JPH0286127A - プラズマクリーニング方法 - Google Patents
プラズマクリーニング方法Info
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- JPH0286127A JPH0286127A JP23644688A JP23644688A JPH0286127A JP H0286127 A JPH0286127 A JP H0286127A JP 23644688 A JP23644688 A JP 23644688A JP 23644688 A JP23644688 A JP 23644688A JP H0286127 A JPH0286127 A JP H0286127A
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- plasma
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- wafer
- plasma cleaning
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- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特にプラズマクリ
ーニングを要するプラズマ処理装置に関するものである
。
ーニングを要するプラズマ処理装置に関するものである
。
従来のプラズマ処理装置としては５例えば、特開昭６０
−１１３４２８号公報に記載のようなものが知られてい
る。
−１１３４２８号公報に記載のようなものが知られてい
る。
上記従来技術は、プラズマクリーニング時のプラズマ電
位により試料台にイオンが入射して該試料台がスパツク
されるため、ダミー試料を設置してプラズマクリーニン
グを実施していた。
位により試料台にイオンが入射して該試料台がスパツク
されるため、ダミー試料を設置してプラズマクリーニン
グを実施していた。
本発明の目的は、ダミー試料を用いずにプラズマクリー
ニングを実施できるプラズマ処理装置を提供する二とに
ある。
ニングを実施できるプラズマ処理装置を提供する二とに
ある。
上記目的は、プラズマ処理装置を、特にプラズマを利用
して処理される試料が設置される試料台に対応して設け
られたアース電極に対して正のバイアスを上記試料台に
印加する手段を具備したものとすることにより、達成さ
れる。
して処理される試料が設置される試料台に対応して設け
られたアース電極に対して正のバイアスを上記試料台に
印加する手段を具備したものとすることにより、達成さ
れる。
プラズマクリーニングにおいては、プラズマは、正の電
位を持つため、プラズマ中から試料台にイオンカ入射す
る。この入射するイオンによって試料台がスパツクされ
、真空処理室内の汚染となる可能性がある。
位を持つため、プラズマ中から試料台にイオンカ入射す
る。この入射するイオンによって試料台がスパツクされ
、真空処理室内の汚染となる可能性がある。
そこで、アース電極に対して正電位を試料台に印加し試
料台へのイオンの入射をなくす二とにより、ダミー試料
を用いなくとも試料台のスパッタそれによる真空処理室
内の汚染を防止することができる。
料台へのイオンの入射をなくす二とにより、ダミー試料
を用いなくとも試料台のスパッタそれによる真空処理室
内の汚染を防止することができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
本実施例は、−例としてマイクロ波プラズマ装置に応用
したものである。
したものである。
試料台１に試料、例えば、ウェハ７をセットし、マグネ
トロン５および磁場発生コイル番により放電管８内でプ
ラズマ１０を発生させ、該プラズマを利用してウェハ７
のエツチングを行う。ウェハ７の処理枚数が多くなると
放電管８内等が汚染されるため、クリーニングが必要と
なる。このプラズマクリーニング時に、アース電極９に
対しプラズマが正電位となるためアース電極９に対して
試料台ｌを同一電位もしくは負電位にすると試料台１の
ウェハセット面にイオンが入射して試料台ｌのウェハセ
ット面がスパッタされてしまう。ところでプラズマの電
位はアース電極９に対して数Ｖ〜数十ｖの正電位となる
。これを防止するため、プラズマ電位相当以上の正電位
をアースＴＩＬ極９に対して試料台１１こバイアス印加
部３によって印加する。つまり、プラズマの電位に対し
試料台１の電位をほぼ等しいか正電位にし試料台１のウ
ェハセット面へのイオンの入射をなくして試料台ｌのウ
ェハセット面のスパッタを防止する。なお、ウェハ７の
工呼チング時に高周波′ＷＬ源２に゛よりバイアス印加
可能である。
トロン５および磁場発生コイル番により放電管８内でプ
ラズマ１０を発生させ、該プラズマを利用してウェハ７
のエツチングを行う。ウェハ７の処理枚数が多くなると
放電管８内等が汚染されるため、クリーニングが必要と
なる。このプラズマクリーニング時に、アース電極９に
対しプラズマが正電位となるためアース電極９に対して
試料台ｌを同一電位もしくは負電位にすると試料台１の
ウェハセット面にイオンが入射して試料台ｌのウェハセ
ット面がスパッタされてしまう。ところでプラズマの電
位はアース電極９に対して数Ｖ〜数十ｖの正電位となる
。これを防止するため、プラズマ電位相当以上の正電位
をアースＴＩＬ極９に対して試料台１１こバイアス印加
部３によって印加する。つまり、プラズマの電位に対し
試料台１の電位をほぼ等しいか正電位にし試料台１のウ
ェハセット面へのイオンの入射をなくして試料台ｌのウ
ェハセット面のスパッタを防止する。なお、ウェハ７の
工呼チング時に高周波′ＷＬ源２に゛よりバイアス印加
可能である。
本実施例によれば、プラズマクリーニングにおいて、ダ
ミーウェハを用いずとも試料台のスパッタを防止でき放
電管内等の汚染を防止できる。また、本実施例によれば
、プラズマクリーニング時における試料台へのダミーウ
ェハのセブト、除去操作が不要となるので、プラズマク
リーニング操作が簡単になる。更に、このため、プラズ
マクリーニングに要する時間を短縮でき装置のＷ！ｅ率
。
ミーウェハを用いずとも試料台のスパッタを防止でき放
電管内等の汚染を防止できる。また、本実施例によれば
、プラズマクリーニング時における試料台へのダミーウ
ェハのセブト、除去操作が不要となるので、プラズマク
リーニング操作が簡単になる。更に、このため、プラズ
マクリーニングに要する時間を短縮でき装置のＷ！ｅ率
。
スループブトを向上できる。また、ダミーウェハのセッ
ト、除去操作が不要であるため、プラズマクリーニング
の自動化が更に容易になる。
ト、除去操作が不要であるため、プラズマクリーニング
の自動化が更に容易になる。
なお、上記一実施例では、いわゆる有磁場型のマイクロ
波プラズマエツチング装置を例に挙げたが、本発明は、
これに特に限定されるものではない。例えば、いわゆる
無磁場型のマイクロ波プラズマエツチング装置や有磁場
型、無磁場型マイクロ波プラズマＣＶＤ装置等にも適用
できることはいうまでもない。
波プラズマエツチング装置を例に挙げたが、本発明は、
これに特に限定されるものではない。例えば、いわゆる
無磁場型のマイクロ波プラズマエツチング装置や有磁場
型、無磁場型マイクロ波プラズマＣＶＤ装置等にも適用
できることはいうまでもない。
本発明によれば、プラズマクリーニングにおける試料台
のスパッタを防止できるので、ダミー試料ヲ用いずにプ
ラズマクリーニングを実施できる効果がある。
のスパッタを防止できるので、ダミー試料ヲ用いずにプ
ラズマクリーニングを実施できる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例のマイクロ波プラズマエツ
チング装置の装置構成図である。 ｌ・・・・・・試料台、３・・−・・バイアス印加部、
４・・・・・・磁場発生用コイル、５・・・・・・マグ
ネトロン、６・・・・・・導波管、７・・・・・・ウェ
ハ、８・・・・・・放電管、９・・・・・・アース電極
チング装置の装置構成図である。 ｌ・・・・・・試料台、３・・−・・バイアス印加部、
４・・・・・・磁場発生用コイル、５・・・・・・マグ
ネトロン、６・・・・・・導波管、７・・・・・・ウェ
ハ、８・・・・・・放電管、９・・・・・・アース電極
Claims (1)
- １、真空処理室と、該真空処理室内でプラズマを発生さ
せる手段と、前記プラズマを利用して処理される試料が
設置される試料台と、該試料台に対応して設けられたア
ース電極と、該アース電極に対して正のバイアスを前記
試料台に印加する手段とを具備したことを特徴とするプ
ラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63236446A JP2680065B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | プラズマクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63236446A JP2680065B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | プラズマクリーニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0286127A true JPH0286127A (ja) | 1990-03-27 |
| JP2680065B2 JP2680065B2 (ja) | 1997-11-19 |
Family
ID=17000871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63236446A Expired - Lifetime JP2680065B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | プラズマクリーニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2680065B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861601A (en) * | 1993-11-12 | 1999-01-19 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma processing apparatus and method |
| KR100249548B1 (ko) * | 1995-05-30 | 2000-03-15 | 니시히라 쥰지 | 플라즈마 처리 시스템 |
| US9093261B2 (en) | 2013-10-10 | 2015-07-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
| CN114059014A (zh) * | 2021-10-08 | 2022-02-18 | 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) | 具有电感耦合放电清洗功能的样品台 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60158629A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-20 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPS6376434A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマクリーニング方法 |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP63236446A patent/JP2680065B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60158629A (ja) * | 1984-01-30 | 1985-08-20 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPS6376434A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマクリーニング方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5861601A (en) * | 1993-11-12 | 1999-01-19 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma processing apparatus and method |
| KR100249548B1 (ko) * | 1995-05-30 | 2000-03-15 | 니시히라 쥰지 | 플라즈마 처리 시스템 |
| US9093261B2 (en) | 2013-10-10 | 2015-07-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
| CN114059014A (zh) * | 2021-10-08 | 2022-02-18 | 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) | 具有电感耦合放电清洗功能的样品台 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2680065B2 (ja) | 1997-11-19 |
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