KR20150055549A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판을 정전척으로부터 탈리하는 것이 가능한 기판 처리 방법을 제공한다.
내부에 전극을 갖는 절연 부재를 포함하는 정전척을 갖고, 상기 정전척 상에 탑재된 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로서, 상기 기판을, 제 1 가스압을 갖는 처리 가스의 플라즈마에 의해서 플라즈마 제전하면서, 상기 기판의 이면에 제 2 가스압으로 전열 가스를 공급하는, 제 1 공정을 포함하는 기판 처리 방법이다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE}
본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 처리 장치로서, 플라즈마를 사용해서 반도체 디바이스용 웨이퍼 등의 기판에 대해 에칭 등의 소정의 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치가 널리 알려져 있다. 플라즈마 처리 장치는 플라즈마가 내부에서 발생하는 처리 용기, 이 처리 용기 내에 배치되어 기판을 탑재하는 탑재대, 및 이 탑재대의 상부에 배치되고, 기판을 지지하는 정전척(ESC) 등을 갖고 구성된다.
정전척은 도전성의 시트 형상의 척 전극의 양면에, 유전 부재를 배치한 구성을 갖는다. 기판 처리시에는 기판을 탑재대에 탑재한 상태에서, 직류 전압원으로부터 척 전극에 전압을 온함으로써 생기는 흡착력에 의해서 기판을 정전척에 흡착시킨다. 또한, 기판의 처리 후에는, 정전척 및 기판에 존재하는 전하를 제전(除電)하는 처리가 행해진다. 이 제전 처리후에, 기판은 지지 핀을 이용해서 정전척으로부터 들어올려짐으로써 정전척으로부터 탈리(脫離)되고, 이어서 기판 처리 장치로부터 반출된다(예컨대, 특허문헌 1 참조).
일본 특허 공개 제 2013-149935호 공보
그러나 기판 처리의 조건에 따라서는, 기판과 정전척 사이에 매우 강한 흡착력이 발생한다. 이 때문에, 특허문헌 1 등에 기재된 방법으로 기판 및 정전척의 제전 처리를 실시한 경우에도, 기판과 정전척 사이에 흡착력이 남는 경우가 있었다. 기판과 정전척 사이에 흡착력이 남은 상태에서, 지지 핀에 의해 기판을 들어올린 경우, 기판에 균열이나 어긋남이 발생하는 경우가 있다.
상기 과제에 대해, 기판을 정전척으로부터 탈리하는 것이 가능한 기판 처리 방법을 제공한다.
한 측면으로는,
내부에 전극을 갖는 절연 부재를 포함하는 정전척을 갖고, 상기 정전척 상에 탑재된 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로서,
상기 기판을, 제 1 가스압을 갖는 처리 가스의 플라즈마에 의해서 플라즈마 제전하면서, 상기 기판의 이면에 제 2 가스압으로 전열 가스를 공급하는, 제 1 공정
을 포함하는, 기판 처리 방법이 제공된다.
기판을 정전척으로부터 탈리하는 것이 가능한 기판 처리 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일례의 개략 구성도,
도 2는 정전척과 웨이퍼 사이의 전기적인 상태예를 설명하기 위한 개략도,
도 3은 본 실시예에 따른 기판 처리 방법의 일례의 흐름도,
도 4는 본 실시예에 따른 기판 처리 방법에 있어서의, 정전척과 웨이퍼 사이의 전기적인 상태예를 설명하기 위한 개략도이다.
이하, 첨부 도면을 참조해서 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다. 한편, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 붙이는 것에 의해 중복되는 설명을 생략한다.
(기판 처리 장치)
우선, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법을 실시 가능한 기판 처리 장치의 구성예에 대해서 설명한다. 본 실시예에 따른 기판 처리 장치에서는, 특별히 한정되지 않지만, 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)(이후, 웨이퍼(W)라고 함)에 RIE(Reactive Ion Etching) 처리나 애싱 처리 등의 플라즈마 처리를 실시할 수 있는, 평행평판형(용량 결합형이라고도 함)의 플라즈마 처리 장치를 들 수 있다.
도 1에, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일례의 개략 구성도를 나타낸다.
본 실시예의 기판 처리 장치(1)는, 예컨대 알루미늄 또는 스테인레스강 등의 금속제의 원통형 챔버(처리 용기(10))를 갖고 있다. 처리 용기(10)는 일반적으로 접지되어 있다. 처리 용기(10) 내에서는, 피처리체에 대해 후술하는 본 실시예에 따른 기판 처리 방법이나, 에칭 처리 등의 플라즈마 처리가 실시된다.
처리 용기(10) 내에는 피처리체로서의 웨이퍼(W)를 탑재하는 탑재대(12)가 마련되어 있다. 탑재대(12)는, 예컨대 알루미늄, 티타늄 또는 SiC 등으로 구성되고, 절연성의 통형상 유지부(14)를 통해서 처리 용기(10)의 바닥부로부터 수직 상방으로 연장되는 통형상 지지부(16)로 지지되어 있다. 통형상 유지부(14)의 상면에는, 탑재대(12)의 상면을 고리 형상으로 둘러싸는 예컨대, 석영으로 구성되는 포커스 링(18)이 배치되어 있다. 포커스 링(18)은 탑재대(12)의 상방에서 발생한 플라즈마를 웨이퍼(W)를 향해서 수속시킨다.
처리 용기(10)의 내측벽과 통형상 지지부(16)의 외측벽 사이에는, 배기로(20)가 형성되어 있다. 배기로(20)에는 고리 형상의 배플판(22)이 부착되어 있다. 배기로(20)의 바닥부에는 배기구(24)가 마련되고, 배기관(26)을 통해서 배기 장치(28)에 접속되어 있다.
배기 장치(28)는, 도시 생략한 진공 펌프를 갖고 있어서 처리 용기(10) 내를 소정의 진공도까지 감압한다. 처리 용기(10)의 측벽에는, 웨이퍼(W)의 반입 또는 반출시에 개폐하는 게이트 밸브(30)가 부착되어 있다.
탑재대(12)에는, 급전봉(36) 및 정합기(34)를 거쳐서 플라즈마 생성용 고주파 전원(32)이 전기적으로 접속되어 있다. 고주파 전원(32)은 예컨대, 60MHz의 고주파 전력을 탑재대(12)에 인가한다. 이렇게 해서 탑재대(12)는 하부 전극으로서도 기능한다.
처리 용기(10)의 천장부에는, 샤워 헤드(38)가 접지 전위의 상부 전극으로서 마련되어 있다. 고주파 전원(32)으로부터의 플라즈마 생성용 고주파 전력은 탑재대(12)와 샤워 헤드(38) 사이에 용량적으로 인가된다.
탑재대(12)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 정전 흡착력으로 유지하기 위한 정전척(ESC)(40)이 마련되어 있다. 정전척(40)은 도전막으로 이루어지는 시트 형상의 척 전극(40a)을 한 쌍의 유전 부재인 유전층부(40b, 40c) 사이에 유지한 것이다. 직류 전압원(42)은 스위치(43)를 거쳐서 척 전극(40a)에 접속되어 있다. 한편, 일반적으로, 정전척(40)에 있어서의 웨이퍼(W)의 탑재면에는 요철이 형성되어 있다. 이 요철은 예컨대, 정전척(40)을 엠보싱 가공함으로써 형성할 수 있다.
정전척(40)은, 직류 전압원(42)으로부터 전압이 인가됨으로써 흡착력으로 웨이퍼(W)를 정전척(40) 상에 흡착 유지한다. 또한, 척 전극(40a)에 전압을 인가하지 않는 경우에는, 스위치(43)에 의해서 접지부(44)에 접속된 상태로 되어 있다. 이하, 척 전극(40a)에 전압 인가하지 않는 상태란, 척 전극(40a)이 접지된 상태를 의미한다.
정전척(40)은 유전층부(40b, 40c)의 부피 저항율이 1×1014Ωcm 이상인 쿨롱형의 정전척과, 부피 저항율이 1×109~12Ωcm 정도인 JR(존슨 라벡)력형의 정전척과, 부피 저항율이 1×1012~14Ωcm 정도의 JR력형+쿨롱형의 정전척이 존재한다. 후술하는 본 실시예의 기판 처리 방법에 있어서는, 어느 형의 정전척에도 적용 가능하다.
전열 가스 공급원(52)은 헬륨(He) 가스 등의 전열 가스를, 가스 공급 라인(54)을 통해서, 정전척(40) 상의 웨이퍼(W) 이면에 공급한다.
천장부의 샤워 헤드(38)는 다수의 가스 통기 구멍(56a)을 갖는 전극판(56)과, 이 전극판(56)을 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(58)를 갖는다. 전극 지지체(58) 내부에는, 버퍼실(60)이 마련되어 있다. 버퍼실(60)의 가스 도입구(60a)에는, 가스 공급 배관(64)을 통해서 가스 공급원(62)이 연결되어 있다. 이와 같은 구성에 의해, 샤워 헤드(38)로부터 처리 용기(10) 내에, 소망의 처리 가스가 공급된다.
탑재대(12)의 내부에는, 외부의, 도시 생략한 반송 아암과의 사이에서 웨이퍼(W)를 주고 받기 위해서 웨이퍼(W)를 승강시키는 지지 핀(81)이 복수, 예컨대 3개 마련되어 있다. 복수의 지지 핀(81)은 연결 부재(82)를 통해서 전달되는 모터(84)의 동력에 의해서 상하 이동한다. 처리 용기(10)의 외부를 향해서 관통하는 지지 핀(81)의 관통 구멍에는, 바닥부 벨로우즈(83)가 마련되고, 처리 용기(10) 내의 진공측과 대기쪽 사이의 기밀을 유지한다.
처리 용기(10)의 주위에는, 고리 형상 또는 동심 형상으로 연장되는 자석(66)이, 상하 2단으로 배치되어 있다. 처리 용기(10) 내에서, 샤워 헤드(38)와 탑재대(12) 사이의 플라즈마 생성 공간에는, 고주파 전원(32)에 의해 연직 방향의 RF 전계가 형성되며, 고주파의 방전에 의해, 탑재대(12)의 표면 근방에 고밀도의 플라즈마가 생성된다.
탑재대(12)의 내부에는, 통상, 냉매관(70)이 마련되어 있다. 이 냉매관(70)에는, 배관(72, 73)을 통해서 칠러 유닛(71)으로부터 소정 온도의 냉매가 순환 공급된다. 또한, 정전척(40)의 내부에는 히터(75)가 매설되어 있다. 히터(75)에는, 도시 생략한 교류 전원으로부터 소망의 교류 전압이 인가된다. 칠러 유닛(71)에 의한 냉각과 히터(75)에 의한 가열에 의해서, 정전척(40) 상의 웨이퍼(W)의 처리 온도는 소망의 온도로 조정된다.
기판 처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)의 이면에 공급되는 전열 가스의 압력이나, 전열 가스가 웨이퍼(W)의 이면으로부터 누설되는 누설 유량을 감시하기 위한, 모니터(80)를 갖는 구성이어도 된다. 전열 가스의 압력을 감시하는 경우, 전열 가스의 압력값(P)은, 웨이퍼(W)의 이면에 부착된, 도시 생략한 압력 센서에 의해 측정된다. 또한, 전열 가스의 누설 유량(F)은, 예컨대 웨이퍼(W)의 측면 근방 등에 부착되는, 도시 생략한 유량 센서에 의해 측정된다.
기판 처리 장치(1)에는, 예컨대 가스 공급원(62), 배기 장치(28), 히터(75), 직류 전압원(42), 스위치(43), 정합기(34), 고주파 전원(32), 전열 가스 공급원(52), 모터(84) 및 칠러 유닛(71) 등의 기판 처리 장치(1)의 각 구성 요소의 동작을 제어하는 제어부(100)가 마련되어 있다.
제어부(100)는, 도시 생략한 CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory)를 갖고 있다. CPU는, 이들 기억 영역에 저장된 각종 레시피에 따라서, 적어도 후술하는 본 실시예에 따른 기판 처리 방법을 실시한다. 레시피로는, 프로세스 조건에 대한 장치의 제어 정보인 프로세스 시간, 압력(가스의 배기), 고주파 전력이나 전압, 각종 처리 가스 유량, 챔버내 온도(예컨대, 상부 전극 온도, 챔버의 측벽 온도, ESC 온도) 등이 기재되어 있다. 한편,이들 프로그램이나 처리 조건을 나타내는 레시피는, 하드 디스크나 반도체 메모리에 기억되어 있어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 휴대 가능형 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 수용된 상태에서, 기억 영역의 소정 위치에 세팅하도록 구성되어 있어도 된다.
(정전척에 관한 문제점)
다음으로 본 실시예의 기판 처리 장치에 따른 정전척의 문제점에 대해서, 도면을 참조해서 설명한다. 본 예에서는, 정전척(40)의 유전 부재(유전층부(40b, 40c))로서, 부피 저항율이 1×1014Ωcm 정도인 이트리아(Y2O3)가 용사된 유전 부재를 사용한 모델로 설명한다.
우선은, 신품 또는 문제가 없는 정전척을 이용한 경우의 예에 대해서, 도 2의 위쪽 도면을 참조해서 설명한다.
도 2에, 정전척과 웨이퍼 사이의 전기적인 상태예를 설명하기 위한 개략도를 나타낸다. 한편, 도 2(a-1)에서는 플라즈마 처리시의 전기적인 상태예를 나타내고, 도 2(a-2)에서는 제전 처리시의 전기적인 상태예를 나타내며, 도 2(a-3)에서는 지지 핀에 의해서 웨이퍼를 들어올릴 때의 전기적인 상태예를 나타낸다.
정전척(40)은 상술한 바와 같이, Y2O3의 유전 부재의 내부에 시트 형상의 척 전극(40a)이 끼워진 구성을 갖는다. 척 전극(40a)에는 직류 전압원(42)으로부터 전압이 온 또는 오프된다.
도 2(a-1)에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 처리시에는, 척 전극(40a)에는 직류 전압원(42)에 의해서 예컨대, 양(正)의 직류 전압이 인가된다. 이로써, 척 전극(40a)은 양의 전하를 띄고, 정전척(40)의 상면에 탑재된 웨이퍼(W)는 음(負)의 전하를 띈다. 이 양의 전하와 음의 전하는 평형되어 있고, 이 전위차에 대응하는 흡착력이 발생해서, 웨이퍼(W)는 정전척(40)에 흡착 유지된다.
또한, 제전 처리시에는, 예컨대 도 2(a-2)에 나타낸 바와 같이, 척 전극(40a)에는, 직류 전압원(42)에 의해서, 플라즈마 처리시에 인가한 양의 직류 전압과는 반대의 음의 직류 전압이 인가된다. 이 공정에서는, 척 전극(40a)의 양의 전하가 제전됨과 아울러, 웨이퍼(W)의 음의 전하가 제전된다. 그리고, 도 2(a-3)에 나타낸 바와 같이, 척 전극(40a)과 웨이퍼(W)가 잔류 전하를 갖고 있지 않은 상태에서, 웨이퍼(W)를 탑재대로부터 들어올릴 수 있다.
다음으로 플라즈마 처리 등에 의해, 열화된 정전척을 이용한 경우의 예에 대해서, 도 2의 아래 도면을 참조해서 설명한다. 한편, 도 2(b-1)에서는 플라즈마 처리시의 전기적인 상태예를 나타내고, 도 2(b-2)에서는 제전 처리시에 있어서의 전기적인 상태예를 나타내며, 도 2(b-3)에서는 지지 핀에 의해서 웨이퍼를 들어올릴 때의 전기적인 상태예를 나타낸다.
이 실시예에 있어서는, 정전척(40)의 표층에는, 플라즈마 처리 등에 의해서 서서히 퇴적한 반응 생성물(41a)이 형성되어 있다. 일례로서, 정전척(40)의 유전 부재로서 Y2O3를 사용한 경우로, 불소함유 가스를 이용한 플라즈마 처리를 실시한 경우에는, 불화이트륨계의 반응 생성물(41a)(YF계 반응 생성물)이, 정전척(40)의 표층에 형성되어 있다.
도 2(b-1)에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 처리시에는, 척 전극(40a)에는 직류 전압원(42)에 의해서 예컨대, 양의 직류 전압이 인가된다. 이로써, 척 전극(40a)은 양의 전하를 띄고, 정전척(40)의 상면에 탑재된 웨이퍼(W)는 음의 전하를 띈다. 그러나 반응 생성물(41a)은 부피 저항율이 작기 때문에, 웨이퍼(W)에 대전한 음의 전하가, 처리실 내의 가스 성분 등을 통해서, 반응 생성물(41a) 상으로 이동하는 경우가 있다.
또한, 제전 처리시에는, 도 2(b-2)에 나타낸 바와 같이, 척 전극(40a)에는 직류 전압원(42)에 의해서, 플라즈마 처리시에 인가한 양의 직류 전압과는 반대인 음의 직류 전압이 인가된다. 그러나 반응 생성물(41a)은 전위의 변화가 느리기 때문에, 제전 처리시에 잔류 전하가 존재한다. 이 때, 웨이퍼(W) 상에도, 반응 생성물(41a) 상에 잔류하는 음의 잔류 전하에 대응하는 양의 잔류 전하가, 처리 용기(10) 내의 가스 성분을 통해서 재공급된다.
도 2(b-3)에 나타낸 바와 같은 잔류한 전하에 의한 흡착력이 남은 상태에서, 웨이퍼(W)를 들어올리는 경우, 웨이퍼(W)에 균열이나 어긋남이 발생하는 경우가 있다. 반응 생성물(41a)의 막 두께가 커지면, 잔류 전하도 증가하기 때문에 흡착력도 커져서, 웨이퍼(W)의 균열이나 어긋남 등의 리스크도 커진다. 이 때문에, 척 전극(40a) 및 웨이퍼(W)를 확실하게 제전할 수 있는 기판 처리 방법은 매우 중요하다.
(본 실시예에 따른 기판 처리 방법)
이상의 배경에 기초해서, 척 전극(40a) 및 웨이퍼(W)를 확실하게 제전할 수 있는, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법에 대해서 설명한다. 본 실시예에 따른 기판 처리 방법은 제어부(10)에 의해 제어된다.
도 3에 본 실시예에 따른 기판 처리 방법의 일례의 흐름도에 나타낸다. 한편, 도 3에 나타내는 본 실시예에 따른 기판 처리 방법은 바람직한 기판 처리 방법으로, 모든 공정을 반드시 실시할 필요는 없다.
본 실시예에 따른 기판 처리 방법은 예컨대, 기판의 프로세스 처리(플라즈마 처리) 이후에 실시된다. 이 때문에, 우선은 기판의 프로세스 처리의 일례에 대해서 설명한다.
우선, 웨이퍼(W)가 처리실 내로 반입되고, 플라즈마 처리가 개시되면, 프로세스 가스가 도입되며, 처리실 내가 소정의 압력으로 유지된다(S78). 다음으로 고주파 전력을 처리실 내로 도입하여, 플라즈마를 발생시킨다(S80). 플라즈마 발생후, 척 전극(40a)에 전압을 온하여 웨이퍼를 정전 흡착시킨다(S82). 그 후, 웨이퍼(W) 이면과 정전척(40) 표면 사이에 전열 가스를 공급하고, 이 상태로 소정 시간플라즈마 처리를 행한다(S84). 플라즈마 처리가 종료되면, 프로세스 가스 및 고주파 전력을 오프하고(S86), 전열 가스의 공급을 오프하며(S88), 척 전극(40a)의 전압을 오프한다(S90).
이상으로 플라즈마 처리가 종료되고, 본 실시예에 따른 기판 처리가 행해진다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법은
내부에 전극을 갖는 절연 부재를 포함하는 정전척을 갖고, 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로서,
상기 기판을, 제 1 가스압을 갖는 처리 가스의 플라즈마에 의해서 플라즈마 제전하면서, 상기 기판의 이면에 제 2 가스압으로 전열 가스를 공급하는, 제 1 공정(S100)을 포함한다.
또한, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법은 바람직하게는, S100의 공정 이전에,
상기 웨이퍼의 이면에 제 3 가스압으로 상기 전열 가스를 공급하면서, 상기 척 전극에 양의 직류 전압을 인가하는 공정(S92)과,
상기 웨이퍼의 이면으로의 상기 전열 가스의 공급을 정지하는 공정(S94)과,
상기 척 전극으로의 상기 양의 직류 전압의 인가를 정지하는 공정(S96)과,
상기 척 전극에, 상기 양의 직류 전압을 재인가하는 공정(S98)
을 포함하는, 제 2 공정을 포함한다.
또한, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법은 바람직하게는, 제 1 공정에서 및/또는 제 2 공정과 제 1 공정 사이에,
상기 척 전극에, 음의 직류 전압을 인가하는 공정(S100')과,
상기 척 전극으로의 음의 직류 전압의 인가를 정지하는 공정(S100")
을 포함한다.
본 실시예에 따른 기판 처리 방법의 효과에 대해서, 도 4를 참조해서 설명한다. 도 4에, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법에 있어서의, 정전척과 웨이퍼 사이의 전기적인 상태예를 설명하기 위한 개략도에 나타낸다.
도 4(a-1)는, 도 2(a-1)을 이용해서 상술한 바와 같이, 플라즈마 처리시의 전기적인 상태이다. 척 전극(40a)에는, 직류 전압원(42)에 의해서 양의 직류 전압이 인가된다. 이로써, 척 전극(40a)은 양의 전하를 띄고, 정전척(40)의 상면에 탑재되는 웨이퍼(W)는 음의 전하를 띈다. 그러나, 반응 생성물(41a)은 부피 저항율이 작기 때문에, 웨이퍼(W)에 대전한 음의 전하가, 반응 생성물(41a) 상으로 이동한다.
본 실시예에 있어서는, 제전 처리에 있어서, 도 4(a-2)에 나타낸 바와 같이, (제 1 가스압을 갖는) 처리 가스의 플라즈마에 의해서 플라즈마 제전하면서, 웨이퍼(W)의 이면에 (제 2 가스압으로) 전열 가스를 공급한다.
본 실시예에 있어서는, 웨이퍼(W)의 전하를, 처리 가스의 플라즈마를 이용한 플라즈마 제전에 의해서, 처리 가스 및 플라즈마를 통해서 제거하는 처리를 실시한다. 이와 함께, 플라즈마 처리시에 반응 생성물(41a)로 이동한 전하를, 전열 가스 및 전열 가스 공급 라인(54)을 통해서 제거한다. 이로써, 도 4(a-3)에 나타낸 바와 같이, 척 전극(40a) 및 웨이퍼(W)의 전하를 대략 제로로 할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 기판 처리에서는, 전열 가스를 공급함으로써 정전척(40)의 온도가 내려간다. 이로써, 정전척의 유전체의 부피 저항율이 내려가기 때문에, 정전척(40)의 전하의 제거가 용이하게 된다.
한편, 제 1 가스압(P1)에 대한 제 2 가스압(P2)의 비의 값 P2/P1은 0보다 크다면 특별히 한정되지 않지만, 웨이퍼(W)의 이면에 전열 가스를 공급하는 것에 의한, 웨이퍼(W)의 탑재대로부터의 탈리를 방지한다는 관점에서, 1.25 이하로 하는 것이 바람직하다.
그리고, 도 4(a-2")에 나타낸 바와 같이, 처리 가스의 플라즈마에 의해서 플라즈마 제전하면서, 척 전극(40a)에 음의 직류 전압을 인가한다. 이로써, 척 전극(40a)에 잔류하는 양의 전하가 제거되어서, 척 전극(40a), 웨이퍼(W) 및 반응 생성물(41a) 모두에 있어서, 전하가 0인 상태로 할 수 있다.
도 4(a-2")에 있어서의, 척 전극(40a)에 음의 직류 전압을 인가하는 공정은 웨이퍼(W)의 이면에 제 2 가스압으로 전열 가스를 공급하면서 실시해도 되고, 전열 가스의 공급을 정지한 상태에서 실시해도 된다.
또한, 도 4(a-2")에 있어서의, 척 전극(40a)에 음의 직류 전압을 인가하는 공정은, 척 전극(40a)에 음의 직류 전압을 인가하는 공정과, 척 전극(40a)에 인가되고 있는 음의 직류 전압의 인가를 정지하는 공정을, 반복 실시하는 구성이어도 된다. 이들 공정을 반복 실시함으로써 보다 확실하게 척 전극(40a)의 제전을 실시할 수 있다.
또한, 도 4(a-2')에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법 이전에, 제 1 가스압을 갖는 처리 가스의 플라즈마에 의해서 플라즈마 제전하면서, 척 전극(40a)에 양의 직류 전압을 인가하는, 제 2 공정을 실시하는 것이 바람직하다.
보다 구체적으로는, 제 1 가스압을 갖는 처리 가스의 플라즈마에 의해서 플라즈마 제전한 상태에서,
웨이퍼(W)의 이면에 제 3 가스압으로 전열 가스를 공급하면서, 척 전극(40a)에 양의 직류 전압을 인가하는 공정과,
웨이퍼(W)의 이면으로의 전열 가스의 공급을 정지하는 공정과,
척 전극(40a)으로의 양의 직류 전압의 인가를 정지하는 공정과,
척 전극(40a)에, 양의 직류 전압을 재인가하는 공정
을 포함하는, 제 2 공정을 실시하는 것이 바람직하다.
이로써, 웨이퍼(W)로부터 반응 생성물(41a)로 이동한 음의 전하가, 양의 전하를 대전하는 척 전극(40a) 측으로 당겨지기 때문에, 이후의 제 1 공정(즉, 도 4(a-2)로 설명한 공정)에 의한 전열 가스 및 전열 가스 공급 라인(54)을 거친 제전이 용이하게 된다. 이 때문에, 상술한 공정을 실시함으로써 S100의 제 1 공정의 프로세스 시간을 단축할 수 있다.
제 3 가스압은 특별히 제한은 없고, 제 2 가스력과 같아도 되고, 달라도 된다. 또한, 프로세스 도중에 제 3 가스압을 변경하는 구성이어도 된다.
이 제 2 공정은 복수회 반복 실시하는 구성이어도 된다. 이들 공정을 반복 실시함으로써 보다 확실하게, 척 전극(40a)의 제전을 실시할 수 있다.
한편, 상술한 바와 같이, 제 2 공정과 제 1 공정 사이에, 척 전극(40a)에 음의 직류 전압을 인가하는 공정(S100')과, 척 전극(40a)으로의 음의 직류 전압의 인가를 정지하는 공정(S100")을 실시해도 된다.
이하, 구체적인 실시예를 참조해서, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
(실시예 1)
본 실시예에 따른 기판 처리 방법에 의해, 웨이퍼(W) 및 정전척을 효율좋게 제전할 수 있다는 것을 확인한 실시예에 대해서 설명한다.
소정의 플라즈마 처리가 실시된 웨이퍼(W)에 대해, 처리 가스의 플라즈마에 의해서 플라즈마 제전하면서 기판의 이면에 전열 가스를 공급했다. 그리고, 전열 가스의 공급부터 소정 시간 경과후, 척 전극에 소정 시간 음의 직류 전압을 인가하고, 이 음의 직류 전압의 인가를 정지했다.
제전 프로세스의 상세한 프로세스 조건은
[전체 제전 프로세스의 조건]
제전 프로세스의 전체 처리 시간 : 186초
[플라즈마 제전 조건]
처리 가스의 가스압 : 800mTorr
처리 가스 : Ar/O2=1300/200sccm
[전열 가스의 공급 조건]
전열 가스의 종류 : He
가스압 : 1 Torr
[음의 직류 전압의 인가 조건]
음의 직류 전압의 값 : -3kV
음의 직류 전압의 인가 시간: 50초
로 했다.
또한, 비교의 실시예로서,
[전체 제전 프로세스의 조건]
제전 프로세스의 전체 처리 시간 : 70초
[플라즈마 제전 조건]
처리 가스의 가스압 : 800mTorr
처리 가스 : Ar/O2=1300/200sccm
만을 실시했다.
본 실시예에 있어서의 기판 처리 방법(제전 방법)의 평가는, 제전 프로세스 이후의 웨이퍼를 지지 핀에 의해 들어올릴 때의, 지지 핀이 웨이퍼의 이면에 당접하고 나서 웨이퍼가 탑재대로부터 이격되기까지의, 디척(dechuck) 토크의 변화량(%)을 측정함으로써 행했다. 한편, 웨이퍼를 들어올릴 때에, 웨이퍼의 균열을 확실하게 방지하기 위해서는, 디척 토크의 변화량이 20% 이하, 바람직하게는 16% 이하인 것이 바람직하다.
또한, 본 실시예에 있어서의 기판 처리 방법(제전 방법)의 평가는, 기판 처리 장치로의 반입시 및 반출시의, 반입반출 유닛에 대한 웨이퍼 위치의 어긋남을 측정하는 것으로도 행했다. 반출시란, 기판 처리 장치에 반입된 웨이퍼에 대해, 플라즈마 처리 및 제전 처리를 거치게 하고, 기판 처리 장치로부터 웨이퍼를 반출하는 것을 의미한다.
본 실시예에 있어서의 디척 토크의 변화량은 11.4%이고, 웨이퍼 위치의 어긋남은 0.2mm이었다. 또한, 비교의 실시예에 있어서의 디척 토크의 변화량은 16~20%이고, 웨이퍼 위치의 어긋남은 1~3mm이었다.
이들 결과로부터, 본 실시예에 따른 기판 처리 방법은 플라즈마 처리 후의 웨이퍼 및 정전척을 확실하게 제전할 수 있고, 웨이퍼를 정전척으로부터 안전하게 들어올린다는 것을 알 수 있다.
(실시예 2)
본 실시예에 따른 기판 처리 방법 이전에, 척 전극에 양의 직류 전압을 인가하는 공정을 추가하는 것에 의한 효과를 확인한 실시예에 대해서 설명한다.
소정의 플라즈마 처리가 실시된 웨이퍼(W)에 대해 전(前)처리로서,
웨이퍼의 이면에 5Torr의 압력으로 전열 가스를 공급하면서, 척 전극에 양의 직류 전압을 인가했다. 소정의 시간 경과 후에, 전열 가스의 압력을 1Torr로 감압하고, 또한 전열 가스의 공급을 정지했다. 다음으로 양의 직류 전압의 인가를 정지하고, 소정 시간후, 양의 직류 전압을 재인가하는 처리를 실시했다. 이들 일련의 공정을, 약 5초 실시하고, 이 일련의 공정을 5회 반복했다.
전처리의 프로세스 조건은,
플라즈마 처리 가스의 가스압 : 800mTorr
플라즈마 처리 가스 : Ar/O2=1300/200sccm
전열 가스의 종류 : He
전열 가스의 가스압 : (5Torr→1Torr→0Torr)×5회
양의 직류 전압의 값 : +2kV
로 했다.
그리고, 전처리 이후의 웨이퍼(W)에 대해, 처리 가스의 플라즈마에 의해서 플라즈마 제전하면서, 기판의 이면에 전열 가스를 공급했다. 그리고, 전열 가스의 공급부터 소정의 시간 경과후 척 전극에 소정 시간 음의 직류 전압을 인가하고, 이 음의 직류 전압의 인가를 정지했다.
전처리를 포함하는 제전 프로세스의 상세한 프로세스 조건은
[전체 제전 프로세스의 조건]
전처리를 포함하는 제전 프로세스의 전체 처리 시간 : 60초(그 중, 전처리 시간은 5초×5회=25초)
[플라즈마 제전 조건]
플라즈마 처리 가스의 가스압 : 800mTorr
플라즈마 처리 가스 : Ar/O2=1300/200sccm
[전열 가스의 공급 조건]
전열 가스의 종류 : He
전열 가스의 가스압 : 1Torr
[음의 직류 전압의 인가 조건]
음의 직류 전압의 값 : -3kV
음의 직류 전압의 인가 시간 : 20초
로 했다.
본 실시예에서, 실시예 1과 마찬가지로, 디척 토크의 변화량 및 웨이퍼 위치의 어긋남을 측정했다. 그 결과, 디척 토크의 변화량은 15%이고, 웨이퍼 위치의 어긋남은 0.2~0.5mm이었다.
본 실시예는 상술한 바와 같이, 전처리를 포함하는 전체 제전 프로세스의 프로세스 시간은 60초이었다. 실시예 1과 실시예 2에서의 전체 제전 프로세스의 프로세스 시간의 비교로부터, 척 전극에 양의 직류 전압을 인가하는 공정을 추가함으로써, 제전 프로세스의 프로세스 시간을 대폭으로 단축할 수 있다는 것을 알 수 있었다.
또한, 실시예 2의 기판 처리 방법이더라도, 디척 토크의 변화량 및 웨이퍼 위치의 어긋남은 충분한 값이라는 것을 알 수 있었다.
1 : 플라즈마 처리 장치 10 : 처리 용기
12 : 탑재대(하부 전극) 28 : 배기 장치
32 : 고주파 전원 38 : 샤워 헤드(상부 전극)
40 : 정전척(ESC) 40a : 척 전극
40b, 40c : 유전층부(유전 부재) 42 : 직류 전압원
52 : 전열 가스 공급원 62 : 가스 공급원
71 : 칠러 유닛 75 : 히터
80 : 모니터 81 : 지지 핀
84 : 모터 100 : 제어부
W : 웨이퍼

Claims (7)

  1. 내부에 전극을 갖는 절연 부재를 포함하는 정전척을 갖고, 상기 정전척 상에 탑재된 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로서,
    상기 기판을, 제 1 가스압을 갖는 처리 가스의 플라즈마에 의해서 플라즈마 제전하면서, 상기 기판의 이면에 제 2 가스압으로 전열 가스를 공급하는, 제 1 공정
    을 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 압력에 대한 상기 제 2 압력의 비의 값은 0보다 크고 1.25 이하인 범위내인 기판 처리 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 공정은,
    상기 전극에 음의 직류 전압을 인가하는 공정과,
    상기 전극으로의 상기 음의 직류 전압의 인가를 정지하는 공정
    을 더 포함하는
    기판 처리 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 공정 이전에,
    상기 기판의 이면에 상기 전열 가스를 공급하면서, 상기 척 전극에 양의 직류 전압을 인가하는 공정과,
    상기 기판의 이면으로의 상기 전열 가스의 공급을 정지하는 공정과,
    상기 척 전극으로의 상기 양의 직류 전압의 인가를 정지하는 공정과,
    상기 척 전극에 상기 양의 직류 전압을 재인가하는 공정
    을 포함하는 제 2 공정을 포함하는
    기판 처리 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 공정은 복수회 반복해서 실시되는 기판 처리 방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 공정과 상기 제 2 공정 사이에,
    상기 전극에 음의 직류 전압을 인가하는 공정과,
    상기 전극으로의 상기 음의 직류 전압의 인가를 정지하는 공정
    을 포함하는 기판 처리 방법.
  7. 기판 처리 장치로서,
    기판을 수용하는 처리 용기와,
    상기 처리 용기 내에 마련되고, 기판을 탑재하는 탑재대와,
    상기 처리 용기 내에 마련되고, 상기 탑재대와 대향하는 전극판과,
    상기 처리 용기 내에 소정의 가스를 공급하는 가스 공급부와,
    상기 탑재대 또는 상기 전극판 중 적어도 한쪽에 고주파 전력을 인가하는 고주파 전원과,
    상기 탑재대의 상부에 마련되고, 상기 기판의 탑재면을 형성하며, 내부에 전극을 갖는 절연 부재를 포함하는 정전척과,
    상기 전극에 직류 전압을 인가하는 직류 전원과,
    상기 기판 처리 장치의 작동을 제어하는 제어부
    를 갖고,
    상기 제어부는, 상기 기판을, 제 1 가스압을 갖는 처리 가스의 플라즈마에 의해서 플라즈마 제전하면서, 상기 기판의 이면에 제 2 가스압으로 전열 가스를 공급하도록, 상기 기판 처리 장치를 제어하는
    기판 처리 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10607818B2 (en) 2016-05-27 2020-03-31 Semes Co., Ltd. Support unit, apparatus and method for treating a substrate
KR20210043180A (ko) * 2019-10-11 2021-04-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6789099B2 (ja) * 2016-12-26 2020-11-25 東京エレクトロン株式会社 計測方法、除電方法及びプラズマ処理装置
JP6739326B2 (ja) * 2016-12-27 2020-08-12 三菱電機株式会社 評価装置及び評価方法
US10950483B2 (en) * 2017-11-28 2021-03-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems and methods for fixed focus ring processing
JP7356446B2 (ja) * 2018-04-04 2023-10-04 ラム リサーチ コーポレーション 封止表面を有する静電チャック
JP7020311B2 (ja) * 2018-06-14 2022-02-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
TWI775083B (zh) * 2020-05-26 2022-08-21 毅力科技有限公司 真空壓膜系統及真空壓膜方法
KR102616554B1 (ko) 2020-07-13 2023-12-20 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 이탈 방법 및 플라즈마 처리 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002222799A (ja) * 2001-01-25 2002-08-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法および静電チャックの除電方法
JP2003264224A (ja) * 2002-03-11 2003-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空処理装置
JP2006269556A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Elpida Memory Inc プラズマ処理装置、及び半導体装置の製造方法
WO2009144938A1 (ja) * 2008-05-30 2009-12-03 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置および方法
JP2013149935A (ja) 2011-12-20 2013-08-01 Tokyo Electron Ltd 離脱制御方法及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW334609B (en) * 1996-09-19 1998-06-21 Hitachi Ltd Electrostatic chuck, method and device for processing sanyle use the same
JP4035225B2 (ja) * 1998-03-20 2008-01-16 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法
JP2006135081A (ja) * 2004-11-05 2006-05-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
US7608544B2 (en) * 2006-05-25 2009-10-27 Tokyo Electron Limited Etching method and storage medium
JP4847909B2 (ja) * 2007-03-29 2011-12-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及び装置
KR101125430B1 (ko) * 2009-09-04 2012-03-28 주식회사 디엠에스 피처리물의 디척킹과 함께 반응 챔버 내부 및 정전 척의 드라이 클리닝을 실행하는 플라즈마 반응기의 피처리물 디척킹 장치 및 방법
JP5497091B2 (ja) * 2012-03-26 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002222799A (ja) * 2001-01-25 2002-08-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法および静電チャックの除電方法
JP2003264224A (ja) * 2002-03-11 2003-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空処理装置
JP2006269556A (ja) * 2005-03-22 2006-10-05 Elpida Memory Inc プラズマ処理装置、及び半導体装置の製造方法
WO2009144938A1 (ja) * 2008-05-30 2009-12-03 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置および方法
JP2013149935A (ja) 2011-12-20 2013-08-01 Tokyo Electron Ltd 離脱制御方法及びプラズマ処理装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10607818B2 (en) 2016-05-27 2020-03-31 Semes Co., Ltd. Support unit, apparatus and method for treating a substrate
US11127573B2 (en) 2016-05-27 2021-09-21 Semes Co., Ltd. Support unit, apparatus and method for treating a substrate
KR20210043180A (ko) * 2019-10-11 2021-04-21 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

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Publication number Publication date
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US20150132967A1 (en) 2015-05-14
KR102332028B1 (ko) 2021-11-26
US9530657B2 (en) 2016-12-27
JP6401901B2 (ja) 2018-10-10
TW201539571A (zh) 2015-10-16
JP2015095396A (ja) 2015-05-18

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