JPH06132249A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH06132249A JPH06132249A JP27975292A JP27975292A JPH06132249A JP H06132249 A JPH06132249 A JP H06132249A JP 27975292 A JP27975292 A JP 27975292A JP 27975292 A JP27975292 A JP 27975292A JP H06132249 A JPH06132249 A JP H06132249A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- chamber
- gas pad
- magnet coil
- vicinity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 チャンバー内の付着物を効率良くクリーニン
グすることが可能な半導体製造装置を提供する。 【構成】 マグネットコイル９を、プラズマクリーニン
グ時に電極３、４近傍に移動して、プラズマ８をガスパ
ット２近辺に集中させる。
グすることが可能な半導体製造装置を提供する。 【構成】 マグネットコイル９を、プラズマクリーニン
グ時に電極３、４近傍に移動して、プラズマ８をガスパ
ット２近辺に集中させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、チャンバー内に付着
して形成される異物を、効率よくプラズマクリーニング
することができる半導体装置に関するものである。
して形成される異物を、効率よくプラズマクリーニング
することができる半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３はこの種従来の半導体装置としての
プラズマエッチング装置の概略構成を示す図である。図
において、１はチャンバー、２はこのチャンバー１の上
方に配設され、反応ガスをチャンバー１内に導入するガ
スパット、３、４はガスパット２の近傍に配設される一
対の電極、５はチャンバー１の下方のガスパット２と対
応する位置に配設され、被処理部材としての基板６が載
置されるペデスタル、７はこのペデスタル５の近傍に配
設されるマグネットコイルである。
プラズマエッチング装置の概略構成を示す図である。図
において、１はチャンバー、２はこのチャンバー１の上
方に配設され、反応ガスをチャンバー１内に導入するガ
スパット、３、４はガスパット２の近傍に配設される一
対の電極、５はチャンバー１の下方のガスパット２と対
応する位置に配設され、被処理部材としての基板６が載
置されるペデスタル、７はこのペデスタル５の近傍に配
設されるマグネットコイルである。
【０００３】上記のように構成されたプラズマエッチン
グ装置においては、例えばＡｒ等のガスを用いてエッチ
バック処理が行われるが、これらの処理中、エッチング
された膜の一部がＡｒイオンによって叩き出され、主に
ガスパット２やチャンバー１の側壁に付着して堆積し、
これが剥離して異物の発生原因となるため、定期的にＣ
Ｆ4＋Ｏ2ガスを用いた反応性エッチングでチャンバー１
内をプラズマクリーニングしている。
グ装置においては、例えばＡｒ等のガスを用いてエッチ
バック処理が行われるが、これらの処理中、エッチング
された膜の一部がＡｒイオンによって叩き出され、主に
ガスパット２やチャンバー１の側壁に付着して堆積し、
これが剥離して異物の発生原因となるため、定期的にＣ
Ｆ4＋Ｏ2ガスを用いた反応性エッチングでチャンバー１
内をプラズマクリーニングしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体製造装置
は以上のように構成され、付着物を排除するためのプラ
ズマクリーニングが行われているが、クリーニング時の
プラズマ８は、図４に示すようにチャンバー１内にほぼ
均一に分布されている。一方、付着物は主にガスパット
２近辺に付着していて均一に分布されていないので、ク
リーニング後もガスパット２近辺には異物が残り、又、
ペデスタル２近辺の付着物は一掃されるが、逆にペデス
タル５自身が削られて異物が発生する等、半導体製造上
欠陥になるという問題点があった。
は以上のように構成され、付着物を排除するためのプラ
ズマクリーニングが行われているが、クリーニング時の
プラズマ８は、図４に示すようにチャンバー１内にほぼ
均一に分布されている。一方、付着物は主にガスパット
２近辺に付着していて均一に分布されていないので、ク
リーニング後もガスパット２近辺には異物が残り、又、
ペデスタル２近辺の付着物は一掃されるが、逆にペデス
タル５自身が削られて異物が発生する等、半導体製造上
欠陥になるという問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、チャンバー内の付着物を効率良
くクリーニングすることが可能な半導体製造装置を提供
することを目的とするものである。
ためになされたもので、チャンバー内の付着物を効率良
くクリーニングすることが可能な半導体製造装置を提供
することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体製
造装置は、電極およびマグネットコイルによる電場およ
び磁場によりプラズマを発生させ被処理部材上の処理を
行うとともに、上記マグネットコイルを移動可能とした
ものである。
造装置は、電極およびマグネットコイルによる電場およ
び磁場によりプラズマを発生させ被処理部材上の処理を
行うとともに、上記マグネットコイルを移動可能とした
ものである。
【０００７】
【作用】この発明に係る半導体製造装置のマグネットコ
イルは、プラズマクリーニング時に電極近傍に移動し
て、プラズマをガスパット近辺に集中させる。
イルは、プラズマクリーニング時に電極近傍に移動し
て、プラズマをガスパット近辺に集中させる。
【０００８】
【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例を図につ
いて説明する。図１はこの発明の実施例１における半導
体製造装置としてのプラズマエッチング装置の概略構成
を示す図である。図において、チャンバー１、ガスパッ
ト２、一対の電極３、４、ペデスタル５および基板６は
図１に示す従来装置のものと同様である。９はペデスタ
ル５近傍に配設されるマグネットコイルで、図中矢印で
示すように移動可能に構成されている。
いて説明する。図１はこの発明の実施例１における半導
体製造装置としてのプラズマエッチング装置の概略構成
を示す図である。図において、チャンバー１、ガスパッ
ト２、一対の電極３、４、ペデスタル５および基板６は
図１に示す従来装置のものと同様である。９はペデスタ
ル５近傍に配設されるマグネットコイルで、図中矢印で
示すように移動可能に構成されている。
【０００９】上記のように構成された実施例１における
プラズマエッチング装置においては、反応性エッチング
でプラズマクリーニングを行う際、まずマグネットコイ
ル９を図中矢印で示すように移動させ、破線で示すよう
に両電極３、４の近傍に設置して磁場をかける。そうす
ると、この磁場によりチャンバー内のプラズマ８は図２
に示すように上方、すなわち、ガスパット２の近傍に集
められ、ガスパット２近辺に集中して付着している付着
物（この場合はＳｉＯ2）はプラズマ化されたガス（こ
の場合はＣＦ4＋Ｏ2）によって効率よくクリーニングさ
れる。又、プラズマ８がチャンバー１の上方に移動する
のでペデスタル５自身が削られて異物が発生することも
なくなる。
プラズマエッチング装置においては、反応性エッチング
でプラズマクリーニングを行う際、まずマグネットコイ
ル９を図中矢印で示すように移動させ、破線で示すよう
に両電極３、４の近傍に設置して磁場をかける。そうす
ると、この磁場によりチャンバー内のプラズマ８は図２
に示すように上方、すなわち、ガスパット２の近傍に集
められ、ガスパット２近辺に集中して付着している付着
物（この場合はＳｉＯ2）はプラズマ化されたガス（こ
の場合はＣＦ4＋Ｏ2）によって効率よくクリーニングさ
れる。又、プラズマ８がチャンバー１の上方に移動する
のでペデスタル５自身が削られて異物が発生することも
なくなる。
【００１０】実施例２．なお、上記実施例１では、半導
体製造装置としてプラズマエッチング装置について説明
したが、勿論これに限定されるものではなく、例えばプ
ラズマを発生させてガス分子を活性状態に励起させるプ
ラズマＣＶＤ装置等に適用しても、上記実施例１と同様
の効果を奏することは言うまでもない。
体製造装置としてプラズマエッチング装置について説明
したが、勿論これに限定されるものではなく、例えばプ
ラズマを発生させてガス分子を活性状態に励起させるプ
ラズマＣＶＤ装置等に適用しても、上記実施例１と同様
の効果を奏することは言うまでもない。
【００１１】実施例３．又、上記各実施例では、マグネ
ットコイル９を付着物が集中するガスパット２の近傍に
移動させて磁場をかけ、プラズマをガスパット２の近傍
に集めるようにしているが、さらに加えて、マグネット
コイル９に流れる電流の分布を変化させてやれば、より
効率良くクリーニングを行うことができる。
ットコイル９を付着物が集中するガスパット２の近傍に
移動させて磁場をかけ、プラズマをガスパット２の近傍
に集めるようにしているが、さらに加えて、マグネット
コイル９に流れる電流の分布を変化させてやれば、より
効率良くクリーニングを行うことができる。
【００１２】
【発明の効果】以上のように、この発明によればマグネ
ットコイルを移動可能とし、プラズマクリーニング時に
電極近傍に移動して、プラズマをガスパット近辺に集中
させるようにしたので、チャンバー内の付着物を効率良
くクリーニングすることが可能な半導体製造装置を提供
することができる。
ットコイルを移動可能とし、プラズマクリーニング時に
電極近傍に移動して、プラズマをガスパット近辺に集中
させるようにしたので、チャンバー内の付着物を効率良
くクリーニングすることが可能な半導体製造装置を提供
することができる。
【図１】この発明の実施例１における半導体製造装置の
概略構成を示す図である。
概略構成を示す図である。
【図２】図１における半導体製造装置のチャンバー内に
おけるプラズマの状態を示す図である。
おけるプラズマの状態を示す図である。
【図３】従来の半導体製造装置の概略構成を示す図であ
る。
る。
【図４】図３における半導体製造装置のチャンバー内に
おけるプラズマの状態を示す図である。
おけるプラズマの状態を示す図である。
１ チャンバー ２ ガスパット ３，４ 電極 ５ ペデスタル ６ 基板（被処理部材） ７，９ マグネットコイル ８ プラズマ
Claims (1)
- 【請求項１】 反応ガスをチャンバー内に導入するガス
パットと、このガスパットと、このガスパットの近傍に
配設される一対の電極と、上記チャンバー内の上記ガス
パットと対向する位置に配設され被処理部材を載置する
ペデスタルと、このペデスタル近傍に配設されるマグネ
ットコイルとを備え、上記電極およびマグネットコイル
による電場および磁場によりプラズマを発生させ上記被
処理部材上の処理を行う半導体製造装置において、上記
マグネットコイルを移動可能としプラズマクリーニング
時に上記電極近傍に移動させるようにしたことを特徴と
する半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27975292A JPH06132249A (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27975292A JPH06132249A (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132249A true JPH06132249A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17615417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27975292A Pending JPH06132249A (ja) | 1992-10-19 | 1992-10-19 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132249A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100275831B1 (ko) * | 1995-05-30 | 2001-01-15 | 니시히라 쥰지 | 진공처리시스템 및 그의 진공처리시스템에 있어서의 진공용기 내면 퇴적막의 제거방법 |
| JP2009059747A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | ドライエッチング装置のクリーニング方法 |
| KR102178201B1 (ko) * | 2019-09-24 | 2020-11-12 | 한국표준과학연구원 | 플라즈마 점화 장치를 포함하는 반도체 제조 장치 및 그 방법 |
| CN114171360A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-03-11 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 上电极装置及工艺腔室 |
-
1992
- 1992-10-19 JP JP27975292A patent/JPH06132249A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100275831B1 (ko) * | 1995-05-30 | 2001-01-15 | 니시히라 쥰지 | 진공처리시스템 및 그의 진공처리시스템에 있어서의 진공용기 내면 퇴적막의 제거방법 |
| JP2009059747A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | ドライエッチング装置のクリーニング方法 |
| KR102178201B1 (ko) * | 2019-09-24 | 2020-11-12 | 한국표준과학연구원 | 플라즈마 점화 장치를 포함하는 반도체 제조 장치 및 그 방법 |
| CN114171360A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-03-11 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 上电极装置及工艺腔室 |
| CN114171360B (zh) * | 2021-12-07 | 2023-11-14 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 上电极装置及工艺腔室 |
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