JP7398909B2 - 静電吸着方法及びプラズマ処理装置 - Google Patents

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Description

本開示は、静電吸着方法及びプラズマ処理装置に関するものである。
特許文献１は、フォーカスリングが載置される載置台の内部にフォーカスリングと対向するように電極を設け、プラズマ処理の期間中に、電極に対して周期的に異なる極性の電圧を印加するプラズマ処理装置を開示する。
特開２０１８－２０６９３５号公報
本開示は、簡易にリング部材の吸着力の低下を抑制する技術を提供する。
本開示の一態様による静電吸着方法は、プラズマ処理の対象とされた基板及び基板の周囲を囲むようにリング部材が載置される載置台の内部の、少なくともリング部材に対応する領域に設けられた電極に対して、プラズマ処理の処理単位毎に、異なる極性の電圧を印加する。
本開示によれば、簡易に吸着力の低下を抑制できる。
図１は、第１実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。 図２は、第１実施形態に係る電極板の設置態様の一例を示す図である。 図３は、従来技術による電荷のマイグレーションを模式的に示した図である。 図４は、第１実施形態に係る印加電圧の変化パターンの一例を模式的に示した図である。 図５は、第１実施形態に係る印加電圧の変化パターンの一例を模式的に示した図である。 図６は、プラズマ処理及びＷＬＤＣの電圧の印加パターンを説明する図である。 図７は、プラズマ処理の電圧の印加パターンを説明する図である。 図８は、比較例の印加パターンによる伝熱ガスのリーク量を測定した実験の結果の一例を示す図である。 図９は、比較例の印加パターンによるウエハ毎の伝熱ガスの平均リーク量を示す図である。 図１０は、実施形態の印加パターンによる伝熱ガスのリーク量を測定した実験の結果の一例を示す図である。 図１１は、実施形態の印加パターンによるウエハ毎の伝熱ガスの平均リーク量を示す図である。 図１２は、第１実施形態に係る印加電圧の変化パターンの一例を模式的に示した図である。 図１３Ａは、第１実施形態に係る印加電圧の変化パターンの一例を模式的に示した図である。 図１３Ｂは、第１実施形態に係る印加電圧の変化パターンの一例を模式的に示した図である。 図１４は、第１実施形態に係る電極板の設置態様の一例を示す図である。 図１５は、第２実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。 図１６は、第２実施形態に係る電荷移動情報のデータ構成の一例を模式的に示した図である。
以下、図面を参照して本願の開示する静電吸着方法及びプラズマ処理装置の実施形態について詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示する静電吸着方法及びプラズマ処理装置が限定されるものではない。各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。
ところで、プラズマ処理装置は、載置台内の電極に電圧を印加してフォーカスリングなどのエッジリングを静電吸着させるが、エッジリングから静電チャックに電荷が移動するマイグレーションが発生し、エッジリングの吸着力が低下する場合がある。そこで、特許文献１では、プラズマ処理の期間中に、電極に対して周期的に異なる極性の電圧を印加する。しかし、プラズマ処理の期間中に周期的に異なる極性の電圧を印加する場合には、極性を切り替えるタイミングや回数を最適化する必要がある。プラズマ処理には、多種多様なレシピがあるなかで、それぞれのレシピを最適化することには多くの工数が必要となる。そこで、簡易にエッジリングの吸着力の低下を抑制することが求められている。
（第１実施形態）
次に、実施形態に係るプラズマ処理装置１について説明する。図１は、第１実施形態に係るプラズマ処理装置１の概略構成を示す断面図である。なお、第１実施形態では、プラズマ処理装置１がＲＩＥ（Reactive Ion Etching）型のプラズマ処理装置である例について説明するが、プラズマ処理装置１は、表面波プラズマを利用したプラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ装置等であってもよい。
図１において、プラズマ処理装置１は、金属製、例えば、アルミニウム又はステンレス鋼製の保安接地された円筒型の処理容器１０を有する。プラズマ処理装置１は、処理容器１０内に、プラズマ処理の対象とされた基板としての半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と称する。）Ｗを載置する円板状のサセプタ（下部電極）１１が配設されている。サセプタ１１は、例えば、アルミニウムからなり、絶縁性の筒状保持部材１２を介して処理容器１０の底から垂直上方に延びる筒状支持部１３に支持されている。サセプタ１１は、本開示の載置台の一例である。
処理容器１０の側壁と筒状支持部１３との間には、排気路１４が形成されている。排気路１４は、入口又は途中に環状のバッフル板１５が配設されている。処理容器１０は、排気路１４の底部に排気口１６が設けられている。該排気口１６には、排気管１７を介して排気装置１８が接続されている。排気装置１８は、真空ポンプを有し、処理容器１０内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。また、排気管１７は、可変式バタフライバルブである自動圧力制御弁（automatic pressure control valve）（以下「ＡＰＣ」という）（不図示）を有する。ＡＰＣは、自動的に処理容器１０内の圧力制御を行う。さらに、処理容器１０の側壁には、ウエハＷの搬入出口１９を開閉するゲートバルブ２０が取り付けられている。
サセプタ１１には、第１の整合器２２ａを介して第１の高周波電源２１ａが接続されている。また、サセプタ１１には、第２の整合器２２ｂを介して第２の高周波電源２１ｂが接続されている。第１の高周波電源２１ａは、プラズマ発生用のものであり、プラズマ処理の際に、所定周波数（例えば１００ＭＨｚ）の高周波電力をサセプタ１１に供給する。第２の高周波電源２１ｂは、イオン引き込み用（バイアス用）のものであり、プラズマ処理の際に、第１の高周波電源２１ａより低い所定周波数（例えば、１３ＭＨｚ）の高周波電力をサセプタ１１に供給する。処理容器１０の天井部には、後述する接地電位の上部電極としてのシャワーヘッド２４が配設されている。これにより、サセプタ１１とシャワーヘッド２４との間には、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂからの２周波の高周波電圧が印加される。
サセプタ１１には、ウエハＷを静電吸着力で吸着する静電チャック２５が上面に設けられている。静電チャック２５は、ウエハＷが載置される円板状の中心部２５ａと、中心部２５ａを囲むように形成された環状の外周部２５ｂとを有する。中心部２５ａは、外周部２５ｂに対して図中上方に突出している。外周部２５ｂの上面には、中心部２５ａを環状に囲むようにフォーカスリングなどのリング状のエッジリング３０が配置される。エッジリング３０は、本開示のリング部材の一例である。エッジリング３０は、プラズマ処理により消耗する。また、中心部２５ａは、導電膜からなる電極板２６を一対の誘電膜の間に挟み込むことによって構成されている。外周部２５ｂは、導電膜からなる電極板２９を一対の誘電膜の間に挟み込むことによって構成されている。本実施形態では、２つの環状の電極板２９を並べて配置している。電極板２６には、直流電源２７が電気的に接続されている。２つの電極板２９には、直流電源２８がそれぞれ個別に電気的に接続されている。直流電源２７及び直流電源２８は、供給する直流電圧のレベル及び極性の変更が可能とされている。直流電源２７は、後述する制御部５０からの制御により、電極板２６に直流電圧を印加する。直流電源２８は、後述する制御部５０からの制御により、２つの電極板２９にそれぞれ個別に直流電圧を印加する。静電チャック２５は、直流電源２７から電極板２６に印加された電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、静電力により静電チャック２５にウエハＷを吸着保持する。また、静電チャック２５は、直流電源２８から電極板２９に印加された電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、静電力により静電チャック２５にエッジリング３０を吸着保持する。なお、電極板２９の設置態様についての詳細は、後述する。
また、サセプタ１１の内部には、例えば、円周方向に延在する環状の冷媒室３１が設けられている。冷媒室３１には、チラーユニット３２から配管３３，３４を介して所定温度の冷媒、例えば、冷却水が循環供給され、当該冷媒の温度によって静電チャック２５上のウエハＷの処理温度を制御する。
また、静電チャック２５には、ガス供給ライン３６を介して伝熱ガス供給部３５が接続されている。ガス供給ライン３６は、静電チャック２５の中心部２５ａに至るウエハ側ライン３６ａと、静電チャック２５の外周部２５ｂに至るエッジリング側ライン３６ｂとに分岐されている。伝熱ガス供給部３５は、ウエハ側ライン３６ａを用いて、静電チャック２５の中心部２５ａと、ウエハＷとで挟まれる空間に伝熱ガスを供給する。また、伝熱ガス供給部３５は、エッジリング側ライン３６ｂを用いて、静電チャック２５の外周部２５ｂと、エッジリング３０とで挟まれる空間に伝熱ガスを供給する。伝熱ガスとしては、熱伝導性を有するガス、例えば、Ｈｅガス等が好適に用いられる。伝熱ガスは、熱媒体の一例に相当し、伝熱ガス供給部３５は、熱媒体を供給する供給部の一例に相当する。
天井部のシャワーヘッド２４は、多数のガス通気孔３７ａを有する下面の電極板３７と、該電極板３７を着脱可能に支持する電極支持体３８とを有する。また、電極支持体３８は、内部にバッファ室３９が設けられ、バッファ室３９と導通するガス導入口３８ａが上面に設けられている。ガス導入口３８ａには、ガス供給配管４１が接続されている。ガス供給配管４１は、処理ガス供給部４０が接続されている。また、処理容器１０の周囲には、環状又は同心状に延びる磁石４２が配置されている。
このプラズマ処理装置１の各構成要素は、制御部５０に接続されている。例えば、排気装置１８、第１の高周波電源２１ａ、第２の高周波電源２１ｂ、直流電源２７，２８、チラーユニット３２、伝熱ガス供給部３５及び処理ガス供給部４０は、制御部５０に接続されている。制御部５０は、例えば、コンピュータであり、プラズマ処理装置１の各構成要素を制御する。
制御部５０は、ＣＰＵを備え、プラズマ処理装置１の各部を制御するプロセスコントローラ５１と、ユーザインターフェース５２と、記憶部５３とを有する。
ユーザインターフェース５２は、工程管理者がプラズマ処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プラズマ処理装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
記憶部５３には、プラズマ処理装置１で実行される各種処理をプロセスコントローラ５１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウェア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース５２からの指示等にて任意のレシピを記憶部５３から呼び出してプロセスコントローラ５１に実行させることで、プロセスコントローラ５１の制御下で、プラズマ処理装置１での所望の処理が行われる。
プロセスコントローラ５１は、記憶部５３に記憶された制御プログラム及びレシピを読み出して実行することで、プラズマ処理装置１の各部を制御してプラズマ処理装置１において所望の処理を実行する。例えば、プロセスコントローラ５１は、プラズマ処理装置１の各部を制御して、ウエハＷに対してプラズマ処理を行う。また、プロセスコントローラ５１は、エッジリング３０を静電吸着するための静電吸着処理を行う。なお、制御部５０によって実行される静電吸着処理の詳細は、後述する。
プラズマ処理の際、処理容器１０内には、磁石４２によって一方向に向かう水平磁界を形成されると共に、サセプタ１１とシャワーヘッド２４との間に印加された高周波電圧によって鉛直方向のＲＦ電界が形成される。これにより、処理容器１０内において処理ガスを介したマグネトロン放電が行われ、サセプタ１１の表面近傍において処理ガスから高密度のプラズマが生成される。
プラズマ処理装置１では、ドライエッチング処理の際、先ずゲートバルブ２０を開状態にして処理対象のウエハＷを処理容器１０内に搬入し、静電チャック２５の上に載置する。プラズマ処理装置１では、処理ガス供給部４０より処理ガス（例えば、所定の流量比率のＣ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガス及びＡｒガスから成る混合ガス）を所定の流量及び流量比で処理容器１０内に導入する。プラズマ処理装置１では、排気装置１８等により処理容器１０内の圧力を所定値にする。プラズマ処理装置１では、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂよりそれぞれ高周波電力をサセプタ１１に供給する。プラズマ処理装置１では、直流電源２７より直流電圧を静電チャック２５の電極板２６に印加して、ウエハＷを静電チャック２５上に吸着する。プラズマ処理装置１では、直流電源２８より直流電圧を静電チャック２５の電極板２９に印加して、エッジリング３０を静電チャック２５上に吸着する。シャワーヘッド２４より吐出された処理ガスは、上述したようにプラズマ化し、プラズマで生成されるラジカルやイオンによってウエハＷの表面がエッチングされる。
次に、図１に示した電極板２９の設置態様について説明する。図２は、第１実施形態に係る電極板の設置態様の一例を示す図である。図２に示すように、２つの電極板２９は、静電チャック２５の外周部２５ｂの内部の、エッジリング３０に対応する領域に設けられている。以下では、２つの電極板２９のうち、内側の電極板２９を内周側電極板２９－１とし、外側の電極板２９を及び外周側電極板２９－２とする。
内周側電極板２９－１は、エッジリング３０の内周側に環状に配置されている。外周側電極板２９－２は、エッジリング３０の外周側に環状に配置されている。内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２は、直流電源２８に電気的に接続されている。なお、本実施形態では、１つの直流電源２８から内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に電力を供給する場合を説明するが、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に対応して直流電源２８を２つ設け、個別に電力を供給してもよい。
プラズマ処理装置１は、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に電圧を印加してエッジリング３０を静電吸着させる。しかし、エッジリング３０に電荷が移動するマイグレーションが発生し、エッジリング３０の吸着力が低下する場合がある。
静電チャック２５の誘電膜の材質はセラミックである。セラミックとしては、例えば、アルミナ板、アルミナ溶射、イットリア板、イットリア溶射などが挙げられる。このようなセラミックは、温度が高くなるほど電気抵抗率が低下する傾向がある。このため、高温、高バイアス環境では、エッジリング３０から静電チャック２５を構成する誘電膜への電荷のマイグレーションが生じて静電チャック２５の吸着力が低下する現象が発生する。
図３は、従来技術による電荷のマイグレーションを模式的に示した図である。図３には、静電チャック２５の外周部２５ｂの構成が簡略化されて示されている。静電チャック２５には、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２が含まれている。例えば、従来技術のように、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に対して一定のプラスの電圧を印加してエッジリング３０の吸着を行う。この場合、例えば、図３に示すように、エッジリング３０のマイナスの電荷が内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２上部の誘電膜へマイグレーションし、静電チャック２５に対するエッジリング３０の吸着力が低下する。
プラズマ処理装置１では、静電チャック２５に対するエッジリング３０の吸着力が低下すると、エッジリング３０と静電チャック２５との間に供給される伝熱ガスの漏れが大きくなる。
プラズマ処理装置１では、伝熱ガスの漏れが大きくなると、エッジリング３０からの抜熱の効率が低下し、プラズマ処理からの熱によりエッジリング３０が高温になってプラズマ処理の処理特性が変動してしまう。また、プラズマ処理装置１では、伝熱ガスの漏れが大きくなると、真空度が低下してプラズマの特性に変化し、プラズマ処理の処理特性が変動してしまう。
そこで、例えば、特許文献１のように、プラズマ処理の期間中に、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に対して周期的に異なる極性の電圧を印加することが考えられる。
しかし、プラズマは、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に印加される電圧によっても影響を受ける。このため、プラズマ処理中に内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に印加される電圧を切り換えてマイグレーションする電荷量を減らそうとした場合、極性を切り替えるタイミングや回数を最適化する必要がある。プラズマ処理には、多種多様なレシピがある。プラズマ処理によってマイグレーションする電荷量は、プラズマ処理のレシピによって異なる。このため、それぞれのプラズマ処理のレシピを最適化することには多くの工数が必要となる。
そこで、本実施形態に係るプラズマ処理装置１では、プラズマ処理の処理単位毎に、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に対して異なる極性の電圧を印加する。制御部５０は、プラズマ処理の処理単位毎に、周期的に、異なる極性の電圧を印加するように直流電源２８を制御する。異なる極性の電圧は、極性が異なる以外、同程度の電圧であることが好ましい。異なる極性の電圧は、例えば、＋３０００Ｖと－３０００Ｖなど絶対値が同じで極性が異なる電圧とする。例えば、ウエハＷ毎に、ウエハＷにプラズマ処理の後に後処理を実施する場合、制御部５０は、プラズマ処理及び後処理の単位に、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に、絶対値が同じで異なる極性の電圧を印加するように直流電源２８を制御する。また、例えば、ウエハＷを交換して各ウエハＷにプラズマ処理を連続して実施する場合、制御部５０は、所定枚数のウエハＷ毎に、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に、絶対値が同じで異なる極性の電圧を印加するように直流電源２８を制御する。
また、制御部５０は、電極板２９が複数設けられている場合、隣り合う電極板２９に対して極性の異なる電圧を印加する。例えば、制御部５０は、それぞれの処理単位において、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に対して、絶対値が同じで異なる極性の電圧を印加するように直流電源２８を制御する。
ここで、電極板２９への印加電圧を変化させる変化のパターンの具体的な例を説明する。最初に、プラズマ処理及び後処理の単位に電極板２９への印加電圧を変化させる変化のパターンを説明する。
図４は、第１実施形態に係る印加電圧の変化パターンの一例を模式的に示した図である。図４には、連続した２枚のウエハＷに対してプラズマ処理及び後処理をそれぞれ順に実施する場合の内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２の印加電圧の変化パターンを示している。後処理は、ウエハＷを載置しない状態でプラズマ処理により生じたデポ等をクリーニングするウエハレスドライクリーニングとする。以下、ウエハレスドライクリーニングをＷＬＤＣとも称する。なお、後処理は、ウエハレスドライクリーニングに限定されるものではなく、プラズマ処理の後に実施される処理であれば何れであってもよい。
制御部５０は、プラズマ処理及び後処理（例えば、ＷＬＤＣ）の単位に、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に対して異なる極性の電圧を印加するように直流電源２８を制御する。また、制御部５０は、それぞれの処理単位において、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に対して異なる極性の電圧を印加するように直流電源２８を制御する。
例えば、図４の場合、１枚のウエハＷのプラズマ処理では、内周側電極板２９－１に極性がプラスの所定の電圧を印加し、外周側電極板２９－２に極性がマイナスの所定の電圧を印加する。これにより、エッジリング３０の内側では、内周側電極板２９－１にプラスの電圧が印加されたことでエッジリング３０にマイナスの電荷が発生してエッジリング３０が吸着する。発生したマイナスの電荷の一部は、静電チャック２５の誘電膜にマイグレーション（Migration）する。エッジリング３０の外側では、外周側電極板２９－２にマイナスの電圧が印加されたことでエッジリング３０にプラスの電荷が発生してエッジリング３０が吸着する。発生したプラスの電荷の一部は、静電チャック２５の誘電膜にマイグレーションする。
１枚のＷＬＤＣでは、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に印加する電圧の極性を切り替え、内周側電極板２９－１に極性がマイナスの所定の電圧を印加し、外周側電極板２９－２に極性がプラスの所定の電圧を印加する。これにより、エッジリング３０の内側では、内周側電極板２９－１にマイナスの電圧が印加されたことでエッジリング３０にプラスの電荷が発生する。また、エッジリング３０の外側では、外周側電極板２９－２にプラスの電圧が印加されたことでエッジリング３０にマイナスの電荷が発生する。エッジリング３０の内側では、内周側電極板２９－１にマイナスの電圧が印加されると共に、１枚のプラズマ処理で静電チャック２５の誘電膜にマイグレーションされたマイナスの電荷もあるため、エッジリング３０の吸着力がアップする。エッジリング３０の外側でも、外周側電極板２９－２にプラスの電圧が印加されると共に、１枚のプラズマ処理で静電チャック２５の誘電膜にマイグレーションされたプラスの電荷もあるため、エッジリング３０の吸着力がアップする。エッジリング３０の内側では、静電チャック２５の誘電膜にマイグレーションされたマイナスの電荷が、エッジリング３０に徐々にマイグレーションされる。エッジリング３０の外側では、静電チャック２５の誘電膜にマイグレーションされたプラスの電荷が、エッジリング３０に徐々にマイグレーションされる。なお、以下では、静電チャック２５の誘電膜にマイグレーションされた電荷が、エッジリング３０にマイグレーションされて戻ることをリマイグレーション（Remigration）と称する。
２枚のウエハＷのプラズマ処理では、１枚のＷＬＤＣと同様に、内周側電極板２９－１に極性がマイナスの所定の電圧を印加し、外周側電極板２９－２に極性がプラスの所定の電圧を印加する。これにより、エッジリング３０の内側では、内周側電極板２９－１にマイナスの電圧が印加されたことでエッジリング３０にプラスの電荷が発生する。また、エッジリング３０の外側では、外周側電極板２９－２にプラスの電圧が印加されたことでエッジリング３０にマイナスの電荷が発生する。エッジリング３０の内側では、内周側電極板２９－１にマイナスの電圧が印加されると共に、１枚のプラズマ処理で静電チャック２５の誘電膜にマイグレーションされたマイナスの電荷もあるため、エッジリング３０の吸着力がアップする。エッジリング３０の外側でも、外周側電極板２９－２にプラスの電圧が印加されると共に、１枚のプラズマ処理で静電チャック２５の誘電膜にマイグレーションされたプラスの電荷もあるため、エッジリング３０の吸着力がアップする。エッジリング３０の内側では、静電チャック２５の誘電膜にマイグレーションされたマイナスの電荷が、エッジリング３０にリマイグレーションされる。エッジリング３０の外側では、静電チャック２５の誘電膜にマイグレーションされたプラスの電荷が、エッジリング３０にリマイグレーションされる。
２枚のＷＬＤＣでは、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に印加する電圧の極性を切り替え、内周側電極板２９－１に極性がプラスの所定の電圧を印加し、外周側電極板２９－２に極性がマイナスの所定の電圧を印加する。これにより、エッジリング３０の内側では、内周側電極板２９－１にプラスの電圧が印加されたことでエッジリング３０にマイナスの電荷が発生してエッジリング３０が吸着する。エッジリング３０の外側では、外周側電極板２９－２にマイナスの電圧が印加されたことでエッジリング３０にプラスの電荷が発生してエッジリング３０が吸着する。
ここで、プラズマ処理によってマイグレーションする電荷量は、プラズマ処理のレシピによって異なる。また、一般的に、ウエハＷに対するプラズマ処理とＷＬＤＣでは、ウエハＷに対するプラズマ処理の方が高温、高バイアス環境で実施され、処理時間も長いため、マイグレーションされる電荷量が多くなる。例えば、ウエハＷのプラズマ処理によりマイグレーションされる電荷量をＭＡとし、ＷＬＤＣによりリマイグレーションされる電荷量をＲＡとした場合、電荷量の差ΔＡは、以下の式（１）に示すようになる。
ΔＡ ＝ ＭＡ － ＲＡ ＞ ０ ・・・（１）
このため、例えば、単純に、プラズマ処理とＷＬＤＣとで内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に印加する電圧の極性を切り替えた場合、ウエハＷの処理枚数が増える毎に電荷量の差ΔＡが積算される。この結果、エッジリング３０の吸着力が低下し、エッジリング３０と静電チャック２５との間に供給される伝熱ガスの漏れが大きくなる。
そこで、本実施形態では、プラズマ処理及びＷＬＤＣの単位に電極板２９への印加電圧を変化させる。図４では、プラズマ処理の実施後、ＷＬＤＣを実施する前のタイミングで、電極板２９に印加する電圧を切り替えている。これにより、図４に示すように、１枚目のプラズマ処理と２枚目のプラズマ処理、及び、１枚目のＷＬＤＣと２枚目のＷＬＤＣにおいて、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に印加される電圧の極性が逆になる。すなわち、２枚を１セットで１枚目と２枚目で内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に印加される電圧の極性が逆となっている。１枚目と２枚目のプラズマ処理及びＷＬＤＣは、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に印加される電圧の極性以外同じレシピであるため、マイグレーションされる電荷量が同じだと考えられる。１枚目と２枚目では、電圧の極性が逆であるため、マイグレーションされる電荷量の差ΔＡが逆となるため、以下の式（２）に示すように、２枚を１セットで電荷のマイグレーションをキャンセルできる。
ΔＡ（１枚目） － ΔＡ（２枚目） ＝ ０ ・・・（２）
これにより、ウエハＷの処理枚数が増えていった場合でも、静電チャック２５に対するエッジリング３０の吸着力を維持できる。これにより、エッジリング３０と静電チャック２５との間に供給される伝熱ガスの漏れを抑制できる。
次に、ウエハＷを交換して各ウエハＷにプラズマ処理を連続して実施する場合に、所定枚数のウエハＷ単位に電極板２９への印加電圧を変化させる変化のパターンを説明する。図５は、第１実施形態に係る印加電圧の変化パターンの一例を模式的に示した図である。図５には、連続して４枚のウエハＷに対してプラズマ処理を実施する場合の内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２の印加電圧の変化パターンを示している。制御部５０は、ウエハＷを１枚処理する毎に、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に対して異なる極性の所定の電圧を印加するように直流電源２８を制御する。図５の例では、ウエハＷを１枚処理する毎に、内周側電極板２９－１と外周側電極板２９－２に対して、互いにプラスとマイナスの所定の電圧が交互に印加されている。この場合も、２枚を１セットでマイグレーションされる電荷量を打ち消すことができる。例えば、ウエハＷのプラズマ処理によりマイグレーションされる電荷量をＭＡとした場合、１枚目と２枚目では、電荷量ＭＡが逆となるため、以下の式（３）に示すように、２枚を１セットで電荷のマイグレーションをキャンセルできる。
ＭＡ（１枚目） － ＭＡ（２枚目） ＝ ０ ・・・（３）
これにより、ウエハＷの処理枚数が増えていった場合でも、静電チャック２５に対するエッジリング３０の吸着力を維持できる。これにより、エッジリング３０と静電チャック２５との間に供給される伝熱ガスの漏れを抑制できる。
次に、伝熱ガスのリーク量を測定した実験の結果について説明する。実験では、ウエハＷを交換しつつウエハＷ毎に、プラズマ処理と後処置をそれぞれ実施した。後処置は、ウエハレスドライクリーニング（ＷＬＤＣ）とした。本実施形態の例として、図６の「実施形態」に示すような電圧の印加パターンを実施した。図６は、プラズマ処理及びＷＬＤＣの電圧の印加パターンを説明する図である。図６には、プラズマ処理及びＷＬＤＣにおいて、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に対して、印加した電圧の印加パターンが模式的に示されている。実施形態は、図４と同様に、プラズマ処理及びＷＬＤＣの単位に、プラズマ処理及びＷＬＤＣの間で印加する電圧の極性を切り換えている。また、実施形態では、図４と同様に、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２には、異なる極性の電圧を印加するよう切り替えている。プラズマ処理の「＋，－／－，＋」及びＷＬＤＣ理の「－，＋／＋，－」は、それぞれ２枚を１セットとした電圧の印加パターンを示している。「／」の左側は、１枚目の電圧の印加パターンを示し、「／」の右側は、２枚目の電圧の印加パターンを示す。また、１枚目及び２枚目の電圧の印加パターンにおいて、「，」の左側は、内周側電極板２９－１の電圧の印加パターンを示し、「，」の右側は、外周側電極板２９－２の電圧の印加パターンを示す。例えば、「＋，－／－，＋」は、１枚目の内周側電極板２９－１にプラスの電圧を印加し、１枚目の外周側電極板２９－２にマイナスの電圧を印加することを示す。また、「＋，－／－，＋」は、２枚目の内周側電極板２９－１にマイナスの電圧を印加し、２枚目の外周側電極板２９－２にプラスの電圧を印加することを示す。
実験したプラズマ処理は、プロセスＰ１～Ｐ４の４つの工程からなる。図７は、プラズマ処理の電圧の印加パターンを説明する図である。プラズマ処理のプロセスＰ１～Ｐ４では、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に印加する電圧を変化させず、同じ状態を維持した。
例えば、「Bipolar」は、２枚を１セットとした１枚目のウエハＷのプラズマ処理のプロセスＰ１～Ｐ４での電圧の印加パターンを示している。「，」の左側は、内周側電極板２９－１の電圧の印加パターンを示し、「，」の右側は、外周側電極板２９－２の電圧の印加パターンを示す。例えば、図４と同様に、２枚を１セットとした１枚目のウエハＷのプラズマ処理では、内周側電極板２９－１にプラスの電圧を印加し、外周側電極板２９－２にマイナスの電圧を印加する。「Anti Bipolar」は、２枚を１セットとした２枚目のウエハＷのプラズマ処理のプロセスＰ１～Ｐ４での電圧の印加パターンを示している。２枚を１セットとした２枚目のウエハＷのプラズマ処理では、内周側電極板２９－１にマイナスの電圧を印加し、外周側電極板２９－２にプラスの電圧を印加する。
実施形態の電圧の印加パターンは、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に対し、プラズマ処理において直前のＷＬＤＣと同様の電圧を印加し、ＷＬＤＣにおいて印加する電圧の極性を切り替えることを繰り返した。
また、比較例として、図６の「比較例」に示すような電圧の印加パターンを実施した。比較例の印加パターンは、単純に、プラズマ処理とＷＬＤＣとで内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に印加する電圧の極性を切り替えたものである。プラズマ処理では、内周側電極板２９－１にプラスの電圧を印加し、外周側電極板２９－２にマイナスの電圧を印加する。ＷＬＤＣでは、内周側電極板２９－１にマイナスの電圧を印加し、外周側電極板２９－２にプラスの電圧を印加する。プラズマ処理では、図７の「Bipolar」に示したパターンの電圧の印加のみを行う。
図８は、比較例の印加パターンによる伝熱ガスのリーク量を測定した実験の結果の一例を示す図である。図８は、図６に示した比較例の印加パターンを用いて１５枚のウエハＷに処理を実施した場合の１枚目と１５枚目のウエハＷについてのプロセスＰ１～Ｐ４の伝熱ガス（Ｈｅガス）のリーク量を示している。図８に示すように、比較例の印加パターンでは、１５枚目のプロセスＰ１～Ｐ４の伝熱ガスのリーク量が１枚目と比べて増加している。図９は、比較例の印加パターンによるウエハＷ毎の伝熱ガスの平均リーク量を示す図である。図９は、図６に示した比較例の印加パターンを用いて１５枚のウエハＷに処理を実施した場合の１枚目から１５枚目までのプロセスＰ１～Ｐ４での伝熱ガス（Ｈｅガス）の平均リーク量を示している。プロセスＰ１～Ｐ４は、１枚目から１５枚目にかけて、平均リーク量が増加しており、枚数が増えるほど伝熱ガスのリーク量が増加していることが判別できる。このようにリーク量が増加する理由は、上述したように、ウエハＷの処理枚数が増える毎に電荷量の差ΔＡが積算された結果と考えられる。
図１０は、実施形態の印加パターンによる伝熱ガスのリーク量を測定した実験の結果の一例を示す図である。図１０は、上述した図６及び図７に示した実施形態の印加パターンを用いて１５枚のウエハＷに処理を実施した場合の１枚目と１５枚目のウエハＷでの伝熱ガス（Ｈｅガス）のリーク量を示している。図１０に示すように、実施形態の印加パターンでは、１枚目と１５枚目のプロセスＰ１～Ｐ４の伝熱ガスのリーク量が同程度の低い状態となっている。図１１は、実施形態の印加パターンによるウエハＷ毎の伝熱ガスの平均リーク量を示す図である。図１１は、図６に示した実施形態の印加パターンを用いて１５枚のウエハＷに処理を実施した場合の１枚目から１５枚目までのプロセスＰ１～Ｐ４での伝熱ガス（Ｈｅガス）の平均リーク量を示している。プロセスＰ１～Ｐ４は、１枚目から１５枚目にかけて、平均リーク量が増加しておらず、略一定に推移していることが判別できる。
このように、実施形態の印加パターンは、ウエハＷの処理枚数が増えていった場合でも、伝熱ガスの漏れを抑制できる。
なお、印加電圧の変化のパターンは、これに限定されるものではない。例えば、図４の例に示すように、プラズマ処理及び後処理の単位に、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に対して異なる極性の電圧を印加する場合、後処理と次のプラズマ処理の間で電圧の極性を切り換えてもよい。図１２は、第１実施形態に係る印加電圧の変化パターンの一例を模式的に示した図である。図１２の例では、１枚目のＷＬＤＣと２枚目のプラズマ処理の間で内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に印加する電圧の極性を切り替えている。この場合も、２枚を１セットで１枚目と２枚目で内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に印加される電圧の極性が逆となる。このため、２枚を１セットで電荷のマイグレーションをキャンセルできる。
また、図４の例では、２枚を１セットで１枚目と２枚目で内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に印加される電圧の極性を逆とする場合を説明したが、これに限定されるものではない。２ｎ枚（ｎは、１以上の自然数）を１セットとし、１枚目からｎ枚目と、ｎ＋１枚目から２ｎ枚目で内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に印加される電圧の極性を逆にしてもよい。
また、図５の例では、ウエハＷを１枚処理する毎に電極板２９に印加する電圧の極性を切り換える場合を説明したが、これに限定されるものではない。ウエハＷを複数枚処理する毎に電極板２９に印加する電圧の極性を切り換えてもよい。
また、電極板２９は、外周部２５ｂに１つ形成されていてもよく、３つ以上形成されていてもよい。
図１３Ａは、第１実施形態に係る印加電圧の変化パターンの一例を模式的に示した図である。図１３Ａの例は、外周部２５ｂに１つの電極板２９が形成されている場合の印加電圧の変化パターンの一例を示している。例えば、制御部５０は、プラズマ処理の処理単位毎に、直流電源２８を制御して、電極板２９に異なる極性の電圧を印加してもよい。例えば、ウエハＷ毎に、ウエハＷにプラズマ処理を実施した後に後処理を実施する場合、制御部５０は、プラズマ処理及び後処理の単位に、電極板２９に、絶対値が同じで異なる極性の電圧を印加するように直流電源２８を制御する。また、例えば、ウエハＷを交換して各ウエハＷにプラズマ処理を連続して実施する場合、制御部５０は、所定枚数のウエハＷ毎に、内周側電極板２９－１及び外周側電極板２９－２に、絶対値が同じで異なる極性の電圧を印加するように直流電源２８を制御する。
図１３Ｂは、第１実施形態に係る印加電圧の変化パターンの一例を模式的に示した図である。図１３Ｂの例は、外周部２５ｂに３つの電極板２９（２９－１，２９－２，２９－３）が１つ形成されている場合の印加電圧の変化パターンの一例を示している。例えば、制御部５０は、プラズマ処理の処理単位毎に、直流電源２８を制御して、電極板２９－１，２９－２，２９－３に異なる極性の電圧を印加してもよい。例えば、ウエハＷ毎に、ウエハＷにプラズマ処理を実施した後に後処理を実施する場合、制御部５０は、プラズマ処理及び後処理の単位に、電極板２９－１，２９－２，２９－３に対して、絶対値が同じで異なる極性の電圧を印加するように直流電源２８を制御する。また、例えば、ウエハＷを交換して各ウエハＷにプラズマ処理を連続して実施する場合、制御部５０は、所定枚数のウエハＷ毎に、電極板２９－１，２９－２，２９－３に対して、絶対値が同じで異なる極性の電圧を印加するように直流電源２８を制御する。また、制御部５０は、電極板２９が複数設けられている場合、隣り合う電極板２９に対して極性の異なる電圧を印加する。例えば、制御部５０は、電極板２９－１，２９－３にプラスの電圧を印加し、電極板２９－２にマイナスの電圧を印加するように直流電源２８を制御する。また、制御部５０は、電極板２９－１，２９－３にマイナスの電圧を印加し、電極板２９－２にプラスの電圧を印加するように直流電源２８を制御する。
また、電極板２９は、外周部２５ｂに環状の周方向に並べて複数配置してもよい。
図１４は、第１実施形態に係る電極板の設置態様の一例を示す図である。図１４には、上部に静電チャック２５の外周部２５ｂを上方から見た概略図が示され、下部に静電チャック２５の外周部２５ｂを側面から見た概略図が示されている。図１４の例では、外周部２５ｂに３つの電極板２９（２９－１、２９－２、２９－３）が周方向に並べて配置されている。この場合も、制御部５０は、プラズマ処理の処理単位毎に、直流電源２８を制御して、電極板２９－１，２９－２，２９－３に異なる極性の電圧を印加してもよい。
また、本実施形態に係るプラズマ処理装置１は、制御部５０が直流電源２８を制御して電極板２９に印加する電圧を周期的に異なる極性に切り替える場合を説明したが、これに限定されるものではない。プラズマ処理装置１は、直流電源２８が自律的に、電極板２９に印加する電圧を周期的に異なる極性に切り替えてもよい。
このように、第１実施形態に係るプラズマ処理装置１は、載置台（サセプタ１１）と、電極（電極板２９）と、電圧印加部（直流電源２８）とを有する。載置台は、プラズマ処理の対象とされた基板（ウエハＷ）及び基板の周囲を囲むようにリング部材（エッジリング３０）が載置される。電極は、載置台の内部の少なくともリング部材に対応する領域に設けられている。電圧印加部は、プラズマ処理の処理単位毎に、電極に対して異なる極性の電圧を印加する。これにより、プラズマ処理装置１は、多種多様なレシピのプラズマ処理が実施される場合でも、簡易にリング部材（エッジリング３０）の吸着力の低下を抑制できる。この結果、プラズマ処理装置１は、静電チャック２５とエッジリング３０とで挟まれる空間の密閉性を確保でき、プラズマ処理期間において、エッジリング３０と静電チャック２５とで挟まれる空間に供給される伝熱ガスのリーク量の増大を抑えることができる。
また、第１実施形態では、基板を交換して各基板にプラズマ処理を連続して実施する場合、プラズマ処理の処理単位を、所定枚数の基板単位とする。また、基板毎に、基板にプラズマ処理を実施した後に後処理を実施する場合、プラズマ処理の処理単位を、プラズマ処理及び後処理の単位とする。これにより、プラズマ処理装置１は、電荷のマイグレーションをキャンセルできるため、エッジリング３０の吸着力の低下を抑制できる。
また、第１実施形態では、電極（電極板２９－１、２９－２、２９－３）が、リング部材の径方向に対して複数設けられている。これにより、プラズマ処理装置１は、電極板２９毎に印加する電圧を制御できるため、電極板２９毎に吸着力を制御できる。
また、第１実施形態では、隣り合う電極（電極板２９－１、２９－２、２９－３）に対して極性の異なる電圧を印加する。これにより、プラズマ処理装置１は、電極板２９毎の吸着力を高めることができる。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。図１５は、第２実施形態に係るプラズマ処理装置１の概略構成を示す断面図である。第２実施形態に係るプラズマ処理装置１は、図１に示した第１実施形態に係るプラズマ処理装置１と一部同様の構成であるため、同一部分に同一の符号を付して説明を省略し、異なる部分について主に説明する。
第２実施形態に係るプラズマ処理装置１では、記憶部５３に電荷移動情報５３ａを記憶する。電荷移動情報５３ａには、プラズマ処理の種類毎に、静電チャック２５とエッジリング３０との間の電荷の移動量が記憶されている。
図１６は、第２実施形態に係る電荷移動情報５３ａのデータ構成の一例を模式的に示した図である。電荷移動情報５３ａには、プラズマ処理の種類毎に、マイグレーションされる電荷量が記憶されている。プラズマ処理の種類毎のマイグレーションされる電荷量は、実験やシミュレーションによって求められて設定される。例えば、電荷移動情報５３ａには、プラズマ処理ａのマイグレーションされる電荷量が３と記憶され、プラズマ処理ｂのマイグレーションされる電荷量が１と記憶され、プラズマ処理ｃのマイグレーションされる電荷量が１２と記憶されている。
制御部５０は、基板処理開始前に、実施するプラズマ処理の種類に応じた電荷移動情報５３ａに基づき、実施するプラズマ処理の種類に応じて静電チャック２５とエッジリング３０との間のマイグレーションされる電荷量がある閾値を超えないよう、実施するプラズマ処理の処理単位毎に、電極板２９に印加する電圧の極性の印加パターンを決定する。閾値とは、例えば、エッジリング３０から静電チャック２５への電荷の移動によりエッジリング３０の吸着力が低下し、エッジリング３０が静電チャック２５から剥がれる際のマイグレーションされる電荷量である。電荷量の閾値は、記憶部５３に記憶されていてもよく、ユーザインターフェース５２など外部から設定してもよい。例えば、記憶部５３には、電荷量の閾値が１０と記憶されている。制御部５０は、プラズマ処理ａの開始前に、プラズマ処理ａの電荷移動情報５３ａ及び閾値から、電極板２９に印加する電圧の極性の印加パターンを決定する。具体的には、プラズマ処理ａのマイグレーションされる電荷量が３、閾値が１０である場合、プラズマ処理ａで基板を４枚処理するとマイグレーションされる電荷量が３×４＝１２となり閾値を超えてしまうため、同じ極性で印加できる枚数は最大３枚である。このため制御部５０は、３枚毎に極性を切り替える制御をするよう決定する。ただし、制御部５０は、１枚毎、あるいは、２枚毎に極性を切り替える制御をするよう決定してもよい。また、他の例として、プラズマ処理ａと後処理であるプラズマ処理ｂでの処理開始前に、プラズマ処理ａ、プラズマ処理ｂの電荷移動情報５３ａ及び閾値から、電極板２９に印加する電圧の極性の印加パターンを決定する。具体的には、プラズマ処理ａ、プラズマ処理ｂのマイグレーションされる電荷量がそれぞれ３、１、閾値が１０である場合、１枚の基板処理でマイグレーションされる電荷量が３＋１＝４となるため、基板を３枚処理するとマイグレーションされる電荷量が４×３）＝１２となり閾値を超えてしまうため、同じ極性で印加できる枚数は最大２枚である。このため、制御部５０は、２枚毎に極性を切り替える制御をするよう決定する。ただし、制御部５０は、１枚毎に極性を切り替える制御をするよう決定してもよい。プラズマ処理ａと後処理であるプラズマ処理ｂの処理例としてプラズマ処理ａとプラズマ処理ｂは同じ極性（プラズマ処理ａでの内周側電極板２９－１：＋、外周側電極板２９－２：－、であればプラズマ処理ｂでの内周側電極板２９－１：＋、外周側電極板２９－２：－）としてマイグレーションされる電荷量を算出したが、プラズマ処理ａとプラズマ処理ｂの極性を切り替えて（プラズマ処理ａでの内周側電極板２９－１：＋、外周側電極板２９－２：－、であればプラズマ処理ｂでの内周側電極板２９－１：－、外周側電極板２９－２：＋）算出してもよい。つまり、１枚の基板処理でマイグレーションされる電荷量が３＋（－１）＝２となるため、基板を６枚処理するとマイグレーションされる電荷量が２×６＝１２となり閾値を超えてしまうため、同じ極性で印加できる枚数は最大５枚である。このため、制御部５０は、５枚毎に極性を切り替える制御をするよう決定してもよく、この場合、１～４枚毎に極性を切り替える制御をするよう決定してもよい。なお、プラズマ処理ｃでの処理開始前、プラズマ処理ｃのマイグレーションされる電荷量及び閾値は、それぞれ１２及び１０と記憶されており、制御部５０は、これらの情報から、このまま処理を開始すると１枚目の基板処理中にエッジリングが静電チャックから剥がれる虞があるため、処理開始禁止の通知を出力するようにしてもよい。
このように、第２実施形態に係るプラズマ処理装置１は、基板処理開始前に、実施するプラズマ処理の種類に応じた電荷移動情報及び閾値に基づき、実施するプラズマ処理の処理単位毎の電圧の極性の印加パターンを決定し、電極に印加する電圧の極性を変化させる。例えば、プラズマ処理装置１は、電荷移動情報５３ａに基づき、実施するプラズマ処理の種類に応じて電荷の移動が少なるよう、実施するプラズマ処理の処理単位毎に、電極に印加する電圧の極性を変化させる。これにより、プラズマ処理装置１は、様々な種類のプラズマ処理が実施される場合でも、エッジリング３０の吸着力の低下を抑制でき、また、１枚目の基板処理中にエッジリングが静電チャックから剥がれるようなトラブルを未然に防止することが可能となる。
以上、実施形態について説明してきたが、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は、多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
例えば、実施形態では、プラズマ処理装置１を、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：Capacitively Coupled Plasma）のプラズマエッチング装置として構成した場合を例に説明してきたが、上述した実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば、上述したプラズマ処理装置１は、ＣＣＰタイプのプラズマ処理装置１であったが、任意のプラズマ処理装置１に採用され得る。例えば、プラズマ処理装置１は、Inductively Coupled Plasma（ＩＣＰ）、Radial Line Slot Antenna、Electron Cyclotron Resonance Plasma（ＥＣＲ）、Helicon Wave Plasma（ＨＷＰ）の何れのタイプでも適用できる。
また、実施形態では、基板を半導体ウエハとした場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。半導体ウエハはシリコンであっても、ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮなどの化合物半導体でもよい。さらに、基板は、半導体ウエハに限定されず、液晶表示装置等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）に用いるガラス基板や、セラミック基板等にも適用することができる。
１ プラズマ処理装置
１０ 処理容器
１１ サセプタ
２１ａ 第１の高周波電源
２１ｂ 第２の高周波電源
２５ 静電チャック
２５ａ 中心部
２５ｂ 外周部
２６ 電極板
２７ 直流電源
２８ 直流電源
２９ 電極板
３０ エッジリング
５０ 制御部
５１ プロセスコントローラ
５２ ユーザインターフェース
５３ 記憶部
５３ａ 電荷移動情報
Ｗ ウエハ

Claims (15)

  1. プラズマ処理の対象とされた基板及び前記基板の周囲を囲むようにリング部材が載置される載置台の内部であって、該リング部材と対向する領域に設けられた電極に対して、プラズマ処理の処理単位毎に、異なる極性の電圧を印加する
    静電吸着方法。
  2. プラズマ処理の対象とされた基板及び前記基板の周囲を囲むようにリング部材が載置される載置台と、
    前記載置台の内部であって、該リング部材と対向する領域に設けられた電極と、
    プラズマ処理の処理単位毎に、前記電極に対して異なる極性の電圧を印加する電圧印加部と、
    を有するプラズマ処理装置。
  3. 前記処理単位は、前記基板を交換して各基板にプラズマ処理を連続して実施する場合、所定枚数の基板単位とし、前記基板毎に、前記基板にプラズマ処理を実施した後に後処理を実施する場合、前記プラズマ処理及び前記後処理の単位とする
    請求項２に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記電極は、前記リング部材の径方向に対して複数設けられている
    請求項２または３に記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記電圧印加部は、隣り合う前記電極に対して極性の異なる電圧を印加する
    請求項４に記載のプラズマ処理装置。
  6. 前記後処理は、前記載置台に前記基板を載置しない状態で実施されるドライクリーニングである
    請求項３に記載のプラズマ処理装置。
  7. 前記電圧印加部は、前記プラズマ処理と前記ドライクリーニングの間で前記電極に印加する電圧の極性を切り替える
    請求項６に記載のプラズマ処理装置。
  8. 基板処理開始前に、実施するプラズマ処理の種類に応じた電荷移動情報及び閾値に基づき、実施するプラズマ処理の処理単位毎の電圧の極性の印加パターンを決定し、決定した印加パターンに基づいて前記電圧印加部を制御して電極に印加する電圧の極性を変化させる制御部をさらに有する
    請求項２～７の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
  9. 前記電極は、環状に、前記リング部材の径方向に対して内周側と外周側に２つ設けられている
    請求項２～８の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
  10. 前記電圧印加部は、隣り合う前記電極に対して極性の異なり、絶対値が同じ電圧を印加する
    請求項４、５、９の何れか１つに記載のプラズマ処理装置。
  11. 前記電圧印加部は、前記基板に対するプラズマ処理と当該プラズマ処理を実施した後の後処理を処理単位として繰り返し実施する場合において、前記基板に対するプラズマ処理中に２つの前記電極に対して極性の異なり、絶対値が同じ電圧を印加し、当該プラズマ処理の直後の後処理では、２つの前記電極に印加する電圧の極性を切替える
    請求項９に記載のプラズマ処理装置。
  12. 前記電圧印加部は、前記後処理の直後のプラズマ処理では、２つの前記電極に直前の後処理と同じ極性の電圧を印加する
    請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
  13. 前記後処理は、ドライクリーニングである
    請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
  14. 前記電圧印加部は、前記基板に対するプラズマ処理を繰り返し実施する場合において、前記基板に対するプラズマ処理中に２つの前記電極に対して極性の異なり、絶対値が同じ電圧を印加し、所定枚数の前記基板にプラズマ処理を実施する毎に、２つの前記電極に印加する電圧の極性を切替える
    請求項９に記載のプラズマ処理装置。
  15. 前記電圧印加部は、前記基板に対するプラズマ処理を繰り返し実施する場合において、前記基板に対するプラズマ処理中に２つの前記電極に対して極性の異なり、絶対値が同じ電圧を印加し、１枚の前記基板にプラズマ処理を実施する毎に、２つの前記電極に印加する電圧の極性を切替える
    請求項９に記載のプラズマ処理装置。
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