JP5638682B2 - プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5638682B2 JP5638682B2 JP2013220923A JP2013220923A JP5638682B2 JP 5638682 B2 JP5638682 B2 JP 5638682B2 JP 2013220923 A JP2013220923 A JP 2013220923A JP 2013220923 A JP2013220923 A JP 2013220923A JP 5638682 B2 JP5638682 B2 JP 5638682B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- plasma
- substrate
- electrode
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
記載の多層レジストプロセスについて、簡単に説明する。
が、無機膜加工において、シリコン系の上部電極のスパッタリングの効果が得られないため、高電子密度のプラズマを用いた場合、フォトレジスト選択比が低下する問題が生じる。
続されており、該高周波電源20は、比較的高い周波数、例えば、40MHzの高周波電力をサセプタ12に供給する。これにより、サセプタ12は下部電極として機能する。また、整合器22は、サセプタ12からの高周波電力の反射を低減して高周波電力のサセプタ12への供給効率を最大にする。サセプタ12は高周波電源20から供給された40MHzの高周波電力を処理空間Sに印加する。
W 半導体ウエハ
10 プラズマ処理装置
11 基板処理室
12 サセプタ
20 高周波電源
34 ガス導入シャワーヘッド
38 上部電極板
46 他の高周波電源
49 直流電源
52 制御部
53 データベース
54 スイッチ
Claims (12)
- 基板が搬入される処理空間を有し且つ該処理空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室と、該基板処理室内に配置され且つ高周波電源に接続された第1の電極と、前記処理空間に露出する露出部を有し且つ前記基板処理室及び前記第1の電極から電気的に絶縁されている第2の電極とを備えるプラズマ処理装置において、
前記基板には無機膜及び有機膜が形成されており、
前記露出部はシリコン系の材料からなり、
前記基板の無機膜にプラズマ処理を施す際には、前記処理空間内に発生するプラズマ及び前記第2の電極の電位差を、当該第2の電極が有する露出部が前記プラズマによってスパッタリングされる値に設定し、
前記基板の有機膜にプラズマ処理を施す際には、前記第2の電極は電気的に絶縁され、前記プラズマ及び前記第2の電極の電位差を、当該第2の電極が有する露出部が前記プラズマによってスパッタリングされることがない値に設定することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記第2の電極は直流電源に接続されることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記第2の電極と前記直流電源との間に配され、前記基板の有機膜にプラズマ処理を施す際に、当該第2の電極と当該直流電源との電気的接続を遮断し、該第2の電極を電気的に絶縁するスイッチ手段をさらに備えることを特徴とする請求項2記載のプラズマ処理装置。
- 前記基板の無機膜にプラズマ処理を施す際には、前記第2の電極は接地されることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記基板の無機膜にプラズマ処理を施す際には、前記第2の電極に所望の直流電圧を発生させる27MHz以下の高周波電力が印加されることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記基板の有機膜にプラズマ処理を施す際には、前記第2の電極の電位をシリコン系の材料のスパッタイールドが立ち上がる閾値である50eV以下に設定することを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 基板が搬入される処理空間を有し且つ該処理空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室と、該基板処理室内に配置され且つ高周波電源に接続された第1の電極と、前記処理空間に露出する露出部を有し且つ前記基板処理室及び前記第1の電極から電気的に絶縁されている第2の電極とを備えるプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、
前記基板には無機膜及び有機膜が形成されており、
前記露出部はシリコン系の材料からなり、
前記基板の無機膜にプラズマ処理を施す無機膜処理ステップと、
前記基板の有機膜にプラズマ処理を施す有機膜処理ステップとを有し、
前記無機膜処理ステップでは、前記処理空間内に発生するプラズマ及び前記第2の電極の電位差を、当該第2の電極が有する露出部が前記プラズマによってスパッタリングされる値に設定し、
前記有機膜処理ステップでは、前記第2の電極を電気的に絶縁し、前記プラズマ及び前記第2の電極の電位差を、当該第2の電極が有する露出部が前記プラズマによってスパッタリングされることがない値に設定することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記第2の電極に直流電源を接続する直流電源接続ステップを有することを特徴とする請求項7記載のプラズマ処理方法。
- 前記無機膜処理ステップでは、前記第2の電極を接地することを特徴とする請求項7記載のプラズマ処理方法。
- 前記無機膜処理ステップでは、前記第2の電極に所望の直流電圧を発生させる27MHz以下の高周波電力を印加することを特徴とする請求項7記載のプラズマ処理方法。
- 前記有機膜処理ステップでは、前記第2の電極の電位をシリコン系の材料のスパッタイールドが立ち上がる閾値である50eV以下に設定することを特徴とする請求項7記載のプラズマ処理方法。
- 基板が搬入される処理空間を有し且つ該処理空間において前記基板にプラズマ処理を施す基板処理室と、該基板処理室内に配置され且つ高周波電源に接続された第1の電極と、前記処理空間に露出する露出部を有し且つ前記基板処理室及び前記第1の電極から電気的に絶縁されている第2の電極とを備えるプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、
前記基板には無機膜及び有機膜が形成されており、
前記露出部はシリコン系の材料からなり、
前記プラズマ処理方法は、
前記基板の無機膜にプラズマ処理を施す無機膜処理ステップと、
前記基板の有機膜にプラズマ処理を施す有機膜処理ステップとを有し、
前記無機膜処理ステップでは、前記処理空間内に発生するプラズマ及び前記第2の電極の電位差を、当該第2の電極が有する露出部が前記プラズマによってスパッタリングされる値に設定し、
前記有機膜処理ステップでは、前記第2の電極を電気的に絶縁し、前記プラズマ及び前記第2の電極の電位差を、当該第2の電極が有する露出部が前記プラズマによってスパッタリングされることがない値に設定することを特徴とすることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013220923A JP5638682B2 (ja) | 2006-03-22 | 2013-10-24 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006079638 | 2006-03-22 | ||
JP2006079638 | 2006-03-22 | ||
JP2013220923A JP5638682B2 (ja) | 2006-03-22 | 2013-10-24 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006168684A Division JP5461759B2 (ja) | 2006-03-22 | 2006-06-19 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014039060A JP2014039060A (ja) | 2014-02-27 |
JP5638682B2 true JP5638682B2 (ja) | 2014-12-10 |
Family
ID=50286894
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013220923A Active JP5638682B2 (ja) | 2006-03-22 | 2013-10-24 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5638682B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7382848B2 (ja) * | 2020-02-20 | 2023-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
CN111900120B (zh) * | 2020-08-28 | 2022-07-15 | 上海华力微电子有限公司 | 提升静电吸盘使用寿命的方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07273089A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2001156041A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 |
TWI447802B (zh) * | 2004-06-21 | 2014-08-01 | Tokyo Electron Ltd | A plasma processing apparatus, a plasma processing method, and a computer-readable recording medium |
-
2013
- 2013-10-24 JP JP2013220923A patent/JP5638682B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014039060A (ja) | 2014-02-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9362090B2 (en) | Plasma processing apparatus, plasma processing method, and storage medium | |
JP5461759B2 (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 | |
US9177823B2 (en) | Plasma etching method and plasma etching apparatus | |
US8236109B2 (en) | Component cleaning method and storage medium | |
TWI525694B (zh) | Chamber cleaning method | |
US10115614B2 (en) | Transfer chamber and method for preventing adhesion of particle | |
JP4963842B2 (ja) | 基板処理室の洗浄方法、記憶媒体及び基板処理装置 | |
JP4652140B2 (ja) | プラズマエッチング方法、制御プログラム、コンピュータ記憶媒体 | |
US8404595B2 (en) | Plasma processing method | |
US8216485B2 (en) | Plasma etching method, plasma etching apparatus, control program and computer-readable storage medium | |
KR101720670B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 그 클리닝 방법 및 프로그램을 기록한 기록매체 | |
US7326358B2 (en) | Plasma processing method and apparatus, and storage medium | |
EP2879166B1 (en) | Plasma processing method | |
CN101355017B (zh) | 等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和存储介质 | |
JP5638682B2 (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 | |
JP2007266296A (ja) | 基板処理装置及び側壁部品 | |
JP4885586B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP4928832B2 (ja) | エッチング方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
US7608544B2 (en) | Etching method and storage medium | |
US7569478B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device, control program and computer storage medium | |
JP5089871B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006210461A (ja) | プロセス装置の洗浄方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体 | |
KR20030089920A (ko) | 반도체 장치 제조에서의 파티클 처리 방법 및 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140722 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140905 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140930 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5638682 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |