JPH0786259A

JPH0786259A - 異物除去方法及び装置

Info

Publication number: JPH0786259A
Application number: JP6158371A
Authority: JP
Inventors: Toru Otsubo; 徹大坪; Yasumichi Suzuki; 康道鈴木; Shinji Sasaki; 新治佐々木; Kazuhiro Ohara; 和博大原; Ichiro Sasaki; 一郎佐々木
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1993-07-19
Filing date: 1994-07-11
Publication date: 1995-03-31

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明の目的はドライエッチングやスパッタな
どのドライプロセス処理前に、真空中やドライな雰囲気
中で異物を除去し、ドライプロセスと連続して処理でき
る異物除去方法及び装置を提供することにある。【構成】基板から、異物を引き離す力を加えながら、こ
の引き離す力を振動させ、その振動周波数を変えること
で異物と基板間で形成される振動系の振動周波数と合わ
せ、異物に共鳴により振動エネルギを与え、異物を基板
から離脱させる。プラズマ中に浮遊する異物を、電子の
流入を低減させるようにした直流電圧印加電極に吸引さ
せ、プラズマ中から除去する。【効果】本発明により異物の低減ができ、半導体やＴＦ
Ｔ製造における製品歩留まり向上がはかれる。また洗浄
工程と成膜、エッチングなどが連続して処理でき、工程
削減、生産性向上がはかれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体素子や液晶表示素
子の微細なパターンを形成するドライエッチングやスパ
ッタ、ＣＶＤ等のドライプロセス処理に関連し、特に基
板に付着した異物の除去、装置内のクリーニングに好適
な異物除去処理方法および装置に関する。

【０００２】また、本発明は、これら素子を生産するに
当たり、基板から異物を除去し清浄化するのに好適な清
浄化方法及びその装置に関する。

【０００３】

【従来の技術】半導体素子や液晶表示素子の生産では微
細なパターンにより素子を形成するため、成膜中、エッ
チング中に付着している異物により、これら微細なパタ
ーンに欠陥が生じる。これにより半導体素子、液晶表示
素子の一部が機能しなくなり、不良品となるため歩留り
が低下する。

【０００４】現在、異物の発生源は主にドライエッチン
グやスパッタ等のドライプロセス処理装置自体であり、
この装置発塵の低減が大きな課題と成っている。また基
板に付着した異物は各処理の間でウェット洗浄処理によ
り異物を除去し、欠陥の発生を防止していた。しかし半
導体素子や液晶素子の生産では各処理工程を連続にし生
産性を高める方向にあり、従来のウエット洗浄処理の適
用が困難となってきている。そのためドライプロセス処
理間で基板に付着した異物の除去が重要な課題と成って
いる。

【０００５】装置発塵の低減方法として特開平3-14713
号公報、特開平3-14713号公報にプラズマ中に浮遊する
異物の排出による基板に異物が付着するのを防止する方
法が示されている。

【０００６】ドライ雰囲気で基板に付着した異物を除去
する方法としては特開昭63-208217号公報や、特開昭64-
1237号公報に、電気的に帯電した異物に対し、イオン化
したガスを吹き付け、帯電を除去した後、振動を与える
などして、異物を付着した基板表面から離脱させる事が
示されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術で示され
たプラズマ中に浮遊する異物の排出方法では、プラズマ
処理中に発生する異物を基板に付着しないようにできる
が、基板に処理前より付着していた異物はそのままであ
るため欠陥発生の原因となる。プラズマ処理中に発生し
た異物は上記従来技術にも記載されているように、基板
上のプラズマのシース上に浮遊し、処理完了後プラズマ
を切った時点で基板上に付着する。従ってプラズマ処理
により発生する欠陥はプラズマ処理前から基板に付着し
ていた異物であり、異物による欠陥発生を防止するには
プラズマ処理前に基板に付着した異物を除去することが
課題である。

【０００８】ドライ雰囲気で基板に付着した異物を除去
する上記従来技術では、異物が基板に付着する主な吸着
力を帯電による静電力としている。しかしファンデルワ
ールス力による吸着力も大きな割合を占めているため、
単に帯電を除去しただけでは異物を基板から引き離すこ
とはできない。異物を確実に除去するためにはこのファ
ンデルワールス力に打ち勝って引き離すことが課題であ
る。

【０００９】本発明はドライプロセス処理と同様な真空
処理室内、及びドライなガス雰囲気中で、基板上の異物
を確実に除去できる、異物除去処理方法および装置を提
供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においては、被処理基板の表面に付着した異
物を除去する異物除去装置を、異物に被処理基板から引
き離す方向に力を加える引き離し力印加手段と、引き離
す力を振動させる引き離し力振動手段と、引き離し力を
振動させる周波数を変化させる振動周波数可変手段とで
構成した。更に引き離し力印加手段と前記引き離し力振
動手段と前記振動周波数可変手段とにより前記被処理基
板の表面から引き離された前記異物を、前記被処理基板
の領域の外に排出する異物排出手段を有する構成とし
た。

【００１１】また、本発明は、上記目的を達成するため
に、内部に被処理物を載置する載置手段を有する処理室
内で前記被処理基板の表面に付着した異物を除去する異
物除去装置を、処理室の内部にプラズマを発生させるプ
ラズマ発生手段と、被処理物を載置した載置手段に直流
電圧を印加する直流電圧印加手段と、被処理物を載置し
た載置手段に周波数可変の高周波電圧を印加する高周波
電圧印加手段とで構成した。更に、処理室の壁面に直流
電圧を印加する直流電圧印加手段と、前記処理室の壁面
に周波数可変の高周波電圧を印加する高周波電圧印加手
段とを有する構成とした。

【００１２】また、本発明は、上記目的を達成するため
に、内部に被処理物を載置する載置手段を有する処理室
内で被処理基板の表面に付着した異物を除去する異物除
去装置を、記処理室の内部にプラズマを発生させるプラ
ズマ発生手段と、処理室の壁面に直流電圧を印加する直
流電圧印加手段と、処理室の壁面に周波数可変の高周波
電圧を印加する高周波電圧印加手段とで構成した。更
に、直流電源に接続して前記処理室の内部で前記プラズ
マと導通する陽極を有して前記直流電源により前記プラ
ズマから前記陽極への電子の流入を制御可能な電極手段
を備える構成とした。

【００１３】また、本発明では、上記構成の異物除去装
置において、被処理基板の表面に付着した異物に変動す
る外力を印加して異物を共振させ、共振により被処理基
板の表面から離れた異物を被処理基板の領域外に排除す
ることにより被処理基板から異物を除去する方法を採用
した。

【００１４】更に、本発明では、上記構成の異物除去装
置において、真空容器内に配置した被処理基板の表面近
傍にプラズマを発生させ、プラズマと被処理基板の表面
との間の電界を変動させることにより被処理基板の表面
に付着した異物を共振させ、共振により被処理基板の表
面から離れた異物を被処理基板の領域外に配置した電極
に吸引させて異物を被処理基板の領域外に排除すること
により被処理基板から異物を除去する方法を採用した。

【００１５】即ち、本発明においては、真空処理室およ
びドライなガス雰囲気中で、プラズマ発生や電子シャワ
ー、イオン化ガスにより、基板表面に付着した異物をド
ライ雰囲気で帯電させ電界により基板から引き離す力を
発生させる手段、異物に高周波で変動する力を印加する
手段、引き離し力、変動する力の周波数等を複数条件設
定する手段を設けた。

【００１６】また、プラズマを発生させて帯電させる場
合、直流電源に接続されプラズマに導通した電極を処理
室内に設け、その陽極に電子の流入を制限する手段を用
いるようにし、異物を吸引し除去するようにした。電子
シャワー、イオン化ガスにより帯電させる場合、電界を
発生させる対向電極を設け、これに吸着さ除去するよう
にした。

【００１７】

【作用】プラズマ、電子、イオン化ガスに曝した基板表
面と基板表面に付着した異物は帯電し、異物には異物と
基板表面との間のファンデルワールス力、帯電した電荷
による電気的な反発力、電界と帯電した異物の電荷によ
り発生する力、基板表面と異物間の弾性変形により発生
する力等が働く。即ち、図９の物体表面１００に異物１
０１が付着しているときのモデルに示すように、異物１
０１が物体表面１００に安定に付着している位置ｘ₀よ
り物体側に入った状態では物体側からの反撥力Ｆ₂の方
がファンデルワールス力Ｆ₁より大きく、位置ｘ₀より物
体側から離れる方向にある状態では物体側からの反撥力
Ｆ₂よりもファンデルワールス力Ｆ₁の方が大きくなる。
従って、異物１０１は安定な位置ｘ₀を中心に振動系を
形成することがわかる。

【００１８】ファンデルワールス力Ｆ₁は粒子（異物）
１０１と物体（基板）表面１００との間の距離の２乗に
反比例するために、粒子（異物）１０１が物体（基板）
表面１００から少し離れることでその地からは大幅に減
少する。従って、振動系を形成する異物１０１に対し、
この振動系の固有振動周波数に基づく共振周波数に近い
周波数の振動を外力として印加するとその振幅は次第に
大きくなり、粒子（異物）１０１と物体（基板）表面１
００との間に働くファンデルワールス力Ｆ₁は小さくな
るため、より小さな力で粒子（異物）１０１を物体（基
板）表面１００から離脱させることができる。

【００１９】従って、基板表面に付着した異物を基板表
面から効率良く除去するためには、基板表面に吸着され
た状態に異物に、異物の共振周波数にあわせた振動する
外力を印加するとともに、異物を基板表面から引き離す
力を加えることが必要である。この引き離す力を異物に
加えながら、この振動系の共振周波数に近い周波数で変
動する力を印加すると、異物の振動は徐々に大きくな
り、ファンデルワールス力に打ち勝ち、基板より離脱す
る。

【００２０】吸着した異物の状況は異物の大きさや帯電
状況、基板表面の状況等が異なり、形成する振動系も共
振周波数が異なるため、印加する変動する力の周波数を
変え、各異物の状況に合わせた周波数を印加する事によ
り付着した異物を効率よく除去することができる。

【００２１】プラズマを発生させ帯電させる場合、除去
された異物は電子の運動速度が早いため、負に帯電し、
シースの電界によりシース上部のプラズマとの境界領域
にに浮遊する。通常陽極電極では運動速度が速い電子が
流入するが、電子の流入を制限することにより負に帯電
した異物等を吸引しプラズマ中から除去することができ
る。またプラズマを発生させない場合、対向電極を設け
電界を発生させるため、異物はこの電界により対向電極
面に吸着され除去される。

【００２２】また上記したような変動する力の周波数を
変える代わりに、異物を引き離す力を変えることにより
この振動系の共振周波数を変えることができ、同様な作
用が実現できる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の第１の実施例を図１により説
明する。

【００２４】図１は、本発明による異物除去方法及び装
置の１実施例を示す図であって、１は真空処理室、２は
ステージ、３は対向電極、４ａ、４ｂは異物除去用電
極、５は絶縁膜、６ａ〜６ｂは絶縁材、７は信号発生
器、８は高周波増幅器、９は抵抗、１０はコンデンサ、
１１、１２は直流電源，１３ａ、１３ｂは磁石、１４は
コア、１５は磁場、１６はプラズマ発生用高周波電源、
１７はフィルタ、１８はウェーハである。

【００２５】同図において、処理室１内には、表面に薄
い絶縁膜５が施されたステージ２とプラズマを発生する
対向電極３とが対向して設けられ、これらステージ２と
対向電極３との間に、一対の異物除去用電極４ａ、４ｂ
が設けられている。このステージ２の絶縁膜５上に、微
細パターンを形成するためのウェーハ１８が載置され
る。処理室１には、図示しない供給源からプラズマ処理
用のガスを供給でき、また、図示しない真空装置によ
り、処理室１内を排気できる。

【００２６】ステージ２は導電体からなり、絶縁材６ｂ
を介して処理室１の底面に取り付けられている。対向電
極３も、また絶縁材６ｂを介して処理室１の上面に取り
付けられている。

【００２７】ステージ２には、信号発生器７から高周波
増幅器８を介して高周波電圧が、また直流電源１１から
正の直流電圧が各々供給され、信号発生器７から発生す
る高周波電圧の周波数は連続的に変化する。ステージ２
はコンデンサ１０、抵抗９を介して接地されており、周
波数の変化に対しても高周波増幅器８とプラズマの負荷
インピーダンスの整合が取れるようにしている。また、
ステージ２上の絶縁膜５は、プラズマから流入した電荷
がアースに流れるのを防止し、直流電源１１から印加し
た電圧によりウェーハ１８を帯電させるためのものであ
る。

【００２８】対向電極３には、プラズマ発生用高周波電
源１６から１００ＭHZ高周波電圧が印加され、対向電極
３から処理室内壁間に高周波電流が流れ、プラズマが発
生する。ステージ２に印加される、高周波電圧による高
周波電流が、対向電極３に均一に流れる様に、対向電極
３とアース間のインピーダンスがステージ２に印加され
る高周波電圧周波数に対して低く、プラズマ発生用高周
波電流がアースに流れないよう、この周波数に対しては
高くなるフィルタ１７が接続されている。

【００２９】異物除去用電極４ａには、直流電源１２の
正電圧が印加され、異物除去用電極４bには、直流電源
１２の負電圧が印加される。これれ異物除去用電極４
ａ、４ｂは、各々絶縁材６ｃ、６ｂを介して処理室１の
内壁に取り付けられている。異物除去用電極４ａの両端
部には、異物除去用電極４ａの端部を挟むように配置さ
れた２つの磁石１３ａ、１３ｂとコア１４からなる磁場
発生手段が設けられている。なお、異物除去用電極４ａ
と磁場発生手段は、ステージ２の側に配置しているが、
これは対向電極３の側に配置しても良い。以下の説明で
はこれら異物除去用電極４ａ、４ｂは図示のように配置
されたものとする。

【００３０】次に、本実施例の動作について説明する。

【００３１】ステージ２にウェーハ１８を載置し、図示
しないプラズマ処理用ガス供給源より一定量のガスを処
理室１内に供給する。異物を除去するだけであればアル
ゴンガスなど不活性のガスを用いる。図示しない真空装
置により排気し、処理室１内を１Ｐａ程度の真空に保
ち、プラズマ発生用高周波電源１６から対向電極３に高
周波電力を供給して処理室１内にプラズマを発生させ
る。

【００３２】ステージ２に直流電源１１より正の直流電
圧を印加し、プラズマより負の電荷を流入させ、ウェー
ハ表面を帯電させるとともに、ウェーハ表面に付着した
異物も負に帯電させる。信号発生器７より出力される高
周波電圧は、１ｋHZから５０ＭHZまで周波数が連続的に
変化し、高周波増幅器８により増幅されてステージ２に
印加される。

【００３３】対向電極３で発生したプラズマとウェーハ
１８の表面との間にはシース（空間電荷層）が形成さ
れ、ステージ２に印加された高周波電圧によりシースに
は高周波電界が発生する。この高周波電界に電子とイオ
ンの運動速度の差により生じる直流電界が合成され、こ
の電界により負に帯電したウェーハ１８上の異物には、
異物をウェーハから引き離そうとする力が、高周波の周
波数で強くなったり弱くなったりするように変化し、異
物はこの変化する力により振動が加えられる。ウェーハ
１８上の異物はファンデルワールス力等の力によりウェ
ーハに吸引されるとともに、先に述べた引き離す力によ
り一種の振動系を形成していると考えられる。高周波電
界より異物が受ける、引き離そうとする変化する力の周
期が、この振動系の周期と一致すると異物は引き離され
る側に大きく振動するようになり、ついにはファンデル
ワース力によるポテンシャルエネルギを超え、ウェーハ
１８表面から離脱する。

【００３４】また、複数の周波数を印加する方法とし
て、ＡＭ変調する方法があり、この方法ではもとの周波
数と変調した周波数が複数の周波数に当る。また、同様
に、ＦＭ変調した高周波を印加しても同様の効果が得ら
れる。

【００３５】異物の大きさ、材質は色々であり、ウェー
ハ１８上の異物が形成する振動系はそれぞれ振動周期が
異なる。従ってステージ２に印加する高周波電圧周波数
を連続的に変化させるか、複数の周波数を印加するよ
り、振動周期が異なるそれぞれの異物に対しても、振動
エネルギを高めウェーハ１８表面から離脱させる。この
ように周波数を変える事で、より多くの異物を除去する
事ができ、ウェーハ表面に発生する異物により欠陥を低
減することができる。なお、上記高周波電圧の連続的変
化や複数周波数設定の処理は、一回だけ行うようにして
もよいが、複数回繰り返し行うようにしてもよい。

【００３６】ウェーハ１８から離脱した異物は、シース
の電界に引っ張られプラズマ中に入り込む。放電プラズ
マの電子温度がイオン温度に比べはるかに高いことか
ら、このプラズマ中の異物は、異物表面に入射する電荷
量が等量に成るように負に帯電する。プラズマと電極、
処理室内壁間に形成されるシースも、同様の原理によ
り、プラズマからこれら壁面方向に電界が形成される。
この電界は電子の流失を低減させるように働くため、負
に帯電した異物は、この電界によりプラズマから出られ
なくなり、プラズマのシース近傍に浮遊することにな
る。

【００３７】磁石１３ａ、１３ｂやコア１４により、異
物除去用電極４ａの表面に平行に磁場が形成されてお
り、プラズマ中の電子はこの磁場により拘束されるた
め、異物除去用電極４ａへの電子の流入は大幅に低減す
る。さらに、直流電源１２から異物除去用電極４ａに正
の電圧を印加し、異物除去用電極４ｂに負の電圧を印加
することで異物除去用電極４ａ表面のシースには、負に
帯電した異物が異物除去用電極４ａ側に引っ張られる方
向に、電界が形成され、この結果、異物はこの電界で異
物除去用電極４ａに吸着される。

【００３８】異物除去用電極４ａ、４ｂ間に印加された
直流電圧により、プラズマ内に微弱な電界が形成され、
負に帯電したプラズマ中の異物は、この電界により異物
除去用電極４ａの方に移動し、上記のように吸着され
る。

【００３９】このようにして、ウェーハ１８の表面から
離脱した異物は、異物除去用電極４ａの表面に吸着さ
れ、ウェーハ１８に再度付着することはない。

【００４０】以上の異物除去処理の後、エッチングガ
ス、ＣＶＤガス等のプロセス処理ガスを処理室１に導入
し、ウェーハ１８にエッチングやＣＶＤ等のドライプロ
セス処理を連続して行うことができる。また処理室１よ
り取り出し、別の処理室でプロセス処理を行うこともで
きる。さらに、本実施例では不活性ガスによる異物除去
を中心に説明したが、ドライエッチング等のプロセス処
理と合わせて処理することもできる。エッチングガスを
導入し、本実施例で説明したと同様の方法でウェーハか
ら異物を取り除き、プラズマ中に取り込む。この状態で
ステージ２に印加する高周波バイアス条件を通常のエッ
チング処理と同じ条件とし、エッチング処理を行う。プ
ラズマ中に取り込まれた異物は異物除去用電極４ａに吸
着され除去されるため、異物の影響がない処理ができ
る。

【００４１】次に吸着された異物の除去について説明す
る。ウェーハを処理室１から取り出し、プラズマを発生
させ、直流電源１２の極性を切り替え、異物除去用電極
４ａに正の電圧、４ｂに負の電圧を印加する。そして、
Ｏ2、ＣＦ4、ＣＬ2ガスをクリーニングガスとして順次
処理室１内に導入し、これらのイオンやラジカルを発生
させ、異物除去用電極４ａの表面に入射さる。異物除去
用電極４ａの表面には先に述べたように磁場が形成され
ているが、これらイオン、ラジカルは磁場の影響をほと
んど受けな。異物除去用電極４ａの表面に形成されたシ
ースの電界により、イオンは加速されて入射し、ラジカ
ルとともに、表面に吸着した異物と反応してこれをガス
化して、処理室１内から排出されクリーニングされる。

【００４２】以上の連続処理により、ウェーハ１８に付
着していた異物が取り除かれ、処理室１から排出され
る。

【００４３】本実施例はウェーハ表面の除去だけでな
く、ウェーハを裏返してステージ２に載せることで、裏
面の異物除去に用いることもできるとともに、クリーニ
ングがストして６フッ化硫黄ガスを用いれば、ウェーハ
内に埋め込まれたような異物も、発生したフッソラジカ
ルによりシリコンウェーハの表面が等方にエッチングさ
れるため、容易に除去でき、拡散炉等での汚染防止を図
ることができる。

【００４４】本実施例ではまた基板に吸着した異物か形
成する振動系の共振周波数と、引き離す力の変動周波数
を合わせる方法として、引き離す力の強さを変えること
で、振動系の共振周波数を変える方法も可能である。引
き離す力を変える方法としては、直流電源１１からの印
加直流電圧を変えることで、異物の帯電電荷を変え、引
き離す力を変えることができる。

【００４５】図２は本発明による異物除去方法及び装置
の他の実施例を示す図であって、１９は石英窓、２０は
空洞共振器、２１はスロットアンテナ出あり、図１に対
応する部分には同一の符号を付け重複する説明を省略す
る。

【００４６】同図において、この実施例は、図１に示し
た実施例での対向電極３のなどの代わりに、空洞共振器
２０を設けたものである。

【００４７】処理室１のステージ２に対向した壁面に石
英窓１９が設けられ、この石英窓を介して、スロットア
ンテナ２１が備え付けられた空洞共振器２０が、スロッ
トアンテナ２１を石英窓１９に向けて設けられている。

【００４８】図１に示した実施例のと同様に、処理室１
内にはプラズマ処理ガスが導入され、１Ｐａ程度の真空
状態に維持され、ステージ２には高周波増幅器８から周
波数が連続的に変化する高周波電圧と、直流電源１１か
ら正の直流電圧が印加される。また、図示しないマイク
ロ波供給源から、空洞共振器２０にマイクロ波が供給さ
れる。石英窓１９は処理室１を真空に保つとともに、ス
ロットアンテナ２１からマイクロ波を処理室１に放射で
きるようになっている。

【００４９】次に、この実施例の動作を説明する。

【００５０】ステージ２に載置されているウェーハ１８
の表面にはアルミ膜が形成され、その上にレジストマス
クが形成されている。例えばエッチングガス（ＣＬ2）
を処理室に導入し、図示しない真空装置により排気し
て、処理室１内を１Ｐa程度の真空に保つようにする。
次に、空洞共振器２０にマイクロ波を供給し、スロット
アンテナ２１よって処理室１内に放射してプラズマを発
生させる。空洞共振器２０は、処理室１に発生するプラ
ズマの負荷と、マイクロ波との整合を取る働きをしてお
り、これによってプラズマを安定化させている。

【００５１】これとともに、直流電源１１からステージ
２に正の直流電圧を印加し、プラズマから負の電荷を流
入させ、ウェーハ１８の表面を負に帯電させる。これに
よりウェーハ１８の表面に付着している異物も負に帯電
する。そして、信号発生器７から高周波増幅器８を介し
て、図１に示した実施例と同様に、周波数が連続して変
化する高周波電圧をステージ２に印加する。

【００５２】図１に示した実施例と同様に、プラズマと
ウェーハ１８の表面との間にはシースが形成されてお
り、ステージ２に印加された高周波電圧により、周波数
がこの高周波電圧の周波数に応じて変化する高周波電界
がシースに発生する。この高周波電界と異物の電荷との
作用により、異物をウェーハ１８から離そうとする力が
加わり、付着した異物の固有振動数に、高周波電界の周
波数が一致すると、異物はウェーハ１８から離脱する。
離脱した異物はシース上のプラズマ中に浮遊した状態と
なる。

【００５３】かかる状態において、信号発生器７の高周
波電圧の周波数を１３.５６ＭHZに設定し、かつ高周波
増幅器８の出力を１００Ｗとし、エッチング処理を行
う。個にの処理中、異物は上記の状態に保たれており、
ウェーハ１８に付着することがない。このため、異物に
よるエッチングパターンのショウート等の、エッチング
不良を低減することができる。

【００５４】以上の処理後、マイクロ波の供給を停止
し、エッチングガスを排気する。このとき、プラズマ中
に浮遊した異物は、マイクロ波の供給停止によるプラズ
マの消滅にとともに、ウェーハ１８の表面に再び付着す
るが、既にその表面にはパターンが形成されており、そ
のパターンには影響を与えることはなく、ウェーハ１８
の洗浄などにより除去することができる。

【００５５】次に、スパッタ成膜をする場合の本発明に
よる、異物除去方法及び装置のさらに他の実施例を図３
により説明する。但し、２２はターゲット電極、２３は
ターゲット、２４、２５はコイル、２６はヨーク、２７
はスパッタ電源、２８はコイル電源、２９は磁場、３０
〜３３はスイッチ、３４は高周波電源であり、図１に対
応する部分には同一符号を付け、重複する説明を省略す
る。

【００５６】同図において、ステージ２に対向した処理
室の開口部に、ターゲット２３、コイル２４、２５、ヨ
ーク２６からなるターゲット電極２２が設けられてい
る。このターゲット電極２２は絶縁材６ｅ、６ｆを介し
て処理室１の壁面と絶縁されている。コイル２４、２５
にはコイル電源２８が接続されている。ターゲット電極
２２には、スイッチ３０を介して、スパッタ電源２７が
接続されている。また、スイッチ３１は、ステージ２を
アース状態、高周波増幅器８とコンデンサ１０と直流電
源１１との接続状態、高周波電源３４との接続状態の何
れかを選択する物であって、スイッチ３３を介して、タ
ーゲット電極２２に接続される。

【００５７】まず、処理室１にクリーニングガスを導入
し、スイッチ３１を介して高周波電源３４からステージ
２に高周波電力を供給し、プラズマを発生させる。この
とき、スイッチ３０は切れた状態にあり、またコイル電
源２８も動作をしていない状態にある。

【００５８】かかる状態において、スイッチ３３を接続
状態とし、スイッチ３２により、高周波増幅器８から出
力される、周波数が連続的に変化する高周波電圧と、直
流電源１１の直流電圧とをターゲット電極２２に供給す
る。プラズマとターゲット２３の表面とのシースに、高
周波増幅器８からの高周波電圧の周波数変化に応じた周
波数の電界が生じる。これにより、先の実施例と同様の
作用により、ターゲット２３に表面に付着した異物や、
剥がれそうな膜が取り除かれ、プラズマ中に浮遊する。

【００５９】また、スイッチ３２、３３によって、高周
波電源３４の高周波電圧をターゲット電極２２に印加
し、プラズマを発生させ、スイッチ３１によって高周波
増幅器８から出力される、周波数が連続的に変化する高
周波電圧と、直流電源１１の直流電圧をステージ２に印
加することにより、先の実施例と同様の作用により、ウ
ェーハ１８上の異物を除去できる。

【００６０】この実施例においても、図１に示した実施
例と同様に、異物除去用電極、磁場発生手段により、プ
ラズマ中に浮遊する異物を除去することができること
は、言うまでもない。このようにターゲット２３表面の
異物、ウェーハ１８表面の異物を除去した後、スイッチ
３３を切り、スイッチ３１により、ステージ２をアース
に接続する。コイル電源２８からコイル２４、２５に通
電し、ターゲット電極２２の表面に磁場を発生させ、ス
イッチ３０を接続状態とし、スパッタ電源２７よりター
ゲット電極に２２に電力を供給し、スパッタ成膜を行わ
せる。

【００６１】このようにして、ウェーハ１８やターゲッ
ト２３上の異物を除去し、異物に影響されない成膜処理
を行うことができる。

【００６２】図４は本発明による異物除去方法及び装置
のさらに他の実施例を示す図であって、３５はアース電
極、３６は高周波電源、３７はＬＦＰ（ローパスフィル
タ）３８はスイッチであり、図１に対応する部分には同
一符号を付けて重複する説明を省略する。

【００６３】この実施例は、エッチング処理やＣＶＤ処
理などのウェーハ処理に際して、処理室１の内壁面に付
着した異物や剥がれかかった膜を取り除くためのもので
あり、図４において、ステージ２に高周波電源３６とＬ
ＦＰ３７とが接続され、また、処理室１には、ステージ
２に対向して、アース電極３５が処理室内壁と絶縁され
るように取り付けられている。スイッチ３８は処理室１
をアース状態と、高周波増幅器８とコンデンサ１０と直
流電源１１とに接続された状態とを選択する。

【００６４】次に、この実施例の動作を説明する。

【００６５】処理室１内にクリーニングガス（通常はア
ルゴンガス等を用いるが、付着した膜が酸化シリコン膜
のような場合、フッ化エチレンガスのように付着膜をエ
ッチングするガスを用い、エッチング処理と併用するこ
ともできる）を導入した後、高周波電源３６からステー
ジ２に高周波電圧を印加すると、ステージ２とアース電
極３５の間にプラズマが発生し、処理室１の内壁面まで
拡散して広がる。スイッチ３８を介して直流電源１１正
の直流電圧を、高周波増幅器８から周波数が連続的に変
化する高周波電圧を各々印加すると、先の実施例と同様
にプラズマと処理室１の内壁面の間のシースに周波数が
連続的に変化する電界が生じる。これにより、処理室１
の内壁面に付着した異物や、内壁面から剥がれ掛かり、
異物になる前の膜が内壁面から離脱し、プラズマとシー
スの境界近傍に浮遊する。浮遊した異物は図１に示した
実施例と同様の手段により除去される。

【００６６】しかる後、処理室１内からクリーニングガ
スを排気して、エッチングやＣＶＤなどのウェーハ処理
に移ることにより、異物による影響を低減することがで
きる。

【００６７】図５は本発明による異物除去方法及び装置
の、さらなる他の実施例を示す図であって、４０は１
３．５６ＭＨｚの高周波電源、４１はリング状電極、４
２は振動周波数が可変の高周波振動源であり、図２に対
応する部分には同一の符号をつけて重複する説明を省略
する。

【００６８】この実施例は、ウェーハ１８のクリーニン
グに際して、イオン衝撃等によりウェーハ１８の表面に
形成した素子に対し、ダメージを与えないようにしたも
のであり、図５において、処理室１内にはリング状電極
４１が、ステージ２の周囲に設けられており、高周波電
源４０が接続されている。ステージ２には高周波振動源
４２が取り付けてあり、１００ｋＨｚから５０ＭＨｚの
周波数で振動し、ステージ２上のウェーハを振動させる
ことができる。

【００６９】次に、この実施例の動作を説明する。

【００７０】処理室１内にクリーニングガス（フッ化エ
チレンガス）を導入した後、１Ｐａ程度の真空状態に維
持し、図示しないマイクロ波供給源から、空洞共振器２
０にマイクロ波を供給して、処理室１内にプラズマを発
生させる。ステージ２には直流電源１１より正の直流電
圧を印加するとともに、周波数を連続的に変化させなが
ら高周波振動源４２を振動させ、ステージ２上のウェー
ハ１８を振動させる。

【００７１】印加された直流電圧により、ウェーハ１８
の表面は帯電して、表面に付着した異物も同時に帯電
し、プラズマとウェーハ１８の間のシースに生じるプラ
ズマポテンシャルの電界により、ウェーハ表面から引き
離す力を受ける。この状態でウェーハ１８を高周波で振
動させると、振動による加速度でウェーハ１８表面の異
物は電界により引き離し力との合わさって、振動する引
き離し力を受ける。この振動周波数を連続的に変化さ
せ、付着した異物の振動周波数と合わせることにより異
物の振動は大きくなり、ウェーハ表面から離脱し、プラ
ズマ中に取り込まれる。このとき、ウェーハ１８に印加
される電圧はプラズマポテンシャルの電圧だけであり、
イオン衝撃などによるウェーハ１８のダメージはない。

【００７２】次に高周波電源４０からリング状電極４１
に高周波を供給しリング状電極４１の周囲にプラズマを
発生さ、マイクロ波の供給を徐々に下げると、ステージ
２上に発生していたプラズマは次第に消滅し、リング状
電極４１の周囲に発生したリング状のプラズマだけとな
る。プラズマ中に取り込まれた異物はプラズマとともに
移動し、リング状電極４１周囲のプラズマ中に閉じ込め
られ、高周波電力の供給を停止すると、プラズマは消滅
し、異物はステージ２周囲に落下する。このときステー
ジ２の周囲を排気口にし、クリーニングガスを流してお
くことによりより効率よく異物を排出することができ
る。

【００７３】またクリーニングガスによりウェーハ１８
表面の自然酸化膜等もこの異物除去処理と同時に除去さ
れクリーニングされる。このように本実施例では低ダメ
ージで汚染除去処理と、異物除去処理ができる。

【００７４】図６は本発明による異物除去方法及び装置
の、さらなる他の実施例を示す図であって、４３は電子
シャワーヘッド、４４はその電源、４５は搬送系のアー
ム、４６は除去電極であり、図１に対応する部分には同
一の符号をつけて重複する説明を省略する。また電子シ
ャワーヘッド４３、搬送アーム４５、除去電極４６は図
示しない真空室の中に設けられており、０．００１から
１Ｐａの真空雰囲気になっている。

【００７５】この実施例は、ドライプロセス装置に組み
込まれた搬送機構、真空室内の異物を取り除くためのも
のであり、図６において、搬送アーム４５の通過位置上
に電子シャワーヘッド４３と、除去電極４６が設置され
ている。搬送アーム４５はコンデンサ１０により直流電
位的には浮遊ししており、電子シャワー４３には直流電
源１１から負の直流電圧が印加され、除去電極４６には
直流電源１１から正の直流電圧が印加され、高周波増幅
器８からはとコンデンサ１０、抵抗９により整合を取っ
て、周波数を連続的に変化させた高周波電圧が印加され
る。

【００７６】次にこの実施例の動作を説明する。

【００７７】搬送アーム４５を電子シャワーヘッド４３
の下に移動し、電子シャワーヘッド４３を動作させると
ともに、直流電源１１から５００Ｖの負の直流電圧を印
加し、搬送アーム４５を５００Ｖに帯電させる。このと
き搬送アーム４５に付着した異物もともに帯電する。次
に搬送アーム４５を異物除去電極４６の下に移動し、除
去電極４６と搬送アーム４５との間を１ｍｍに近づけ、
高周波増幅器８から周波数を連続的に変化させた高周波
電圧と、直流電源１１から正の直流電圧が、除去電極４
６に印加される。搬送アーム４５表面の異物は、除去電
極４６と搬送アーム４５の間に形成される電界により、
除去電極４６に引きつけられる力と振動する力を受け
る。振動する周波数を変え、吸着した異物の振動周波数
に合わせることにより、異物の振動は大きくなり搬送ア
ーム４５から離脱し、除去電極４６に吸着される。この
ため、搬送機構、真空室がクリーニングされ、これらか
らウェーハへの異物の付着が低減でき、異物の影響の少
ない処理が実現できる。

【００７８】図７は本発明による異物除去方法及び装置
の、さらなる他の実施例を示す図であって、４７は対向
除去電極、４８はステージ電極、４９はイオン発生器、
５０，５１は切り替えスイッチであり、図１に対応する
部分には同一の符号をつけて重複する説明を省略する。
対向除去電極４７、ステージ電極４８、イオン発生器４
９は大気圧の酸素ガス雰囲気中に設置されている。

【００７９】この実施例は、真空室を必要としない大気
圧雰囲気で、ウェーハや搬送機構等から異物を除去する
ためのものであり、図７においてステージ電極４８の表
面には絶縁膜５がはりつけてあり、その上にウェーハ１
８を載置し、その対向面に対向電極４７が設けられてい
る。ステージ電極４８と対向電極４７には、直流電源１
１から切り替えスイッチ５０、５１を介して直流電圧が
印加され、高周波増幅器８からはコンデンサ１０、抵抗
９２より整合を取って、周波数を連続的に変化させた高
周波電圧が印加され、さらに両電極の間にはイオン発生
器４９から発生したイオンが供給されるようになってい
る。

【００８０】次にこの実施例の動作を説明する。

【００８１】ウェーハ１８をステージ電極上４８に載置
し、切り替えスイッチ５０、５１により、対向電極４７
とイオン発生器４９に負の極性を接続し、ステージ電極
４８に正の極性を接続し、５００Ｖの直流電圧を印加す
る。イオン発生器４９より負イオンを発生させ、ウェー
ハ１８の表面および表面に付着した異物を負に帯電させ
る。次に切り替えスイッチ５０、５１を切り替え対向電
極４７に正の極性を接続し、ステージ電極４８に負の極
性を接続し、８００ｖの直流電圧と、高周波増幅器８か
ら周波数を連続的に変化させた高周波電圧を印加する。
これにより図６の実施例と同様の原理によりウェーハ１
８上の異物を離脱させ、対向電極４７に吸着することが
できる。このように本方法によれば真空中のみならず、
大気圧雰囲気においても、同様の効果を上げることがで
きる。

【００８２】本発明による、さらなる実施例を説明す
る。ウェーハを回転円盤に吸着させ、これを高速で回転
させ、ウェーハに付着した異物に遠心力を掛ける。この
状態で回転円盤を加震器により振動させ、さらにその振
動周波数を徐徐に変える。加震器の振動周波数と異物の
共振周波数が合ったところで、異物はウェーハから離脱
し除去できる。

【００８３】以上述べたように本発明によれば、ドライ
な雰囲気、および真空の雰囲気でウェーハ上の異物を除
去できるため、エッチング装置、成膜装置との連続での
処理が容易になると共に、処理室内および異物発生源に
なる可能性のある部分から異物を除去でき、発塵の少な
い処理が可能となる。

【００８４】図８は本発明による異物除去方法及び装置
の、さらなる他の実施例を示す図であって、５２はドラ
イ洗浄室、５３は取り入れ取り出し室、５４は異物除
去、ライトエッチ室、５５はＣＶＤデポ室、５６はアー
ム洗浄室、５７はスパッタデポ室、５８はゲートバル
ブ、５９は搬送室、６０は搬送ロボットである。

【００８５】この実施例は先に説明した実施例を組み合
わせ、異物低減を図った成膜装置に関するものである。
図８において、中央に搬送室５９があり、その中央には
搬送ロボット６０が設置され、ゲートバルブ５８によ
り、各処理室と接続できる構成であり、周囲に５つの室
が設けられている。第１の室は取り入れ取り出し室５３
であり、図７に示した大気中での異物除去手段を設けた
ドライ洗浄室５２がその前に設けられ、搬入するウェー
ハの表面に付着した異物、裏面に付着した異物を除去
し、ウェーハによる装置内への異物の持ち込みを防止し
ている。取り入れ取り出し室５３を通して、ウェーハを
真空な搬送室５９にロボットアーム６０により搬入し、
次に、図５に示した異物除去、ライトエッチ室５４に搬
入し、再度ウェーハ表面の異物を除去するとともに、表
面の汚染層を除去し、処理完了後、搬送ロボット６０で
ウェーハを、図３に示すクリーニング機構を設けたスパ
ッタデポ室５７に移し、タングステン膜をスパッタ成膜
する。搬送ロボット６０の搬送アームは、定期的にアー
ム洗浄室５６にウェーハを載置する部分を入れ、その表
面から異物を除去し、搬送するウェーハに異物が付着し
ないようにしている。アーム洗浄室５６には図６に示
す、電子シャワーヘッド４３、除去電極４６があり、先
の実施例で説明した方法でクリーニングする。タングス
テン膜をスパッタ成膜した後、ＣＶＤデポ室５５に搬送
し、ＣＶＤでタングステン膜をさらに成膜した後、取り
入れ取り出し室５３を通ってウェーハ真空室から取り出
し、さらにドライ洗浄室５２でウェーハの表面および裏
面の異物を除去し、処理を完了する。

【００８６】以上述べたように、本実施例では、ドライ
プロセス処理の前後で、異物を除去することで異物によ
る欠陥の発生を防止するとともに、次の工程に異物を持
ち込まないようにしている。また、ドライ洗浄室５２の
前にインラインで異物検査装置を取付けることにより異
物の管理を確実に行うことができ、更に安定な生産を行
うことができる。

【００８７】本発明によるさらなる実施例としては、露
光装置のウェーハステージに図７に示した大気中での異
物除去装置を取り付け、ステージ表面の異物除去、露光
するウェーハの異物除去に用いることができる。

【００８８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エッチングや成膜の対象となるウェーハなどの基板、処
理室の内壁面、成膜のためのターゲットなどの処理室内
のものに付着したいかなる異物も除去することができ、
該基板を異物が付着していない状態、離脱した異物が再
び付着しない状態にすることができ、かかる異物除去処
理を行った状態のままにして、該異物除去処理に続いて
エッチング処理や成膜処理を行わせることができ、露光
工程のように大気中の処理に置いても基板上の異物除
去、露光ステージ表面の異物除去を行った後、続けて露
光処理を行うことができ、作業工程の削減、半導体デバ
イス製造における製品歩留まりの向上が図れ、生産性が
向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明によるプラズマを用いたウェーハに付着
した異物除去装置の構成を示す略断面図である。

【図２】本発明をエッチング装置に適用しエッチング処
理前にウェーハに付着した異物を除去するエッチング装
置の構成を示す略断面図である。

【図３】本発明をスパッタ装置に適用した実施例を示し
た略断面図である。

【図４】本発明により処理室の内面の異物を除去する装
置構成を示した略断面図である。

【図５】本発明により大気中およびドライな雰囲気中で
異物を除去する装置の構成を示す略断面図である。

【図６】本発明をドライプロセス装置に組み込まれた搬
送機構及び真空室内の異物を除去するための装置構成を
示す略断面図である。

【図７】本発明による異物除去装置の別な実施例の構成
を示す略断面図である。

【図８】本発明をドライプロセス装置システムに適用し
た場合のシステム構成を示す略平面図である。

【図９】本願発明における付着異物の振動系モデルを示
す略断面図である。

【符号の説明】

１…処理室、２…ステージ、３…対向電極、４ａ、４ｂ…異物除去用電極、７…信号発生器、８…高周波増幅器、１１、１２…直流電源、１３ａ、１３ｂ…磁石、１４…ヨーク、１５…磁場、１６…プラズマ発生用高周波電源、１８…ウェーハ、１９…石英窓、２０…空洞共振器、２１…スロットアンテナ、２２…ターゲット電極、２３…ターゲット、２４、２５…コイル、２６…ヨーク、２７…スパッタ電源、２８…コイル電源、３０〜３３…スイッチ、３４…高周波電源、３５…アース電極、３６…高周波電源、３７…ローパスフィルタ、４０…高周波電源、４１…リング電極、４２…高周波振動源、４３…電子シャワーヘッド、４５…搬送アーム、４６…除去電極、４７…対向電極、４８…ステージ電極、４９…イオン発生器、５２…ドライ洗浄室、５４…異物除去、ライトエッチ室、５６…アーム洗浄室、６０…搬送ロボット。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大原和博神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者佐々木一郎神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理基板の表面に付着した異物を除去す
る異物除去装置であって、前記異物に前記被処理基板から引き離す方向に力を加え
る引き離し力印加手段と、該引き離す力を振動させる引き離し力振動手段と、該引き離し力を振動させる周波数を変化させる振動周波
数可変手段とを有することを特徴とする異物除去装置。
【請求項２】前記引き離し力印加手段により前記異物に
前記引き離す方向に加える力が、静電的な力であること
を特徴とする請求項１記載の異物除去装置。
【請求項３】前記引き離し力印加手段により前記異物に
前記引き離す方向に加える力が、遠心力であることを特
徴とする請求項１記載の異物除去装置。
【請求項４】前記引き離し力印加手段と前記引き離し力
振動手段と前記振動周波数可変手段とにより前記被処理
基板の表面から引き離された前記異物を、前記被処理基
板の領域の外に排出する異物排出手段を更に有すること
を特徴とする請求項１記載の異物除去方法。
【請求項５】内部に被処理物を載置する載置手段を有す
る処理室内で前記被処理基板の表面に付着した異物を除
去する異物除去装置であって、前記処理室の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生
手段と、前記被処理物を載置した載置手段に直流電圧を印加する
直流電圧印加手段と、前記被処理物を載置した載置手段に周波数可変の高周波
電圧を印加する高周波電圧印加手段とを有することを特
徴とする異物除去装置。
【請求項６】前記直流電圧印加手段が、前記高周波電圧
印加手段により発生する自己バイアス電圧を前記被処理
物を載置した載置手段に印加することを特徴とする請求
項５記載の異物除去装置。
【請求項７】前記処理室の壁面に直流電圧を印加する直
流電圧印加手段と、前記処理室の壁面に周波数可変の高
周波電圧を印加する高周波電圧印加手段とを更に有する
ことを特徴とする請求項５記載の異物除去装置。
【請求項８】内部に被処理物を載置する載置手段を有す
る処理室内で前記被処理基板の表面に付着した異物を除
去する異物除去装置であって、前記処理室の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生
手段と、直流電源に接続して前記処理室の内部で前記プラズマと
導通する陽極を有し、前記直流電源により前記プラズマ
から前記陽極への電子の流入を制御可能な電極手段とを
有することを特徴とする異物除去装置。
【請求項９】前記電極手段は、前記処理室の内部で前記
陽極の表面にほぼ平行な磁場を形成する磁場形成部を更
に有することを特徴とする請求項８記載の異物除去装
置。
【請求項１０】前記載置手段は、該載置手段に直流電圧
を印加する直流電圧印加手段と、該載置手段に周波数可
変の高周波電圧を印加する高周波電圧印加手段とに接続
されていることを特徴とする請求項８記載の異物除去装
置。
【請求項１１】内部に被処理物を載置する載置手段を有
する処理室内で前記被処理基板の表面に付着した異物を
除去する異物除去装置であって、前記処理室の内部にプラズマを発生させるプラズマ発生
手段と、前記処理室の壁面に直流電圧を印加する直流電圧印加手
段と、前記処理室の壁面に周波数可変の高周波電圧を印加する
高周波電圧印加手段とを有することを特徴とする異物除
去装置。
【請求項１２】前記異物除去装置は、直流電源に接続し
て前記処理室の内部で前記プラズマと導通する陽極を有
して前記直流電源により前記プラズマから前記陽極への
電子の流入を制御可能な電極手段を更に備えることを特
徴とする請求項１１記載の異物除去装置。
【請求項１３】前記電極手段は、第２の周波数可変の高
周波電圧を印加する第２の高周波電圧印加手段に接続し
ていることを特徴とする請求項１２記載の異物除去装
置。
【請求項１４】前記載置手段は、該載置手段に直流電圧
を印加する第２の直流電圧印加手段と、該載置手段に第
３の周波数可変の高周波電圧を印加する第３の高周波電
圧印加手段とに接続されていることを特徴とする請求項
１２記載の異物除去装置。
【請求項１５】異物除去対象物をおいた領域に電界を発
生させる電界発生手段と、該発生させた電界を変動させる電界変動手段、前記発生
させた電界の方向を切り替える電界方向切替手段と、前記領域にイオンを供給するイオン供給手段とを有する
ことを特徴とする異物除去装置。
【請求項１６】被処理基板の表面に付着した異物に変動
する外力を印加して前記異物を共振させ、該共振により
前記被処理基板の表面から離れた前記異物を前記被処理
基板の領域外に排除することにより前記被処理基板から
前記異物を除去することを特徴とする異物除去方法。
【請求項１７】前記変動する外力を、前記被処理基板を
載置する載置手段に直流電圧と高周波電圧とを印加する
ことにより発生させ、該高周波電圧の周波数を変動させ
ることにより前記異物を共振させることを特徴とする請
求項１６記載の異物除去方法。
【請求項１８】真空容器内に配置した被処理基板の表面
近傍にプラズマを発生させ、該プラズマと前記被処理基
板の表面との間の電界を変動させることにより前記被処
理基板の表面に付着した異物を共振させ、該共振により
前記被処理基板の表面から離れた前記異物を前記被処理
基板の領域外に配置した電極に吸引させて前記異物を前
記被処理基板の領域外に排除することにより前記被処理
基板から前記異物を除去することを特徴とする異物除去
方法。
【請求項１９】前記被処理基板を載置する載置手段に直
流電圧と高周波電圧とを印加して該高周波電圧の周波数
を変動させることにより前記プラズマと前記被処理基板
の表面との間の電界を変動させて前記被処理基板の表面
に付着した異物を共振させることを特徴とする請求項１
８記載の異物除去方法。
【請求項２０】前記被処理基板を載置する載置手段に直
流電圧を印加し前記真空容器の壁面に高周波電圧を印加
して該高周波電圧の周波数を変動させることにより前記
プラズマと前記被処理基板の表面との間の電界を変動さ
せることにより前記プラズマと前記被処理基板の表面と
の間の電界を変動させて前記被処理基板の表面に付着し
た異物を共振させることを特徴とする請求項１８記載の
異物除去方法。
【請求項２１】請求項８記載の異物除去手段により異物
を除去した後、成膜、エッチングなどの処理をすること
を特徴とする処理方法。
【請求項２２】請求項１１記載の装置により、処理室内
面の異物を除去する処理、基板に付着した異物を除去す
る処理、処理室内で成膜、エッチングなどをする処理を
組み合わせて処理することを特徴とする処理方法。