CN109148349B - 静电吸附方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种静电吸附方法，其包括：第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向上述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高上述腔室内的压力的处理；第二步骤，在上述第一步骤之后，对设置在上述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；第三步骤，在上述第二步骤之后，进行停止施加上述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低上述腔室内的压力的处理中的至少任一处理；和第四步骤，在上述第三步骤之后，停止施加上述直流电压。由此，无需提高直流电压的功率，就能够提高静电吸盘的吸附力。

Description

静电吸附方法
技术领域
本发明涉及一种静电吸附方法。
背景技术
在腔室内的载置台设置有静电吸盘。静电吸盘利用由直流电源输出的直流电压产生的库仑力，将被处理体静电吸附并保持在静电吸盘上(例如参照专利文献1、2)。
例如在专利文献1中提案有静电吸盘的带电的除去方法。在专利文献2中提案有在将下一晶片吸附到静电吸盘之前，在向处理室导入了氮气的状态下对静电吸盘施加负的直流电压，进行电流放电，防止晶片向静电吸盘的不良吸附的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开昭63-36138号公报
专利文献2：日本特开平9-120988号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
但是，即使对在前一晶片处理时产生于静电吸盘的表面的残留电荷进行除电之后将下一晶片送入并将其吸附在静电吸盘上，也存在向晶片与静电吸盘之间供给的导热气体泄露的问题。在该情况下，需要进一步提高静电吸盘的吸附力，防止导热气体的泄露。
对此，考虑通过提高对静电吸盘施加的直流电压的功率来提高吸附力。但是，要求通过不提高直流电压的功率就能够提高静电吸盘的吸附力来防止导热气体的泄露，避免资源的过度使用，尽可能抑制运行成本。
针对上述技术问题，本发明的目的之一在于无需提高直流电压的功率就能够提高静电吸盘的吸附力。
用于解决技术问题的技术方案
为了解决上述技术问题，根据一个方式，提供一种静电吸附方法，其包括：第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向上述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高上述腔室内的压力的处理；第二步骤，在上述第一步骤之后，对设置在上述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；第三步骤，在上述第二步骤之后，进行停止施加上述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低上述腔室内的压力的处理中的至少任一处理；和第四步骤，在上述第三步骤之后，停止施加上述直流电压。
发明的效果
根据本发明的一个方面，无需提高直流电压的功率就能够提高静电吸盘的吸附力。
附图说明
图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的一个例子的图。
图2是用于说明一实施方式的预充电的有无和吸附力的不同的图。
图3是表示第一实施方式的晶片的静电吸附处理的一个例子的流程图。
图4是表示一实施方式的预充电时的时序图的一个例子的图。
图5是用于说明一实施方式的预充电时的吸附力的状态的图。
图6是表示第一实施方式的变形例的晶片的静电吸附处理的一个例子的流程图。
图7是表示第二实施方式的晶片的静电吸附处理的一个例子的流程图。
图8是表示一实施方式的预充电的效果的一个例子的图。
附图标记说明
1   等离子体处理装置
2   腔室(处理容器)
3   载置台
10  静电吸盘
10a 吸盘电极
11  聚焦环
12  支承体
12a 制冷剂流路
17  闸阀
20  气体喷淋头
21  屏蔽环
22  气体导入口
23  气体供给源
25  气体供给孔
26  可变直流电源
15  气体供给源
30  直流电源
31  开关
32  第一高频电源
33  第一匹配器
34  第二高频电源
35  第二匹配器
36  冷机
37  导热气体供给源
38  排气装置
100 控制部。
具体实施方式
以下，参照附图说明用于实施本发明的实施方式。此外，在本说明书和附图中，对实质上相同的结构标注相同的附图标记，省略重复的说明。
[等离子体处理装置的整体结构]
首先，参照图1说明等离子体处理装置1的一个例子。本实施方式的等离子体处理装置1是电容耦合型的平行平板等离子体处理装置，具有大致圆筒形的腔室(处理容器)2。腔室2的内表面被实施铝阳极化处理(阳极氧化处理)。腔室2的内部为利用等离子体来进行蚀刻处理和成膜处理等的等离子体处理的处理室。
载置台3载置作为基片的一个例子的半导体晶片(以下称为“晶片”。)。载置台3例如由铝(Al)、钛(Ti)、氮化硅(SiC)等形成。载置台3也作为下部电极发挥作用。
在载置台3的上侧设置有用于对晶片W进行静电吸附的静电吸盘(ESC)10。静电吸盘10为在绝缘体10b之间夹着吸盘电极10a的构造。吸盘电极10a与直流电源30连接。当通过开关31的开闭从直流电源30对吸盘电极10a施加直流电压时，通过库仑力将晶片W吸附在静电吸盘10。
在静电吸盘10的外周侧以包围晶片W的外缘部的方式载置有圆环状的聚焦环11。聚焦环11例如由硅形成，在腔室2中使等离子体向晶片W的表面收束，提高等离子体处理的效率从而发挥作用。
载置台3的下侧为支承体12，由此，载置台3保持在腔室2的底部。在支承体12的内部形成有制冷剂流路12a。从冷机36输出的例如冷却水、盐水等的冷却介质(以下也称为“制冷剂”。)流过制冷剂入口配管12b、制冷剂流路12a、制冷剂出口配管12c，进行循环。如上所述，通过循环的制冷剂，由金属构成的载置台3被散热并冷却。
导热气体供给源37将氦气(He)等的导热气体通过导热气体供给线路16供给到静电吸盘10的表面与晶片W的背面之间。通过该结构，静电吸盘10利用制冷剂流路12a中循环的制冷剂和供给到晶片W的背面的导热气体来进行温度控制。其结果，能够将晶片W控制在规定的温度。
载置台3经第一匹配器33与供给第一频率的等离子体生成用的高频功率HF的第一高频电源32连接。另外，载置台3经第二匹配器35与供给第二频率的偏置电压产生用的高频功率LF的第二高频电源34连接。第一频率例如可以为40MHz。另外，第二频率可以比第一频率低，例如13.56MHz。本实施方式中，高频功率HF可以被施加到载置台3，也可以被施加到气体喷淋头20。
第一匹配器33使负载阻抗与第一高频电源32的内部(或输出)阻抗匹配。第二匹配器35使负载阻抗与第二高频电源34的内部(或输出)阻抗匹配。第一匹配器33以在腔室2内生成等离子体时第一高频电源32的内部阻抗与负载阻抗基本上一致的方式发挥作用。第二匹配器35以在腔室2内生成等离子体时第二高频电源34的内部阻抗与负载阻抗基本上一致的方式发挥作用。
气体喷淋头20以隔着覆盖其外缘部的屏蔽环21地封闭腔室2的顶部的开口的方式进行安装。气体喷淋头20与可变直流电源26连接，从可变直流电源26输出负的直流电压(DC)。气体喷淋头20可以由硅形成。气体喷淋头20也作为与载置台3(下部电极)相对的相对电极(上部电极)发挥作用。
在气体喷淋头20形成有导入气体的气体导入口22。在气体喷淋头20的内部设置有从气体导入口22分支的中央侧的扩散室24a和边缘侧的扩散室24b。从气体供给源23输出的气体经气体导入口22供给到扩散室24a、24b，在扩散室24a、24b扩散而从多个气体供给孔25向载置台3导入。
在腔室2的底面形成有排气口18，通过与排气口18连接的排气装置38对腔室2内排气。由此，能够将腔室2内维持在规定的真空度。在腔室2的侧壁设置有闸阀17。闸阀17在将晶片W送入腔室2或从腔室2送出晶片W时开关。
在等离子体处理装置1设置有控制装置整体的动作的控制装置100。控制装置100具有CPU(Central Processing Unit，中央处理单元)105、ROM(Read Only Memory，只读存储器)110和RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)115。CPU105按照存储于RAM115等的存储区域中的处理方案，实施蚀刻等的期望的等离子体处理。在处理方案中设定有对于处理条件的装置的控制信息即处理时间、压力(气体的排气)、高频功率、电压、各种气体流量、处理容器内温度(上部电极温度、处理容器的侧壁温度、晶片W温度、静电吸盘温度等)、从冷机36输出的制冷剂的温度等。此外，这些程序和表示处理条件的处理方案也可以存储于硬盘或半导体存储器中。另外，处理方案也可以在存储于CD-ROM、DVD等的可携带型的能够由计算机读取的存储介质的状态下设置在规定位置，使得能够读出。
在执行蚀刻、成膜等的等离子体处理时，控制闸阀17的开闭，晶片W被送入腔室2，载置在载置台3上。当从直流电源30对吸盘电极10a施加正或负的极性的直流电压时，晶片W被吸附保持于静电吸盘10。
从气体供给源23向腔室2内供给所期望的气体。从第一高频电源32向载置台3施加高频功率HF，从第二高频电源34向载置台3施加高频功率LF。从可变直流电源26将负的直流电压施加到气体喷淋头20。由此，在晶片W的上方气体分解而生成等离子体，利用等离子体的作用对晶片W实施等离子体处理。
在等离子体处理后，从直流电源30对吸盘电极10a施加极性与晶片W的吸附时正负相反的直流电压，除去晶片W的电荷。电荷除去后，晶片W从静电吸盘10剥离，从闸阀17被送出到腔室2之外。
[预充电]
接着，参照图2说明本发明的一实施方式的预充电的有无和吸附力的不同。图2是用于说明本实施方式的预充电的有无与吸附力的关系的图。本实施方式的等离子体处理装置1中，在就要将新的晶片(下一晶片)送入腔室2内之前，对静电吸盘10的吸盘电极10a施加极性与吸附下一晶片时施加的直流电压HV正负相反的直流电压HV。
这样，在将下一晶片送入腔室2内之前，从直流电源30施加与晶片W的吸附时正负相反的直流电压，使晶片W吸附前的静电吸盘10的表面预先充电(带电)，以下称为“预充电”。
在第一实施方式及其变形例中，说明在生成等离子体的状态下进行预充电(以下也称为“等离子体预充电”。)的静电吸附方法。之后，在第二实施方式中，说明在不生成等离子体的状态下进行预充电的静电吸附方法。
在图2的(a-1)和(a-2)所示的不进行预充电的现有例的情况的静电吸附方法中，如图2的(a-1)所示，下一晶片的要送入之前的静电吸盘10的表面没有被预先充电。即，静电吸盘10的表面为没有电荷的状态。
在该状态下送入下一晶片W，当吸附晶片时被施加的正或负的极性的直流电压从直流电源30被施加到吸盘电极10a时，静电吸盘10的表面进一步被充电正或负的电荷。
在图2的(a-2)中，表示了从直流电源30将正的极性的直流电压HV施加到吸盘电极10a，被吸盘电极10a的正电荷吸引而在晶片W的背面产生负电荷的例子。此外，向吸盘电极10a施加的直流电压HV的极性可以为正也可以为负。例如，从直流电源30将负的极性的直流电压HV施加到吸盘电极10a时，在晶片W的背面产生正的电荷。
关于以上的现有例，参照图2的(b-1)～(b-3)对一实施方式的进行预充电的情况的静电吸盘10和晶片背面的电荷的状态进行说明。
在一实施方式的等离子体预充电中，如图2的(b-1)所示，等离子体预充电前的静电吸盘10的表面为没有电荷的状态。在该状态下，在要送入图2的(b-3)所示的晶片之前，进行图2的(b-2)所示的等离子体预充电。
在等离子体预充电中，在生成了等离子体的状态下，与吸附下一晶片时施加的极性相反的极性的直流电压HV，从直流电源30被施加到吸盘电极10a。由此，静电吸盘10的表面被充电正或负的电荷。例如，在图2(b-2)所示的例子中，从直流电源30将负的极性的直流电压HV施加到吸盘电极10a，在静电吸盘10的表面产生正电荷。这是预充电的状态的一个例子。
在该状态下将晶片W送入，当载置时，如图2的(b-3)所示，从直流电源30将极性与预充电时正负相反(在此为正的极性)的直流电压HV施加到吸盘电极10a。由此，对图2的(b-2)所示的预充电时充电到静电吸盘10的表面的电荷进一步增加相同极性的电荷，成为图2的(b-3)所示的情况。由此，当进行预充电时，与不进行预充电的情况相比，增多了充电到静电吸盘10的表面的电荷量。其结果，因充电到静电吸盘10的表面的正电荷吸引，在晶片W的背面产生的负电荷量变多，能够通过库仑力提高晶片W的背面与静电吸盘10的表面的吸附力。
此外，在预充电时，向吸盘电极10a施加的直流电压HV的极性，只要为与将晶片W送入并吸附时被施加的直流电压HV正负相反的极性，则可以为正也可以为负。另外，施加到吸盘电极10a的直流电压HV的电位可以与吸附晶片W时施加的直流电压HV相同，也可以不同。
<第一实施方式>
[静电吸附处理]
接着，参照图3说明第一实施方式的静电吸附处理的一个例子。图3是表示第一实施方式的静电吸附处理的一个例子的流程图。本处理在上述结构的等离子体处理装置1中实施，由控制装置100的CPU105控制。
在将处理过的晶片W从等离子体处理装置1中送出之后，要送入下一晶片W之前，执行本处理。当开始本处理时，气体供给源23将氮气从气体喷淋头20导入并供给到腔室2内。此外，可以替代氮气而导入氩气等的稀有气体或氧气。另外，第一高频电源32将等离子体生成用的高频功率HF施加到载置台3，在晶片W的上方生成等离子体(步骤S10)。步骤S10是第一步骤的一个例子。此外，高频功率LF可以施加，也可以不施加。
在步骤S10之后，直流电源30将极性与在吸附晶片W时从直流电源30施加的直流电压HV正负相反的直流电压HV施加到静电吸盘10(步骤S12)。步骤S12是第二步骤的一个例子。
在步骤S12之后，停止施加等离子体生成用的高频功率HF，将等离子体熄灭(步骤S14)。步骤S14是第三步骤的一个例子。
在步骤S14之后，直流电源30停止施加直流电压HV(步骤S16)。步骤S16是第四步骤的一个例子。步骤S10～S16是在进行下一晶片W的送入前进行的等离子体预充电的一个例子。由此，静电吸盘10的表面被预充规定的电荷。
接着，向腔室2内送入晶片W(步骤S18)，直流电源30将吸附晶片W时施加的直流电压HV施加到静电吸盘10，使晶片W吸附于静电吸盘10(步骤S20)。步骤S18和步骤S20是第五步骤的一个例子。在步骤S20的处理后，结束本处理。
在以上说明的第一实施方式的静电吸附处理中，如图4所示，依次执行第一步骤至第四步骤，完成等离子体预充电。此外，第一实施方式中，不进行图4所示的压力的控制。
1、第一步骤
施加等离子体生成用的高频功率HF，生成等离子体。
2、第二步骤
对静电吸盘10施加极性与在吸附下一晶片W时施加的直流电压HV正负相反的直流电压HV。图4中，施加负的极性的直流电压HV。
3、第三步骤
停止施加等离子体生成用的高频功率HF，将等离子体熄灭。
4、第四步骤
停止施加直流电压HV。
参照图5说明上述各步骤中的在静电吸盘10产生的电荷的状态。
1、第一步骤
在第一步骤中，如图5(a)所示，生成等离子体。另一方面，开关31断开，不从直流电源30供给直流电压HV。
2、第二步骤
在第二步骤中，如图5(b)所示，在生成等离子体的状态下，开关31接通，从直流电源30将直流电压HV供给到吸盘电极10a。在图5(b)中，负的极性的直流电压HV被施加到吸盘电极10a，在吸盘电极10a产生负的电荷。因此，在静电吸盘10的表面，为了将吸盘电极产生的负电荷中和而从等离子体侧供给正电荷。
此外，只要是极性与在吸附下一晶片W时施加的直流电压HV正负相反的直流电压HV，则也可以将正的极性的直流电压HV施加到吸盘电极10a。另外，第二步骤中施加的直流电压HV可以为与吸附下一晶片W时施加的直流电压HV相同的电位，也可以为不同的电位。
3、第三步骤
在第三步骤中，如图5(c)所示，停止施加等离子体生成用的高频功率HF，将等离子体熄灭。当在第二步骤中从等离子体侧对静电吸盘10的表面供给了正电荷的状态下使等离子体熄灭时，被充电到静电吸盘10的表面的电荷无法经等离子体进行放电，保持被充电到静电吸盘10的表面的状态。
4、第四步骤
在第四步骤中，如图5(d)所示，停止施加直流电压HV。由于在静电吸盘10的表面充电有电荷的状态下停止施加直流电压HV，因此，成为保持静电吸盘10的表面充电有电荷的状态，即预充电的状态。
在该状态下载置晶片后，如图2的(b-3)所示，从直流电源30将极性与进行预充电时正负相反(此处为正的极性)的直流电压HV施加到吸盘电极10a时，由此，产生与将充电到静电吸盘10的表面的正电荷和在预充电时充电的电荷量相加而得的电荷量相应的吸附力。
如上所述，通过在本实施方式中进行预充电，晶片W的背面与静电吸盘10的表面的吸附力变高。其结果，根据本实施方式的静电吸附方法，能够提高静电吸盘10的吸附力，能够防止导热气体的泄露。
<第一实施方式的变形例>
[静电吸附处理]
接着，参照图6说明第一实施方式的变形例的静电吸附处理的一个例子。图6是表示第一实施方式的变形例的静电吸附处理的一个例子的流程图。本处理在上述结构的等离子体处理装置1中实施，由控制装置100的CPU105控制。
在图6的各处理中，对进行与图3的第一实施方式的处理相同的处理的步骤标注相同的步骤号码，由此省略说明。第一实施方式的变形例的静电吸附处理，仅在对第一实施方式的静电吸附处理的步骤S10、S12、S14、S16、S18、S20增加步骤S15的压力控制的处理这一点与第一实施方式的静电吸附处理不同。
在本变形例中，在步骤S14中将等离子体熄灭之后，步骤S16中停止施加直流电压HV之前，进行降低腔室2的内部的压力的控制(步骤S15)。步骤S14和步骤S15的处理是第三步骤的一个例子。
以上说明的第一实施方式的变形例的步骤S10～S16是等离子体预充电的一个例子。本变形例中，增加了图4的压力控制，通过在第三步骤中进行压力控制，而使等离子体预充电完成。
1、第一步骤
施加等离子体生成用的高频功率HF，生成等离子体。
2、第二步骤
对静电吸盘10施加极性与吸附下一晶片W时施加的直流电压HV正负相反的直流电压HV。图4中，施加负的极性的直流电压HV。
3、第三步骤
停止施加等离子体生成用的高频功率HF，将等离子体熄灭。在停止施加等离子体生成用的高频功率HF的同时，或者在停止施加之后且第四步骤之前，将腔室2的内部的压力控制得较低。
4、第四步骤
停止施加直流电压HV。
如以上说明的那样，根据第一实施方式的变形例的静电吸附处理，与第一实施方式同样，能够通过等离子体预充电，在要送入晶片W之前对静电吸盘10的表面预充电荷。由此能够提高静电吸盘10的吸附力，能够防止导热气体的泄露。
并且，在本变形例中，在第三步骤中将等离子体熄灭，并且将腔室2的内部的压力控制得较低。由此，在第三步骤中，通过不仅将等离子体熄灭还将腔室2的内部压力控制得较低，能够防止充电到静电吸盘10的表面的电荷经由等离子体或腔室2内的气体移动。
此外，为了进一步提高变形例的压力控制的效果，在第三步骤中，优选在停止施加等离子体生成用的高频功率HF时的同时，或者停止施加高频功率HF之后尽可能快速地将腔室2的内部的压力控制得较低。
<第二实施方式>
[静电吸附处理]
接着，参照图7说明第二实施方式的静电吸附处理的一个例子。图7是表示第二实施方式的静电吸附处理的一个例子的流程图。图7的各处理中，对进行与图3的第一实施方式或者图6的第一实施方式的变形例的处理相同的处理的步骤标注相同的步骤编号，并省略说明。在第二实施方式的静电吸附处理中，不生成等离子体地进行预充电这一点与第一实施方式及其变形例的静电吸附处理不同。
当开始本处理时，从气体供给源23供给氩气等的不活泼气体，提高腔室2的内部的压力(步骤S30)。此时，不施加高频功率HF，不生成等离子体。步骤S30的处理是第一步骤的一个例子。
在步骤S30之后，直流电源30将极性与吸附晶片W时从直流电源30施加的直流电压HV正负相反的直流电压HV施加到静电吸盘10(步骤S12)。之后，降低腔室2的内部的压力(步骤S15)。步骤S15的处理是第三步骤的一个例子。
在步骤S15之后，直流电源30停止施加直流电压HV(步骤S16)。接着，向腔室2内送入晶片W(步骤S18)，直流电源30将吸附晶片W时所要施加的预定的直流电压HV施加到静电吸盘10，将晶片W吸附在静电吸盘10(步骤S20)。在步骤S20的处理后，本处理结束。
如以上说明的那样，根据第二实施方式的静电吸附处理，在步骤S30中，不生成等离子体，而将腔室2的内部的压力控制得较高。由此，即使不生成等离子体，也能够经由腔室2内的气体来促进电荷的移动。
并且，在第三步骤中，通过将腔室2的内部的压力控制得较低，能够防止被充电到静电吸盘10的表面的电荷经由腔室2内的气体移动。由此，在第二实施方式中，不生成等离子体，通过控制腔室2的内部的压力，能够在要送入晶片W之前对静电吸盘10的表面预充电荷。由此，能够提高静电吸盘10的吸附力，能够防止导热气体的泄露。
[实验的效果]
最后，参照图8说明第一和第二实施方式及其变形例的静电吸附处理的预充电的效果。图8表示一实施方式的预充电的效果的一个例子。
图8的横轴表示向晶片W的背面供给的导热气体的压力[Torr]，纵轴表示相对于导热气体的各压力，为了静电吸附晶片W而向静电吸盘10施加的最小直流电压HV[V]。此外，1[T]换算为133.322[Pa]。
图8的曲线A表示在不进行本实施方式的预充电时，相对于横轴的导热气体的压力，为了吸附晶片W所需的最小的吸附电压(直流电压HV)。
图8的曲线B表示在不进行第二实施方式的预充电时，相对于横轴的导热气体的压力，为了吸附晶片W所需的最低吸盘电压。这是在不生成等离子体(等离子体停止)的状态下进行预充电的情况。
图8的曲线C表示在不进行第一实施方式的变形例的预充电时，相对于横轴的导热气体的压力，为了吸附晶片W所需的最低吸盘电压。这是在生成等离子体(等离子体产生)的状态下进行预充电(等离子体预充电)的情况。
在本实验中，在预充电时直流电压HV施加负电荷，在本实验时施加正的电压。其结果，当比较曲线A与曲线B、C时可知，通过预充电，最低吸盘电压降低。即，在执行了预充电的情况下，与不进行预充电的情况相比，通过基于预充电的库仑力，即使最低吸盘电压(直流电压HV)降低，也能够将晶片W吸附于静电吸盘10。根据以上结果能够证明通过预充电能够提高静电吸盘10的吸附力。
并且，当比较曲线B与曲线C时可知，生成了等离子体的预充电，与不生成等离子体的预充电的情况相比，通过预充电而被充电到静电吸盘10的表面的电荷量变多，进而即使降低最低吸盘电压(直流电压HV)也能够实现吸附力。
这是因为，通过在等离子体中进行预充电，能够更有效地促进电荷的移动，与不生成等离子体的预充电相比，能够增多被预充电到静电吸盘10的表面的电荷量。
此外，图8中虽然没有与第一实施方式的预充电对应的实验结果，但是根据曲线C同样能够预测出通过预充电，能够使最低吸盘电压降低。
如以上说明的那样，根据上述各本实施方式和变形例的静电吸附方法，能够通过预充电来提高静电吸盘10的吸附力。由此，能够防止导热气体的泄露。特别是，根据等离子体预充电，能够有效地提高静电吸盘10的吸附力，能够更可靠地防止导热气体的泄露。
此外，上述各实施方式和变形例的静电吸附方法的第一步骤可以在无晶片的干法清洗(WLDC)之后进行。通过无晶片的干法清洗来对静电吸盘10的表面进行清洁后，使静电吸盘10的表面带电，从而能够在将预充电到静电吸盘10的表面的电荷保持的状态下，进行下一晶片的静电吸附。由此，能够提高预充电的效果。
在预充电时施加的直流电压HV必须为与晶片处理时施加的直流电压HV正负相反的极性，但是，电位的大小可以不相同。其中，在预充电时施加的直流电压HV的电位越高，预充电的效果越高。
上述各本实施方式和变形例的静电吸附方法，可以在要将新的晶片W送入腔室2之前每次应用，也可以在认为静电吸盘10需要较高吸附力的晶片W的处理条件或晶片W的大小时应用。
作为认为静电吸盘10需要较高吸附力的晶片W的条件的一个例子，能够列举晶片W的背面的状态不稳定的情况。例如，在晶片W的背面附着导电性的附着物的情况下，电荷经由导电性的附着物移动。此时，存在晶片W的背面的电荷从导电性附着物向静电吸盘10侧移动的问题。其结果，晶片W的背面与静电吸盘10的表面的库仑力变小，静电吸盘10的吸附力降低。在这样的情况下，在本实施方式的等离子体处理装置1中，优选实施上述各实施方式和变形例的静电吸附方法的流程。
以下，通过上述实施方式说明了静电吸附方法，但是，本发明的静电吸附方法不限于上述实施方式，可以在本发明的范围内进行各种的变形和改良。上述多个实施方式记载的事项能够在不矛盾的范围内组合。
本发明的处理装置能够在容性耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma，CCP)、电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)、径向缝天线(Radial LineSlot Antenna)，微波电子回旋共振等离子体(Electron Cyclotron Resonance Plasma，ECR)、螺旋波等离子体(Helicon Wave Plasma，HWP)等的类型中应用。另外，本发明的处理装置不限于等离子体处理装置，可以为处理被处理体的处理装置。
在本说明书中，作为被处理体的一个例子列举了半导体晶片W进行说明。但是，被处理体不限于此，可以为LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)、FPD(Flat PanelDisplay，平板显示器)使用的各种基板、光掩模、CD基板、印刷基板等。

Claims (5)

1.一种静电吸附方法，其特征在于，包括：
第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向所述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高所述腔室内的压力的处理；
第二步骤，在所述第一步骤之后，对设置在所述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；
第三步骤，在所述第二步骤之后，进行在所述第一步骤中施加了高频功率的情况下停止施加所述高频功率而将等离子体熄灭的处理，或者进行在所述第一步骤中施加了高频功率的情况下停止施加所述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低所述腔室内的压力的处理，或者进行在所述第一步骤中提高了所述腔室内的压力的情况下降低所述腔室内的压力的处理；
第四步骤，在所述第三步骤之后，停止施加所述直流电压；和
第五步骤，在所述第四步骤之后，将被处理体输送到所述腔室内，对所述静电吸盘施加极性与所述第二步骤中施加的直流电压正负相反的直流电压，将被处理体吸附于所述静电吸盘。
2.如权利要求1所述的静电吸附方法，其特征在于：
所述第二步骤中施加的直流电压为负极性的直流电压。
3.如权利要求2所述的静电吸附方法，其特征在于：
所述第五步骤中施加的直流电压为正极性的直流电压。
4.如权利要求1～3中任一项所述的静电吸附方法，其特征在于：
当在所述第一步骤中施加所述高频功率而生成了等离子体的情况下，与在所述第三步骤停止施加所述高频功率同时，或者在停止施加所述高频功率之后且所述第四步骤之前，降低所述腔室内的压力。
5.如权利要求1～3中任一项所述的静电吸附方法，其特征在于：
所述第一步骤在无晶片的干法清洗之后进行。
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