JP2628795B2 - 物理蒸着室中のシールドの清浄方法 - Google Patents
物理蒸着室中のシールドの清浄方法Info
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- gas
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、物理蒸着室中のシール
ドの清浄に関する。
ドの清浄に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】物理蒸
着（ＰＶＤ）法に於いて、ターゲット材料、例えばタン
グステンはガス、例えばアルゴンにより衝撃される。タ
ーゲットからの材料が移動させられ、ウエーハ上にスパ
ッタリングされる。ＰＶＤ室は、一般にウエーハの直ぐ
近くの領域にシールドを含む。シールドはターゲットか
らスパッタリングされる過剰の材料がＰＶＤ室の残部を
汚染することを防止する。
着（ＰＶＤ）法に於いて、ターゲット材料、例えばタン
グステンはガス、例えばアルゴンにより衝撃される。タ
ーゲットからの材料が移動させられ、ウエーハ上にスパ
ッタリングされる。ＰＶＤ室は、一般にウエーハの直ぐ
近くの領域にシールドを含む。シールドはターゲットか
らスパッタリングされる過剰の材料がＰＶＤ室の残部を
汚染することを防止する。
【０００３】シールド上の過剰の材料の堆積は最終的に
フレーキングを生じる。この時点で、シールドを交換す
ることによりＰＶＤ室を使えるようにすることが通常必
要である。シールド交換がターゲット交換とほぼ同時に
行なわれることを必要とする場合には、シールドを使え
るようにすることがさほど不都合なく行ない得る。しか
しながら、シールドをターゲットよりも頻繁に交換する
必要がある場合には、これは装置の過大な作業停止時間
をもたすこととなり、そのために生産量を著しく低下せ
しめることとなる。
フレーキングを生じる。この時点で、シールドを交換す
ることによりＰＶＤ室を使えるようにすることが通常必
要である。シールド交換がターゲット交換とほぼ同時に
行なわれることを必要とする場合には、シールドを使え
るようにすることがさほど不都合なく行ない得る。しか
しながら、シールドをターゲットよりも頻繁に交換する
必要がある場合には、これは装置の過大な作業停止時間
をもたすこととなり、そのために生産量を著しく低下せ
しめることとなる。
【０００４】フレーキングを減少し、それによりシール
ド交換の間の時間を延長する幾つかの方法が試みられ
た。例えば、或種のシールドが特定の膨脹係数をもつよ
うに設計された。更に、シールドの表面が、例えばサン
ドブラスチングにより処理された。また、接着層を設
け、フレーキングの防止が図られた。最後に、シールド
のデザインを簡素化して交換を容易にすることができ
る。
ド交換の間の時間を延長する幾つかの方法が試みられ
た。例えば、或種のシールドが特定の膨脹係数をもつよ
うに設計された。更に、シールドの表面が、例えばサン
ドブラスチングにより処理された。また、接着層を設
け、フレーキングの防止が図られた。最後に、シールド
のデザインを簡素化して交換を容易にすることができ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の好ましい実施態
様によれば、物理蒸着室中に付着した過剰のターゲット
材料の現場清浄方法が提供される。清浄サイクル中に真
空が物理蒸着（ＰＶＤ室）室中につくられる。反応性ガ
スを含むガス混合物がＰＶＤ室に導入される。反応性ガ
スはプラズマ放電により活性化され、反応生成物ととも
に室からポンプ輸送により除かれる。
様によれば、物理蒸着室中に付着した過剰のターゲット
材料の現場清浄方法が提供される。清浄サイクル中に真
空が物理蒸着（ＰＶＤ室）室中につくられる。反応性ガ
スを含むガス混合物がＰＶＤ室に導入される。反応性ガ
スはプラズマ放電により活性化され、反応生成物ととも
に室からポンプ輸送により除かれる。
【０００６】本発明はＰＶＤ室中のシールドの現場清浄
を可能にする。化学蒸着（ＣＶＤ）法にしばしば使用さ
れるが、シールドの現場清浄は従来技術のＰＶＤ室中で
試みられていなかった。これは、ＰＶＤ法が一般に高真
空中で行なわれるため、エッチング剤を使用してシール
ドを清浄することは不適切となるからである。さらに、
従来技術では、シールドはしばしば材料をそれらから均
一にエッチングすることを難しくする多くの部品を含ん
でいた。また、過剰量のターゲットを除去しないでシー
ルドを有効にエッチングするために、カーゲット上のエ
ッチング剤の衝撃を減少しつつ、シールド上のエッチン
グ剤の衝撃を増加する何らかの方法が必要とされる。本
発明の好ましい実施態様は全ての問題点を解決する。本
発明の好ましい実施態様に於いて、洗浄サイクル中にＰ
ＶＤ室中につくられる真空は典型的なＰＶＤ法に使用さ
れる真空より小さい。シールドは一様なエッチングを与
える少数の片の導電性材料から設計される。また、清浄
サイクル中に、負の電位シールドにかけられ、その結果
シールド上のエッチング剤の衝撃が増加される。
を可能にする。化学蒸着（ＣＶＤ）法にしばしば使用さ
れるが、シールドの現場清浄は従来技術のＰＶＤ室中で
試みられていなかった。これは、ＰＶＤ法が一般に高真
空中で行なわれるため、エッチング剤を使用してシール
ドを清浄することは不適切となるからである。さらに、
従来技術では、シールドはしばしば材料をそれらから均
一にエッチングすることを難しくする多くの部品を含ん
でいた。また、過剰量のターゲットを除去しないでシー
ルドを有効にエッチングするために、カーゲット上のエ
ッチング剤の衝撃を減少しつつ、シールド上のエッチン
グ剤の衝撃を増加する何らかの方法が必要とされる。本
発明の好ましい実施態様は全ての問題点を解決する。本
発明の好ましい実施態様に於いて、洗浄サイクル中にＰ
ＶＤ室中につくられる真空は典型的なＰＶＤ法に使用さ
れる真空より小さい。シールドは一様なエッチングを与
える少数の片の導電性材料から設計される。また、清浄
サイクル中に、負の電位シールドにかけられ、その結果
シールド上のエッチング剤の衝撃が増加される。
【０００７】本発明の別の実施態様は、高周波電圧をＰ
ＶＤ室内の電極に適用して反応性ガスを活性化するこ
と、及び特別な活性化室中の反応性ガスの上流の活性化
を含む。図１に於いて、物理蒸着（ＰＶＤ）室１４は移
動可能なウエーハ・テーブル２４を含む。加工する過程
中に、試験体、例えばウエーハ・テーブル２４の上に置
かれる。ウエーハ・テーブル２４はスリーブ１６及びシ
ールド１７中を加工場所へと上昇される。ＲＦウエーハ
・バイアス回路１２はＲＦバイアス電圧をウエーハに与
える。ＤＣウエーハ・バイアス回路はＤＣバイアスを回
線１８を介してウエーハに与える。
ＶＤ室内の電極に適用して反応性ガスを活性化するこ
と、及び特別な活性化室中の反応性ガスの上流の活性化
を含む。図１に於いて、物理蒸着（ＰＶＤ）室１４は移
動可能なウエーハ・テーブル２４を含む。加工する過程
中に、試験体、例えばウエーハ・テーブル２４の上に置
かれる。ウエーハ・テーブル２４はスリーブ１６及びシ
ールド１７中を加工場所へと上昇される。ＲＦウエーハ
・バイアス回路１２はＲＦバイアス電圧をウエーハに与
える。ＤＣウエーハ・バイアス回路はＤＣバイアスを回
線１８を介してウエーハに与える。
【０００８】ガス制御回路は室１４のガスの流入及び流
出を調節する。真空ポンプ２５はウエーハの加工中にＰ
ＶＤ室１４中に真空を生じるのに使用される。ターゲッ
ト２０は、例えばチタンタングステンを含んでいてもよ
い。ターゲット２０は絶縁材１０によりシールド１７及
びＰＶＤ室１４の残部から電気的に絶縁されている。Ｄ
Ｃ電力供給装置２１はシールド１７とターゲット２０と
の間に電位を確立する。スイッチ２６は電位の極性を変
える。
出を調節する。真空ポンプ２５はウエーハの加工中にＰ
ＶＤ室１４中に真空を生じるのに使用される。ターゲッ
ト２０は、例えばチタンタングステンを含んでいてもよ
い。ターゲット２０は絶縁材１０によりシールド１７及
びＰＶＤ室１４の残部から電気的に絶縁されている。Ｄ
Ｃ電力供給装置２１はシールド１７とターゲット２０と
の間に電位を確立する。スイッチ２６は電位の極性を変
える。
【０００９】ＤＣ電力供給装置２１は、アノード２２ま
たはカソード２３のいずれもがＰＶＤ室１４に接地され
ないように浮動している。ウエーハが加工されている時
に、スイッチ２６はＤＣ電力供給装置２１のカソード２
２をターゲット２０に接続する。プロセス・スイッチ２
６はアノード２３はシールド１７に接続する。ＤＣ電力
供給装置２１が使用される。何となれば、どのような表
面がカソード２２に接続されようとも、プラズマ形態の
ガスがその表面に向かって加速されるからである。アル
ゴンガスがポート２９中をポンプ輸送され、これがター
ゲット２０と衝突し、ウエーハ・テーブル２４上のウエ
ーハにチタンタングステン材料のスパッタリングを生じ
る。
たはカソード２３のいずれもがＰＶＤ室１４に接地され
ないように浮動している。ウエーハが加工されている時
に、スイッチ２６はＤＣ電力供給装置２１のカソード２
２をターゲット２０に接続する。プロセス・スイッチ２
６はアノード２３はシールド１７に接続する。ＤＣ電力
供給装置２１が使用される。何となれば、どのような表
面がカソード２２に接続されようとも、プラズマ形態の
ガスがその表面に向かって加速されるからである。アル
ゴンガスがポート２９中をポンプ輸送され、これがター
ゲット２０と衝突し、ウエーハ・テーブル２４上のウエ
ーハにチタンタングステン材料のスパッタリングを生じ
る。
【００１０】シールド１７が洗浄されている時、スイッ
チ２６はＤＣ電力供給装置のカソード２２をシールド１
７と接続されているＰＶＤ室１４に接続する。また、ス
イッチ２６はアノード２３をターゲット２０に接続す
る。反応性ガス、例えばNF3 、CF4 またはSF6 を含むガ
ス混合物がポート２９に導入される。反応性ガスはプラ
ズマ放電、例えばＤＣ電力供給装置２１によりつくられ
た電界により活性化される。反応性ガスはシールド１７
上の材料をエッチングする。ガスの流量は約１００ＳＣ
ＣＭである。ＰＶＤ室内の気圧はどこでも１〜１０００
ミリトールであり得る。エッチングの時間は典型的には
１〜１０分である。得られた反応体は連続的にポンプ輸
送される。
チ２６はＤＣ電力供給装置のカソード２２をシールド１
７と接続されているＰＶＤ室１４に接続する。また、ス
イッチ２６はアノード２３をターゲット２０に接続す
る。反応性ガス、例えばNF3 、CF4 またはSF6 を含むガ
ス混合物がポート２９に導入される。反応性ガスはプラ
ズマ放電、例えばＤＣ電力供給装置２１によりつくられ
た電界により活性化される。反応性ガスはシールド１７
上の材料をエッチングする。ガスの流量は約１００ＳＣ
ＣＭである。ＰＶＤ室内の気圧はどこでも１〜１０００
ミリトールであり得る。エッチングの時間は典型的には
１〜１０分である。得られた反応体は連続的にポンプ輸
送される。
【００１１】反応性ガスが一旦除去された時、スイッチ
２６は再度カソード２２をターゲット２０に接続し、ア
ノード２３をシールド１７に接続する。新しいウエーハ
がＰＶＤ室１４中に置かれる前に、ターゲット２０は、
例えばアルゴンガスにより衝撃され得る。このスパッタ
ー清浄はターゲット２０上の反応性ガス残渣を除去し、
新しいターゲット材料を露出する。また、スパッタ−清
浄はシールド１７の表面をシールし、ガス不純物を除去
し捕捉するゲッターとして作用するのに利用できる。ス
パッター清浄中、ＰＶＤ室は付着がウエーハ上で実際に
行なわれている時に通常存在する高真空下にある。
２６は再度カソード２２をターゲット２０に接続し、ア
ノード２３をシールド１７に接続する。新しいウエーハ
がＰＶＤ室１４中に置かれる前に、ターゲット２０は、
例えばアルゴンガスにより衝撃され得る。このスパッタ
ー清浄はターゲット２０上の反応性ガス残渣を除去し、
新しいターゲット材料を露出する。また、スパッタ−清
浄はシールド１７の表面をシールし、ガス不純物を除去
し捕捉するゲッターとして作用するのに利用できる。ス
パッター清浄中、ＰＶＤ室は付着がウエーハ上で実際に
行なわれている時に通常存在する高真空下にある。
【００１２】図２はＰＶＤ室１４、シールド１７及びス
リーブ１６を示す。室１４はポート２７、２８、２９、
３０、３１、３２及び３３を含むように示されている。
初期のポンピングが真空をつくるために、ポート３０は
真空ポンプ２５または荒引きポンプにより使用し得る。
ポート２７は、例えば残留ガス分析装置により使用し得
る。ポート２８は、例えばＰＶＤ室１４への電力線を例
えばＰＶＤ中に使用されるランプに電力を供給させるの
に使用し得る。ポート３３は、例えば排気に使用し得
る。ポート２９は、例えば窓として使用し得る。ポート
３２は、例えばアルゴンガス及び反応性ガスを室１４に
供給するのに使用し得る。ウエーハは自動化機械（図示
されていない）により開口部３１を通ってＰＶＤ室２７
中に置かれる。シールド１７は、清浄のためエッチング
に均一な表面があるように設計された。また、シールド
１７が清浄されている時、シールド１７上の電位がシー
ルド１７の全部にわたって一様である。
リーブ１６を示す。室１４はポート２７、２８、２９、
３０、３１、３２及び３３を含むように示されている。
初期のポンピングが真空をつくるために、ポート３０は
真空ポンプ２５または荒引きポンプにより使用し得る。
ポート２７は、例えば残留ガス分析装置により使用し得
る。ポート２８は、例えばＰＶＤ室１４への電力線を例
えばＰＶＤ中に使用されるランプに電力を供給させるの
に使用し得る。ポート３３は、例えば排気に使用し得
る。ポート２９は、例えば窓として使用し得る。ポート
３２は、例えばアルゴンガス及び反応性ガスを室１４に
供給するのに使用し得る。ウエーハは自動化機械（図示
されていない）により開口部３１を通ってＰＶＤ室２７
中に置かれる。シールド１７は、清浄のためエッチング
に均一な表面があるように設計された。また、シールド
１７が清浄されている時、シールド１７上の電位がシー
ルド１７の全部にわたって一様である。
【００１３】本明細書に説明される好ましい実施態様に
於いて、チタンタングステンターゲットが使用される。
多くのその他の材料、例えばチタンまたはタングステン
がターゲット中に使用し得る。また、本発明は多くの異
なる方法に関しシールドを清浄するのに有益である。例
えば、ターゲット２０がアルミニウムである場合、清浄
方法はCl2 、またはBCl3の如き塩素含有ガスがエッチン
グに使用される以外は同じ方法である。
於いて、チタンタングステンターゲットが使用される。
多くのその他の材料、例えばチタンまたはタングステン
がターゲット中に使用し得る。また、本発明は多くの異
なる方法に関しシールドを清浄するのに有益である。例
えば、ターゲット２０がアルミニウムである場合、清浄
方法はCl2 、またはBCl3の如き塩素含有ガスがエッチン
グに使用される以外は同じ方法である。
【００１４】図３は、高周波電源４２がＰＶＤ室１４内
の反応性ガスを活性化するのに使用される本発明の別の
実施態様を示す。ＲＦ電源４２は、反応性ガスをプラズ
マ放電により活性化するのに利用できる電極４３にＲＦ
電圧をかける。図４は、反応性ガス上流の活性化室５２
中で活性化される本発明の別の実施態様を示す。活性化
電源５６は、電極５３にかけられたＤＣまたはＲＦ電力
のいずれかを使用して反応性ガスをプラズマ放電により
活性化するのに使用し得る。反応性ガスの活性化後に、
反応性ガスを含むガス混合物が配管５１を通ってＰＶＤ
室１４にポンプ輸送される。
の反応性ガスを活性化するのに使用される本発明の別の
実施態様を示す。ＲＦ電源４２は、反応性ガスをプラズ
マ放電により活性化するのに利用できる電極４３にＲＦ
電圧をかける。図４は、反応性ガス上流の活性化室５２
中で活性化される本発明の別の実施態様を示す。活性化
電源５６は、電極５３にかけられたＤＣまたはＲＦ電力
のいずれかを使用して反応性ガスをプラズマ放電により
活性化するのに使用し得る。反応性ガスの活性化後に、
反応性ガスを含むガス混合物が配管５１を通ってＰＶＤ
室１４にポンプ輸送される。
【図１】本発明の好ましい実施態様の物理蒸着室及び関
連回路を示すブロック略図である。
連回路を示すブロック略図である。
【図２】本発明の好ましい実施態様の物理蒸着室の分解
斜視図を示す。
斜視図を示す。
【図３】本発明の実施態様に従ってＲＦ電力による反応
性ガス活性化を可能にする図１に示された物理蒸着室及
び回路の改良を示す。
性ガス活性化を可能にする図１に示された物理蒸着室及
び回路の改良を示す。
【図４】本発明の実施態様に従って反応性ガスの上流の
活性化を可能にする図１に示された物理蒸着室及び回路
の改良を示す。
活性化を可能にする図１に示された物理蒸着室及び回路
の改良を示す。
１０ 絶縁材 １２ ＲＦウエーハ・バイアス回路 １４ ＰＶＤ室 １６ スリーブ １７ シールド ２０ ターゲット ２１ ＤＣ電力供給装置 ２２ アノード ２３ カソード ２５ 真空ポンプ ２６ スイッチ ２７、２８、２９、３０、３１、３２、３３ ポート ４２ 高周波電源 ４３、５３…電極 ５２ 上流の活性化室 ５６ 活性化電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダン メイダン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94022 ロス アルトス ヒルズ マリ エッタ レーン 12000 (56)参考文献 特開 昭63−297568（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−46465（ＪＰ，Ｕ)
Claims (5)
- 【請求項１】 下記の工程を含む、物理蒸着室から付着
した材料のターゲットを取り出すことなく、かつ、ター
ゲットのシャッターを設けることなく、該蒸着室中の基
体シールドからターゲット材料をその場で選択的に除去
する方法。 （ａ）前記シールドに負の電圧を適用する工程、 （ｂ）活性化するとターゲット材料付着物を除去する反
応性ガスを前記蒸着室中に導入する工程、 （ｃ）前記蒸着室中の電極にＤＣ電源又は高周波電源を
接続して反応性ガスを活性化させ、該反応性ガスを前記
付着物と反応させてガス状の副生成物を生成させる工
程、 （ｄ）前記ガス状の副生成物と前記反応性ガスを蒸着室
から除去する工程、 （ｅ）前記シールドに正の電圧を適用する工程、及び （ｆ）前記ターゲットからの材料を前記シールドに隣接
した基体上に付着させる工程。 - 【請求項２】 前記反応性ガスが、フッ素含有ガス又は
塩素含有ガスである請求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 ターゲットが、タングステン、チタン、
タングステン／チタン又はアルミニウムである請求項１
に記載の方法。 - 【請求項４】 （ａ）基体支持体であって、該基体上に
スパッタリングされる材料のターゲットから反対側に隔
置された基体支持体、を含む物理蒸着室、 （ｂ）前記基体支持体を包囲するシールド、 （ｃ）清浄サイクルの際に反応性ガスを導入し、付着サ
イクルの際にスパッタリングガスを導入するための蒸着
室のガス入口、 （ｄ）前記ガスからプラズマを生成するための、蒸着室
に連結された電源、 （ｅ）清浄サイクルの際に前記シールドに負の電圧を適
用するための、前記シールドに連結されたＤＣ電源、 （ｆ）付着の際に、シールドとターゲットの間の電圧を
逆転するためのスイッチ、及び （ｇ）前記蒸着室内の真空を維持し、前記蒸着室からガ
スを除去するためのポンピング手段を含む装置。 - 【請求項５】 （ａ）基体支持体であって、該基体上に
付着される材料のターゲットから反対側に隔置された基
体支持体、を含む物理蒸着室、 （ｂ）前記基体支持体を包囲するシールド、 （ｃ）清浄サイクルの際に前記シールドに負の電圧を適
用するための、前記シールドに連結されたＤＣ電源、 （ｄ）付着の際に、シールドとターゲットの間の電圧を
逆転するためのスイッチ、 （ｅ）前記蒸着室内の真空を維持し、前記蒸着室からガ
スを除去するためのポンピング手段、 （ｆ）付着サイクルの際にスパッタリングガスを導入す
るための、前記蒸着室に連結されたガス入口、及び （ｇ）清浄サイクルの際に反応性ガスを活性化するため
の、前記蒸着室に連結された活性化室を含む装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US47778890A | 1990-02-09 | 1990-02-09 | |
| US477788 | 1990-02-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0770771A JPH0770771A (ja) | 1995-03-14 |
| JP2628795B2 true JP2628795B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=23897364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3018067A Expired - Lifetime JP2628795B2 (ja) | 1990-02-09 | 1991-02-08 | 物理蒸着室中のシールドの清浄方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0441368B1 (ja) |
| JP (1) | JP2628795B2 (ja) |
| KR (1) | KR100220292B1 (ja) |
| DE (1) | DE69119253T2 (ja) |
| ES (1) | ES2089039T3 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5391275A (en) * | 1990-03-02 | 1995-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method for preparing a shield to reduce particles in a physical vapor deposition chamber |
| US5907220A (en) * | 1996-03-13 | 1999-05-25 | Applied Materials, Inc. | Magnetron for low pressure full face erosion |
| AU2002230793A1 (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a deposition chamber |
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