ２
とサセプタ４の間に、プラズマ領域を最小限にチャンバ
内部と隔絶するための防着リング６を配し、防着リング
６の一方の端にウエハ給排口を設け、この給排口をシャ
ッタ９でウエハ５給排時に開閉出来るようにした。又、
他の一方の端にガス排気口を設け、排気パイプ７で直接
チャンバ外に排気出来るようにした。プラズマガスの導
入もパイプ８によりチャンバ外から直接防着リング６内
に取り入れられる構造にした。
【０００５】
【作用】前記プラズマ領域と、チャンバ内部を隔絶する
事の出来る防着リングを有するスパッタ装置を用いてス
パッタを行うと、プラズマは防着リング内のみに発生し
、スパッタ処理空間の低真空部（５×１０−３Ｔｏｒｒ
近傍）も従来の数十分の一になった。又、チャンバ内部
の真空度も１×１０−５Ｔｏｒｒ以上の高真空に保てる
ようになった。
事の出来る防着リングを有するスパッタ装置を用いてス
パッタを行うと、プラズマは防着リング内のみに発生し
、スパッタ処理空間の低真空部（５×１０−３Ｔｏｒｒ
近傍）も従来の数十分の一になった。又、チャンバ内部
の真空度も１×１０−５Ｔｏｒｒ以上の高真空に保てる
ようになった。
【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例について図１から図３を
用いて説明する。図１は本発明になる一実施例の断面図
で、図２は図１における防着リング６のＡ−Ａ断面図で
ある。変形円筒殻状に形成された防着リング６をその上
下壁に形成された開口部でターゲットホルダ２とサセプ
タ４に気密に固定し、防着リング６の側壁の所定位置に
形成されたウエハ給排口６ａを開閉するためのシャッタ
９をチャンバ１から回転導入器１７で回転自在にチャン
バ１に固定し、ウエハ５の供給排出時に開閉する事が出
来るようになっている。又、防着リング６の側壁の他の
位置に形成されたガス排気口６ｂには、排気パイプ７を
接続し、直接チャンバ外に排気する。プラズマガスの供
給は、防着リング６に形成されたプラズマガス導入孔６
ｃと接続するパイプ８を通してチャンバ外から直接防着
リング６内に導入される。
用いて説明する。図１は本発明になる一実施例の断面図
で、図２は図１における防着リング６のＡ−Ａ断面図で
ある。変形円筒殻状に形成された防着リング６をその上
下壁に形成された開口部でターゲットホルダ２とサセプ
タ４に気密に固定し、防着リング６の側壁の所定位置に
形成されたウエハ給排口６ａを開閉するためのシャッタ
９をチャンバ１から回転導入器１７で回転自在にチャン
バ１に固定し、ウエハ５の供給排出時に開閉する事が出
来るようになっている。又、防着リング６の側壁の他の
位置に形成されたガス排気口６ｂには、排気パイプ７を
接続し、直接チャンバ外に排気する。プラズマガスの供
給は、防着リング６に形成されたプラズマガス導入孔６
ｃと接続するパイプ８を通してチャンバ外から直接防着
リング６内に導入される。
【０００７】図３は本発明になる他の実施例でターゲッ
トホルダ２にターゲット防着板１４を、サセプタ４には
サセプタ防着板１５を各々気密に装着し、防着リング６
はベローズ１０を介して軸受１２に上下自在に支えられ
たロッド１１の一方の端に取り付けられ、ターゲット防
着板１４とサセプタ防着板１５の間のプラズマ領域をチ
ャンバ内から隔絶している。ウエハ５の給排時の防着リ
ング６の上下は、ロッド１１の他の一方の端に取り付け
られたシリンダ１３によって行い、防着リング内の排気
は防着リング６の一方の端に設けられたガス排気口６ｂ
と端面が接するよう配置された排気パイプ７を通して直
接チャンバ外へ排気する。またプラズマガスの防着リン
グ６内への導入は導入孔６ｃに接続されたパイプ８によ
ってチャンバ外より直接行う事が出来る。
トホルダ２にターゲット防着板１４を、サセプタ４には
サセプタ防着板１５を各々気密に装着し、防着リング６
はベローズ１０を介して軸受１２に上下自在に支えられ
たロッド１１の一方の端に取り付けられ、ターゲット防
着板１４とサセプタ防着板１５の間のプラズマ領域をチ
ャンバ内から隔絶している。ウエハ５の給排時の防着リ
ング６の上下は、ロッド１１の他の一方の端に取り付け
られたシリンダ１３によって行い、防着リング内の排気
は防着リング６の一方の端に設けられたガス排気口６ｂ
と端面が接するよう配置された排気パイプ７を通して直
接チャンバ外へ排気する。またプラズマガスの防着リン
グ６内への導入は導入孔６ｃに接続されたパイプ８によ
ってチャンバ外より直接行う事が出来る。
【０００８】
【発明の効果】以下説明したように不要な個所でのプラ
ズマの発生が防止されるため、パーティクルの発生が減
少すると同時に、チャンバ内全体が汚染されないためと
、汚染部品の数が少なくかつ交換が容易になったために
パーティクルによる歩留まりも向上し、防着板交換によ
るロスタイムが少なくなって、装置の稼動率が向上した
。又プラズマ領域の低真空部の容積が少なくなったため
、排気時間が短縮されスループットが向上した。
ズマの発生が防止されるため、パーティクルの発生が減
少すると同時に、チャンバ内全体が汚染されないためと
、汚染部品の数が少なくかつ交換が容易になったために
パーティクルによる歩留まりも向上し、防着板交換によ
るロスタイムが少なくなって、装置の稼動率が向上した
。又プラズマ領域の低真空部の容積が少なくなったため
、排気時間が短縮されスループットが向上した。
【図１】本発明の一実施例を示すプラズマ領域隔絶用固
定形防着リングを有するスパッタ装置の縦断面図である
。
定形防着リングを有するスパッタ装置の縦断面図である
。
【図２】図１の防着リングのＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示すプラズマ領域隔絶用
可動形防着リングを有するスパッタ装置の縦断面図であ
る。
可動形防着リングを有するスパッタ装置の縦断面図であ
る。
【図４】プラズマ領域を隔断しない固定形防着形の従来
のスパッタ装置の縦断面図である。
のスパッタ装置の縦断面図である。
【符号の説明】
１ チャンバ
２ ターゲットホルダ
３ ターゲット
４ サセプタ
５ ウエハ
６ 防着リング
７ 排気パイプ
８ パイプ
９ シャッタ
１０ ベローズ
１１ ロッド
１２ 軸受
１３ シリンダ
１４ ターゲット防着板
１５ サセプタ防着板
１６ チャンバ防着板
Claims (1)
- 【請求項１】 対向する２つの電極を有する平行平板
形のスパッタ装置に於いて、スパッタ中はターゲット及
びウエハ間のプラズマ領域と、チャンバ間を隔絶する事
が出来る防着リングを有する事を特徴とするスパッタ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4848191A JPH04285160A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4848191A JPH04285160A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04285160A true JPH04285160A (ja) | 1992-10-09 |
Family
ID=12804580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4848191A Pending JPH04285160A (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04285160A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000355762A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-12-26 | Trikon Holdings Ltd | 析出装置 |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP4848191A patent/JPH04285160A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000355762A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-12-26 | Trikon Holdings Ltd | 析出装置 |
| JP4741053B2 (ja) * | 1999-05-11 | 2011-08-03 | アビザ ヨーロッパ リミティド | 析出装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100624273B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| EP0898299B1 (en) | Compartmentalized substrate processing chamber | |
| JP4602532B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH10321605A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH11317397A (ja) | 処理装置 | |
| JPWO2002029877A1 (ja) | 真空処理装置 | |
| JPH1041096A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| TW202213509A (zh) | 具有串接處理區域的電漿腔室 | |
| KR101892958B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| JPH04285160A (ja) | スパッタ装置 | |
| JP2002194540A (ja) | プラズマ支援スパッタ成膜装置 | |
| JPS5889944A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPH0963959A (ja) | ターゲットのクリーニング方法 | |
| TW202205427A (zh) | 電漿處理裝置及電漿處理方法 | |
| JPH0426760A (ja) | スパッタリング装置 | |
| US6325901B1 (en) | Method of producing a cathode-ray tube and apparatus therefor | |
| KR100415435B1 (ko) | 반도체 소자 제조장치 | |
| JPS63247361A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JP2009212178A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPH0885872A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH043927A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JPH04240726A (ja) | プラズマドライエッチング装置 | |
| JPH05121360A (ja) | 半導体処理装置 | |
| JPH05160025A (ja) | 成膜装置 | |
| JP2717169B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 |