CN105990194A - 基板处理方法和基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够正确地检测到基板从载置台剥离的基板处理方法。基板处理装置(11)包括：收容基板(G)利用等离子体对该基板(G)实施等离子体蚀刻的腔室(20)；设置于该腔室(20)的内部的、用于载置基板(G)的载置台(21)；内置于该载置台(21)的、将基板(G)静电吸附于载置台(21)的静电吸附电极(27)；向该静电吸附电极(27)施加直流电压的直流电源(28)；供给用于生成等离子体的高频电力的等离子体生成用高频电源(41)；和用于监视被施加于静电吸附电极(27)的直流电压的直流电压监视器(46)，当由直流电压监视器监视的直流电压超过规定阈值时，等离子体生成用高频电源停止供给高频电力。

Description

基板处理方法和基板处理装置

技术领域

本发明涉及对平板显示器(FPD)用基板等大型基板实施等离子体处理的基板处理方法和基板处理装置。

背景技术

在FPD用的面板制造中，在包括玻璃等绝缘体的基板上形成像素器件或电极、配线等。这种面板制造的各种工序中的、蚀刻、CVD、灰化、溅射等微细加工工序在多数情况下通过使用等离子体的基板处理装置进行。基板处理装置例如在能够减压的处理室的内部将基板载置在具有作为下部电极的基座的载置台上，通过对基座供给高频电力，在基板上从处理气体生成等离子体，使用该等离子体对基板例如实施蚀刻。

通常，使用等离子体的蚀刻(以下称为“等离子体蚀刻”)的进展速度根据基板的温度而变化，因此蚀刻中需要控制基板的温度。与此对应，将温度被调节的制冷剂循环供给到载置台内的制冷剂流路中，并且将He气体等导热性较好的气体(以下称为“导热气体”)从在载置台的基板载置面开口的气体孔供给到基板的背面，通过导热气体的导热由载置台间接地冷却基板。此时，为了防止基板因导热气体的压力而从载置台浮起，基板被静电吸附力等吸附保持于载置台。

然而，在等离子体蚀刻中，如果基板从载置台剥离，则载置台的基板载置面露出，在耐压较低的气体孔的边缘与等离子体之间可能产生异常放电。异常放电经常破坏其产生部位及其附近，伴随该破坏，不仅产生颗粒，而且使基板上的器件等受到损伤，因此需要检测从基板载置台的剥离，在检测到剥离时立即停止高频电力的供给，使等离子体消灭。

作为检测从基板载置台的剥离的方法，已知有下述方法：在从基板的载置台剥离时导热气体的流量紊乱，所以监视导热气体的流量，当导热气体的流量紊乱而多次超过阈值时，判断为基板从载置台剥离(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012－99634号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

然而，近年来，随着FPD用面板的大型化，基板处理装置也大型化，导热气体的供给路径变长，所以该供给路径的导热率下降。因此，即使基板从载置台剥离，导热气体的流量也不会立即发生变化，存在在导热气体的流量超过阈值时已经自基板从载置台剥离之后经过了数秒的情况。

此外，在等离子体蚀刻中，在生成等离子体时，静电吸附力增大，所以为了提高基板的冷却能力，有时中途使导热气体的流量或压力增加，即在作为用于进行蚀刻的程序的处理方案中有意使导热气体的流量增加。此时，导热气体的流量也因供给路径的导热率下降而用较长的时间变化，所以由处理方案引起的导热气体的流量的变化和由基板从载置台剥离引起的导热气体的流量变化重叠。因此，即使检测到导热气体的流量的变化，也不清楚该变化的主要原因是由处理方案引起的还是由基板从载置台剥离引起的。

基于以上说明，即使监视导热气体的流量，也难以正确地检测到基板从载置台剥离。

本发明的目的在于提供一种能够正确地检测到基板从载置台剥离的基板处理方法和基板处理装置。

用于解决技术问题的技术方案

为了实现上述目的，本发明提供一种基板处理装置的基板处理方法，上述基板处理装置包括：收容基板利用等离子体对该基板实施处理的处理室；设置于该处理室的内部的、用于载置上述基板的载置台；内置于该载置台的、将上述基板静电吸附于上述载置台的静电吸附电极；向该静电吸附电极施加直流电压的直流电源；和供给用于生成上述等离子体的高频电力的高频电源，上述基板处理方法的特征在于：上述基板处理装置还包括用于监视被施加于上述静电吸附电极的直流电压的电压监视装置，当上述被监视的直流电压超过规定阈值时，上述高频电源停止供给上述高频电力。

为了实现上述目的，本发明提供一种基板处理装置，其包括：收容基板利用等离子体对该基板实施处理的处理室；设置于该处理室的内部的、用于载置上述基板的载置台；内置于该载置台的、将上述基板静电吸附于上述载置台的静电吸附电极；向该静电吸附电极施加直流电压的直流电源；和供给用于生成上述等离子体的高频电力的高频电源，上述基板处理装置的特征在于：包括用于监视被施加于上述静电吸附电极的直流电压的电压监视装置，当由上述电压监视装置监视的直流电压超过规定阈值时，上述高频电源停止供给上述高频电力。

根据本发明，监视对静电吸附于载置台的静电吸附电极施加的直流电压，该被监视的直流电压超过规定阈值时，高频电源停止供给高频电力。载置于载置台的基板和静电吸附电极形成电容器，但当基板从载置台剥离时，该电容器的静电容发生变化，所以基板和静电吸附电极的电位差发生变化，施加于静电吸附电极的直流电压变动。因此，通过监视施加于静电吸附电极的直流电压，能够检测到基板从载置台剥离。此外，由基板和静电吸附电极形成的电容器的电荷量一定，当基板从载置台剥离而电容器的静电容发生变化时，基板和静电吸附电极的电位差也发生变化，所以通过监视施加于静电吸附电极的直流电压，能够迅速地检测到基板从载置台剥离。而且，通常在根据处理方案使施加于静电吸附电极的直流电压发生变化的情况下，该直流电压在短时间内发生变化，而基板从载置台剥离时施加于静电吸附电极的直流电压也在短时间内发生变化。因此，由处理方案引起的施加于静电吸附电极的直流电压的变化和基板从载置台剥离所引起的施加于静电吸附电极的直流电压的变化不会重叠，在检测到施加于静电吸附电极的直流电压的变化时，不会搞不清楚该变化的主要原因是由处理方案引起的还是由基板从载置台剥离引起的。由此，能够正确地检测到基板从载置台剥离。

附图说明

图1是概略地表示具有多个本发明的实施方式涉及的基板处理装置的基板处理系统的结构的立体图。

图2是概略地表示图1中的基板处理装置的结构的截面图。

图3是表示等离子体蚀刻中不产生异常放电的情况下的DC、电源和偏置的日志的图表。

图4是表示等离子体蚀刻中产生异常放电的情况下的DC、电源和偏置的日志的图表。

图5是用于说明静电吸附电极的电位的变化的图，图5的(A)表示基板不从载置台剥离的情况，图5的(B)表示基板从载置台剥离的情况。

图6是现有的基板处理装置的基板剥离判断系统的框图。

图7是本实施方式涉及的基板处理装置的基板剥离判断系统的框图。

图8是表示作为本实施方式涉及的基板处理方法的等离子体蚀刻停止处理的流程图。

附图标记说明

G 基板

11 基板处理装置

20 腔室

22 气体供给部

23 基座

24 偏置用高频电源

26 静电吸附部

27 静电吸附电极

28 直流电源

41 等离子体生成用高频电源

44 装置控制器

45 电容器。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

图1是概略地表示具有多个本实施方式涉及的基板处理装置的基板处理系统的结构的立体图。

在图1中，基板处理系统10具有对玻璃基板等FPD用的基板G实施等离子体处理例如等离子体蚀刻的3个基板处理装置11。

各基板处理装置11分别经由闸阀13连结到水平截面为多边形(例如水平截面为矩形)的搬送室12的侧面。加载互锁真空室14也经由闸阀15与搬送室12连结。基板搬入搬出机构16经由闸阀17与加载互锁真空室14相邻设置。2个转台部18与基板搬入搬出机构16相邻设置。在转台部18载置有用于收纳基板G的盒19。盒19收纳多个(例如25个)基板G。

在基板处理系统10中，对基板G实施等离子体蚀刻时，首先，由基板搬入搬出机构16将收纳在盒19中的基板G搬入到加载互锁真空室14的内部。此时，如果在加载互锁真空室14的内部有等离子体蚀刻完的基板G，则将该等离子体蚀刻完的基板G从加载互锁真空室14内搬出，与未蚀刻的基板G置换。在将基板G搬入到加载互锁真空室14的内部时，关闭闸阀17。

接着，将加载互锁真空室14的内部减压至规定的真空度后，打开搬送室12与加载互锁真空室14之间的闸阀15，利用搬送室12的内部的搬送机构(未图示)将加载互锁真空室14的内部的基板G搬入到搬送室12的内部，然后关闭闸阀15。

接着，打开搬送室12与基板处理装置11之间的闸阀13，由上述搬送机构将未蚀刻的基板G搬入到基板处理装置11的内部。此时，如果在基板処理装置11的内部有等离子体蚀刻完的基板G，则搬出该等离子体蚀刻完的基板G，与未蚀刻的基板G置换。然后，基板处理装置11对搬入的基板G实施等离子体蚀刻。

图2是概略地表示图1中的基板处理装置的结构的截面图。

在图2中，基板处理装置11由感应耦合型等离子体处理装置构成，包括：大致矩形的腔室20(处理室)；配置在该腔室20内的下方的、在顶部载置基板G的梯形的载置台21；感应耦合天线50，由涡旋状的导体构成，以与载置台21相对的方式隔着由电介质或由金属构成的窗部件(未图示)配置在腔室20内的上方；和在窗部件的下方向腔室20内供给处理气体的气体供给部22，在载置台21与气体供给部22之间形成处理空间S。

载置台21内置由导体构成的基座23，偏置用高频电源24(另一高频电源)经由匹配器25与该基座23连接。此外，在载置台21的上部配置有由层状的电介质形成的静电吸附部(ESC)26，该静电吸附部26以由上层电介质层和下层电介质层夹着的方式内置静电吸附电极27。静电吸附电极27与直流电源28连接，当直流电源28对静电吸附电极27施加直流电压时，静电吸附部26利用静电力静电吸附载置于载置台21的基板G。在载置台21中，偏置用高频电源24将频率较低的高频电力供给至基座23，使静电吸附于静电吸附部26的基板G产生直流偏置电位。另外，静电吸附部26也可以形成为板部件，此外也可以作为热喷射膜形成在载置台21上。

而且，载置台21内置对所载置的基板G进行冷却的制冷剂流路29，并且与供给导热气体例如氦气的导热气体供给机构30连接。导热气体供给机构30具有导热气体供给源31和气体流量控制器32，将导热气体供给到载置台21。载置台21具有：在上部开口的多个导热气体孔33；和使各导热气体孔33与导热气体供给机构30连通的导热气体供给路径34。在载置台21，在静电吸附于静电吸附部26的基板G的背面与载置台21的上部之间产生微小的间隙，但从各导热气体孔33供给的导热气体填充该间隙，使基板G与载置台21的热传递效率提高。由此，能够提高载置台21对基板G的冷却效率。

气体供给部22与处理气体供给机构35连接。处理气体供给机构35具有处理气体供给源36、气体流量控制器37和压力控制阀38。气体供给部22内置与处理气体供给机构35连通的缓冲器39，遍及载置于载置台21的基板G的整个面地配置。缓冲器39与处理气体供给机构35连通，处理气体从处理气体供给机构35供给至缓冲器39。此外，气体供给部22具有使缓冲器39与处理空间S连通的多个气体供给孔40，将被供给至缓冲器39的处理气体导入处理空间S。在气体供给部22中，多个气体供给孔40遍及载置于载置台21的基板G的整个面分散地配置，所以处理气体在处理空间S内遍布基板G的整个面。

等离子体生成用高频电源41经由匹配器42与感应耦合天线50连接，等离子体生成用高频电源41将频率较高的等离子体生成用高频电力供给到感应耦合天线50。被供给了等离子体生成用高频电力的感应耦合天线50使处理空间S产生电场。

此外，基板处理装置11具有与腔室20的内部连通的排气管43，该排气管43对腔室20的内部进行减压，或者将残留在腔室20内部的气体排出。

在该基板处理装置11中，在对基板G实施等离子体蚀刻时，对处理空间S进行减压，将处理气体导入处理空间S，并且对感应耦合天线50施加等离子体生成用高频电力，在处理空间S产生电场。导入到处理空间S内处理气体被电场激发而生成等离子体，该等离子体中的阳离子由经由载置台21而在基板G产生的直流偏置电位引入基板G，对基板G实施等离子体蚀刻。此外，等离子体中的自由基到达基板G对基板G实施等离子体蚀刻。

在基板处理装置11中，感应耦合天线50以覆盖基板G的整个面的方式配置，因此以覆盖基板G的整个面的方式生成等离子体，利用该等离子体对基板G的整个面均匀地实施等离子体蚀刻。

在基板处理装置11对基板G实施等离子体蚀刻时，基板处理装置11的各结构元件的动作由装置控制器44(控制装置)按照规定的程序进行控制。

然而，本发明人在本发明之前，分别针对基板G不从载置台21剥离而不产生异常放电的情况、以及基板G从载置台21剥离而产生异常放电的情况，确认了在基板处理装置11中对基板G实施等离子体蚀刻时施加于静电吸附电极27的直流电压、由偏置用高频电源24供给的高频电力和由等离子体生成用高频电源41供给的高频电力的变化记录(以下称为“日志”)。另外，以下将施加于静电吸附电极27的直流电压表示为“DC”，由偏置用高频电源24供给的高频电力表示为“偏置”，由等离子体生成用高频电源41供给的高频电力表示为“电源”。

图3是表示在等离子体蚀刻期间不产生异常放电的情况下的DC、电源和偏置的日志的图表。

在图3中，首先，电源先上升，电源稳定在一定值之后，偏置上升，然后偏置也稳定在一定值，不过在等离子体蚀刻期间，DC保持一定值而稳定。即，可确认：在不产生异常放电的情况下，DC稳定在一定值，电源和偏置也在达到一定值之后稳定。

图4是表示在等离子体蚀刻期间产生异常放电时的DC、电源和偏置的日志的图表。

在图4中，首先，电源先上升，电源稳定在一定值之后，偏置上升，然后偏置也稳定在一定值，但是在时间t₂产生异常放电时，电源和偏置都发生变化，电源稍稍上升，偏置急剧下降。此外，以一定值稳定的DC也急剧下降。

这里，在异常放电之前确认了在时间t₁基板G从载置台21剥离，不过本发明人注意到在时间t₁，DC一度上升，以下推测基板G从载置台21剥离时DC上升的理由。

在基板处理装置11中，基板G和静电吸附电极27隔着静电吸附部26的上层电介质层而相互分离，所以构成电容器45(图5的(A))。此时，基板G隔着等离子体接地，由于从直流电源28对静电吸附电极27施加直流电压，所以基板G带负电荷，静电吸附电极27带正电荷。另外，这种情况下的基板G与静电吸附电极27之间的间隔(间隙)g1与位于静电吸附电极27上方的静电吸附部26的上层电介质层的厚度相同。

当基板G从载置台21剥离时，基板G与静电吸附电极27之间的间隔从g1扩大到g2(图5的(B))。此时，随着基板G与静电吸附电极27之间的间隔的扩大，电容器45的静电容C减小，但由于电容器45的电荷量Q在基板G从载置台21剥离的前后不变，所以基板G与静电吸附电极27的电位差扩大。然后，由于基板G维持隔着等离子体接地的状态不变，所以仅静电吸附电极27的电位发生变化。即，静电吸附电极27的电位(DC)上升。

本发明是基于上述知识和见解而得到的，在本实施方式中，当静电吸附电极27的电位上升时，判断为基板G从载置台21剥离，预测将产生异常放电。

图6是现有的基板处理装置的基板剥离判断系统的框图。

如图6所示，在现有的基板处理装置中，由设置于导热气体的供给路径的压力控制阀(PCV)、装置控制器、等离子体生成用高频电源构成基板剥离判断系统，在该基板剥离判断系统中，压力控制阀与装置控制器连接，并且装置控制器与等离子体生成用高频电源连接，所以压力控制阀与等离子体生成用高频电源经由装置控制器连接。即，压力控制阀与等离子体生成用高频电源间接地连接。

在该基板剥离判断系统中，装置控制器从压力控制阀的导热气体的流量监视器接收流量检测结果的信号，装置控制器基于流量检测结果的信号判断为基板从载置台剥离而使导热气体流量紊乱时，装置控制器向等离子体生成用高频电源发送用于使高频电力的供给停止的停止信号。之后，接收到停止信号的等离子体生成用高频电源停止供给高频电力。

这里，装置控制器每隔规定间隔例如100msec从流量监视器接收流量检测结果的信号，所以最差的情况是基板从载置台剥离后经过了100msec之后判断为导热气体流量紊乱。另一方面，有时异常放电在基板从载置台剥离后经过数10msec之后产生。因此，存在在装置控制器判断为基板从载置台剥离而使导热气体流量紊乱判断时已经产生了异常放电的可能性。特别是，为了避免流量检测结果的信号中的噪声的影响，基板剥离判断系统在导热气体流量多次紊乱之后才判断为基板从载置台剥离的情况下，基板从载置台实际剥离后大约经过1sec之后才判断为导热气体流量紊乱，因此不能防止异常放电的产生。

与此对应，在本实施方式中，设置用于监视静电吸附电极27的电位的直流电压监视器46，该直流电压监视器46不经由装置控制器44地与等离子体生成用高频电源41连接。直流电压监视器46也可以监视用于从直流电源28向静电吸附电极27供给直流电压的供给线51上的特定部位与接地电位的电位差，并且也可以监视供给线51上的特定电阻元件例如电阻52上的电压降，除此以外，能够直接或间接监视静电吸附电极27上的电位变化的方法也能够应用在直流电压监视器46中。在图2中，为便于理解，用一根配线将供给线51与直流电压监视器46连接，不过供给线51与直流电压监视器46的连接方法不限定于此，可以根据监视方法选择适当的连接方法。

图7是本实施方式涉及的基板处理装置的基板剥离判断系统的框图。

如图7所示，在基板处理装置11中，设置用于监视直流电源28对静电吸附电极27施加的直流电压(以下，称为“静电吸附用直流电压”)的直流电压监视器46(电压监视装置)，由直流电压监视器46、装置控制器44和等离子体生成用高频电源41构成基板剥离判断系统47。在该基板剥离判断系统47中，直流电压监视器46和等离子体生成用高频电源41不经由装置控制器44而由信号线48直接连接，并且等离子体生成用高频电源41与装置控制器44连接。此外，直流电压监视器46与装置控制器44也由信号线49直接连接。在静电吸附用直流电压增加而超过规定阈值时，直流电压监视器46判断为基板G从载置台21剥离，向等离子体生成用高频电源41发送用于使高频电力的供给停止的停止信号(以下简称为“停止信号”)。接收到停止信号的等离子体生成用高频电源41立即停止供给高频电力。

图8是表示本实施方式涉及的作为基板处理方法的等离子体蚀刻停止处理的流程图。

首先，在基板处理装置11中，为了对基板G实施等离子体蚀刻，从直流电源28向静电吸附电极27施加静电吸附用直流电压(步骤S81)，将基板G静电吸附于静电吸附部26。

接着，等离子体生成用高频电源41开始向感应耦合天线50供给等离子体生成用高频电力(步骤S82)，偏置用高频电源24开始向基座23供给直流偏置电位生成用高频电力(步骤S83)。此时，在处理空间S中，从处理气体生成等离子体，等离子体中的阳离子被引入基板G，对该基板G实施等离子体蚀刻。

接着，在步骤S84中，直流电压监视器46判断静电吸附用直流电压是否超过规定的阈值、例如为等离子体蚀刻期间要维持的一定值的2％至5％增幅的值中根据直流电压监视器46的检测精度设定的阈值，在判断为静电吸附用直流电压为规定阈值以下的情况下，返回步骤S84，在判断为静电吸附用直流电压超过规定阈值的情况下，经由信号线48立即向等离子体生成用高频电源41发送停止信号(步骤S85)。直流电压监视器46的检测精度还受到噪声影响，在未完全除去的噪声较大的情况下，阈值也必须设定得较大，此时也将阈值设定为比上限增加一定值的5％的值。直流电压监视器46以数10μsec间隔、例如80μsec间隔监视静电吸附用直流电压，因此即使基板G从载置台21剥离，在数10μsec后也能够检测到该情况，基板G的剥离产生之后短时间内就能够发送停止信号。另外，在向等离子体生成用高频电源41发送停止信号的情况下，直流电压监视器46将表示静电吸附用直流电压超过规定阈值的内容的信号经由信号线49发送到装置控制器44。

接着，接收到停止信号的等离子体生成用高频电源41立即停止供给等离子体生成用高频电力(步骤S86)，使等离子体从处理空间S消失。然后，结束本处理。另外，优选在等离子体从处理空间S消失后对基板G实施除电处理。

通过采用图8的处理，利用直流电压监视器46监视静电吸附用直流电压，在该静电吸附用直流电压超过规定阈值时，等离子体生成用高频电源41停止供给等离子体生成用高频电力。载置于载置台21的基板G与静电吸附部26的静电吸附电极27形成电容器45，当基板G从载置台21剥离时，该电容器45的静电容C发送变化，因此基板G与静电吸附电极27的电位差扩大，静电吸附用直流电压上升。

此外，基板G和静电吸附电极27形成的电容器45的电荷量Q是一定的，当基板G从载置台21剥离而使电容器45的静电容C发生变化时，基板G与静电吸附电极27的电位差也发生变化。而且，直流电压监视器46以数10μsec间隔监视静电吸附用直流电压。

其结果，通过用直流电压监视器46监视静电吸附用直流电压，能够迅速地检测基板G从载置台21的剥离。

在图8的处理中，在检测出基板G从载置台21的剥离时，停止供给等离子体生成用高频电力。即，将基板G从载置台21的剥离视为异常放电产生的预兆，当检测出该预兆时使等离子体消失，因此与检测出异常放电之后使等离子体消失的情况相比，能够降低基板G上的器件等发生损伤的风险。

此外，在图8的处理中，当静电吸附用直流电压超过规定阈值时，直流电压监视器46不通过装置控制器44，而是经由信号线48向等离子体生成用高频电源41直接发送停止信号。由此，不需要等待装置控制器44每隔规定间隔例如100msec才进行的基板G的剥离判断，就停止供给等离子体生成用高频电力，由于该高频电力供给的停止不会延迟，所以能够防止产生异常放电。特别是，即使基板处理装置11稍微大型化，包含停止信号的电信号的传递时间都不会变化，因此等离子体生成用高频电源41对停止信号的接收不会延迟，即使基板处理装置11大型化，也能够迅速地停止供给等离子体生成用高频电力。

而且，在图8的处理中，当静电吸附用直流电压超过规定阈值时，直流电压监视器46将表示静电吸附用直流电压超过规定阈值的内容的信号发送到装置控制器44，所以不仅直流电压监视器46，而且装置控制器44也能够进行基板G的剥离判断，由此能够验证由停止信号造成的高频电力供给的停止是否妥当。

以上，使用上述实施方式对本发明进行了说明，不过本发明不限定于上述实施方式。

例如在上述图8的处理中，当静电吸附用直流电压一次超过规定阈值时，就判断为基板G从载置台21剥离，但是为了避免静电吸附用直流电压的噪声的影响，也可以在静电吸附用直流电压多次超过规定阈值时，才判断为基板G从载置台21剥离。其中，在这种情况下，反复执行步骤S84，步骤S84反复执行的次数必须以如下方式设定：在基板G真的从载置台21剥离而开始异常放电之前的时间内，结束步骤S84的反复执行。

此外，基板处理装置11具有与载置台21相对的感应耦合天线50，通过感应耦合而在处理空间S内生成等离子体，基板处理装置也可以具有与作为下部电极的载置台21相对且与等离子体生成用高频电源41连接的上部电极来替代感应耦合天线50，通过被供给了等离子体生成用高频电力的上部电极与下部电极的电容耦合，在处理空间S内生成等离子体，此外，作为下部电极的载置台21与偏置用高频电源以及等离子体生成用高频电源连接并且使上部电极接地，通过上部电极与下部电极的电容耦合，在处理空间S内生成等离子体。在上述的电容耦合的情况下，上部电极也可以构成兼作气体供给部22并覆盖基板G的整个面地供给处理气体的喷淋头。

而且，在基板处理装置11的基板剥离判断系统47中，分别设置直流电压监视器46和装置控制器44，不过也可以使直流电压监视器46和装置控制器44一体化，具体而言是使装置控制器44具有直流电压监视器的功能。在这种情况下，独立于装置控制器44的信号接收间隔地监视静电吸附电极27的电位，能够迅速地向等离子体生成用高频电源发送停止信号，从而能够可靠地防止异常放电的产生。

此外，本发明的目的也能够通过如下方式实现：将记录有能够实现上述实施方式的功能的软件程序代码的存储介质提供给装置控制器44，装置控制器44的CPU读取并执行存储在存储介质中的程序代码。

在这种情况下，从存储介质读取的程序代码本身能够实现上述实施方式的功能，程序代码和存储有该程序代码的存储介质构成本发明。

此外，作为用于供给程序代码的存储介质，例如是RAM、NVRAM、软盘(注册商标)、硬盘、光磁盘、CD－ROM、CD－R、CD－RW、DVD(DVD－ROM、DVD－RAM、DVD－RW、DVD+RW)等光盘、磁带、非易失性存储卡、其他ROM等能够存储上述程序代码的存储介质即可。或者，上述程序代码也可以通过从与互联网、商用网络或局域网络等连接的未图示的其他计算机或数据库等下载来提供给装置控制器44。

此外，不仅通过执行装置控制器44读取的程序代码来实现上述实施方式的功能，而且还包括下述情况：基于该程序代码的指示，由在CPU上工作的OS(操作系统)等执行实际处理的一部分或全部，通过该处理来实现上述实施方式的功能。

而且，还包括下述情况：将从存储介质读取的程序代码写入到被插入装置控制器44的功能扩展板或与装置控制器44连接的功能扩展单元具有的存储器中之后，基于该程序代码的指示，由该功能扩展板或功能扩展单元具有的CPU等执行实际处理的一部分或全部，通过该处理来实现上述实施方式的功能。

上述程序代码的形态可以包括由对象代码、解释程序执行的程序代码、被提供给OS的脚本数据等形态。

Claims (8)

1.一种基板处理装置的基板处理方法，所述基板处理装置包括：收容基板利用等离子体对该基板实施处理的处理室；设置于该处理室的内部的、用于载置所述基板的载置台；内置于该载置台的、将所述基板静电吸附于所述载置台的静电吸附电极；向该静电吸附电极施加直流电压的直流电源；和供给用于生成所述等离子体的高频电力的高频电源，所述基板处理方法的特征在于：

所述基板处理装置还包括用于监视被施加于所述静电吸附电极的直流电压的电压监视装置，

当所述被监视的直流电压超过规定阈值时，所述高频电源停止供给所述高频电力。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：

所述基板处理装置还包括：控制所述基板处理装置的动作的控制装置；和不经由该控制装置地连接所述电压监视装置和所述高频电源的信号线，

当所述被监视的直流电压超过规定阈值时，所述电压监视装置经由所述信号线向所述高频电源发送用于使所述高频电力的供给停止的停止信号。

3.如权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于：

当所述被监视的直流电压超过规定阈值时，所述电压监视装置向所述控制装置发送表示所述被监视的直流电压超过规定阈值的内容的信号。

4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于：

所述基板处理装置还包括使所述基板产生直流偏置电位的另一高频电源，

该另一高频电源与所述载置台连接。

5.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于：

所述基板处理装置还包括感应耦合天线，

所述高频电源与所述感应耦合天线连接，

被供给了所述高频电力的所述感应耦合天线通过感应耦合而生成所述等离子体。

6.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于：

所述基板处理装置将所述载置台作为下部电极并且还包括与所述下部电极相对的上部电极，

所述高频电源与所述上部电极连接，

通过供给所述高频电力，所述上部电极和所述下部电极通过电容耦合而生成所述等离子体。

7.一种基板处理装置，其包括：收容基板利用等离子体对该基板实施处理的处理室；设置于该处理室的内部的、用于载置所述基板的载置台；内置于该载置台的、将所述基板静电吸附于所述载置台的静电吸附电极；向该静电吸附电极施加直流电压的直流电源；和供给用于生成所述等离子体的高频电力的高频电源，所述基板处理装置的特征在于：

包括用于监视被施加于所述静电吸附电极的直流电压的电压监视装置，

当由所述电压监视装置监视的直流电压超过规定阈值时，所述高频电源停止供给所述高频电力。

8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，还包括：

控制所述基板处理装置的动作的控制装置；和

不经由该控制装置地连接所述电压监视装置和所述高频电源的信号线，

当所述被监视的直流电压超过规定阈值时，所述电压监视装置经由所述信号线向所述高频电源发送用于使所述高频电力的供给停止的停止信号。