JP2010147238A - 構成部品の洗浄方法及び記憶媒体 - Google Patents

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Abstract

【課題】異物の他の構成部品への付着を防止しつつ容易に構成部品を洗浄することができる構成部品の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハドライクリーニング装置１０は、処理室１１と、該処理室１１内の下方に配置されてウエハＷを載置する載置台１２と、処理室１１内において載置台１２に対向配置された、パーティクルが付着した捕集板１３と、誘導結合プラズマ生成装置であるプラズマ生成装置１４とを備え、まず、処理室１１内へダミーウエハ２０を搬入し、該ダミーウエハ２０の表面に正電位を発生させ、ダミーウエハ２０よりも捕集板１３の近傍での表面波プラズマの生成、及び表面波プラズマの生成の中止を交互に繰り返し、その後、処理室１１内からダミーウエハ２０を搬出する。
【選択図】図２

Description

本発明は、構成部品の洗浄方法及び記憶媒体に関し、特に、基板処理装置の構成部品に付着したパーティクルをプラズマによって除去する構成部品の洗浄方法に関する。
半導体デバイス用のウエハをドライエッチング処理後等に洗浄する方法として、例えば、洗浄対象のウエハを溶液又は溶剤中に浸漬するか、溶剤又は溶液を噴霧して異物、例えば、パーティクルを取り除き、その後、必要に応じて純水でリンス洗浄するウエット式の基板洗浄方法が採用されている。
ウエット式の基板洗浄方法においては、洗浄後に、基板表面に溶剤又は溶液等が残留すると、ウォーターマーク、表面酸化等の発生の原因となるために、例えば、バッチ式の浸漬工程又は噴霧洗浄工程後に、スピン乾燥工程を設け、残留する溶液、純水等を乾燥、除去している（例えば、特許文献１参照。）。
ところが、スピン乾燥工程において、溶液、純水等を揮発させる際に、気液界面張力がウエハ表面に形成された凸状のパターンに作用してパターン倒れが発生する。また、ウエハが、いわゆるＬｏｗ―Ｋ膜を有する場合には、Ｌｏｗ―Ｋ膜のポーラス部分に溶液、純水等が浸漬し易く、一旦浸漬した液体を完全に取り除くことができない。
そこで、本出願人により、チャンバと、チャンバ内に配置されてウエハを載置且つ加熱可能な載置台と、チャンバ内において載置台に対向配置された捕集板とを備える洗浄装置において、チャンバ内を減圧し、ウエハを加熱して熱応力によりパーティクルをウエハから剥離させ、さらに、ウエハと捕集板の間に温度勾配を発生させて熱泳動力によりパーティクルを捕集板へ移動させるウエハの乾燥洗浄方法が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００８−４１８７３号公報 特願２００８−２７６０２７号明細書
しかしながら、上述したウエハの乾燥洗浄方法を繰り返すと捕集板に付着するパーティクルが増加するため、パーティクルが捕集板から落下してウエハに付着する二次汚染が発生する虞がある。したがって、捕集板を定期的に洗浄して付着したパーティクルを除去する必要があるが、洗浄のために捕集板を洗浄装置から取り出す場合には多大な手間を要する。また、チャンバ内において捕集板を洗浄する場合には捕集板から除去されたパーティクルがチャンバ内において自由に飛散してチャンバ内の他の構成部品に付着する二次汚染が発生する虞がある。
本発明の目的は、異物の他の構成部品への付着を防止しつつ容易に構成部品を洗浄することができる構成部品の洗浄方法及び記憶媒体を提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項１記載の構成部品の洗浄方法は、処理室と、少なくとも一部が前記処理室内に面する、異物が付着した構成部品とを備え、前記処理室内に対して異物吸着部材を搬出入可能な基板処理装置における構成部品の洗浄方法であって、前記処理室内へ前記異物吸着部材を搬入する搬入ステップと、前記異物吸着部材よりも前記構成部品の近傍でプラズマを生じさせる生成ステップと、前記プラズマを消滅させる消滅ステップと、前記処理室内から前記異物吸着部材を搬出する搬出ステップとを有し、前記生成ステップ及び前記消滅ステップを交互に繰り返し、
前記異物吸着部材を、少なくとも前記消滅ステップにおいて正電位にすることを特徴とする。
請求項２記載の構成部品の洗浄方法は、請求項１記載の構成部品の洗浄方法において、前記生成ステップでは前記プラズマを第１の所定の時間に亘って生成し、前記消滅ステップでは前記プラズマを第２の所定の時間に亘って消滅させ、前記第１の所定の時間は、プラズマのスパッタリングによって前記構成部品から少なくとも一部の前記異物が剥離するために充分な時間であり、前記第２の所定の時間は少なくとも一部の前記剥離した異物が前記異物吸着部材の正電位によって引き寄せられて該異物吸着部材に到達するために充分な時間であることを特徴とする。
請求項３記載の構成部品の洗浄方法は、請求項１又は２記載の構成部品の洗浄方法において、前記生成ステップ及び前記消滅ステップの繰り返しをパルス波的に行い、前記パルス波の周波数は１０Ｈｚ〜１００Ｈｚであることを特徴とする。
請求項４記載の構成部品の洗浄方法は、請求項１又は２記載の構成部品の洗浄方法において、前記生成ステップ及び前記消滅ステップの繰り返しをサイン波的に行うことを特徴とする。
請求項５記載の構成部品の洗浄方法は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の構成部品の洗浄方法において、前記生成ステップにおいて、表面波プラズマを生成するプラズマ生成装置によって前記プラズマを前記処理室内に充填することを特徴とする。
請求項６記載の構成部品の洗浄方法は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の構成部品の洗浄方法において、前記消滅ステップにおいて、前記構成部品を負電位にすることを特徴とする。
請求項７記載の構成部品の洗浄方法は、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の構成部品の洗浄方法において、前記生成ステップにおいて、前記構成部品へバイアス電圧を印加することを特徴とする。
請求項８記載の構成部品の洗浄方法は、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の構成部品の洗浄方法において、前記生成ステップにおいて、前記構成部品へ熱、衝撃及び振動の少なくとも１つを付与することを特徴とする。
請求項９記載の構成部品の洗浄方法は、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の構成部品の洗浄方法において、前記異物吸着部材は前記異物を絡め取る捕捉部を有することを特徴とする。
請求項１０記載の構成部品の洗浄方法は、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の構成部品の洗浄方法において、前記基板処理装置は基板乾燥洗浄装置であり、前記構成部品は異物捕集板であり、前記異物吸着部材はダミーウエハであり、前記基板乾燥洗浄装置は前記処理室内に配置され且つ前記ダミーウエハを載置する載置台を備え、前記処理室内へ搬入された前記ダミーウエハは前記載置台を覆うことを特徴とする。
請求項１１記載の構成部品の洗浄方法は、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の構成部品の洗浄方法において、前記基板処理装置はプラズマエッチング装置であり、前記構成部品は上部電極であり、前記異物吸着部材はダミーウエハであり、前記プラズマエッチング装置は前記処理室内に配置され且つ前記ダミーウエハを載置する載置台をさらに備え、前記処理室内へ搬入された前記ダミーウエハは前記載置台を覆うことを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項１２記載の記憶媒体は、処理室と、少なくとも一部が前記処理室内に面する、異物が付着した構成部品とを備え、前記処理室内に対して異物吸着部材を搬出入可能な基板処理装置における構成部品の洗浄方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記洗浄方法は、前記処理室内へ前記異物吸着部材を搬入する搬入ステップと、前記異物吸着部材よりも前記構成部品の近傍でプラズマを生じさせる生成ステップと、前記プラズマを消滅させる消滅ステップと、前記処理室内から前記異物吸着部材を搬出する搬出ステップとを有し、前記生成ステップ及び前記消滅ステップを交互に繰り返し、前記異物吸着部材を、少なくとも前記消滅ステップにおいて正電位にすることを特徴とする。
請求項１記載の構成部品の洗浄方法及び請求項１２記載の記憶媒体によれば、処理室内へ異物吸着部材が搬入された後、異物吸着部材よりも構成部品の近傍でプラズマを生じさせる生成ステップ及びプラズマを消滅させる消滅ステップが交互に繰り返され、さらに、処理室内から異物吸着部材が搬出され、少なくとも消滅ステップにおいて異物吸着部材が正電位にされる。異物吸着部材よりも構成部品の近傍でプラズマが生じると、該プラズマはスパッタリングによって構成部品から異物を剥離し、該剥離した異物はプラズマ中の電子と衝突して負電位になり、負電位の異物はプラズマに起因して異物吸着部材や構成部品の表面近傍に生じるシースからの静電気力によって処理室内を漂う。プラズマが消滅するとシースが消滅し、負電位の異物は正電位の異物吸着部材から静電気力を受けて異物吸着部材へ引き寄せられて吸着される。すなわち、処理室内において、プラズマのスパッタリングによる構成部品からの異物の剥離、及び静電気力による異物吸着部材への異物の吸着が交互に繰り返されるので、構成部品を処理室から取り出すことなく、且つ該構成部品に付着した異物を他の構成部品へ吸着させることなく、異物を異物吸着部材へ転移させることができる。その結果、異物の他の構成部品への付着を防止しつつ容易に構成部品を洗浄することができる。
請求項２記載の構成部品の洗浄方法によれば、プラズマが生成される第１の所定の時間はプラズマのスパッタリングによって構成部品から少なくとも一部の異物が剥離するために充分な時間であり、プラズマが消滅する第２の所定の時間は少なくとも一部の剥離した異物が異物吸着部材の正電位によって引き寄せられて該異物吸着部材に到達するために充分な時間であるので、構成部品からの異物の剥離及び異物吸着部材への異物の吸着を確実に行うことができ、異物の他の構成部品への付着を確実に防止しつつ構成部品を確実に洗浄することができる。
請求項３記載の構成部品の洗浄方法によれば、生成ステップ及び消滅ステップの繰り返しがパルス波的に行われ、該パルス波の周波数は１０Ｈｚ〜１００Ｈｚであるので、生成ステップにおいて構成部品を充分にスパッタできるとともに、消滅ステップにおいてプラズマを消滅させてシースを確実に消滅させることができ、負電位の異物の異物吸着部材への吸着を円滑に行うことができる。
請求項４記載の構成部品の洗浄方法によれば、生成ステップ及び消滅ステップの繰り返しがサイン波的に行われるので、負電位の異物に作用する静電気力の変化を穏やかに行うことができ、急激な静電気力の変化に起因して異物が思わぬ場所へ飛散する等の不具合を防止することができる。
請求項５記載の構成部品の洗浄方法によれば、表面波プラズマを生成するプラズマ生成装置によってプラズマを処理室内に充填するので、高周波電圧のマッチングを必要としない。したがって、プラズマが生成される時間が短時間であっても安定してプラズマを処理室内に存在させることができ、プラズマのスパッタリングによる構成部品からの異物の剥離を確実に行うことができる。
請求項６記載の構成部品の洗浄方法によれば、消滅ステップにおいて、構成部品を負電位にするので、負電位の異物へ構成部品から遠ざかるように静電気力を付与することができ、もって、異物吸着部材への異物の吸着を促進することができるとともに、異物の構成部品への再付着を防止できる。
請求項７記載の構成部品の洗浄方法によれば、生成ステップにおいて、構成部品へバイアス電圧を印加するので、プラズマを構成部品へ確実に引き込むことができ、もって、プラズマのスパッタリングによる構成部品からの異物の剥離を促進することができる。
請求項８記載の構成部品の洗浄方法によれば、生成ステップにおいて、構成部品へ熱、衝撃及び振動の少なくとも１つを付与するので、構成部品からの異物の剥離をより促進することができる。
請求項９記載の構成部品の洗浄方法によれば、異物吸着部材は異物を絡め取る捕捉部を有するので、異物吸着部材が吸着した異物が再飛散するのを防止することができ、もって、処理室内が異物によって再度汚染されるのを防止することができる。
請求項１０記載の構成部品の洗浄方法によれば、処理室内へ搬入されたダミーウエハは載置台を覆うので、異物捕集板から剥離した異物が載置台に付着するのを防止することができる。また、異物をダミーウエハへ吸着させるので、ダミーウエハを搬出するだけで処理室内から異物を除去することができ、もって、異物の除去のために新たな機構を追加する必要性を無くすことができる。
請求項１１記載の構成部品の洗浄方法によれば、処理室内へ搬入されたダミーウエハは載置台を覆うので、上部電極から剥離した異物が載置台に付着するのを防止することができる。また、異物をダミーウエハへ吸着させるので、ダミーウエハを搬出するだけで処理室内から異物を除去することができ、もって、異物の除去のために新たな機構を追加する必要性を無くすことができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
まず、本発明の第１の実施の形態に係る構成部品の洗浄方法について説明する。
図１は、本実施の形態に係る構成部品の洗浄方法を実行するウエハドライクリーニング装置の構成を概略的に示す断面図である。このウエハドライクリーニング装置は半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という）Ｗの表面に付着した異物（以下、「パーティクル」という）を溶剤又は溶液等を用いずに除去する。
図１において、ウエハドライクリーニング装置１０（基板処理装置）は、処理室１１と、該処理室１１内の底部に設けられた載置台１２と、載置台１２と所定の間隔を隔ててその上方に対向配置された捕集板１３（構成部品）と、該捕集板１３の上方に配置されたプラズマ生成装置１４とを備える。載置台１２にはウエハＷが載置される。
載置台１２は絶縁材によって構成されるとともに、静電電極板１５を内蔵し、該静電電極板１５は第１の直流電源１６に接続されている。静電電極板１５に第１の直流電源１６から正の直流電圧が印加されると、ウエハＷにおける載置台１２側の面（以下、「裏面」という。）に電子が引き寄せられるが、載置台１２は絶縁材からなるため、電子はそこに留まり、ウエハＷの裏面に負電位が発生する。このとき、ウエハＷにおける電子の偏在の反作用によってウエハＷにおける捕集板１３側の面（以下、「表面」という。）には正電位が発生する。ウエハＷの裏面に負電位が発生すると、静電電極板１５及びウエハＷの裏面の間に電位差が生じ、該電位差に起因するクーロン力又はジョンソン・ラーベック力により、ウエハＷは載置台１２に吸着保持される。また、載置台１２には、ウエハＷを加熱する電熱ヒータ１７が内蔵されており、電熱ヒータ１７は、第２の直流電源１８に接続されている。
捕集板１３は、例えば、Ｙ２Ｏ３、石英、ポリテトラフルオロエチレン（商品名：テフロン(登録商標)）、Ｓｉ、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等からなる厚さ０．５〜１０ｍｍの平板からなり、その表面の面粗度はパーティクルが付着するように或る値以上に設定される。
プラズマ生成装置１４は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Inductive Coupling Plasma）生成装置であり、高周波電源１９に接続され、処理室１１内に導入された処理ガスから表面波プラズマを生成し、処理室１１内にプラズマを充填する。なお、プラズマ生成装置１４は表面波プラズマを生成する装置であればよく、例えば、ＲＬＳＡ（Radial Line Slot Antenna） マイクロ波プラズマ生成装置やリモートプラズマ生成装置を用いることができる。
ウエハドライクリーニング装置１０においてウエハＷの表面に付着したパーティクルを除去する場合、まず、ウエハＷを載置台１２の上面に載置し、処理室１１内の圧力を圧力調整装置（図示しない）によって所定値に調整する。
次いで、電熱ヒータ１７で、ウエハＷを、例えば、ウエハＷに形成されたフォトレジスト膜の耐熱温度上限、例えば１５０℃まで加熱して、ウエハＷの表面に付着したパーティクルに熱応力と熱泳動力を作用させる。これにより、パーティクルがウエハＷの表面から剥離し、且つ離脱する。すなわち、ウエハＷが１５０℃に加熱されたとき、パーティクルは、熱応力によってウエハＷから剥離する。また、このとき、載置台１２に対向配置された捕集板１３は加熱されていないので、ウエハＷの表面と捕集板１３の温度差が大きくなり、ウエハＷに付着したパーティクルを囲む雰囲気に温度勾配が生じる。この温度勾配に基づいて、ウエハＷの表面から剥離したパーティクルには、高温側であるウエハＷの表面から、低温側である捕集板１３に向かう熱泳動力が作用し、これにより、パーティクルは捕集板１３に向かって移動して捕集板１３に付着・捕捉される。
ここで、熱泳動力とは、以下のように定義される。すなわち、粒子が存在する空間中に大きな温度勾配があるとき、粒子に衝突する気体分子の運動量は、粒子の高温側と低温側とを比較すると高温側の方が大きくなり、これによって、粒子は高温側から低温側へ向かう力を受けるが、このとき粒子が受ける力を熱泳動力という。熱泳動力が大きく作用するのは、圧力が１．３×１０Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）〜１．３ｋＰａ（１０Ｔｏｒｒ）の場合であるため、ウエハＷの表面からパーティクルを除去する際、処理室１１内の圧力を上記圧力範囲に調整するのが好ましい。
このウエハドライクリーニング装置１０においてウエハＷの表面に付着したパーティクルの除去を繰り返すと、捕集板１３に付着するパーティクルが増加するために捕集板１３に付着したパーティクルを除去する必要がある。
図２は、本実施の形態に係る構成部品の洗浄方法としての捕集板洗浄処理を示す工程図である。本処理は、例えば、洗浄対象のウエハＷが処理室１１から搬出された後に実行される。
図２において、まず、処理室１１内へダミーウエハ２０（異物吸着部材）を搬入して載置台１２に載置し、第１の直流電源１６から静電電極板１５へ正の直流電圧を印加してダミーウエハ２０を載置台１２に静電吸着する（搬入ステップ）。このとき、ダミーウエハ２０の表面には正電位が発生する（図２（Ａ））。なお、ダミーウエハ２０が再び処理室１１の外へ搬出されるまで静電電極板１５へ正の直流電圧は印加され続けるため、ダミーウエハ２０の表面にも正電位が発生したままである。
次いで、処理室１１内を図示しない排気装置によって高真空状態（例えば、１．３×１０−３Ｐａ（１．０×１０−５Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧し、処理室１１内に、例えばアルゴンガスを主成分とする処理ガスを導入し、さらに、高周波電源１９からプラズマ生成装置１４へ高周波電圧を印加して表面波プラズマを生成し、処理室１１内にプラズマを充填する。ウエハドライクリーニング装置１０では、載置台１２に静電吸着されたダミーウエハ２０よりも捕集板１３がプラズマ生成装置１４の近傍に位置するため、結果として、ダミーウエハ２０よりも捕集板１３の近傍で表面波プラズマが生成されることになり、ダミーウエハ２０の近傍のプラズマ密度よりも捕集板１３の近傍のプラズマ密度が高くなる。その結果、捕集板１３はプラズマ中の陽イオン（図中「○＋」で示す。）によってスパッタされやすくなり、捕集板１３に付着したパーティクル（図中「●」で示す。）は陽イオンのスパッタリングによって捕集板１３から剥離する（図２（Ａ））。
剥離したパーティクルは処理室１１内へ飛散し、プラズマ中の電子（図中「ｅ−」で示す。）と衝突する。このとき、パーティクルは負に帯電し、該パーティクルには負電位が発生する（図２（Ｂ））。
また、処理室１１内にプラズマが存在している間、該プラズマに起因してダミーウエハ２０の表面近傍や捕集板１３の表面近傍にはシース２１ａ，２１ｂが発生する（図２（Ｃ））。シースはイオン密度が高い領域であり、正電位の陽イオンには引力である静電気力を作用させて該陽イオンをダミーウエハ２０や捕集板１３に向けて加速させるが、負電位の電子やパーティクルには反発力である静電気力を作用させてダミーウエハ２０や捕集板１３から遠ざける。その結果、負電位のパーティクルは重力やシース２１ａ，２１ｂからの静電気力の釣り合いに応じて処理室１１内を漂う（図２（Ｃ））。なお、シース２１ａによってダミーウエハ２０へも陽イオンが引き込まれるため、該ダミーウエハ２０も陽イオンによってスパッタされるが、上述したように、ダミーウエハ２０はプラズマ生成装置１４から遠いため、ダミーウエハ２０近傍のプラズマ密度は低くなり、シース２１ａも薄くなる。そのため、ダミーウエハ２０へ引き込まれる陽イオンの数は少なく、且つエネルギーも小さい。したがって、後述するようにダミーウエハ２０へ吸着したパーティクルが陽イオンのスパッタリングによって再飛散することは殆どあり得ない。
次いで、高周波電源１９からの高周波電圧の印加を中止してプラズマ生成装置１４による表面波プラズマの生成を中止すると、シース２１ａ，２１ｂが消滅する。特に、シース２１ａが消滅すると、該シース２１ａの近傍に存在しているパーティクルにはシース２１ａからの反発力である静電気力が作用しなくなり、また、該パーティクルは正電位のダミーウエハ２０と対峙する。このとき、負電位のパーティクルと正電位のダミーウエハ２０の間には引力である静電気力が発生し、パーティクルはダミーウエハ２０へ引き寄せられて吸着する（図２（Ｄ））。
本処理では、プラズマ生成装置１４による表面波プラズマの生成及び表面波プラズマの生成の中止、すなわち、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示される捕集板１３からのパーティクルの剥離（生成ステップ）、及び図２（Ｄ）に示されるダミーウエハ２０へのパーティクルの吸着（消滅ステップ）を繰り返す。これにより、捕集板１３からのパーティクルの剥離、及びダミーウエハ２０へのパーティクルの吸着を確実に実行する。
プラズマ生成装置１４によって表面波プラズマを生成する時間（第１の所定の時間）は、捕集板１３からの少なくとも一部のパーティクルが剥離するために充分な時間であるのが好ましく、また、プラズマ生成装置１４による表面波プラズマの生成を中止する時間（第２の所定の時間）は、捕集板１３から剥離した一部のパーティクルがダミーウエハ２０の正電位に起因する静電気力によって該ダミーウエハ２０へ引き寄せられて到達するために充分な時間であるのが好ましい。
また、本処理では、高周波電圧をパルス波的に印加すると制御が容易であるため、プラズマ生成装置１４による表面波プラズマの生成及び表面波プラズマの生成の中止の繰り返しを、図３（Ａ）に示すように、パルス波的に行う。パルス波の周波数が高い、例えば、１ＫＨｚ以上である場合、プラズマ生成装置１４への高周波電圧の印加を中止しても表面波プラズマの生成が停止しない。また、表面波プラズマを生成するときに捕集板１３を充分にスパッタし、且つ表面波プラズマを消滅させるときにシースを確実に消滅させてダミーウエハ２０へのパーティクルの吸着を円滑に行うために、表面波プラズマの生成及び表面波プラズマの生成の中止をそれぞれ或る程度の時間だけ継続する必要がある。したがって、パルス波の周波数は低い方が好ましく、例えば、１０Ｈｚ〜１００Ｈｚであるのがよい。
なお、プラズマ生成装置１４による表面波プラズマの生成及び表面波プラズマの生成の中止の繰り返しを、図３（Ｂ）に示すように、サイン波的に行ってもよい。この場合、負電位のパーティクルに作用する静電気力の変化、例えば、反発力から引力への変化、又は引力から反発力への変化を穏やかに行うことができ、急激な静電気力の変化に起因してパーティクルが思わぬ場所へ飛散する等の不具合を防止することができる。
次いで、第１の直流電源１６から静電電極板１５への正の直流電圧の印加を中止してダミーウエハ２０の静電吸着を中止し、ダミーウエハ２０を処理室１１の外へ搬出し（搬出ステップ）（図２（Ｅ））、本処理を終了する。
図２の捕集板洗浄処理によれば、処理室１１内へダミーウエハ２０が搬入され、ダミーウエハ２０の表面に正電位が発生した後、ダミーウエハ２０よりも捕集板１３の近傍での表面波プラズマの生成及び表面波プラズマの生成の中止が交互に繰り返され、その後、処理室１１内からダミーウエハ２０が搬出される。このとき、処理室１１内において、プラズマのスパッタリングによる捕集板１３からのパーティクルの剥離、及び静電気力によるダミーウエハ２０へのパーティクルの吸着が交互に繰り返されるので、捕集板１３を処理室１１から取り出すことなく、且つ該捕集板１３に付着したパーティクルをウエハドライクリーニング装置１０の他の構成部品へ吸着させることなく、パーティクルをダミーウエハ２０へ転移させることができる。その結果、パーティクルの他の構成部品への付着を防止しつつ容易に捕集板１３を洗浄することができる。
上述した図２の捕集板洗浄処理では、処理室１１内へ搬入されたダミーウエハ２０は載置台１２を覆うので、捕集板１３から剥離したパーティクルが載置台１２に付着するのを防止することができる。また、パーティクルをダミーウエハ２０へ吸着させるので、ダミーウエハ２０を搬出するだけで処理室１１内からパーティクルを除去することができる。通常、ウエハドライクリーニング装置１０はダミーウエハ２０を含むウエハを搬出入する機構（図示しない）を備えているため、パーティクルの除去のためだけに新たな機構を追加する必要性を無くすことができる。
通常、平行平板型のプラズマ装置を用いると、プラズマを生成する際に、該プラズマ装置の電極へ印加する高周波電圧をマッチングする必要があり、該マッチングには或る程度の時間を要するため、プラズマの生成及び消滅を繰り返す場合、プラズマが生成される時間が短時間であると、プラズマを充分に生成させられない虞がある。しかしながら、上述した図２の捕集板洗浄処理では、表面波プラズマを生成する誘導結合プラズマ装置であるプラズマ生成装置１４を用いて処理室１１内にプラズマを充填するので、高周波電圧のマッチングを必要としない。したがって、プラズマの生成時間が短時間であっても安定してプラズマを処理室１１内に存在させることができ、プラズマのスパッタリングによる捕集板１３からのパーティクルの剥離を確実に行うことができる。
上述した図２の捕集板洗浄処理では、ダミーウエハ２０を載置台１２に載置して静電吸着したが、ダミーウエハ２０の代わりに帯電して正電位が発生している平板状のカバー２１を異物吸着部材として処理室１１内に挿入し、載置台１２に載置することなく捕集板１３及び載置台１２の間において該載置台１２を覆うように配置してもよい（図４（Ａ））。この場合、捕集板１３から剥離した負電位のパーティクルはカバー２１に吸着するため、該カバー２１を処理室１１の外へ搬出することによって処理室１１内からパーティクルを除去することができる。また、カバー２１も載置台１２を覆うので、捕集板１３から剥離したパーティクルが載置台１２に付着するのを防止することができる。
また、処理室１１内へ挿入される異物吸着部材は上述したカバー２１に限られない、例えば、図４（Ｂ）及び図４（Ｃ）に示す、帯電して正電位が発生しているリング状部材２２を挿入してもよく、若しくは、図４（Ｄ）に示す、帯電して正電位が発生している棒状部材２３を挿入してもよい。この場合も、捕集板１３から剥離した負電位のパーティクルはリング状部材２２又は棒状部材２３に吸着する。なお、リング状部材２２や棒状部材２３にはパーティクルを雰囲気と共に吸引する複数の吸引口２２ａ，２２ｂを有するのが好ましい。これにより、リング状部材２２や棒状部材２３の正電位によって引き寄せられた負電位のパーティクルを吸引して処理室１１の外へ排出することができる。
上述した図２の捕集板洗浄処理において、プラズマのスパッタリングによる捕集板１３からのパーティクルの剥離の際、捕集板１３へ他の高周波電源２４からバイアス電圧を印加してもよい（図５（Ａ））。この場合、バイアス電圧によってプラズマを捕集板１３へ確実に引き込むことができ、もって、パーティクルの剥離を促進することができる。
また、プラズマのスパッタリングによる捕集板１３からのパーティクルの剥離の際、捕集板１３へ熱、衝撃及び振動の少なくとも１つを付与してもよい。これにより、熱応力や衝撃力をパーティクルに作用させてパーティクルの剥離を促進することができる。
なお、上述した図２の捕集板洗浄処理では、処理室１１内にプラズマが充填される際、ダミーウエハ２０へのプラズマのスパッタリングを防止するために、載置台１２へはバイアス電圧を印加しない方が好ましい。
上述した図２の捕集板洗浄処理において、静電気力によるダミーウエハ２０へのパーティクルの吸着の際、第３の直流電源２５から捕集板１３へ負の直流電圧を印加し、該捕集板１３を負電位にしてもよい（図５（Ｂ））。この場合、捕集板１３には負電位が発生し、負電位のパーティクルには捕集板１３から遠ざけるように作用する静電気力が付与されるため、ダミーウエハ２０へのパーティクルの吸着を促進することができるとともに、負電位のパーティクルの捕集板１３への再付着を防止できる。
上述した図２の捕集板洗浄処理では、パーティクルのダミーウエハ２０への吸着に静電気力のみを用いたが、静電気力に加えて熱泳動力も用いることもできる。この場合、図６に示すように、捕集板１３に電熱ヒータ２６を内蔵するとともに載置台１２にペルティエ素子２７を内蔵し、表面波プラズマの生成を中止する際、電熱ヒータ２６によって捕集板１３を加熱し、且つペルティエ素子２７によってダミーウエハ２０を冷却して捕集板１３及びダミーウエハ２０の間の雰囲気に温度勾配を生じさせる。この温度勾配に基づいてパーティクルには高温側である捕集板１３から、低温側であるダミーウエハ２０に向かう熱泳動力が作用する。これにより、ダミーウエハ２０へのパーティクルの吸着をさらに促進することができる。
また、ダミーウエハ２０がその表面に付着したパーティクルを絡め取るパーティクル捕捉部２８を有してもよい（図６）。パーティクル捕捉部２８としては、例えば、プラズマ耐性を有するメッシュ状の構造物や不織布、若しくは粘着シートを用いることができる。
パーティクル捕捉部２８を用いることによってダミーウエハ２０が吸着したパーティクルが再飛散するのを防止することができ、もって、処理室１１内が再飛散したパーティクルによって再度汚染させるのを防止することができる。なお、このときも熱泳動力を大きく作用させるために、処理室１１内の圧力を１．３×１０Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）〜１．３ｋＰａ（１０Ｔｏｒｒ）に調整するのが好ましい。
なお、上述した図２の捕集板洗浄処理では、捕集板１３からのパーティクルの剥離及びダミーウエハ２０へのパーティクルの吸着の繰り返しの間、静電電極板１５への正の直流電圧の印加を継続して行っているが、捕集板１３からのパーティクルの剥離の際、ダミーウエハ２０の表面に正電位が発生しても、シース２１ａが負電位のパーティクルを反発力としての静電気力によってダミーウエハ２０から遠ざけるため、ダミーウエハ２０の表面の正電位に起因する静電気力がパーティクルに殆ど作用しない。したがって、捕集板１３からのパーティクルの剥離の際には静電電極板１５への正の直流電圧の印加を行わず、ダミーウエハ２０へのパーティクルの吸着の際のみ静電電極板１５への正の直流電圧の印加を行ってもよい。
次に、本発明の第２の実施の形態に係る構成部品の洗浄方法について説明する。
図７は、本実施の形態に係る構成部品の洗浄方法を実行するプラズマエッチング装置の構成を概略的に示す断面図である。このプラズマエッチング装置はウエハＷに、例えば、ドライエッチング処理を施す。
図７において、プラズマエッチング装置３０（基板処理装置）は、例えば、直径が３００ｍｍのウエハＷを収容するチャンバ３１（処理室）を有し、該チャンバ３１内の下方にはウエハＷを載置する円柱状のサセプタ３２（載置台）が配置されている。また、プラズマエッチング装置３０では、チャンバ３１の内側壁とサセプタ３２の側面とによって側方排気路３３が形成される。この側方排気路３３の途中には排気プレート３４が配置される。
排気プレート３４は多数の孔を有する板状部材であり、チャンバ３１内部を上部と下部に仕切る仕切り板として機能する。排気プレート３４によって仕切られたチャンバ３１内部の上部（以下、「反応室」という。）３５にはプラズマが発生する。また、チャンバ３１内部の下部（以下、「排気室（マニホールド）」という。）３６にはチャンバ３１内のガスを排出する排気装置（図示しない）が接続される。排気プレート３４は反応室３５に発生するプラズマを捕捉又は反射してマニホールド３６への漏洩を防止する。
排気装置はチャンバ３１内を高真空状態（例えば、１．３×１０−３Ｐａ（１．０×１０−５Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧する。なお、チャンバ３１内の圧力は圧力調整装置（図示しない）によって制御される。
チャンバ３１内のサセプタ３２には第１の高周波電源３７が接続されており、第１の高周波電源３７はバイアス電圧をサセプタ３２に印加する。これにより、サセプタ３２は下部電極として機能する。
サセプタ３２の上部には、静電電極板３８を内部に有し且つ絶縁材によって構成される静電チャック３９が配置され、静電電極板３８に直流電源４０が接続されている。静電電極板３８に正の直流電圧が印加されると、ウエハドライクリーニング装置１０のサセプタ３２に載置されたウエハＷと同様に、ウエハＷにおけるサセプタ３２側の面（以下、「裏面」という。）に負電位が発生し、且つウエハＷにおける裏面とは反対側の面（以下、「表面」という。）には正電位が発生し、該ウエハＷはクーロン力又はジョンソン・ラーベック力により、静電チャック３９に吸着保持される。
静電チャック３９には、吸着保持されたウエハＷを囲うように、リング状部材であるフォーカスリング４０が載置される。フォーカスリング４０は、プラズマの分布域をウエハＷ上だけでなく該フォーカスリング４０上まで拡大してウエハＷの周縁部上におけるプラズマの密度を該ウエハＷの中央部上におけるプラズマの密度と同程度に維持する。
チャンバ３１の天井部には、サセプタ３２と対向するようにシャワーヘッド４１が配置されている。シャワーヘッド４１は、上部電極４２（構成部品）と該上部電極４２を着脱可能に釣支するクーリングプレート４３とを有する。上部電極４２は多数のガス穴４７を有する導電性の円板状部材によって構成されている。クーリングプレート４３の内部にはバッファ室４４が設けられ、このバッファ室４４には処理ガス導入管４５が接続されている。上部電極４２には第２の高周波電源４６が接続されており、該第２の高周波電源４６は比較的高い周波数のプラズマ生成用の高周波電圧をサセプタ３２に印加する。
プラズマエッチング装置３０では、処理ガス導入管４５からバッファ室４４へ供給された処理ガスがガス穴４７を介して反応室３５内へ導入され、該導入された処理ガスは、第２の高周波電源４６から上部電極４２を介して反応室３５内へ印加されたプラズマ生成用の高周波電圧によって励起されてプラズマとなる。該プラズマは、第１の高周波電源３７がサセプタ３２に印加するバイアス電圧によって静電チャック３９に静電吸着されたウエハＷへ引きこまれ、該ウエハＷにドライエッチング処理を施す。
上述したプラズマエッチング装置３０の各構成部品の動作は、プラズマエッチング装置３０が備える制御部（図示しない）のＣＰＵが所定のプログラムに応じて制御する。
このプラズマエッチング装置３０においてウエハＷへのドライエッチング処理を行うと処理ガスに起因する反応生成物やパーティクルが発生することがあり、該ドライエッチング処理を繰り返すと、各構成部品、例えば、上部電極４２に付着する反応生成物やパーティクルが付着することがある。付着したパーティクルがウエハＷへ落下すると半導体デバイスの欠陥を引き起こすことがあるため、上部電極４２に付着した反応生成物やパーティクルを定期的に除去する必要がある。
図８は、本実施の形態に係る構成部品の洗浄方法としての上部電極洗浄処理を示す工程図である。本処理は、例えば、ドライエッチング処理が所定回数繰り返された後に実行される。
図８において、まず、反応室３５内へダミーウエハ２０を搬入して静電チャック３９に載置し、直流電源４０から静電電極板３８へ正の直流電圧を印加してダミーウエハ２０を静電チャック３９に静電吸着する（搬入ステップ）。このとき、ダミーウエハ２０の表面には正電位が発生する（図８（Ａ））。なお、ダミーウエハ２０が再び反応室３５の外へ搬出されるまで静電電極板３８へ正の直流電圧は印加され続けるため、ダミーウエハ２０の表面にも正電位が発生したままである。
次いで、反応室３５内を排気装置によって高真空状態（例えば、１．３×１０−３Ｐａ（１．０×１０−５Ｔｏｒｒ）以下）まで減圧し、反応室３５内に、例えば酸素ガスやアルゴンガスを主成分とする処理ガスを導入し、さらに、第２の高周波電源４６から上部電極４２を介して反応室３５内へプラズマ生成用の高周波電圧を印加して処理ガスから、陽イオンやラジカルを含むプラズマを生成し、反応室３５内にプラズマを充填する。プラズマエッチング装置３０では、上部電極４２そのものにプラズマ生成用の高周波電圧を印加するため、結果として、ダミーウエハ２０よりも上部電極４２の近傍でプラズマが生成されることになり、ダミーウエハ２０の近傍のプラズマ密度よりも上部電極４２の近傍のプラズマ密度が高くなる。その結果、上部電極４２はプラズマ中の陽イオン（図中「○＋」で示す。）によってスパッタされやすくなり、上部電極４２に付着したパーティクル（図中「●」で示す。）は陽イオンのスパッタリングによって上部電極４２から剥離する（図８（Ａ））。なお、このとき、プラズマ中のラジカル（図示しない）も上部電極４２へ容易に到達し、上部電極４２に付着した反応生成物（図示しない）を分解して除去する。
ここで、剥離したパーティクルは反応室３５内へ飛散し、プラズマ中の電子（図中「ｅ−」で示す。）と衝突する。このとき、パーティクルは負に帯電し、該パーティクルには負電位が発生する（図８（Ｂ））。
また、反応室３５内にプラズマが存在している間、該プラズマに起因してダミーウエハ２０の表面近傍や上部電極４２の表面近傍にはシース４８ａ，４８ｂが発生し（図８（Ｃ））、負電位のパーティクルは重力やシース４８ａ，４８ｂからの静電気力の釣り合いに応じて反応室３５内を漂う（図８（Ｃ））。なお、シース２１ａと同様の理由でシース４８ａも薄くなるため、ダミーウエハ２０へ吸着したパーティクルが陽イオンのスパッタリングによって再飛散することは殆どあり得ない。
次いで、第２の高周波電源４６からの高周波電圧の印加を中止してプラズマの生成を中止すると、シース４８ａ，４８ｂが消滅し負電位のパーティクルは正電位のダミーウエハ２０と対峙し、パーティクルは静電気力によってダミーウエハ２０へ引き寄せられて吸着する（図８（Ｄ））。
本処理でも、上述した図２の捕集板洗浄処理と同様に、反応室３５におけるプラズマの生成及びプラズマの消滅、すなわち、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）に示される上部電極４２からのパーティクルの剥離（生成ステップ）、及び図８（Ｄ）に示されるダミーウエハ２０へのパーティクルの吸着（消滅ステップ）を繰り返す。これにより、上部電極４２からのパーティクルの剥離、及びダミーウエハ２０へのパーティクルの吸着を確実に実行する。また、本処理でも、上述した図２の捕集板洗浄処理と同様に、プラズマの生成及びプラズマの消滅の繰り返しをパルス波的に行い、パルス波の周波数は１０Ｈｚ〜１００Ｈｚに設定される。なお、本処理でもプラズマの生成及びプラズマの消滅の繰り返しをサイン波的に行ってもよい。
次いで、直流電源４０から静電電極板３８への正の直流電圧の印加を中止してダミーウエハ２０の静電吸着を中止し、ダミーウエハ２０をチャンバ３１の外へ搬出し（搬出ステップ）（図８（Ｅ））、本処理を終了する。
図８の上部電極洗浄処理によれば、反応室３５内へダミーウエハ２０が搬入され、ダミーウエハ２０の表面に正電位が発生した後、ダミーウエハ２０よりも上部電極４２の近傍でのプラズマの生成及びプラズマの消滅が交互に繰り返され、その後、反応室３５内からダミーウエハ２０が搬出されるので、上部電極４２をチャンバ３１から取り出すことなく、且つ該上部電極４２に付着したパーティクルをプラズマエッチング装置３０の他の構成部品へ吸着させることなく、パーティクルをダミーウエハ２０へ転移させることができる。その結果、パーティクルの他の構成部品への付着を防止しつつ容易に上部電極４２を洗浄することができる。
また、反応室３５内へ搬入されたダミーウエハ２０は静電チャック３９を覆うので、上部電極４２から剥離したパーティクルが静電チャック３９に付着するのを防止することができる。
なお、上述した各実施の形態では、ウエハドライクリーニング装置１０やプラズマエッチング装置３０が処理を施す基板が半導体デバイス用のウエハであったが、処理が施される基板はこれに限られず、例えば、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＦＰＤ（Flat Panel Display）等のガラス基板であってもよい。
また、本発明の目的は、上述した各実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、コンピュータ（例えば、制御部）に供給し、コンピュータのＣＰＵが記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した各実施の形態の機能を実現することになり、プログラムコード及びそのプログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、ＲＡＭ、ＮＶ−ＲＡＭ、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ）等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、他のＲＯＭ等の上記プログラムコードを記憶できるものであればよい。或いは、上記プログラムコードは、インターネット、商用ネットワーク、若しくはローカルエリアネットワーク等に接続される不図示の他のコンピュータやデータベース等からダウンロードすることによりコンピュータに供給されてもよい。
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上記各実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、ＣＰＵ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
更に、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した各実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
上記プログラムコードの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、ＯＳに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。
本発明の第１の実施の形態に係る構成部品の洗浄方法を実行するウエハドライクリーニング装置の構成を概略的に示す断面図である。 本実施の形態に係る構成部品の洗浄方法としての捕集板洗浄処理を示す工程図である。 図２の捕集板洗浄処理における表面波プラズマの生成及び表面波プラズマの生成の中止の繰り返しの様子を示す図であり、図３（Ａ）は該繰り返しをパルス波的に行う場合を示す図であり、図３（Ｂ）は該繰り返しをサイン波的に行う場合を示す図である。 図２の捕集板洗浄処理で用いられる異物吸着部材の変形例を示す図であり、図４（Ａ）は異物吸着部材として平板状のカバーを用いる場合を示す断面図であり、図４（Ｂ）は異物吸着部材としてリング状部材を用いる場合を示す断面図であり、図４（Ｃ）は図４（Ｂ）におけるリング状部材の構造を概略的に示す平面図であり、図４（Ｄ）は異物吸着部材として用いられる棒状部材の構造を概略的に示す平面図である。 図２の捕集板洗浄処理の変形例を示す工程図であり、図５（Ａ）は捕集板へのバイアス電圧の印加の様子を示す断面図であり、図５（Ｂ）は捕集板への負の直流電圧の印加の様子を示す断面図である。 図１のウエハドライクリーニング装置の変形例の構成を概略的に示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る構成部品の洗浄方法を実行するプラズマエッチング装置の構成を概略的に示す断面図である。 本実施の形態に係る構成部品の洗浄方法としての上部電極洗浄処理を示す工程図である。
符号の説明
Ｗ ウエハ
１０ ウエハドライクリーニング装置
１１ 処理室
１２ 載置台
１３ 捕集板
１４ プラズマ生成装置
２０ ダミーウエハ
３０ プラズマエッチング装置
３１ チャンバ
３２ サセプタ
３９ 静電チャック
４２ 上部電極

Claims (12)

  1. 処理室と、少なくとも一部が前記処理室内に面する、異物が付着した構成部品とを備え、前記処理室内に対して異物吸着部材を搬出入可能な基板処理装置における構成部品の洗浄方法であって、
    前記処理室内へ前記異物吸着部材を搬入する搬入ステップと、
    前記異物吸着部材よりも前記構成部品の近傍でプラズマを生じさせる生成ステップと、
    前記プラズマを消滅させる消滅ステップと、
    前記処理室内から前記異物吸着部材を搬出する搬出ステップとを有し、
    前記生成ステップ及び前記消滅ステップを交互に繰り返し、
    前記異物吸着部材を、少なくとも前記消滅ステップにおいて正電位にすることを特徴とする構成部品の洗浄方法。
  2. 前記生成ステップでは前記プラズマを第１の所定の時間に亘って生成し、前記消滅ステップでは前記プラズマを第２の所定の時間に亘って消滅させ、
    前記第１の所定の時間は、プラズマのスパッタリングによって前記構成部品から少なくとも一部の前記異物が剥離するために充分な時間であり、前記第２の所定の時間は少なくとも一部の前記剥離した異物が前記異物吸着部材の正電位によって引き寄せられて該異物吸着部材に到達するために充分な時間であることを特徴とする請求項１記載の構成部品の洗浄方法。
  3. 前記生成ステップ及び前記消滅ステップの繰り返しをパルス波的に行い、前記パルス波の周波数は１０Ｈｚ〜１００Ｈｚであることを特徴とする請求項１又は２記載の構成部品の洗浄方法。
  4. 前記生成ステップ及び前記消滅ステップの繰り返しをサイン波的に行うことを特徴とする請求項１又は２記載の構成部品の洗浄方法。
  5. 前記生成ステップにおいて、表面波プラズマを生成するプラズマ生成装置によって前記プラズマを前記処理室内に充填することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の構成部品の洗浄方法。
  6. 前記消滅ステップにおいて、前記構成部品を負電位にすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の構成部品の洗浄方法。
  7. 前記生成ステップにおいて、前記構成部品へバイアス電圧を印加することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の構成部品の洗浄方法。
  8. 前記生成ステップにおいて、前記構成部品へ熱、衝撃及び振動の少なくとも１つを付与することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の構成部品の洗浄方法。
  9. 前記異物吸着部材は前記異物を絡め取る捕捉部を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の構成部品の洗浄方法。
  10. 前記基板処理装置は基板乾燥洗浄装置であり、前記構成部品は異物捕集板であり、前記異物吸着部材はダミーウエハであり、
    前記基板乾燥洗浄装置は前記処理室内に配置され且つ前記ダミーウエハを載置する載置台を備え、
    前記処理室内へ搬入された前記ダミーウエハは前記載置台を覆うことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の構成部品の洗浄方法。
  11. 前記基板処理装置はプラズマエッチング装置であり、前記構成部品は上部電極であり、前記異物吸着部材はダミーウエハであり、
    前記プラズマエッチング装置は前記処理室内に配置され且つ前記ダミーウエハを載置する載置台をさらに備え、
    前記処理室内へ搬入された前記ダミーウエハは前記載置台を覆うことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の構成部品の洗浄方法。
  12. 処理室と、少なくとも一部が前記処理室内に面する、異物が付着した構成部品とを備え、前記処理室内に対して異物吸着部材を搬出入可能な基板処理装置における構成部品の洗浄方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記洗浄方法は、
    前記処理室内へ前記異物吸着部材を搬入する搬入ステップと、
    前記異物吸着部材よりも前記構成部品の近傍でプラズマを生じさせる生成ステップと、
    前記プラズマを消滅させる消滅ステップと、
    前記処理室内から前記異物吸着部材を搬出する搬出ステップとを有し、
    前記生成ステップ及び前記消滅ステップを交互に繰り返し、
    前記異物吸着部材を、少なくとも前記消滅ステップにおいて正電位にすることを特徴とする記憶媒体。
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KR1020090126241A KR101204175B1 (ko) 2008-12-18 2009-12-17 구성부품의 세정 방법 및 기억 매체
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150073847A (ko) * 2013-12-20 2015-07-01 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치, 이물 제거 방법, 및 물품의 제조 방법
JP2016025291A (ja) * 2014-07-24 2016-02-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の運転方法
KR20160121429A (ko) * 2015-04-09 2016-10-19 램 리써치 코포레이션 고밀도 플라즈마 cvd 시스템들에서 제 1 웨이퍼 금속 오염 효과 제거
JP2021118323A (ja) * 2020-01-29 2021-08-10 Hoya株式会社 静電チャッククリーナー及び静電チャックのクリーニング方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9186709B2 (en) * 2011-03-23 2015-11-17 Sri International Active electroadhesive cleaning
US9358590B2 (en) 2011-03-23 2016-06-07 Sri International Electroadhesive surface cleaner
CN103035466B (zh) * 2011-10-08 2016-06-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种预清洗方法及等离子体设备
US10786837B2 (en) * 2015-11-30 2020-09-29 Tokyo Electron Limited Method for cleaning chamber of substrate processing apparatus
CN107863304B (zh) * 2017-11-08 2020-08-04 上海华力微电子有限公司 一种检测静电吸盘表面颗粒污染物的方法
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
JP7451540B2 (ja) 2019-01-22 2024-03-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
US11607716B1 (en) * 2020-06-23 2023-03-21 Kla Corporation Systems and methods for chuck cleaning
US11462389B2 (en) 2020-07-31 2022-10-04 Applied Materials, Inc. Pulsed-voltage hardware assembly for use in a plasma processing system
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US20220399185A1 (en) 2021-06-09 2022-12-15 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11776788B2 (en) 2021-06-28 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage boost for substrate processing
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786259A (ja) * 1993-07-19 1995-03-31 Hitachi Ltd 異物除去方法及び装置
JPH08167643A (ja) * 1994-12-14 1996-06-25 Hitachi Ltd 試料保持装置及びその塵埃除去方法
JP2007027496A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング装置および微粒子除去方法
JP2007035949A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP2008027798A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Canon Inc プラズマ処理装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3405439B2 (ja) * 1996-11-05 2003-05-12 株式会社荏原製作所 固体表面の清浄化方法
US6093332A (en) * 1998-02-04 2000-07-25 Lam Research Corporation Methods for reducing mask erosion during plasma etching
KR20030049086A (ko) 2001-12-14 2003-06-25 (주)에이피엘 기판 건식 세정 장치 및 방법
US7122125B2 (en) * 2002-11-04 2006-10-17 Applied Materials, Inc. Controlled polymerization on plasma reactor wall
KR20040107983A (ko) * 2003-06-16 2004-12-23 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치
US20050241762A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Applied Materials, Inc. Alternating asymmetrical plasma generation in a process chamber
JP4791905B2 (ja) 2006-08-04 2011-10-12 パナソニック株式会社 基板洗浄方法
JP5395405B2 (ja) 2008-10-27 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法及び装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786259A (ja) * 1993-07-19 1995-03-31 Hitachi Ltd 異物除去方法及び装置
JPH08167643A (ja) * 1994-12-14 1996-06-25 Hitachi Ltd 試料保持装置及びその塵埃除去方法
JP2007027496A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング装置および微粒子除去方法
JP2007035949A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置
JP2008027798A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Canon Inc プラズマ処理装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150073847A (ko) * 2013-12-20 2015-07-01 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치, 이물 제거 방법, 및 물품의 제조 방법
US10201927B2 (en) 2013-12-20 2019-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, foreign particle removal method, and method of manufacturing article
KR102047143B1 (ko) * 2013-12-20 2019-12-02 캐논 가부시끼가이샤 임프린트 장치, 이물 제거 방법, 및 물품의 제조 방법
JP2016025291A (ja) * 2014-07-24 2016-02-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の運転方法
KR20160121429A (ko) * 2015-04-09 2016-10-19 램 리써치 코포레이션 고밀도 플라즈마 cvd 시스템들에서 제 1 웨이퍼 금속 오염 효과 제거
KR102654243B1 (ko) 2015-04-09 2024-04-04 램 리써치 코포레이션 고밀도 플라즈마 cvd 시스템들에서 제 1 웨이퍼 금속 오염 효과 제거
JP2021118323A (ja) * 2020-01-29 2021-08-10 Hoya株式会社 静電チャッククリーナー及び静電チャックのクリーニング方法

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