JPH06267899A - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
- Publication number
- JPH06267899A JPH06267899A JP8268093A JP8268093A JPH06267899A JP H06267899 A JPH06267899 A JP H06267899A JP 8268093 A JP8268093 A JP 8268093A JP 8268093 A JP8268093 A JP 8268093A JP H06267899 A JPH06267899 A JP H06267899A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- etching
- charges
- stage
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電吸着によりステージに基板を固定する構
造を有するドライエッチング装置に於いて、エッチング
加工後に速やかにステージから基板を取外すことを目的
とする。 【構成】 リアクタチェンバ内に設置された一対の電極
の一方に直流電圧を印加して、前記電圧印加された電極
に基板を静電吸着する構造を有するエッチング装置であ
って、前記静電吸着した基板に帯電した電荷を中和して
前記電圧印加された電極から前記基板を取り外すべく前
記基板に帯電した電荷と異符号の電荷を帯びたイオン化
ガスを前記基板に供給する手段を有することを特徴とす
るエッチング装置を提供することにより、エッチング条
件に関係なく短時間で基板の静電気を取り除き、スルー
プットを高めることができる。
造を有するドライエッチング装置に於いて、エッチング
加工後に速やかにステージから基板を取外すことを目的
とする。 【構成】 リアクタチェンバ内に設置された一対の電極
の一方に直流電圧を印加して、前記電圧印加された電極
に基板を静電吸着する構造を有するエッチング装置であ
って、前記静電吸着した基板に帯電した電荷を中和して
前記電圧印加された電極から前記基板を取り外すべく前
記基板に帯電した電荷と異符号の電荷を帯びたイオン化
ガスを前記基板に供給する手段を有することを特徴とす
るエッチング装置を提供することにより、エッチング条
件に関係なく短時間で基板の静電気を取り除き、スルー
プットを高めることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置に関
し、特に半導体基板表面のエッチング加工を行うドライ
エッチング装置に関するものである。
し、特に半導体基板表面のエッチング加工を行うドライ
エッチング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、静電吸着により基板を固定する構
造のドライエッチング装置に於いて、エッチング加工は
次のような手順で行っていた。
造のドライエッチング装置に於いて、エッチング加工は
次のような手順で行っていた。
【０００３】まず、電極に取付けられた静電吸着ステー
ジに基板を載置し、プラズマ放電を発生させ、次に静電
吸着ステージに直流電圧を印加することにより基板をス
テージに吸着固定した後、エッチング処理を行ってい
た。
ジに基板を載置し、プラズマ放電を発生させ、次に静電
吸着ステージに直流電圧を印加することにより基板をス
テージに吸着固定した後、エッチング処理を行ってい
た。
【０００４】また、エッチングが終了した後の基板の取
り外しは、ステージへの直流電圧印加を停止した後、基
板の静電気がプラズマの電位になった時点でプラズマ放
電を停止するか、または、エッチング用のプラズマ放電
及びステージへの直流電圧印加を停止した後、エッチン
グが進行しないガスによる放電によって、基板の静電気
を取り除くことにより行っていた。
り外しは、ステージへの直流電圧印加を停止した後、基
板の静電気がプラズマの電位になった時点でプラズマ放
電を停止するか、または、エッチング用のプラズマ放電
及びステージへの直流電圧印加を停止した後、エッチン
グが進行しないガスによる放電によって、基板の静電気
を取り除くことにより行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のプ
ラズマ放電の停止により基板の静電気を取り除く方法
は、エッチング条件を変更する毎にプラズマ電位が異な
るため調整が困難であり、またエッチングが進行しない
ガスの放電により基板の静電気を取り除く方法は、基板
のエッチング処理のスループットが低下するという問題
があった。
ラズマ放電の停止により基板の静電気を取り除く方法
は、エッチング条件を変更する毎にプラズマ電位が異な
るため調整が困難であり、またエッチングが進行しない
ガスの放電により基板の静電気を取り除く方法は、基板
のエッチング処理のスループットが低下するという問題
があった。
【０００６】このような従来技術の問題点に鑑み、本発
明の主な目的は、エッチング後の基板の静電気を短時間
で取り除き、速やかに基板をステージから取り外すこと
が可能なドライエッチング装置を提供することにある。
明の主な目的は、エッチング後の基板の静電気を短時間
で取り除き、速やかに基板をステージから取り外すこと
が可能なドライエッチング装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述した目的は本発明に
よれば、リアクタチェンバ内に設置された一対の電極の
一方に直流電圧を印加して、前記電圧印加された電極に
基板を静電吸着する構造を有するエッチング装置であっ
て、前記静電吸着した基板に帯電した電荷を中和して前
記電圧印加された電極から前記基板を取り外すべく前記
基板に帯電した電荷と異符号の電荷を帯びたイオン化ガ
スを前記基板に供給する手段を有することを特徴とする
エッチング装置を提供することにより達成される。
よれば、リアクタチェンバ内に設置された一対の電極の
一方に直流電圧を印加して、前記電圧印加された電極に
基板を静電吸着する構造を有するエッチング装置であっ
て、前記静電吸着した基板に帯電した電荷を中和して前
記電圧印加された電極から前記基板を取り外すべく前記
基板に帯電した電荷と異符号の電荷を帯びたイオン化ガ
スを前記基板に供給する手段を有することを特徴とする
エッチング装置を提供することにより達成される。
【０００８】
【作用】このようにすれば、エッチング処理後に静電吸
着ステージ上の基板の静電気は速やかに取り除かれ、ス
テージから基板を速やかに取り外すことができる。
着ステージ上の基板の静電気は速やかに取り除かれ、ス
テージから基板を速やかに取り外すことができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の好適実施例を添付の図面につ
いて詳しく説明する。
いて詳しく説明する。
【００１０】図１は、本発明が適用された実施例を示す
概略図である。
概略図である。
【００１１】本エッチング装置は、排気口１４を有する
リアクタチェンバ１と、絶縁物２を介してリアクタチェ
ンバ１内に設置されたプラズマ発生用の一対の電極３
ａ、３ｂと、基板５を固定するために電極３ａに取付け
られた静電吸着ステージ４と、電極３ａを冷却するため
の電極冷却装置６と、リアクタチェンバ１内にプラズマ
発生用のプロセスガスを供給するための通路７を有する
プロセスガス供給手段と、電極３ａに高周波交流電圧を
印加してリアクタチェンバ１内にプラズマを発生させる
ための高周波電源８と、電極３ａに直流電圧を印加する
直流電源９とを有する。また、通路１０を通って供給さ
れる基板冷却ガス及び、通路１１を通って供給されるガ
スをイオン化装置１２によりイオン化したガスは、通路
１０及び通路１１に連結される通路１３を通って基板５
の裏面に供給されるようになっている。
リアクタチェンバ１と、絶縁物２を介してリアクタチェ
ンバ１内に設置されたプラズマ発生用の一対の電極３
ａ、３ｂと、基板５を固定するために電極３ａに取付け
られた静電吸着ステージ４と、電極３ａを冷却するため
の電極冷却装置６と、リアクタチェンバ１内にプラズマ
発生用のプロセスガスを供給するための通路７を有する
プロセスガス供給手段と、電極３ａに高周波交流電圧を
印加してリアクタチェンバ１内にプラズマを発生させる
ための高周波電源８と、電極３ａに直流電圧を印加する
直流電源９とを有する。また、通路１０を通って供給さ
れる基板冷却ガス及び、通路１１を通って供給されるガ
スをイオン化装置１２によりイオン化したガスは、通路
１０及び通路１１に連結される通路１３を通って基板５
の裏面に供給されるようになっている。
【００１２】次に、上述したエッチング装置の動作を説
明する。
明する。
【００１３】まず、電極冷却装置６により電極３ａを十
分に冷却する（プロセス１）。続いてリアクタチェンバ
１内にプロセスガスを通路７を介して導入し（プロセス
２）、高周波電源８より電極３ａに高周波電圧を印加し
てプラズマを発生させる（プロセス３）。次に電極３ａ
に直流電源９より直流電圧を印加することにより静電吸
着ステージ４に基板５を静電吸着する（プロセス４）。
次に基板５の裏面に基板冷却ガスを通路１０及び通路１
３を通して導入して基板５を冷却する（プロセス５）。
分に冷却する（プロセス１）。続いてリアクタチェンバ
１内にプロセスガスを通路７を介して導入し（プロセス
２）、高周波電源８より電極３ａに高周波電圧を印加し
てプラズマを発生させる（プロセス３）。次に電極３ａ
に直流電源９より直流電圧を印加することにより静電吸
着ステージ４に基板５を静電吸着する（プロセス４）。
次に基板５の裏面に基板冷却ガスを通路１０及び通路１
３を通して導入して基板５を冷却する（プロセス５）。
【００１４】基板５のエッチング加工（プロセス６）が
終了後、高周波電源８と直流電源９をオフして、プラズ
マの発生を停止させる（プロセス７）。次に、プロセス
ガスと基板冷却ガスの供給を停止し（プロセス８）、イ
オン化装置１２によりイオン化されたガスを通路１３を
通して基板５の裏面に供給して基板５に帯電した電荷を
取り除く（プロセス８）。ここで、プロセスガス、基板
冷却ガス及びイオン化ガスは、排気口１４により常にリ
アクタチェンバ１内から排気されている。
終了後、高周波電源８と直流電源９をオフして、プラズ
マの発生を停止させる（プロセス７）。次に、プロセス
ガスと基板冷却ガスの供給を停止し（プロセス８）、イ
オン化装置１２によりイオン化されたガスを通路１３を
通して基板５の裏面に供給して基板５に帯電した電荷を
取り除く（プロセス８）。ここで、プロセスガス、基板
冷却ガス及びイオン化ガスは、排気口１４により常にリ
アクタチェンバ１内から排気されている。
【００１５】このようにして静電気を取り除かれた基板
５は吸着力を失い、静電吸着ステージ４から取り外すこ
とが可能になる。
５は吸着力を失い、静電吸着ステージ４から取り外すこ
とが可能になる。
【００１６】尚、本実施例に示すように、イオン化ガス
の基板５への供給用通路を、基板冷却ガスを基板５へ供
給するための通路１３と共有すれば、既存のエッチング
装置に対しても安価に改良することができる。
の基板５への供給用通路を、基板冷却ガスを基板５へ供
給するための通路１３と共有すれば、既存のエッチング
装置に対しても安価に改良することができる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によるエッチ
ング装置によれば、静電吸着を利用して冷却した基板
を、エッチング加工後にイオン化されたガスにより除電
を行うことにより、エッチング条件に関係なく短時間で
基板の静電気を取り除き、スループットを高めることが
できる。
ング装置によれば、静電吸着を利用して冷却した基板
を、エッチング加工後にイオン化されたガスにより除電
を行うことにより、エッチング条件に関係なく短時間で
基板の静電気を取り除き、スループットを高めることが
できる。
【図１】本発明が適用された実施例を示すエッチング装
置の概略断面図である。
置の概略断面図である。
【符号の説明】 １ リアクタチェンバ ２ 絶縁物 ３ａ、３ｂ 電極 ４ 静電吸着ステージ ５ 基板 ６ 電極冷却装置 ７ プロセスガス供給用通路 ８ 高周波電源 ９ 直流電源 １０ 通路 １１ 通路 １２ イオン化装置 １３ 通路 １４ 排気口
Claims (1)
- 【請求項１】 リアクタチェンバ内に設置された一対
の電極の一方に直流電圧を印加して、前記電圧印加され
た電極に基板を静電吸着する構造を有するエッチング装
置であって、 前記静電吸着した基板に帯電した電荷を中和して前記電
圧印加された電極から前記基板を取り外すべく前記基板
に帯電した電荷と異符号の電荷を帯びたイオン化ガスを
前記基板に供給する手段を有することを特徴とするエッ
チング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8268093A JPH06267899A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8268093A JPH06267899A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | エッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06267899A true JPH06267899A (ja) | 1994-09-22 |
Family
ID=13781142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8268093A Withdrawn JPH06267899A (ja) | 1993-03-16 | 1993-03-16 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06267899A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002516482A (ja) * | 1998-05-18 | 2002-06-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | デュアル周波数エッチングチャンバ内での金属酸化物の還元 |
| JP2007311462A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | 静電チャックテーブル機構 |
| JP2008298441A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 力学量検出センサの製造方法 |
| JP2010170982A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 静電チャック及びこれを備えた有機電界発光素子の製造装置 |
-
1993
- 1993-03-16 JP JP8268093A patent/JPH06267899A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002516482A (ja) * | 1998-05-18 | 2002-06-04 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | デュアル周波数エッチングチャンバ内での金属酸化物の還元 |
| JP4716566B2 (ja) * | 1998-05-18 | 2011-07-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板上の銅酸化物を還元するプラズマ加工チャンバ、及び、その方法 |
| JP2007311462A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-11-29 | Disco Abrasive Syst Ltd | 静電チャックテーブル機構 |
| JP2008298441A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Dainippon Printing Co Ltd | 力学量検出センサの製造方法 |
| JP2010170982A (ja) * | 2009-01-23 | 2010-08-05 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 静電チャック及びこれを備えた有機電界発光素子の製造装置 |
| US8325457B2 (en) | 2009-01-23 | 2012-12-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Electrostatic chuck and device of manufacturing organic light emitting diode having the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000530 |