JPH0692636B2 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH0692636B2 JPH0692636B2 JP13452087A JP13452087A JPH0692636B2 JP H0692636 B2 JPH0692636 B2 JP H0692636B2 JP 13452087 A JP13452087 A JP 13452087A JP 13452087 A JP13452087 A JP 13452087A JP H0692636 B2 JPH0692636 B2 JP H0692636B2
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- JP
- Japan
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- electrode
- chamber
- earth
- shield
- plasma
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、アースシールドをプラズマクリーニング用電
極に兼用できるようにした対向電極形のプラズマCVD装
置に関するものである。
極に兼用できるようにした対向電極形のプラズマCVD装
置に関するものである。
［従来の技術］ 平行平板型に代表される対向電極形のプラズマCVD装置
は、第３図に示すように、チャンバ１内で基板２と電極
３とを対向配置して構成されるとともに、電極３の背面
に該電極３を遮蔽するアースシールド４を配置する場合
が多い。このアースシールド４は、絶縁材５を挟んで電
極３と絶縁され、かつコネクタ部６でアース７に確実に
接続されて、電極３とチャンバ１との間の放電を防止し
プラズマPaを基板−電極間に閉じ込める役割を果すもの
である（なお第３図において、８は基板背面に設置した
ヒータを、９はマッチングボックス10を介し電極３に高
周波を印加するRF電源を示している）。
は、第３図に示すように、チャンバ１内で基板２と電極
３とを対向配置して構成されるとともに、電極３の背面
に該電極３を遮蔽するアースシールド４を配置する場合
が多い。このアースシールド４は、絶縁材５を挟んで電
極３と絶縁され、かつコネクタ部６でアース７に確実に
接続されて、電極３とチャンバ１との間の放電を防止し
プラズマPaを基板−電極間に閉じ込める役割を果すもの
である（なお第３図において、８は基板背面に設置した
ヒータを、９はマッチングボックス10を介し電極３に高
周波を印加するRF電源を示している）。
しかし、上記のアースシールド４を配した場合でも、成
膜中、チャンバ１の内面にある程度のプラズマ粒子が回
り付いて付着、堆積することは避けられず、それ故チャ
ンバ１の内面から定期的に付着物（例えばa-Siやpoly-S
i等）を除去することが必要とされる。
膜中、チャンバ１の内面にある程度のプラズマ粒子が回
り付いて付着、堆積することは避けられず、それ故チャ
ンバ１の内面から定期的に付着物（例えばa-Siやpoly-S
i等）を除去することが必要とされる。
一方、チャンバ１内を浄化するための有力でかつ簡便な
る手段として、エッチングを利用したプラズマクリーニ
ングが知られる。すなわち、この方法はチャンバ１内に
CF4、NF3等のエッチングガスを導入し、電極３とチャン
バ１等の間でプラズマ放電させ、付着物をエッチングに
より除去するようにしたものである。
る手段として、エッチングを利用したプラズマクリーニ
ングが知られる。すなわち、この方法はチャンバ１内に
CF4、NF3等のエッチングガスを導入し、電極３とチャン
バ１等の間でプラズマ放電させ、付着物をエッチングに
より除去するようにしたものである。
［発明が解決しようとする問題点］ ところが、電極背面に前記アースシールド４を配したも
のでは、その際のプラズマ生成領域もやはりシールド４
の遮蔽を受けるため、プラズマの回り込みにくい場所、
即ちシールド４の背面側に当るチャンバ内壁1aや底部1b
などに付着、堆積した付着物は容易に除去されない。
のでは、その際のプラズマ生成領域もやはりシールド４
の遮蔽を受けるため、プラズマの回り込みにくい場所、
即ちシールド４の背面側に当るチャンバ内壁1aや底部1b
などに付着、堆積した付着物は容易に除去されない。
そのため、エッチング効果の波及し難い場所についた付
着物は、一旦チャンバ１内を大気に解放してから内壁1a
等を物理的な手段で磨いたり、あるいは部品を取外して
酸洗するなど、別個にクリーニング作業を行なうことが
余儀無くされる。
着物は、一旦チャンバ１内を大気に解放してから内壁1a
等を物理的な手段で磨いたり、あるいは部品を取外して
酸洗するなど、別個にクリーニング作業を行なうことが
余儀無くされる。
しかし乍ら、かかる浄化手段を採ると、クリーニング作
業に手間が掛るばかりでなく、チャンバ１内をその都度
大気に解放しなければならないので、装置の稼働働効率
が悪くなってしまう。
業に手間が掛るばかりでなく、チャンバ１内をその都度
大気に解放しなければならないので、装置の稼働働効率
が悪くなってしまう。
本発明は、このような問題点を解消するため、チャンバ
内を大気に戻すことなく、プラズマクリーニングによっ
てチャンバ内に付着した付着物を隈無く除去できるよう
に改善したプラズマCVD装置を提供するものである。
内を大気に戻すことなく、プラズマクリーニングによっ
てチャンバ内に付着した付着物を隈無く除去できるよう
に改善したプラズマCVD装置を提供するものである。
［問題点を解決するための手段］ 本発明が上記の目的達成のために採る手段は、アースシ
ールドを有する対向電極形のプラズマCVD装置におい
て、前記アースシールドをアースと絶縁可能に設けると
ともに、高周波電源を該アースシールドと電極とに接続
切換可能に設けるようにした点にある。
ールドを有する対向電極形のプラズマCVD装置におい
て、前記アースシールドをアースと絶縁可能に設けると
ともに、高周波電源を該アースシールドと電極とに接続
切換可能に設けるようにした点にある。
［作用］ このように構成したものであると、チャンバ内をプラズ
マクリーニングするに際しては、そのアースシールドを
アースと絶縁し、高周波電源をCVD用電極から該アース
シールドに接続を切換えるようにすればよい。すると、
高周波が印加されるアースシールドがプラズマクリーニ
ング用電極の役目を果して、該シールドと対面するチャ
ンバ内面との間で放電しプラズマを生成する。
マクリーニングするに際しては、そのアースシールドを
アースと絶縁し、高周波電源をCVD用電極から該アース
シールドに接続を切換えるようにすればよい。すると、
高周波が印加されるアースシールドがプラズマクリーニ
ング用電極の役目を果して、該シールドと対面するチャ
ンバ内面との間で放電しプラズマを生成する。
このように本装置では、アースシールドをクリーニング
電極に兼用することで、CVD時とクリーニング（エッチ
ング）時とでチャンバ内でのプラズマ生成領域を大きく
変更することができ、クリーニング時には必要なシール
ド背面側のチャンバ内壁や底部等に付着した付着物をエ
ッチングにより効果的に除去することができる。
電極に兼用することで、CVD時とクリーニング（エッチ
ング）時とでチャンバ内でのプラズマ生成領域を大きく
変更することができ、クリーニング時には必要なシール
ド背面側のチャンバ内壁や底部等に付着した付着物をエ
ッチングにより効果的に除去することができる。
［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図と第２図は、本発明に係る平行平板型のプラズマ
CVD装置の概要を、第３図の従来例と対比して図示した
もので、第１図にCVD使用状態を、第２図にクリーニン
グ使用状態を示している。ここに、装置の基本構成に係
る各部符号は、従来例のものと共通して用いられる。即
ち、１はチャンバ、２は基板、３は（CVD用）電極、４
はアースシールド、７はアース、８は基板ヒータ、９は
RF（高周波）電源、10はマッチングボックスをそれぞれ
示す。なお、電極３にはそれ自身の内部からガスを吹き
出す方式のもの等、種々の構造、形態のものが利用でき
る。
CVD装置の概要を、第３図の従来例と対比して図示した
もので、第１図にCVD使用状態を、第２図にクリーニン
グ使用状態を示している。ここに、装置の基本構成に係
る各部符号は、従来例のものと共通して用いられる。即
ち、１はチャンバ、２は基板、３は（CVD用）電極、４
はアースシールド、７はアース、８は基板ヒータ、９は
RF（高周波）電源、10はマッチングボックスをそれぞれ
示す。なお、電極３にはそれ自身の内部からガスを吹き
出す方式のもの等、種々の構造、形態のものが利用でき
る。
しかして、この装置の改変された要部の構成について説
明すると、まずアースシールド４は、アース７との確実
な接続状態から該アース７との確実な絶縁状態に切換可
能に設けられている。このようなアース７との絶縁を可
能にするため、アースシールド４は、次のように設けら
れている。
明すると、まずアースシールド４は、アース７との確実
な接続状態から該アース７との確実な絶縁状態に切換可
能に設けられている。このようなアース７との絶縁を可
能にするため、アースシールド４は、次のように設けら
れている。
すなわち、背面側を遮蔽するようにして電極３の周りに
配設される筒状のアースシールド４は、内周に絶縁材5a
を、外周に絶縁材5bを挟んで電極３とチャンバ１の底部
から突設したガイド筒11との間にスライド可能に嵌合さ
れ、大気側からチャンバ１内に向けて所定のストローク
で昇降可能に設置されている。そして、チャンバ１内で
その中途部外周に断面Ｌ形をなす環状のアースコンタク
ト6aを突設している一方で、このアースコンタクト6aの
外周に対面する位置のチャンバ底部1bにアース７に導通
されるアースコンタクト6bを設置している。かくして、
アースシールド４がその下降位置にあるときは、第１図
のように、両コンタクト6a、6bが密着して、アースシー
ルド４はアース７との確実な接続状態に保持されるもの
となる。他方、アースシールド４がその上昇位置にある
ときは、第２図のように、コンタクト6aがコンタクト6b
と完全に離反する位置に浮上して、アース７との確実な
絶縁状態に保持されることになる。
配設される筒状のアースシールド４は、内周に絶縁材5a
を、外周に絶縁材5bを挟んで電極３とチャンバ１の底部
から突設したガイド筒11との間にスライド可能に嵌合さ
れ、大気側からチャンバ１内に向けて所定のストローク
で昇降可能に設置されている。そして、チャンバ１内で
その中途部外周に断面Ｌ形をなす環状のアースコンタク
ト6aを突設している一方で、このアースコンタクト6aの
外周に対面する位置のチャンバ底部1bにアース７に導通
されるアースコンタクト6bを設置している。かくして、
アースシールド４がその下降位置にあるときは、第１図
のように、両コンタクト6a、6bが密着して、アースシー
ルド４はアース７との確実な接続状態に保持されるもの
となる。他方、アースシールド４がその上昇位置にある
ときは、第２図のように、コンタクト6aがコンタクト6b
と完全に離反する位置に浮上して、アース７との確実な
絶縁状態に保持されることになる。
また、電極３にマッチングボックス10を介して給電する
RF電源９は、必要に応じて電極３に切換えてアースシー
ルド４に高周波を印加することができるように、両者に
対して接続切換可能に設けられている。すなわち、電極
３とアースシールド４の大気側の突出端とにそれぞれ給
電端子12a、12bを設け、これにマッチングボックス10の
出力端子13をスイッチ14を介して択一的に接続するよう
にしている。
RF電源９は、必要に応じて電極３に切換えてアースシー
ルド４に高周波を印加することができるように、両者に
対して接続切換可能に設けられている。すなわち、電極
３とアースシールド４の大気側の突出端とにそれぞれ給
電端子12a、12bを設け、これにマッチングボックス10の
出力端子13をスイッチ14を介して択一的に接続するよう
にしている。
このように構成したプラズマCVD装置は、以下のような
作動の下に基板２への薄膜形成とチャンバ１内のクリー
ニングとが実行される。
作動の下に基板２への薄膜形成とチャンバ１内のクリー
ニングとが実行される。
まず、第１図のCVD時においては、アースシールド４が
確実にアースされた状態で電極３に高周波が印加され、
この電極３と対向する基板２との間の閉じ込められた領
域にプラズマPaを生成し、従来装置と同様にして基板２
上に膜形成して行くものとなる。
確実にアースされた状態で電極３に高周波が印加され、
この電極３と対向する基板２との間の閉じ込められた領
域にプラズマPaを生成し、従来装置と同様にして基板２
上に膜形成して行くものとなる。
次いで、第２図のクリーニング時においては、アースシ
ールド４をチャンバ１内で上昇位置にセットしアース７
と絶縁状態に保持するとともに、チャンバ１内に前述し
たエッチングガスを導入してからスイッチ13をCVD用電
極３の端子12aからアースシールド４の端子12bに切換
え、該シールド４に高周波を印加する。すると、アース
シールド４がプラズマクリーニング用電極の役目を果
し、対面するチャンバ内壁1aやチャンバ底部1bとの間で
プラズマPbを生成し、従前ではプラズマクリーニングが
困難であったチャンバ内面の当該部分やアースシールド
４の外面に付着した付着物をエッチングにより効率よく
除去することができる。
ールド４をチャンバ１内で上昇位置にセットしアース７
と絶縁状態に保持するとともに、チャンバ１内に前述し
たエッチングガスを導入してからスイッチ13をCVD用電
極３の端子12aからアースシールド４の端子12bに切換
え、該シールド４に高周波を印加する。すると、アース
シールド４がプラズマクリーニング用電極の役目を果
し、対面するチャンバ内壁1aやチャンバ底部1bとの間で
プラズマPbを生成し、従前ではプラズマクリーニングが
困難であったチャンバ内面の当該部分やアースシールド
４の外面に付着した付着物をエッチングにより効率よく
除去することができる。
以上の如く、本発明に係るプラズマCVD装置では、CVD用
電極の背面を遮蔽するアースシールドをプラズマクリー
ニング用電極に兼用したことで、チャンバ内におけるプ
ラズマ生成領域を大きく変更することが可能となり、こ
れに伴いプラズマクリーニングによりチャンバ内から付
着物を効率良くエッチングして除去することができる。
これ故、クリーニング作業の毎にチャンバを大気に解放
しなければならなかった不都合が一挙に解消されるもの
となる。
電極の背面を遮蔽するアースシールドをプラズマクリー
ニング用電極に兼用したことで、チャンバ内におけるプ
ラズマ生成領域を大きく変更することが可能となり、こ
れに伴いプラズマクリーニングによりチャンバ内から付
着物を効率良くエッチングして除去することができる。
これ故、クリーニング作業の毎にチャンバを大気に解放
しなければならなかった不都合が一挙に解消されるもの
となる。
なお、本発明を実施する上で、アースシールドをアース
と絶縁可能に設けるための機構や、高周波電源をアース
シールドとCVD用電極との間で接続切換可能にするため
の機構については、勿論上記実施例で示したものは一例
に過ぎず、その他適宜構成を採用することができる。
と絶縁可能に設けるための機構や、高周波電源をアース
シールドとCVD用電極との間で接続切換可能にするため
の機構については、勿論上記実施例で示したものは一例
に過ぎず、その他適宜構成を採用することができる。
また、本発明を適用するプラズマCVD装置は平行平板型
のものに限らず、アースシールドを有する対向電極形の
もの一般に利用可能である。
のものに限らず、アースシールドを有する対向電極形の
もの一般に利用可能である。
［発明の効果］ 以上の通り、本発明のプラズマCVD装置ではアースシー
ルドをCVD電極と別異のプラズマ生成領域を形成するプ
ラズマクリーニング用電極に兼用するものとしたため、
シールド背面のチャンバ内面やシールド外面に付着した
付着物もプラズマクリーニングにより効果的に除去する
ことができて、クリーニングの都度チャンバ内を大気に
解放しなくともよいのが特徴である。
ルドをCVD電極と別異のプラズマ生成領域を形成するプ
ラズマクリーニング用電極に兼用するものとしたため、
シールド背面のチャンバ内面やシールド外面に付着した
付着物もプラズマクリーニングにより効果的に除去する
ことができて、クリーニングの都度チャンバ内を大気に
解放しなくともよいのが特徴である。
第１図と第２図は本発明の一実施例を示すプラズマCVD
装置の概略断面図であって、第１図はCVD作動状態を第
２図はプラズマクリーニングの作動状態を示している。
第３図は従来例を示すプラズマCVD装置の概略断面図で
ある。 １……チャンバ、２……基板 ３……CVD電極、４……アースシールド 5a、5b……絶縁材、７……アース 6a、6b……アースコンタンクト ９……RF電源、14……スイッチ
装置の概略断面図であって、第１図はCVD作動状態を第
２図はプラズマクリーニングの作動状態を示している。
第３図は従来例を示すプラズマCVD装置の概略断面図で
ある。 １……チャンバ、２……基板 ３……CVD電極、４……アースシールド 5a、5b……絶縁材、７……アース 6a、6b……アースコンタンクト ９……RF電源、14……スイッチ
Claims (1)
- 【請求項１】チャンバ内で、基板とアースシールドで背
面を遮蔽した電極とを対向配置してなる対向電極形のプ
ラズマCVD装置において、前記アースシールドをアース
と絶縁可能に設けるとともに、高周波電源を該アースシ
ールドと前記電極とに接続切換可能に設けたことを特徴
とするプラズマCVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13452087A JPH0692636B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13452087A JPH0692636B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63297568A JPS63297568A (ja) | 1988-12-05 |
| JPH0692636B2 true JPH0692636B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=15130246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13452087A Expired - Lifetime JPH0692636B2 (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0692636B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0441368B1 (en) * | 1990-02-09 | 1996-05-08 | Applied Materials, Inc. | Method and device for removing excess material from a sputtering chamber |
| JP2720420B2 (ja) * | 1994-04-06 | 1998-03-04 | キヤノン販売株式会社 | 成膜／エッチング装置 |
-
1987
- 1987-05-28 JP JP13452087A patent/JPH0692636B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63297568A (ja) | 1988-12-05 |
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