JP2002043285A - 半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置Info
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- JP2002043285A JP2002043285A JP2000219658A JP2000219658A JP2002043285A JP 2002043285 A JP2002043285 A JP 2002043285A JP 2000219658 A JP2000219658 A JP 2000219658A JP 2000219658 A JP2000219658 A JP 2000219658A JP 2002043285 A JP2002043285 A JP 2002043285A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】トリガー放電方式を用いて高周波プラズマ（Ｒ
Ｆプラズマ）を発生させるエッチング工程において、ト
リガー放電の際の発塵を低減し得る半導体装置の製造方
法及びプラズマエッチング装置を提供する。 【解決手段】エッチングチャンバ内の装備における除電
処理１は、被エッチング物をエッチングチャンバ内に入
れる前に、予めチャンバ内における装備に帯電した電荷
を除去する工程である。エッチングチャンバ内の装備
は、例えば、ウェハの搬送アーム、ホルダ等のウェハ支
持部やエッチングに関与する上下の電極部といったもの
である。除電処理は、例えば、エッチングチャンバ内の
装備に紫外線を一定時間照射することにより達成され
る。次に、被エッチング物搬送／設置処理２に移行し、
プラズマエッチング処理３が実施される。
Ｆプラズマ）を発生させるエッチング工程において、ト
リガー放電の際の発塵を低減し得る半導体装置の製造方
法及びプラズマエッチング装置を提供する。 【解決手段】エッチングチャンバ内の装備における除電
処理１は、被エッチング物をエッチングチャンバ内に入
れる前に、予めチャンバ内における装備に帯電した電荷
を除去する工程である。エッチングチャンバ内の装備
は、例えば、ウェハの搬送アーム、ホルダ等のウェハ支
持部やエッチングに関与する上下の電極部といったもの
である。除電処理は、例えば、エッチングチャンバ内の
装備に紫外線を一定時間照射することにより達成され
る。次に、被エッチング物搬送／設置処理２に移行し、
プラズマエッチング処理３が実施される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に係り、特にトリガー放電方式を用いて高周波プラズマ
（ＲＦプラズマ）を発生させることによりエッチング作
用を生じさせる半導体装置の製造方法及びプラズマエッ
チング装置に関する。
に係り、特にトリガー放電方式を用いて高周波プラズマ
（ＲＦプラズマ）を発生させることによりエッチング作
用を生じさせる半導体装置の製造方法及びプラズマエッ
チング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波（ＲＦ）プラズマエッチング装置
においては、トリガー放電方式を用いてエッチングチャ
ンバ内にＲＦプラズマを発生させる。この場合、エッチ
ングを行う手順は次のようであった。（１）例えば石英
製のアームに、被エッチング物を有するウェハが載置さ
れ、チャンバ内の所定箇所まで搬送されウェハが設置さ
れる。（２）リアクタに高周波（ＲＦ）を印加し、トリ
ガー制御によりスパークを起こしてチャンバ内のガス種
をプラズマ化させ、（３）被エッチング物をエッチング
する。
においては、トリガー放電方式を用いてエッチングチャ
ンバ内にＲＦプラズマを発生させる。この場合、エッチ
ングを行う手順は次のようであった。（１）例えば石英
製のアームに、被エッチング物を有するウェハが載置さ
れ、チャンバ内の所定箇所まで搬送されウェハが設置さ
れる。（２）リアクタに高周波（ＲＦ）を印加し、トリ
ガー制御によりスパークを起こしてチャンバ内のガス種
をプラズマ化させ、（３）被エッチング物をエッチング
する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記ＲＦプラズマにお
いて、例えばＡｒ+ 等の不活性ガスプラズマを発生させ
る。すなわち、ウェハは（−）側にチャージして、ラジ
カルなＡｒ+ を引き寄せ、ウェハ面に衝突させることに
よりエッチングが進行する。
いて、例えばＡｒ+ 等の不活性ガスプラズマを発生させ
る。すなわち、ウェハは（−）側にチャージして、ラジ
カルなＡｒ+ を引き寄せ、ウェハ面に衝突させることに
よりエッチングが進行する。
【０００４】このＲＦプラズマの発生時において、ウェ
ハを支えるアームや電極に電荷が存在していると、トリ
ガー放電の際、ウェハからアームまたは電極への放電現
象が顕著となり、スパークが発生する。この結果、特に
アームの発塵が多くなり、ウェハへのパーティクル汚染
の原因となる。
ハを支えるアームや電極に電荷が存在していると、トリ
ガー放電の際、ウェハからアームまたは電極への放電現
象が顕著となり、スパークが発生する。この結果、特に
アームの発塵が多くなり、ウェハへのパーティクル汚染
の原因となる。
【０００５】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたもので、トリガー放電方式を用いて高周波プラズマ
（ＲＦプラズマ）を発生させるエッチング工程におい
て、トリガー放電の際の発塵を低減し得る半導体装置の
製造方法及びプラズマエッチング装置を提供しようとす
るものである。
れたもので、トリガー放電方式を用いて高周波プラズマ
（ＲＦプラズマ）を発生させるエッチング工程におい
て、トリガー放電の際の発塵を低減し得る半導体装置の
製造方法及びプラズマエッチング装置を提供しようとす
るものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、トリガー放電方式を用いてチャンバ内に
高周波プラズマを発生させることによりチャンバ内の被
エッチング物がエッチングされる工程に関し、前記被エ
ッチング物を前記チャンバ内に入れる前に、予めチャン
バ内における装備に帯電した電荷を除去する工程を具備
したことを特徴とする。
の製造方法は、トリガー放電方式を用いてチャンバ内に
高周波プラズマを発生させることによりチャンバ内の被
エッチング物がエッチングされる工程に関し、前記被エ
ッチング物を前記チャンバ内に入れる前に、予めチャン
バ内における装備に帯電した電荷を除去する工程を具備
したことを特徴とする。
【０００７】本発明に係るより好ましい半導体装置の製
造方法は、トリガー放電方式を用いてチャンバ内に高周
波プラズマを発生させることによりチャンバ内における
ウェハ上の被エッチング物がエッチングされる工程に関
し、前記ウェハを前記チャンバ内に運び込む前に、予め
チャンバ内における少なくとも前記ウェハの支持部及び
エッチングに関与する電極部について帯電した電荷を除
去する工程を具備したことを特徴とする。
造方法は、トリガー放電方式を用いてチャンバ内に高周
波プラズマを発生させることによりチャンバ内における
ウェハ上の被エッチング物がエッチングされる工程に関
し、前記ウェハを前記チャンバ内に運び込む前に、予め
チャンバ内における少なくとも前記ウェハの支持部及び
エッチングに関与する電極部について帯電した電荷を除
去する工程を具備したことを特徴とする。
【０００８】上記各本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、トリガー放電方式を用いてチャンバ内に高周波プ
ラズマを発生させる際、チャンバ内の装備に不要な電位
エネルギーを持たせない。これにより、不要なスパーク
を確実に低減する。なお、上記電荷を除去する工程は、
少なくとも紫外線照射、オゾンガス供給、Ｘ線照射のう
ちから選択される一つの方法で達成されることを特徴と
する。
れば、トリガー放電方式を用いてチャンバ内に高周波プ
ラズマを発生させる際、チャンバ内の装備に不要な電位
エネルギーを持たせない。これにより、不要なスパーク
を確実に低減する。なお、上記電荷を除去する工程は、
少なくとも紫外線照射、オゾンガス供給、Ｘ線照射のう
ちから選択される一つの方法で達成されることを特徴と
する。
【０００９】また、本発明に係るプラズマエッチング装
置は、トリガー放電方式を用いてチャンバ内に高周波プ
ラズマを発生させることによりチャンバ内の被エッチン
グ物がエッチングされるプラズマエッチング装置であっ
て、前記被エッチング物を前記チャンバ内に入れる前
に、予めチャンバ内における装備に帯電した電荷を除去
する設備を具備したことを特徴とする。
置は、トリガー放電方式を用いてチャンバ内に高周波プ
ラズマを発生させることによりチャンバ内の被エッチン
グ物がエッチングされるプラズマエッチング装置であっ
て、前記被エッチング物を前記チャンバ内に入れる前
に、予めチャンバ内における装備に帯電した電荷を除去
する設備を具備したことを特徴とする。
【００１０】本発明に係るより好ましいプラズマエッチ
ング装置は、トリガー放電方式を用いてチャンバ内に高
周波プラズマを発生させることによりチャンバ内におけ
るウェハ上の被エッチング物がエッチングされるプラズ
マエッチング装置であって、前記ウェハを前記チャンバ
内に運び込む前に、予めチャンバ内における少なくとも
前記ウェハの支持部及びエッチングに関与する電極部に
ついて帯電した電荷を除去する設備を具備したことを特
徴とする。
ング装置は、トリガー放電方式を用いてチャンバ内に高
周波プラズマを発生させることによりチャンバ内におけ
るウェハ上の被エッチング物がエッチングされるプラズ
マエッチング装置であって、前記ウェハを前記チャンバ
内に運び込む前に、予めチャンバ内における少なくとも
前記ウェハの支持部及びエッチングに関与する電極部に
ついて帯電した電荷を除去する設備を具備したことを特
徴とする。
【００１１】上記各本発明のプラズマエッチング装置に
よれば、トリガー放電方式を用いてチャンバ内に高周波
プラズマを発生させる際、チャンバ内の装備に不要な電
位エネルギーを持たせないように設備がなされている。
これにより、不要なスパークを確実に低減する。なお、
上記電荷を除去する設備は、少なくとも紫外線照射部、
オゾンガス供給部、Ｘ線照射部のうちの一つが配備され
ていることを特徴とする。
よれば、トリガー放電方式を用いてチャンバ内に高周波
プラズマを発生させる際、チャンバ内の装備に不要な電
位エネルギーを持たせないように設備がなされている。
これにより、不要なスパークを確実に低減する。なお、
上記電荷を除去する設備は、少なくとも紫外線照射部、
オゾンガス供給部、Ｘ線照射部のうちの一つが配備され
ていることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施形態に係
る半導体装置の製造方法を示すフローチャートであり、
トリガー放電方式を用いてチャンバ内に高周波プラズマ
を発生させることによりチャンバ内の被エッチング物が
エッチングされる工程に関して適用されるものである。
る半導体装置の製造方法を示すフローチャートであり、
トリガー放電方式を用いてチャンバ内に高周波プラズマ
を発生させることによりチャンバ内の被エッチング物が
エッチングされる工程に関して適用されるものである。
【００１３】エッチングチャンバ内の装備における除電
処理１は、被エッチング物をエッチングチャンバ内に入
れる前に、予めチャンバ内における装備に帯電した電荷
を除去する工程である。エッチングチャンバ内の装備
は、例えば、ウェハの搬送アーム、ホルダ等のウェハ支
持部やエッチングに関与する上下の電極部といったもの
である。
処理１は、被エッチング物をエッチングチャンバ内に入
れる前に、予めチャンバ内における装備に帯電した電荷
を除去する工程である。エッチングチャンバ内の装備
は、例えば、ウェハの搬送アーム、ホルダ等のウェハ支
持部やエッチングに関与する上下の電極部といったもの
である。
【００１４】上記除電処理は、例えば、エッチングチャ
ンバ内の装備に紫外線を一定時間照射することにより達
成される。紫外線照射は、電子、正孔対を発生させ、装
備の不均衡な（−）チャージを均一化する。その他、紫
外線照射に代えてオゾンガスの供給によるイオン化中
和、またはＸ線の照射によっても同様の効果が期待でき
る。
ンバ内の装備に紫外線を一定時間照射することにより達
成される。紫外線照射は、電子、正孔対を発生させ、装
備の不均衡な（−）チャージを均一化する。その他、紫
外線照射に代えてオゾンガスの供給によるイオン化中
和、またはＸ線の照射によっても同様の効果が期待でき
る。
【００１５】次に、被エッチング物の搬送／設置処理２
に移行する。すなわち、被エッチング物がウェハ上に設
けられたものなら、搬送アームによってウェハがチャン
バ内に運び込まれ、所定箇所に設置される。
に移行する。すなわち、被エッチング物がウェハ上に設
けられたものなら、搬送アームによってウェハがチャン
バ内に運び込まれ、所定箇所に設置される。
【００１６】その後、ＲＦプラズマエッチング処理３が
実施される。例えば、平行平板型の上下電極を伴うリア
クタ構造に高周波（ＲＦ）を印加し、トリガー制御によ
りスパークを起こしてチャンバ内のガス種をプラズマ化
させ、被エッチング物をエッチングする。
実施される。例えば、平行平板型の上下電極を伴うリア
クタ構造に高周波（ＲＦ）を印加し、トリガー制御によ
りスパークを起こしてチャンバ内のガス種をプラズマ化
させ、被エッチング物をエッチングする。
【００１７】上記実施形態の方法によれば、トリガー放
電方式を用いてチャンバ内に高周波プラズマを発生させ
る際、チャンバ内の装備に不要な電位エネルギーを持た
せない。これにより、不要なスパークを確実に低減す
る。
電方式を用いてチャンバ内に高周波プラズマを発生させ
る際、チャンバ内の装備に不要な電位エネルギーを持た
せない。これにより、不要なスパークを確実に低減す
る。
【００１８】図２（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の
一実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成を示す
概観図であり、トリガー放電方式を用いてチャンバ内に
高周波（ＲＦ）プラズマを発生させるプラズマエッチン
グ装置の除電処理〜エッチング処理を工程順に示してい
る。
一実施形態に係るプラズマエッチング装置の構成を示す
概観図であり、トリガー放電方式を用いてチャンバ内に
高周波（ＲＦ）プラズマを発生させるプラズマエッチン
グ装置の除電処理〜エッチング処理を工程順に示してい
る。
【００１９】まず、図２（ａ）に示すように、チャンバ
１０内における装備、すなわち、石英製のアーム（ウェ
ハ支持部）１１及びエッチングに関与する平行平板型の
上下電極部１２，１３について帯電した電荷を除去する
ため、紫外線照射部１４によって紫外線照射が一定時間
なされる。これにより、ウェハがチャンバ内に運び込ま
れる前に予めチャンバ内における装備に帯電した電荷を
除去する。
１０内における装備、すなわち、石英製のアーム（ウェ
ハ支持部）１１及びエッチングに関与する平行平板型の
上下電極部１２，１３について帯電した電荷を除去する
ため、紫外線照射部１４によって紫外線照射が一定時間
なされる。これにより、ウェハがチャンバ内に運び込ま
れる前に予めチャンバ内における装備に帯電した電荷を
除去する。
【００２０】紫外線照射部１４は例えば紫外線ランプで
あり、照射以外はエッチングに影響を与えない材質（セ
ラミック製、チタン製、ステンレス製等）のシャッター
１５で保護される。紫外線照射は、電子、正孔対を発生
させ、アーム１１及びウェハが載置される電極部１３に
ついて不均衡な（−）チャージを均一化する。
あり、照射以外はエッチングに影響を与えない材質（セ
ラミック製、チタン製、ステンレス製等）のシャッター
１５で保護される。紫外線照射は、電子、正孔対を発生
させ、アーム１１及びウェハが載置される電極部１３に
ついて不均衡な（−）チャージを均一化する。
【００２１】次に、図２（ｂ）に示すように、アーム１
１によってウェハＷＦがチャンバ１０内に搬送され、電
極部１３上に設置される。紫外線照射部１４はシャッタ
ー１５により保護される。その後、ＲＦプラズマエッチ
ング処理が実施される。すなわち、上下電極部１２，１
３を伴うリアクタ構造に高周波（ＲＦ）を印加し、トリ
ガー制御によりスパークを起こしてチャンバ内にＲＦ波
プラズマ（例えばＡｒ + 等の不活性ガスプラズマ）を発
生させる。これにより、ウェハは（−）側にチャージし
て、ラジカルなＡｒ+ を引き寄せ、ウェハ面に衝突させ
ることにより被エッチング物のエッチングが進行する。
１によってウェハＷＦがチャンバ１０内に搬送され、電
極部１３上に設置される。紫外線照射部１４はシャッタ
ー１５により保護される。その後、ＲＦプラズマエッチ
ング処理が実施される。すなわち、上下電極部１２，１
３を伴うリアクタ構造に高周波（ＲＦ）を印加し、トリ
ガー制御によりスパークを起こしてチャンバ内にＲＦ波
プラズマ（例えばＡｒ + 等の不活性ガスプラズマ）を発
生させる。これにより、ウェハは（−）側にチャージし
て、ラジカルなＡｒ+ を引き寄せ、ウェハ面に衝突させ
ることにより被エッチング物のエッチングが進行する。
【００２２】上記実施形態によれば、予めチャンバ１０
内のウェハの支持具（アーム１１や電極部１３）の電荷
は除去されグランドになっているので、ＲＦプラズマを
発生させるときのトリガー放電の際、ウェハＷＦからア
ーム１１または電極１３への放電（スパーク）が抑制さ
れる。また、ＲＦマッチングのばらつきも低減する。こ
れにより、トリガー放電の時間は大幅に短くなるので、
特にアームの発塵が抑制され、ウェハへのパーティクル
汚染が予防できる。
内のウェハの支持具（アーム１１や電極部１３）の電荷
は除去されグランドになっているので、ＲＦプラズマを
発生させるときのトリガー放電の際、ウェハＷＦからア
ーム１１または電極１３への放電（スパーク）が抑制さ
れる。また、ＲＦマッチングのばらつきも低減する。こ
れにより、トリガー放電の時間は大幅に短くなるので、
特にアームの発塵が抑制され、ウェハへのパーティクル
汚染が予防できる。
【００２３】なお、チャンバ内装備の除電は、紫外線照
射によるものに限らず、その他、図示しないが、紫外線
照射に代えてオゾンガスの供給部を設けたイオン化中
和、またはＸ線の照射によっても同様の効果が期待でき
る。
射によるものに限らず、その他、図示しないが、紫外線
照射に代えてオゾンガスの供給部を設けたイオン化中
和、またはＸ線の照射によっても同様の効果が期待でき
る。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明に関し、トリ
ガー放電方式を用いてチャンバ内に高周波プラズマを発
生させる際、チャンバ内の装備に不要な電位エネルギー
を持たせない。この結果、不要なスパークを確実に低減
し、発塵を抑え、パーティクル汚染を低減する高信頼性
の半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置を
提供することができる。
ガー放電方式を用いてチャンバ内に高周波プラズマを発
生させる際、チャンバ内の装備に不要な電位エネルギー
を持たせない。この結果、不要なスパークを確実に低減
し、発塵を抑え、パーティクル汚染を低減する高信頼性
の半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置
の製造方法を示すフローチャートである。
の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】（ａ），（ｂ）は、それぞれ本発明の一実施形
態に係るプラズマエッチング装置の構成を示す概観図で
ある。
態に係るプラズマエッチング装置の構成を示す概観図で
ある。
１，２，３…各処理 １０…チャンバ（エッチングチャンバ） １１…アーム １２，１３…電極部 １４…紫外線照射部 １５…シャッター ＷＦ…ウェハ
Claims (6)
- 【請求項１】 トリガー放電方式を用いてチャンバ内に
高周波プラズマを発生させることによりチャンバ内の被
エッチング物がエッチングされる工程に関し、 前記被エッチング物を前記チャンバ内に入れる前に、予
めチャンバ内における装備に帯電した電荷を除去する工
程、を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 トリガー放電方式を用いてチャンバ内に
高周波プラズマを発生させることによりチャンバ内にお
けるウェハ上の被エッチング物がエッチングされる工程
に関し、 前記ウェハを前記チャンバ内に運び込む前に、予めチャ
ンバ内における少なくとも前記ウェハの支持部及びエッ
チングに関与する電極部について帯電した電荷を除去す
る工程、を具備したことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項３】 前記電荷を除去する工程は、少なくとも
紫外線照射、オゾンガス供給、Ｘ線照射のうちから選択
される一つの方法で達成されることを特徴とする請求項
１または２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 トリガー放電方式を用いてチャンバ内に
高周波プラズマを発生させることによりチャンバ内の被
エッチング物がエッチングされるプラズマエッチング装
置であって、 前記被エッチング物を前記チャンバ内に入れる前に、予
めチャンバ内における装備に帯電した電荷を除去する設
備、を具備したことを特徴とするプラズマエッチング装
置。 - 【請求項５】 トリガー放電方式を用いてチャンバ内に
高周波プラズマを発生させることによりチャンバ内にお
けるウェハ上の被エッチング物がエッチングされるプラ
ズマエッチング装置であって、 前記ウェハを前記チャンバ内に運び込む前に、予めチャ
ンバ内における少なくとも前記ウェハの支持部及びエッ
チングに関与する電極部について帯電した電荷を除去す
る設備、を具備したことを特徴とするプラズマエッチン
グ装置。 - 【請求項６】 前記電荷を除去する設備は、少なくとも
紫外線照射部、オゾンガス供給部、Ｘ線照射部のうちの
一つが配備されていることを特徴とする請求項４または
５記載のプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000219658A JP2002043285A (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000219658A JP2002043285A (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043285A true JP2002043285A (ja) | 2002-02-08 |
Family
ID=18714401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000219658A Withdrawn JP2002043285A (ja) | 2000-07-19 | 2000-07-19 | 半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002043285A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014072272A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Toppan Printing Co Ltd | プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置 |
| KR102105331B1 (ko) * | 2019-07-26 | 2020-04-28 | 주식회사 진영코퍼레이션 | X선과 플라스마를 공급하는 세정 노즐 및 이를 포함하는 인쇄 회로 기판 세정 장치 |
-
2000
- 2000-07-19 JP JP2000219658A patent/JP2002043285A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014072272A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Toppan Printing Co Ltd | プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置 |
| KR102105331B1 (ko) * | 2019-07-26 | 2020-04-28 | 주식회사 진영코퍼레이션 | X선과 플라스마를 공급하는 세정 노즐 및 이를 포함하는 인쇄 회로 기판 세정 장치 |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20071002 |