JPS60154621A - 真空処理方法 - Google Patents
真空処理方法Info
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- JPS60154621A JPS60154621A JP1009184A JP1009184A JPS60154621A JP S60154621 A JPS60154621 A JP S60154621A JP 1009184 A JP1009184 A JP 1009184A JP 1009184 A JP1009184 A JP 1009184A JP S60154621 A JPS60154621 A JP S60154621A
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- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 title abstract 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、真空処理方法に係り、特に真空処理室でプラ
ズマを利用して基板等の被処理物を真空処理するのに好
適な真空処理方法に関するものである。
ズマを利用して基板等の被処理物を真空処理するのに好
適な真空処理方法に関するものである。
真空処理室でプラズマを利用して基板等の被処理物を真
空処理する技術には、例えば、プラズマエツチング技術
、プラズマＣＶ Ｉ）技術等がある。。
空処理する技術には、例えば、プラズマエツチング技術
、プラズマＣＶ Ｉ）技術等がある。。
このような真空処理技術では、塵埃等の異物の被処理物
の処理面への刺着による、例えば、パターン断線、短絡
等の処理不都合を排除して歩留りを向上させるために、
例えば、被処理物の搬送経路および真空処理室で異物が
極力発生しないように種々対策が講じられている。
の処理面への刺着による、例えば、パターン断線、短絡
等の処理不都合を排除して歩留りを向上させるために、
例えば、被処理物の搬送経路および真空処理室で異物が
極力発生しないように種々対策が講じられている。
しかしながら、このような対策によっても被処理物の処
理面への異物の付着を完全に防止することができず、異
物が付着した状態のまま被処理物の真空処理を実施して
いるため、歩留りを充分に向−１ユさせることができな
いといった問題が未だあった。
理面への異物の付着を完全に防止することができず、異
物が付着した状態のまま被処理物の真空処理を実施して
いるため、歩留りを充分に向−１ユさせることができな
いといった問題が未だあった。
本発明の目的は、被処理物の真空処理前に被処理物の処
理面に付着した異物を除去することで、異物による処理
不都合を排除して歩留りを充分に向−１−させる二とが
できる真空処理方法を提供することにある。
理面に付着した異物を除去することで、異物による処理
不都合を排除して歩留りを充分に向−１−させる二とが
できる真空処理方法を提供することにある。
本発明は、被処理物が搬入、設置された真空処理室内に
不活性ガスを供給しつつ該処理室内の圧力を所定圧力に
調整、維持する工程と、該圧力調整された前記真空処理
室内で所定時間放電を生じさせ前記被処理物上の異物に
滞電させる工程と、該放電を停止すると共に異物に滞電
している電位とは逆の電位を印加し該異物を被処理物よ
り反撥させて離脱させる工程と、該離脱した異物を真空
処理室外へ排出する工程とを真空処理室での被処理物の
真空処理前に実施することを特徴とするもので、被処理
物の処理面に付着した異物を被処理物の真空処理前に除
去して異物による処理不都合を排除しようとするもので
ある。
不活性ガスを供給しつつ該処理室内の圧力を所定圧力に
調整、維持する工程と、該圧力調整された前記真空処理
室内で所定時間放電を生じさせ前記被処理物上の異物に
滞電させる工程と、該放電を停止すると共に異物に滞電
している電位とは逆の電位を印加し該異物を被処理物よ
り反撥させて離脱させる工程と、該離脱した異物を真空
処理室外へ排出する工程とを真空処理室での被処理物の
真空処理前に実施することを特徴とするもので、被処理
物の処理面に付着した異物を被処理物の真空処理前に除
去して異物による処理不都合を排除しようとするもので
ある。
本発明の一実施例を図面により説明する。
図面で、真空処理室１０には、対向電極側と、被処理物
、例えば、基板３０が載置される基板型ｆｉ４０とが、
上下方向に対向して内設されている。対向電極側は、電
極板２１と電極軸ｎとで構成されている。電極軸ρは、
その下端部を真空処理室１ｏ内に突出して真空処理室１
０の頂壁に設けられ、電極軸ηの下端には、電極板２１
が設けられている。１！極軸ｎには、ガス流通路（図示
省略）が形成され、電極板２１には、カス流通路と連通
し、かっ、基板電極４０と対向する面に開口して、ガス
放出孔（図示省略）が多数穿設されている。電極軸ｎに
は、真空処理室１０外に設置された処理用カス供給装置
９に連結されたガス導管６ｏがガス流通路と連通して連
結されている。また、ガス導管６ｏの途中からガス導管
６１が分岐し、このガス導管６１は真空処理室１０外に
設置された不活性ガス供給装置５１に連結されている。
、例えば、基板３０が載置される基板型ｆｉ４０とが、
上下方向に対向して内設されている。対向電極側は、電
極板２１と電極軸ｎとで構成されている。電極軸ρは、
その下端部を真空処理室１ｏ内に突出して真空処理室１
０の頂壁に設けられ、電極軸ηの下端には、電極板２１
が設けられている。１！極軸ｎには、ガス流通路（図示
省略）が形成され、電極板２１には、カス流通路と連通
し、かっ、基板電極４０と対向する面に開口して、ガス
放出孔（図示省略）が多数穿設されている。電極軸ｎに
は、真空処理室１０外に設置された処理用カス供給装置
９に連結されたガス導管６ｏがガス流通路と連通して連
結されている。また、ガス導管６ｏの途中からガス導管
６１が分岐し、このガス導管６１は真空処理室１０外に
設置された不活性ガス供給装置５１に連結されている。
基板電極４０は、電極板４１と電極軸４２とで構成され
ている。電極軸４２は、その上端部を真空処理室１０内
に突出して真空処理室１０の底壁に設けられ、電極軸４
２の上端には、電極板４１が電極板２１と対向して平行
に設けられている。電極軸４２には、真空処理室１０外
に設置された電源、例えば、高周波電源７０が、直流カ
ット装置７１を介して接続され、高周波電源７０および
電極側ηはアースされている。高周波電源７０の回路に
は、直流電源７２の回路が並列に接続され、直流電源７
２の回路には、高周波カット装置７３が設けられている
。また、真空処理室】０外に設置された真空排気装置８
ｏが排気管６２で真空処理室１０に連結されている。
ている。電極軸４２は、その上端部を真空処理室１０内
に突出して真空処理室１０の底壁に設けられ、電極軸４
２の上端には、電極板４１が電極板２１と対向して平行
に設けられている。電極軸４２には、真空処理室１０外
に設置された電源、例えば、高周波電源７０が、直流カ
ット装置７１を介して接続され、高周波電源７０および
電極側ηはアースされている。高周波電源７０の回路に
は、直流電源７２の回路が並列に接続され、直流電源７
２の回路には、高周波カット装置７３が設けられている
。また、真空処理室】０外に設置された真空排気装置８
ｏが排気管６２で真空処理室１０に連結されている。
れ
例えば、前工程から運ば夕てきた基板間は、真空排気装
置間の作動で予め所定圧力まで減圧排気されている真空
処理室１０内に公知の搬送手段（図示省略）により、例
えば、１枚搬入され基板電極４０の電極板４１に載置さ
れる。
置間の作動で予め所定圧力まで減圧排気されている真空
処理室１０内に公知の搬送手段（図示省略）により、例
えば、１枚搬入され基板電極４０の電極板４１に載置さ
れる。
このような基板間の真空処理室１０内への搬入。
設置完了後、基板（資）に対するエツチング、膜形成等
の化学反応が起らない放電を生じさせるために不活性ガ
ス供給装置５１よリアルゴン、ヘリウム。
の化学反応が起らない放電を生じさせるために不活性ガ
ス供給装置５１よリアルゴン、ヘリウム。
窒！等の不活性ガスが真空処理室】０内に、例えば、流
量１１０８ＣＣ未満で供給される。この場合、不活性ガ
ス供給装置５１より供給された不活性ガスはガス導管６
１，６０．ガス流通路を流通した後にガス放出孔より真
空処理室１０内に放出される。′−Ｆ、た、真空処理室
１０内は、不活性ガスが供給されつつ真空排気装置８０
の作動により所定圧力、つまり、安定放電が可能な圧力
、例えば、０．０５〜０．２ Ｔｏｒｒの圧力に調整、
維持される。その後、基板ｍ極４０の電極板４１には電
極軸４２を介して高周波電源７ｏより高周波電力が印加
され、これにより、対向？Ｉｉ極加の電極板２１と基板
電極４０の電極板４１との間に放電が生じ不活性カスは
プラズマ化される。この場合、高周波電力は、不活性ガ
スをプラズマ化するのに必要で基板間にイオン損傷を与
えない程度、例えば、基板（９）の単位面積当り０．０
０５〜０．０５Ｗであり、また、放電時間は、異物匍が
クーロン反撥に必要な電位、例えば、３０〜１００■の
電位に滞電するまでの時間である。異物匍が十分滞電し
た後に、高周波電源７０による基板電極４０の電極板４
１への高周波電力の印加が停止、即ち、放電が停止され
、十分滞電している異物匍には、異物９０に滞電してい
る電位とは逆の電位が直流電源７２より印加される。こ
れにより、異物匍は、基板力よりクーロン反撥して離脱
し、この離脱した異物匍は真空排気装置（資）の作動に
より真空処理室１０から排気されていり不活性ガスに同
伴されて真空処理室１０外へ排出される。この結果、基
板力に付着していた異物凹は十分に除去される。その後
、添活性ガス供給装置５１からの真空処理室１０内への
不活性ガスの供給が停止され、例えば、真空処理室ｌＯ
内に残留している不活性ガスは真空排気装置（資）の作
動により排気される。
量１１０８ＣＣ未満で供給される。この場合、不活性ガ
ス供給装置５１より供給された不活性ガスはガス導管６
１，６０．ガス流通路を流通した後にガス放出孔より真
空処理室１０内に放出される。′−Ｆ、た、真空処理室
１０内は、不活性ガスが供給されつつ真空排気装置８０
の作動により所定圧力、つまり、安定放電が可能な圧力
、例えば、０．０５〜０．２ Ｔｏｒｒの圧力に調整、
維持される。その後、基板ｍ極４０の電極板４１には電
極軸４２を介して高周波電源７ｏより高周波電力が印加
され、これにより、対向？Ｉｉ極加の電極板２１と基板
電極４０の電極板４１との間に放電が生じ不活性カスは
プラズマ化される。この場合、高周波電力は、不活性ガ
スをプラズマ化するのに必要で基板間にイオン損傷を与
えない程度、例えば、基板（９）の単位面積当り０．０
０５〜０．０５Ｗであり、また、放電時間は、異物匍が
クーロン反撥に必要な電位、例えば、３０〜１００■の
電位に滞電するまでの時間である。異物匍が十分滞電し
た後に、高周波電源７０による基板電極４０の電極板４
１への高周波電力の印加が停止、即ち、放電が停止され
、十分滞電している異物匍には、異物９０に滞電してい
る電位とは逆の電位が直流電源７２より印加される。こ
れにより、異物匍は、基板力よりクーロン反撥して離脱
し、この離脱した異物匍は真空排気装置（資）の作動に
より真空処理室１０から排気されていり不活性ガスに同
伴されて真空処理室１０外へ排出される。この結果、基
板力に付着していた異物凹は十分に除去される。その後
、添活性ガス供給装置５１からの真空処理室１０内への
不活性ガスの供給が停止され、例えば、真空処理室ｌＯ
内に残留している不活性ガスは真空排気装置（資）の作
動により排気される。
その後、処理用ガス供給装置間から処理用ガスが真空処
理室１０内に所定流量で供給される。この場合、処理用
ガス供給装［５０より供給された処理用ガスは、ガス導
管６０．ガス流通路を流通した後にガス放出孔より真空
処理室ｌＯ内に放出される。
理室１０内に所定流量で供給される。この場合、処理用
ガス供給装［５０より供給された処理用ガスは、ガス導
管６０．ガス流通路を流通した後にガス放出孔より真空
処理室ｌＯ内に放出される。
また、真空処理室１０内は、処理用ガスが供給されつつ
真空排気装置ｉ！ｒ、８０の作動により所定の処理圧力
に調整、維持される。その後、この状態で、基板電極旬
の電極板４１には高周波電源７０より所定の高周波電力
が印加され、これにより対向型％２０の電極板２１と基
板電極４０の電極板４１との間には放電が生じ、該放電
により処理用ガスはプラズマ化される。このプラズマに
より基板（資）には、エツチング。
真空排気装置ｉ！ｒ、８０の作動により所定の処理圧力
に調整、維持される。その後、この状態で、基板電極旬
の電極板４１には高周波電源７０より所定の高周波電力
が印加され、これにより対向型％２０の電極板２１と基
板電極４０の電極板４１との間には放電が生じ、該放電
により処理用ガスはプラズマ化される。このプラズマに
より基板（資）には、エツチング。
膜形成等の真空処理が施こされる。その後、処理済みの
基板（資）は、真空処理室１０から公知の搬送手て０ 段ｒ搬出された後に、後工程へ運ばれる。。
基板（資）は、真空処理室１０から公知の搬送手て０ 段ｒ搬出された後に、後工程へ運ばれる。。
本実施例のような真空処理方法では、真空処理される基
板に付着した異物を真空処理前に除去し、その後、基板
を真空処理するようにしているため、異物による処理不
都合を排除でき歩留りを十分をこ向上させることができ
る。
板に付着した異物を真空処理前に除去し、その後、基板
を真空処理するようにしているため、異物による処理不
都合を排除でき歩留りを十分をこ向上させることができ
る。
なお、本実施例では、真空処理装置として平行平板型の
真空処理装置を用いているが、これに特に限定されるも
のではなく、真空処理室でプラズマを利用して被処理物
を真空処理する装置であれば良い。更に、多数個の被処
理物を同時に真空処理する方式のものであっても良い。
真空処理装置を用いているが、これに特に限定されるも
のではなく、真空処理室でプラズマを利用して被処理物
を真空処理する装置であれば良い。更に、多数個の被処
理物を同時に真空処理する方式のものであっても良い。
また、処理用ガスが不活性ガスである場合は、不活性ガ
ス供給装置を本実施例のように別に設けなくても良い。
ス供給装置を本実施例のように別に設けなくても良い。
本発明は、以上説明したように、被処理物が搬入、設置
された真空処理室内に不活性ガスを供給しつつ該処理室
内の圧力を所定圧力に調整、維持する工程と、該圧力調
整された真空処理室内で所定時間放電を生じさせ被処理
物上の異物に滞電させる工程と、該放電を停止すると共
に異物に滞電している電位とは逆の電位を印加し異物を
被処理物より反撥させ離脱させる工程と、該離脱した異
物を真空処理室外へ排出する工程とを真空処理室での被
処理物の真空処理前に実施することで、異物による処理
不都合を排除できるので、歩留りを十分に向上させるこ
とができるという効果がある。
された真空処理室内に不活性ガスを供給しつつ該処理室
内の圧力を所定圧力に調整、維持する工程と、該圧力調
整された真空処理室内で所定時間放電を生じさせ被処理
物上の異物に滞電させる工程と、該放電を停止すると共
に異物に滞電している電位とは逆の電位を印加し異物を
被処理物より反撥させ離脱させる工程と、該離脱した異
物を真空処理室外へ排出する工程とを真空処理室での被
処理物の真空処理前に実施することで、異物による処理
不都合を排除できるので、歩留りを十分に向上させるこ
とができるという効果がある。
図面は、本発明を実施した真空処理装置の一例を示す構
成図である。 １０・・・・・・真空処理室、加・・・・・・対向電極
、Ｊ・・・・・・基板、旬・・・・・・基板電極、５１
・・・・・・不活性ガス供給装置、７０・・・・・・高
周波電源、７１・・・・・・直流カプト装置、７２・・
・直流電源、７３・・・・・・高周波カット装置、帥・
・・・・・真空 。
成図である。 １０・・・・・・真空処理室、加・・・・・・対向電極
、Ｊ・・・・・・基板、旬・・・・・・基板電極、５１
・・・・・・不活性ガス供給装置、７０・・・・・・高
周波電源、７１・・・・・・直流カプト装置、７２・・
・直流電源、７３・・・・・・高周波カット装置、帥・
・・・・・真空 。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被処理物が搬入、設置された真空処理室内に不活性
ガスを供給しつつ該処理室の圧力を所定圧力に調整、維
持する工程と、該圧力調整された前記真空処理室内で所
定時間放電を生じさせ前記被処理物上の異物に滞電させ
る工程と、該放電を停止すると共に前記異物に滞電して
いる電位とは逆の電位を印加し該異物を前記被処理物よ
り反撥させて離脱させる工程と、該離脱した異物を前記
真空処理室外へ排出する工程とを０「ｎピ真柴処理室で
の前記被処理物の真空処理前に実施することを特徴とす
る真空処理方法。 ２、 前記真空処理室に不活性ガスを流量１１０５ＣＣ
未満で供給しつつ該処理室の圧力を０．０５Ｔｏｒｒな
いし０．２ Ｔｏｒｒの圧力に調整、維持し、役 該圧力調乳、前記被処理物の単位面積当り０．００５Ｗ
ないし００５Ｗの高周波電力を印加して放電を生じさせ
、該放電を停止すると共に前記異物に３０Ｖないし１０
０ｖの逆の電位を印加する特許請求の範囲第１項記載の
真空処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1009184A JPS60154621A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 真空処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1009184A JPS60154621A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 真空処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154621A true JPS60154621A (ja) | 1985-08-14 |
Family
ID=11740659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1009184A Pending JPS60154621A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 真空処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154621A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01194421A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-08-04 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 半導体デバイスの製造方法 |
| EP0599276A2 (en) * | 1992-11-24 | 1994-06-01 | Applied Materials, Inc. | Method of removing particles from the surface of a substrate |
| KR100360854B1 (ko) * | 1998-09-25 | 2003-01-15 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마를이용한표면처리장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814535A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Fujitsu Ltd | ウエハの清浄方法 |
-
1984
- 1984-01-25 JP JP1009184A patent/JPS60154621A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814535A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Fujitsu Ltd | ウエハの清浄方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01194421A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-08-04 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 半導体デバイスの製造方法 |
| EP0599276A2 (en) * | 1992-11-24 | 1994-06-01 | Applied Materials, Inc. | Method of removing particles from the surface of a substrate |
| EP0599276A3 (en) * | 1992-11-24 | 1994-06-22 | Applied Materials Inc | Method of removing particles from the surface of a substrate. |
| KR100360854B1 (ko) * | 1998-09-25 | 2003-01-15 | 주식회사 엘지이아이 | 플라즈마를이용한표면처리장치 |
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