KR970003611A - 플라즈마 처리 방법 - Google Patents

Abstract

정전 척에 플러스 직류 전압을 인가함으로써, 발생하는 정전기력을 이용하여 웨이퍼를 정전 척상에 흡착시키는 한편, 처리실내에 처리 가스를 공급하면서 플라즈마를 발생시키고, 웨이퍼에 대해 플라즈마 처리를 시행한다. 처리를 한 웨이퍼를 정전 척상으로부터 떼어낸 후, 다음의 웨이퍼를 정전 척상에 흡착시키기 전에, 처리실 내에 질소 가스를 도입한 상태에서, 정전 척에 대해 마이너스의 직류 전압을 인가하여 직류 방전시킨다. 이에 의해, 기체속의 전하가 정전 척에 이끌려 정전 척의 표면이 플러스로 대전하고, 흡착 불량이 발생하지 않게 된다.

Description

플라즈마 처리 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 실시형태에 관한 에칭 방법을 실시하기 위한 에칭 장치를 도시하는 설명도.

Claims (19)

1. 처리실내에 설치된 정전 척에 제1극성의 직류 전압을 인가하는 것에 의해, 상기 정전 척상에 피처리체를 흡착 유지하는 한편, 상기 처리실내에 제1가스를 공급하면서 고주파 전력으로 상기 제1가스를 플라즈마화하고, 상기 플라즈마를 사용하여 상기 피처리체에 플라즈마 처리를 하는 처리 공정과, 상기 처리공정 후, 상기 제1가스의 공급과, 상기 고주파 전력의 공급을 정지함과 동시에, 상기 피처리체를 상기 정전 척으로부터 떼어놓는 격리 공정과, 상기 격리 공정후, 상기 처리실내에 제2가스를 공급하면서, 상기 정전 척에 상기 제1극성과는 반대의 제2극성의 직류 전압을 인가하는 제2극성 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 처리 공정과 상기 제2극성 공정과의 사이에서 상기 정전 척에 접지 전위를 인가하는 공정을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
3. 제1항에 있어서,상기 제2극성 공정에 있어서 상기 처리실내가 직류 방전이 발생하는 진공압력으로 설정되는 것을 특징으로 하는 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 피처리체가 상기 정전 척으로부터 돌출이 자유로운 지지 부재에 의해, 상기 정전척에 대해 재치 및 제거되며, 상기 제2극성 공정이 상기 지지부재의 동작중에 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
5. 제4항에 있어서, 상기 제2극성 공정이, 상기 피처리체가 상기 지지부재에 지지되고 있는 동안에 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 피처리체가 반송 수단으로 상기 처리실내에 대해 로드 및 언로드되며, 상기 제2극성 공정이 상기 반송 수단의 동작중에 실시되는 것을 특징으로 하는 방법.
7. 제1항에 있어서, 상기 처리실에 상기 피처리체를 로드 및 언로드하기 위한, 게이트 벨브가 설치되며, 상기 제2극성 공정이 상기 게이트 밸브가 개방되어 있는 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 방법.
8. 제1항에 있어서, 상기 제2가스가 불활성 가스인 것을 특징으로 하는 방법.
9. 제1항에 있어서, 상기 처리실내에 서로 대향하는 제1 및 제2전극이 설치되며, 상기 처리공정에 있어서, 상기 제1 및 제2전극의 적어도 한쪽에 고주파 전력이 인가되는 것을 특징으로 하는 방법.
10. 처리실내에 설치된 정전 척에 직류 전압을 인가하는 것에 의해, 상기 정전 척상에 피처리체를 흡착 유지하는 한편, 상기 처리실내에 제1가스를 공급함과 동시에 상기 처리실내를 제1압력으로 설정하면서 고주파 전력으로 상기 제1가스를 플라즈마화하고, 상기 플라즈마를 사용하여 상기 피처리체에 플라즈마 처리를 하는 플라즈마 처리 방법에 있어서, 상기 피처리체를 상기 정전 척상에 재치하고, 상기 처리실내에 상기 제1가스를 도입함과 동시에 상기 처리실내를 직류 방전이 발생하는 제2압력으로 설정하는 제1공정과, 상기 제1공정 후, 상기 정전 척에 직류 전압을 인가하는 제2공정과, 상기 제2공정 후, 상기 처리실내를 상기 제1압력으로 설정하는 제3공정과, 상기 제3공정 후, 상기 고주파 전력을 공급하는 제4공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
11. 제10항에 있어서,상기 제2공정과 상기 제4공정과의 사이에, 상기 피처리체의 이면에 전열 가스를 공급하는 공정을 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 방법.
12. 제10항에 있어서, 상기 처리실내에 서로 대향하는 제1 및 제2전극이 설치되며, 상기 제1 및 제2전극의 적어도 한쪽에 고주파 전력이 인가되는 것을 특징으로 하는 방법.
13. 플라즈마 처리 방법에 있어서, 처리실내에 설치된 정전 척에 직류전압을 인가함으로써, 상기 정전 척상에 피처리체를 흡착 유지하는 한편, 상기 처리실내에 제1가스를 공급하면서, 상기 처리실내에 제1갭을 통하여 서로 대향하는 제1 및 제2전극에 각각 제1 및 제2주파수의 고주파 전력을 제1 및 제2출력으로 인가하여 상기 제1유리를 플라즈마화하고, 상기 플라즈마를 이용하여 상기 피처리체에 플라즈마처리를 하는 처리 공정과, 상기 정전 척은 상기 제2전극에 대향하도록 상기 제1전극상에 설치되는 것과, 상기 제1주파수는 상기 제2주파수보다도 낮은 것과, 상기 처리 공정후, 상기 처리실내로 불활성 가스로 이루어지는 제2가스를 공급하면서, 상기 처리실내에서 제2갭을 통하여 서로 대향하는 상기 제1 및 제2전극의 상기 제2전극만에 상기 제2주파수의 고주파 전력을 제3출력으로 인가하여 상기 제2가스를 플라즈마화하는 2차 플라즈마 공정과, 상기 제2갭을 상기 제1갭보다도 큰 것과, 상기 제3출력은, 상기 제2출력보다도 작은 것을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
14. 제13항에 있어서, 상기 제2차 플라즈마 공정이, 상기 피처리체가 상기 처리실외로 반출된 후에 실시되는 것을 특징으로 하는 방법.
15. 제13항에 있어서, 상기 2차 플라즈마 공정이, 상기 피처리체가 상기 정전 척에 재치된 상태에서 실시되는 것을 특징으로 하는 방법.
16. 플라즈마 처리 방법에 있어서, 처리실내에 설치된 정전 척에 직류전압을 인가함으로써, 상기 정전 척상에 피처리체를 흡착 유지하는 한편, 상기 처리실내에 제1가스를 공급함과 동시에, 상기 처리실내을 제1진공압력으로 설정하면서 고주파 전력으로 상기 제1가스를 플라즈마화하고, 상기 플라즈마를 이용하여 상기 피처리체에 플라즈마처리를 하는 처리 공정과, 상기 처리 공정후, 상기 처리실내에 제2가스를 공급함과 동시에, 상기 처리실내를 제2진공 압력으로 설정하고, 상기 피처리체를 상기 정전 척에서 떼어내는 격리 공정과, 상기 제2진공 압력은, 0.5 ~ 3Torr인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 방법.
17. 제16항에 있어서, 상기 제2가스가 불활성 가스로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
18. 제16항에 있어서, 상기 피처리체가 상기 정전 척으로부터 돌출이 자유로운 지지부재에 의해 상기 정전 척으로부터 격리되는 것을 특징으로 하는 방법.
19. 제16항에 있어서, 상기 처리실내에 서로 대향하는 제1 및 제2전극이 설치되며, 상기 처리 공정에 있어서, 상기 제1 및 제2전극의 적어도 한쪽에 고주파 전력이 인가되는 것을 특징으로 하는 방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.