JPH06108244A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
- Publication number
- JPH06108244A JPH06108244A JP26098692A JP26098692A JPH06108244A JP H06108244 A JPH06108244 A JP H06108244A JP 26098692 A JP26098692 A JP 26098692A JP 26098692 A JP26098692 A JP 26098692A JP H06108244 A JPH06108244 A JP H06108244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- treatment
- shield
- chamber
- treatment electrode
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】スパッタ装置の防着板の表面スパッタ処理を行
う場合、チャンバー内へのシールドトリートメント電極
の着脱を容易にすることによって作業手順の簡素化、作
業時間の短縮、及び防着板の表面汚染防止を図る。 【構成】チャンバー７の内部に移動可能なシールドトリ
ートメント電極１を取付け、防着板２の表面スパッタ処
理を行う場合にはシールドトリートメント電極１を所定
位置に押し出し、ガスバルブ５を開きガスを導入し、シ
ールドトリートメント電源６より高電圧を印加する。こ
れによりプラズマ９が発生し、表面処理が行われる。処
理完了後は、ガスバルブ５を閉じ、シールドトリートメ
ント電極１を引っ込める。
う場合、チャンバー内へのシールドトリートメント電極
の着脱を容易にすることによって作業手順の簡素化、作
業時間の短縮、及び防着板の表面汚染防止を図る。 【構成】チャンバー７の内部に移動可能なシールドトリ
ートメント電極１を取付け、防着板２の表面スパッタ処
理を行う場合にはシールドトリートメント電極１を所定
位置に押し出し、ガスバルブ５を開きガスを導入し、シ
ールドトリートメント電源６より高電圧を印加する。こ
れによりプラズマ９が発生し、表面処理が行われる。処
理完了後は、ガスバルブ５を閉じ、シールドトリートメ
ント電極１を引っ込める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタ装置に関し、特
に防着板に予めスパッタ処理を行うためのシールドトリ
ートメント電極の構造に関する。
に防着板に予めスパッタ処理を行うためのシールドトリ
ートメント電極の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のスパッタ装置は、図４の断面図に
示すように、取付け取外し式のシールドトリードメント
電極１，防着板２，半導体基板押え３，半導体基板４，
ガスバルブ５及びシールドトリートメント電源６を有す
る構造となっている。そして、必要個所以外へのスパッ
タ膜付着を防ぐために、一旦、防着板２にスパッタ膜付
着を行っている。
示すように、取付け取外し式のシールドトリードメント
電極１，防着板２，半導体基板押え３，半導体基板４，
ガスバルブ５及びシールドトリートメント電源６を有す
る構造となっている。そして、必要個所以外へのスパッ
タ膜付着を防ぐために、一旦、防着板２にスパッタ膜付
着を行っている。
【０００３】次に動作について説明する。通常のスパッ
タ処理中は、図６の断面図の様にスパッタリングターゲ
ット８はチャンバー７に取り付けられ、真空状態で半導
体基板４に対しスパッタ処理が行われる。一方、防着板
２の表面処理を行う為にチャンバー７は大気圧に戻さ
れ、図４のようにスパッタリングターゲット８をチャン
バー７から取り外し、その代りに取付け取外し式のシー
ルドトリートメント電極１を取付け、シールドトリート
メント電源６を接続する。次にチャンバー７を真空引き
し、ガスバルブ５を開きガスを導入する。この時点でシ
ールドトリートメント電源６より高電圧を印加し、プラ
ズマを発生させ、防着板２の表面処理を行う。 図５に
その電気回路を示す。シールドトリートメント電極１に
はシールドトリートメント電源６の＋の極性の高電圧
を、また防着板２側にはグランドレベル（−の極性）を
印加するので、プラズマ９のプラスイオンが防着板２を
アタックしスパッタ処理が行われる。
タ処理中は、図６の断面図の様にスパッタリングターゲ
ット８はチャンバー７に取り付けられ、真空状態で半導
体基板４に対しスパッタ処理が行われる。一方、防着板
２の表面処理を行う為にチャンバー７は大気圧に戻さ
れ、図４のようにスパッタリングターゲット８をチャン
バー７から取り外し、その代りに取付け取外し式のシー
ルドトリートメント電極１を取付け、シールドトリート
メント電源６を接続する。次にチャンバー７を真空引き
し、ガスバルブ５を開きガスを導入する。この時点でシ
ールドトリートメント電源６より高電圧を印加し、プラ
ズマを発生させ、防着板２の表面処理を行う。 図５に
その電気回路を示す。シールドトリートメント電極１に
はシールドトリートメント電源６の＋の極性の高電圧
を、また防着板２側にはグランドレベル（−の極性）を
印加するので、プラズマ９のプラスイオンが防着板２を
アタックしスパッタ処理が行われる。
【０００４】防着板のスパッタ処理完了後は、ガスバル
ブ５を閉じ、再度チャンバー７を大気圧に戻し、シール
ドトリートメント電源６の接続を外し、シールドトリー
トメント電極１を取外し、その代わりにスパッタリング
ターゲット８を取付け、チャンバー７を真空引きし、図
６の様な状態に戻して通常のスパッタリング処理を行
う。
ブ５を閉じ、再度チャンバー７を大気圧に戻し、シール
ドトリートメント電源６の接続を外し、シールドトリー
トメント電極１を取外し、その代わりにスパッタリング
ターゲット８を取付け、チャンバー７を真空引きし、図
６の様な状態に戻して通常のスパッタリング処理を行
う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来のスパッタ装
置では、シールドトリートメント電極が取付け取外し式
であるために、チャンバーを大気圧に戻す、シールドト
リートメント電極の取付け、真空引きという事前の作
業、及びチャンバーを再度大気圧に戻す、シールドトリ
ートメント電極の取外し、真空引きという事後の作業が
あるため、作業手順が複雑で長時間に及んでいた。ま
た、表面処理後、防着板が多少なりとも大気にさらされ
る為、防着板の表面が汚染されてしまうという問題点が
あった。
置では、シールドトリートメント電極が取付け取外し式
であるために、チャンバーを大気圧に戻す、シールドト
リートメント電極の取付け、真空引きという事前の作
業、及びチャンバーを再度大気圧に戻す、シールドトリ
ートメント電極の取外し、真空引きという事後の作業が
あるため、作業手順が複雑で長時間に及んでいた。ま
た、表面処理後、防着板が多少なりとも大気にさらされ
る為、防着板の表面が汚染されてしまうという問題点が
あった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタ装置
は、チャンバー内に可動式のシールドトリートメント電
極を備えることによって、防着板表面へのスパッタ処理
を必要に応じて行えるようにしたものである。
は、チャンバー内に可動式のシールドトリートメント電
極を備えることによって、防着板表面へのスパッタ処理
を必要に応じて行えるようにしたものである。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の実施例１のスパッタ装置の断面図で
ある。本実施例において、防着板２の表面処理を行う場
合、チャンバー７は真空状態のままでシールドトリート
メント電極１を所定位置に押し出し、ガスバルブ５を開
きガスを導入する。更に、シールドトリートメント電源
６より高電圧を印加し、プラズマを発生させ防着板２の
表面処理を行う。シールドトリートメント電極１の出し
入れは、ベロー等の伸縮自在の部品を介して直線導入機
１０の往復運動及び直線導入機制御部１１により行われ
る。
る。図１は本発明の実施例１のスパッタ装置の断面図で
ある。本実施例において、防着板２の表面処理を行う場
合、チャンバー７は真空状態のままでシールドトリート
メント電極１を所定位置に押し出し、ガスバルブ５を開
きガスを導入する。更に、シールドトリートメント電源
６より高電圧を印加し、プラズマを発生させ防着板２の
表面処理を行う。シールドトリートメント電極１の出し
入れは、ベロー等の伸縮自在の部品を介して直線導入機
１０の往復運動及び直線導入機制御部１１により行われ
る。
【０００８】図２にその電気回路を示す。シールドトリ
ートメント電源６には＋の極性の高電圧を、また防着板
２側にはグランドレベル（−の極性）を印加する。ま
た、スパッタリングターゲット８との間にはプラズマが
生成されないように、グランドレベルのアースシールド
１２が取付けられている。シールドトリートメント電源
６からの接続はケーブル１３を介して行われる。
ートメント電源６には＋の極性の高電圧を、また防着板
２側にはグランドレベル（−の極性）を印加する。ま
た、スパッタリングターゲット８との間にはプラズマが
生成されないように、グランドレベルのアースシールド
１２が取付けられている。シールドトリートメント電源
６からの接続はケーブル１３を介して行われる。
【０００９】これにより、プラズマ９のプラスイオンが
防着板２をアタックし、スパッタ処理が行われる。処理
完了後はガスバルブ５を閉じ、直線導入機１０によりシ
ールドトリートメント電極１を引っ込める。
防着板２をアタックし、スパッタ処理が行われる。処理
完了後はガスバルブ５を閉じ、直線導入機１０によりシ
ールドトリートメント電極１を引っ込める。
【００１０】図３の斜視図に本発明の実施例２のシール
ドトリートメント電極部の構造を示す。実施例２は、シ
ールドトリートメント電極１の駆動機構として回転導入
機１４，モーター１５，回転制御部１６を有しており、
実施例１のシールドトリートメント電極が往復直線動作
を行うのに比べ実施例２は揺動回転動作を行う。
ドトリートメント電極部の構造を示す。実施例２は、シ
ールドトリートメント電極１の駆動機構として回転導入
機１４，モーター１５，回転制御部１６を有しており、
実施例１のシールドトリートメント電極が往復直線動作
を行うのに比べ実施例２は揺動回転動作を行う。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、チャンバ
ー内に可動するシールドトリートメント電極を備えてい
るので、防着板表面処理の作業手順が簡素化され短時間
で行えるようになった。具体的には、従来一連の作業に
５時間を要していたものが１時間で行えるようになっ
た。また、防着板の表面が大気に触れることがなく汚染
されなくなるので、スパッタ膜の防着板への密着性が向
上しスパッタ膜が防着板からはがれる問題が除去でき
る。
ー内に可動するシールドトリートメント電極を備えてい
るので、防着板表面処理の作業手順が簡素化され短時間
で行えるようになった。具体的には、従来一連の作業に
５時間を要していたものが１時間で行えるようになっ
た。また、防着板の表面が大気に触れることがなく汚染
されなくなるので、スパッタ膜の防着板への密着性が向
上しスパッタ膜が防着板からはがれる問題が除去でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例１の断面図である。
【図２】本発明の実施例１の電気回路図である。
【図３】本発明の実施例２のシールドトリートメント電
極部の斜視図である。
極部の斜視図である。
【図４】従来のスパッタ装置の防着板表面処理時におけ
る断面図である。
る断面図である。
【図５】従来のスパッタ装置の防着板表面処理時におけ
る電気回路図である。
る電気回路図である。
【図６】従来のスパッタ装置の成膜処理時における断面
図である。
図である。
１ シールドトリートメント電極 ２ 防着板 ３ 半導体基板押え ４ 半導体基板 ５ ガスバルブ ６ シールドトリートメント電源 ７ チャンバー ８ スパッタリングターゲット ９ プラズマ １０ 直線導入機 １１ 直線導入機制御部 １２ アースシールド １３ ケーブル １４ 回転導入機 １５ モーター １６ 回転制御部
Claims (1)
- 【請求項１】 チャンバー内に設けられた防着板の表面
スパッタ処理を行うシールドトリートメント電極を有す
るスパッタ装置において、前記シールドトリートメント
電極をチャンバー内に常時備えると共に、必要に応じ所
定位置に移動させる可動機構を有することを特徴とする
スパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26098692A JPH06108244A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26098692A JPH06108244A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06108244A true JPH06108244A (ja) | 1994-04-19 |
Family
ID=17355488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26098692A Pending JPH06108244A (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06108244A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0892764A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-09 | Nec Kyushu Ltd | スパッタ装置 |
| EP1744346A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes |
| EP1780766A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-05-02 | Applied Materials, Inc. | Improved magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP26098692A patent/JPH06108244A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0892764A (ja) * | 1994-09-22 | 1996-04-09 | Nec Kyushu Ltd | スパッタ装置 |
| EP1744346A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes |
| EP1780766A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-05-02 | Applied Materials, Inc. | Improved magnetron sputtering system for large-area substrates having removable anodes |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000201 |