JPS59181619A - 反応性イオンエツチング装置 - Google Patents
反応性イオンエツチング装置Info
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- JPS59181619A JPS59181619A JP5602983A JP5602983A JPS59181619A JP S59181619 A JPS59181619 A JP S59181619A JP 5602983 A JP5602983 A JP 5602983A JP 5602983 A JP5602983 A JP 5602983A JP S59181619 A JPS59181619 A JP S59181619A
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- electrode
- etching
- electrodes
- gas
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置の製造プロセスの一部で使用され
る反応性イオンエツチング装置に係り、特にその系内の
微小な塵を静電効果により電極に吸引する機能を有する
静電集塵器付きの反応性イオンエツチング装置に関する
。
る反応性イオンエツチング装置に係り、特にその系内の
微小な塵を静電効果により電極に吸引する機能を有する
静電集塵器付きの反応性イオンエツチング装置に関する
。
半導体装置、特に集積回路が高密度になってくると、そ
のパターンはますます細く長くなってくる。このような
パターンの形成は、フォトリングラフィ技術によるレジ
スト・七ターンの形成と、このレジス）／ｆターンをマ
スクとする下地材料のエツチングとから成る。このエツ
チングに際、しては、配線幅が３μ以下になるとレジス
トマスク寸法に忠実にエツチングが可能である異方性エ
ツチングが必須とされる。この要求を満たす技術として
実用化されているのが反応性イオンエツチングである。
のパターンはますます細く長くなってくる。このような
パターンの形成は、フォトリングラフィ技術によるレジ
スト・七ターンの形成と、このレジス）／ｆターンをマ
スクとする下地材料のエツチングとから成る。このエツ
チングに際、しては、配線幅が３μ以下になるとレジス
トマスク寸法に忠実にエツチングが可能である異方性エ
ツチングが必須とされる。この要求を満たす技術として
実用化されているのが反応性イオンエツチングである。
このエツチングの方法は、真空チャンバー（容器）内に
相対向する電極を設け、一方の電極を接地し、他方の電
極に高周波電力を印加し、この高周波電力印加′ 側の
電極上に被エツチング材を載置する。そして、前記真空
容器内に反応性ガスを導入して放電を行なわせると、イ
オン、ラジカル等の活性種が生成される。前記電極間に
発生する直流自己バイアスにより上記イオンが加速され
て被エツチング材に垂直に入射する。このため、被エツ
チング材はその表面のマスクの影の部分はイオン照射に
さらされないのでエツチング速度が大変遅くなり、上記
マスク通りのパターンを転写し得る異方性エツチングが
可能になる。
相対向する電極を設け、一方の電極を接地し、他方の電
極に高周波電力を印加し、この高周波電力印加′ 側の
電極上に被エツチング材を載置する。そして、前記真空
容器内に反応性ガスを導入して放電を行なわせると、イ
オン、ラジカル等の活性種が生成される。前記電極間に
発生する直流自己バイアスにより上記イオンが加速され
て被エツチング材に垂直に入射する。このため、被エツ
チング材はその表面のマスクの影の部分はイオン照射に
さらされないのでエツチング速度が大変遅くなり、上記
マスク通りのパターンを転写し得る異方性エツチングが
可能になる。
ところで、上述したような反応性イオンエツチングにお
いて、被エツチングガスは反応性ガスと結合して蒸発性
物質として除去されるが、この他にたとえばレジスト等
の構成物質はイオン衝撃により分解され、また再重合さ
れる過程を経るので、系内には微小な重合膜の塵が発生
する。この他に反応性イオンエツチングにおいては、反
応性ガスとして主としてｃＦ４． ｃｃｔ４等のハロゲ
ンの炭素化合物が使用されるが、これらのガスを放電さ
せるとｃＸＦＹやｃＸｃｔＹ等の重合物が発生し、これ
らは通常固体であるので塵の原因となる。このように反
応性イオンエツチングにおいては、外部から塵を持ち込
まないように注意しても微小な塵の発生は原理的に不可
避である。
いて、被エツチングガスは反応性ガスと結合して蒸発性
物質として除去されるが、この他にたとえばレジスト等
の構成物質はイオン衝撃により分解され、また再重合さ
れる過程を経るので、系内には微小な重合膜の塵が発生
する。この他に反応性イオンエツチングにおいては、反
応性ガスとして主としてｃＦ４． ｃｃｔ４等のハロゲ
ンの炭素化合物が使用されるが、これらのガスを放電さ
せるとｃＸＦＹやｃＸｃｔＹ等の重合物が発生し、これ
らは通常固体であるので塵の原因となる。このように反
応性イオンエツチングにおいては、外部から塵を持ち込
まないように注意しても微小な塵の発生は原理的に不可
避である。
しかしこのような微小な塵が被エツチング材である半導
体ウェハの表面に付着していると、これがエツチングマ
スクとなって微細加工上の障害（たとえばウェハ上に形
成される配線相互の短絡等）が生じる。
体ウェハの表面に付着していると、これがエツチングマ
スクとなって微細加工上の障害（たとえばウェハ上に形
成される配線相互の短絡等）が生じる。
一方、ロードロック型の反応性イオンエツチング装置に
おいては、系内は通常高真空に保たれており、予備排気
室中のウェハが搬送をれてきたのちエツチング室と予備
排気室とは切シ離される。その後、エツチング室に反応
性ガスが所定量流入され、所定の圧力に調節が終了した
時点で放電が開始される。エツチング終了後にはガス導
入は止められ、残留ガスが無くなるまで排気され、再び
予備排気室と連結されてウェハが取シ出される。このよ
うなロードロ、り型の反応性イオンエツチング装置にお
いては、系内の微小な塵は系内にガス流が存在しな°い
ときには安定な状態にあって舞い上がることはない。
おいては、系内は通常高真空に保たれており、予備排気
室中のウェハが搬送をれてきたのちエツチング室と予備
排気室とは切シ離される。その後、エツチング室に反応
性ガスが所定量流入され、所定の圧力に調節が終了した
時点で放電が開始される。エツチング終了後にはガス導
入は止められ、残留ガスが無くなるまで排気され、再び
予備排気室と連結されてウェハが取シ出される。このよ
うなロードロ、り型の反応性イオンエツチング装置にお
いては、系内の微小な塵は系内にガス流が存在しな°い
ときには安定な状態にあって舞い上がることはない。
しかし、前記エツチングのシーケンス中で特に最初に反
応性ガスがエツチング室内に流入されるときには、通常
１０−”ｒｏｒｒ程度の真空度に保たれている系に反応
性ガスが１０〜１００部／ｍｉｎ導入されて一挙に１０
〜１Ｔｏｒｒ程度に変化するので、このときには系内に
大きなガス流が生じて微小な塵が舞い上がシ、やはり前
述したような障害となる。
応性ガスがエツチング室内に流入されるときには、通常
１０−”ｒｏｒｒ程度の真空度に保たれている系に反応
性ガスが１０〜１００部／ｍｉｎ導入されて一挙に１０
〜１Ｔｏｒｒ程度に変化するので、このときには系内に
大きなガス流が生じて微小な塵が舞い上がシ、やはり前
述したような障害となる。
そこで、上記したような微小な塵を除去する必要があり
、従来は定期的にエツチング装置を開けて内部を洗浄し
ていたが、こｉはあまり有効な方法ではない。つまり、
系内の微小な塵は洗浄では除去しきれるものではなく、
また洗浄回数を多く増やすことは生産性の低下を招来し
、実用的ではない。
、従来は定期的にエツチング装置を開けて内部を洗浄し
ていたが、こｉはあまり有効な方法ではない。つまり、
系内の微小な塵は洗浄では除去しきれるものではなく、
また洗浄回数を多く増やすことは生産性の低下を招来し
、実用的ではない。
したがって、系内に微小な塵が存在することは止むを得
ないとしても、それがエツチングシーケンスの途中で舞
い上がってウェハ表面に付着するのを効果的に抑制する
手段の実現が強く要望されている。
ないとしても、それがエツチングシーケンスの途中で舞
い上がってウェハ表面に付着するのを効果的に抑制する
手段の実現が強く要望されている。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、エツチン
グ室内に反応性ガスを導入したときに舞い上がる微小な
塵が被エツチング材の表面に付着することを防止でき、
塵に起因するエツチング上の障害を減少し得る反応性イ
オンエツチング装置を提供するものである。
グ室内に反応性ガスを導入したときに舞い上がる微小な
塵が被エツチング材の表面に付着することを防止でき、
塵に起因するエツチング上の障害を減少し得る反応性イ
オンエツチング装置を提供するものである。
前述したように、系内に存在する微少な塵の多くは、反
応性ガスに起因する重合物とかレジストのくず等の絶縁
物であって、これらが反応性ガス導入時に系内に生じる
流れによって舞い上がる。この点に着目し、本発明の反
応性イオンエツチング装置は、真空容器内に反応性ガス
を導入したときに容器内に生じる力スの流れの経路に沿
って相対向する電極を設け、この対向電極間に高電圧を
印加するによって起こる放電によｐ対向電極間に浮遊す
る塵をイオン化させ、このイオン化した塵を電極間の静
電界によって移動させ各電極側に吸引するようにしてな
ることを特徴とするものである。
応性ガスに起因する重合物とかレジストのくず等の絶縁
物であって、これらが反応性ガス導入時に系内に生じる
流れによって舞い上がる。この点に着目し、本発明の反
応性イオンエツチング装置は、真空容器内に反応性ガス
を導入したときに容器内に生じる力スの流れの経路に沿
って相対向する電極を設け、この対向電極間に高電圧を
印加するによって起こる放電によｐ対向電極間に浮遊す
る塵をイオン化させ、このイオン化した塵を電極間の静
電界によって移動させ各電極側に吸引するようにしてな
ることを特徴とするものである。
したがって、上記反応性イオンエツチング装置によれば
、被エツチング材の表面に塵がはＩホ完全に存在しない
状態でエツチングが可能となシ、微細加工に際してエツ
チング上の陣害を招来するおそれが極めて少なくなシ、
シかも塵は集塵用電極に引き付けられるので、従来のよ
うな除塵作業は不要になる。
、被エツチング材の表面に塵がはＩホ完全に存在しない
状態でエツチングが可能となシ、微細加工に際してエツ
チング上の陣害を招来するおそれが極めて少なくなシ、
シかも塵は集塵用電極に引き付けられるので、従来のよ
うな除塵作業は不要になる。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。第１図において、１θは真空容器であって、その内
部のエツチング室１１には上下に相対向する上部電極１
２および下部電極１３が設けられている。上部電極１２
は接地され、下部電極１３は図示しないが加熱源により
加熱可能であって、外部の高周波電源１４がらインピー
ダンス整合回路網１５を介して高周波電力が印加される
ようになっており、その上面に被エツチング材１６が載
置される。１７は上記真空容器１ｏのたとえば上面部に
設けられたガス導入孔であり、外部の反応性ガス源１８
から流量調整器１９および上記ガス導入孔１７を介して
反応性ガスがエツチング室ＩＪ内に導入されるようにな
っている。２０は真空容器１０の側面部から排気を行な
うための排気孔であって、外部の排気系（図示せず）に
接続されている。２１は上記排気孔２０とエツチング室
１ノとの間に設けられた圧力調節弁であって、エツチン
グ室を所定の圧力に保つためのものである。
る。第１図において、１θは真空容器であって、その内
部のエツチング室１１には上下に相対向する上部電極１
２および下部電極１３が設けられている。上部電極１２
は接地され、下部電極１３は図示しないが加熱源により
加熱可能であって、外部の高周波電源１４がらインピー
ダンス整合回路網１５を介して高周波電力が印加される
ようになっており、その上面に被エツチング材１６が載
置される。１７は上記真空容器１ｏのたとえば上面部に
設けられたガス導入孔であり、外部の反応性ガス源１８
から流量調整器１９および上記ガス導入孔１７を介して
反応性ガスがエツチング室ＩＪ内に導入されるようにな
っている。２０は真空容器１０の側面部から排気を行な
うための排気孔であって、外部の排気系（図示せず）に
接続されている。２１は上記排気孔２０とエツチング室
１ノとの間に設けられた圧力調節弁であって、エツチン
グ室を所定の圧力に保つためのものである。
さらに、本発明においては、エツチング室１１内の反応
性ガス導入時におけるガス流の経路に沿って相対向する
電極が設けられている。
性ガス導入時におけるガス流の経路に沿って相対向する
電極が設けられている。
即ち、たとえば前記ガス導入孔１７に対して同心円筒状
でそれぞれ通気穴２２を有する小径の第１電極２３およ
び径大の第２電極２４が設けられ、両電極２３．２４間
をガス流が通るようになっている。そして、この′電極
２３，２４間に直流の高電圧が選択的に印加し得るよう
になっている。即ち、たとえば第１電極２３゛は前記上
部電極１３に取り付けられると共に電気的に接続される
ことによって接地され、第２電極２４は絶縁材２５によ
り支持されると共に外部のスイッチ２６を介して高電圧
の直流電源２７または接地嬢に選択的に接続されるよう
になっている。なお、上記各電極２３．２４の材料は後
述するように直流放電を接続するために導体でなくては
ならないが、エツチング時にウェハに対する汚染源にな
っては困るので、ここではシリコン材が用いられている
。
でそれぞれ通気穴２２を有する小径の第１電極２３およ
び径大の第２電極２４が設けられ、両電極２３．２４間
をガス流が通るようになっている。そして、この′電極
２３，２４間に直流の高電圧が選択的に印加し得るよう
になっている。即ち、たとえば第１電極２３゛は前記上
部電極１３に取り付けられると共に電気的に接続される
ことによって接地され、第２電極２４は絶縁材２５によ
り支持されると共に外部のスイッチ２６を介して高電圧
の直流電源２７または接地嬢に選択的に接続されるよう
になっている。なお、上記各電極２３．２４の材料は後
述するように直流放電を接続するために導体でなくては
ならないが、エツチング時にウェハに対する汚染源にな
っては困るので、ここではシリコン材が用いられている
。
次に１上記反応性イオンエツチング装置における動作を
エツチングシーケンスに沿って説明する。先ず、下部電
極１３上に被エツチング材である半導体ウェハを設置す
る。次に、真空容器１ｏ内が高真空の状態におりで、ス
イッチ２６によ多直流電源２７から高電圧（たとえば１
．５ｋＶ）を第２電極２４に印加する。次に、反応性ガ
スを真空容器１０内に導入し、所定の流量、圧力に達す
るまでこれを縁ける。このときのガス流の変化によシ、
前回以前のエツチング時に前述したように発生して容器
内壁や上部電極１２の表面等に付着していた塵が舞い上
がる。
エツチングシーケンスに沿って説明する。先ず、下部電
極１３上に被エツチング材である半導体ウェハを設置す
る。次に、真空容器１ｏ内が高真空の状態におりで、ス
イッチ２６によ多直流電源２７から高電圧（たとえば１
．５ｋＶ）を第２電極２４に印加する。次に、反応性ガ
スを真空容器１０内に導入し、所定の流量、圧力に達す
るまでこれを縁ける。このときのガス流の変化によシ、
前回以前のエツチング時に前述したように発生して容器
内壁や上部電極１２の表面等に付着していた塵が舞い上
がる。
また、上述したようにガスを導入すると、容器１０内の
圧力は急激に上昇し、第１．第２電極２・３，２４間に
直流放電が生起される。この直流放電によって、上記両
電極２３．２４間に前述したように舞い上がシ浮遊して
いる微小な塵の多くはイオン化される。このイオン化さ
れた塵は、上記両電極２３．２４間の静電場により移動
し、イオン化による極性に応じて第１電極２３または第
２電極２４の表面に付着する。したがって、被エツチン
グ材、たとえば半導体ウェハ１６の表面に爬が付着する
ことは殆んどない。こののち、ガスの導入が終了し、容
器１０内のガス流が安定すると、塵が舞い上がることは
なく、ウェハ１６の表面に塵が付着することはない。
圧力は急激に上昇し、第１．第２電極２・３，２４間に
直流放電が生起される。この直流放電によって、上記両
電極２３．２４間に前述したように舞い上がシ浮遊して
いる微小な塵の多くはイオン化される。このイオン化さ
れた塵は、上記両電極２３．２４間の静電場により移動
し、イオン化による極性に応じて第１電極２３または第
２電極２４の表面に付着する。したがって、被エツチン
グ材、たとえば半導体ウェハ１６の表面に爬が付着する
ことは殆んどない。こののち、ガスの導入が終了し、容
器１０内のガス流が安定すると、塵が舞い上がることは
なく、ウェハ１６の表面に塵が付着することはない。
このよ５に定常状態になった時点で、前記スイッチ２６
を接地端側に切り換えて直流高電圧の印加を停止し、引
き続き通常通り反応性イオンエツチングを行なう。即ち
、下部電極１３（（高周波電力を印加してエツチングを
行なう。このエツチング中、第１．第２電極２３．２４
とも上部電極１２．容器壁と同一電位（接地電位）にあ
ることになり、上記第１．第２電極２３゜２４の存在に
よるゾラズマの乱れは最小限に抑えられている。なお、
上記エツチングの過程で前述したように容器１１内に活
性反応種が形成され、これは被エツチング材と反応、結
合して排気される。このとき、余分な炭素化合物等は容
器内壁や上部電極表面に重合膜として付着する。下部電
極表面は、イオン衝撃が大きく、これによって付着物も
スパッタリングされてはね飛ばされるので、重合膜は殆
んど堆積しない。
を接地端側に切り換えて直流高電圧の印加を停止し、引
き続き通常通り反応性イオンエツチングを行なう。即ち
、下部電極１３（（高周波電力を印加してエツチングを
行なう。このエツチング中、第１．第２電極２３．２４
とも上部電極１２．容器壁と同一電位（接地電位）にあ
ることになり、上記第１．第２電極２３゜２４の存在に
よるゾラズマの乱れは最小限に抑えられている。なお、
上記エツチングの過程で前述したように容器１１内に活
性反応種が形成され、これは被エツチング材と反応、結
合して排気される。このとき、余分な炭素化合物等は容
器内壁や上部電極表面に重合膜として付着する。下部電
極表面は、イオン衝撃が大きく、これによって付着物も
スパッタリングされてはね飛ばされるので、重合膜は殆
んど堆積しない。
したがって、容器内壁や上部電極表面に付着している微
小な塵が安定していて剥離しなければ、ウェハ表面が塵
により汚染されることはないが、次回のエツチング時に
前述したようなガス流の変化により上記塵が舞い上がっ
てウェハ表面上に付着する原因になる。しかし、このよ
うに舞い上がる塵は前述したように第１．第２電極２３
．２’４に付着することによって除去される。
小な塵が安定していて剥離しなければ、ウェハ表面が塵
により汚染されることはないが、次回のエツチング時に
前述したようなガス流の変化により上記塵が舞い上がっ
てウェハ表面上に付着する原因になる。しかし、このよ
うに舞い上がる塵は前述したように第１．第２電極２３
．２’４に付着することによって除去される。
次に１上記反応性イオンエツチング装置に２ける集塵用
電極（低電圧用の第１電極２３および線電圧用の第２電
極２４）による集塵効果の評価方法の一例を説明する。
電極（低電圧用の第１電極２３および線電圧用の第２電
極２４）による集塵効果の評価方法の一例を説明する。
被エツチング材として、シリコンウエノ・上にシリコン
熱酸化膜を堆積させ、さらにその上にリンをドーグした
ポリシリコンをＣＶＤ法によｐ ６０００Ｘ堆積する。
熱酸化膜を堆積させ、さらにその上にリンをドーグした
ポリシリコンをＣＶＤ法によｐ ６０００Ｘ堆積する。
その上に２μスペース、６μピツチの長い配線パターン
を形成する。この場合、上記パターンは２つの櫛形パタ
ーンの櫛目部分が交互に入り組んだ形状となるようにす
る。そして、上記ウェハに対するエツチングを行なった
後、２つの櫛形パターンのポリシリコン配線間に所定電
圧を印加して上記２つの配線間に流れる電流を測定する
ことによシ配線間の短絡の有無を評価することができる
。即ち、短絡がない場合には電流は殆んど流れず、短絡
が生じていると異常電流が流れる。そして、このような
配線・母ターンのチップを４インチウェハ上に約２００
個設けておき、それらのうち前述したような配線間短絡
が生じて割合（ショーモード率）をエツチング後に測定
する。この場合、前述したようなノ４ターンにおいては
、エツチング前に２μ以上の塵がウェハ上に付着すると
、それがマスクとなってポリシリコン部分が残り、ショ
ートモードとしと表われる。このような評価方法では、
上記塵の他にもレジストパターンの崩れ等も短絡の原因
となるので、数多くのデータの蓄積によって初めて集塵
効果を見ることができる。第２図は、多数回のエツチン
グそれぞれにおけるショートモード率を実測して得たデ
ータを示しており、８回分は前記第１．第２の電極２３
゜２４間に直流電圧を印加しなかった場合であり、１２
回分はガス導入時に第１．第２電極２３゜２４間に１．
５ｋＶの直流電圧を印加した場合である。第２図から分
るように、平均すると本発明ではウェハへの塵の付着を
防止する点で効果がある。なお、第２図では、前述した
ような４インチウェハ上でその周辺部を除いて短絡した
チップが１つえないときをショートイールド１００チと
して表わしている。
を形成する。この場合、上記パターンは２つの櫛形パタ
ーンの櫛目部分が交互に入り組んだ形状となるようにす
る。そして、上記ウェハに対するエツチングを行なった
後、２つの櫛形パターンのポリシリコン配線間に所定電
圧を印加して上記２つの配線間に流れる電流を測定する
ことによシ配線間の短絡の有無を評価することができる
。即ち、短絡がない場合には電流は殆んど流れず、短絡
が生じていると異常電流が流れる。そして、このような
配線・母ターンのチップを４インチウェハ上に約２００
個設けておき、それらのうち前述したような配線間短絡
が生じて割合（ショーモード率）をエツチング後に測定
する。この場合、前述したようなノ４ターンにおいては
、エツチング前に２μ以上の塵がウェハ上に付着すると
、それがマスクとなってポリシリコン部分が残り、ショ
ートモードとしと表われる。このような評価方法では、
上記塵の他にもレジストパターンの崩れ等も短絡の原因
となるので、数多くのデータの蓄積によって初めて集塵
効果を見ることができる。第２図は、多数回のエツチン
グそれぞれにおけるショートモード率を実測して得たデ
ータを示しており、８回分は前記第１．第２の電極２３
゜２４間に直流電圧を印加しなかった場合であり、１２
回分はガス導入時に第１．第２電極２３゜２４間に１．
５ｋＶの直流電圧を印加した場合である。第２図から分
るように、平均すると本発明ではウェハへの塵の付着を
防止する点で効果がある。なお、第２図では、前述した
ような４インチウェハ上でその周辺部を除いて短絡した
チップが１つえないときをショートイールド１００チと
して表わしている。
なお、本発明は上記実施例に限られるものではなく、＠
１ 、第２電極２３．２４間には直流電圧に限らず交流
電圧を印加しても上記実施例と同様の効果が得られる。
１ 、第２電極２３．２４間には直流電圧に限らず交流
電圧を印加しても上記実施例と同様の効果が得られる。
また、集塵用電極の具体的形状も上記実施例に限らず種
々変形し得るものである。
々変形し得るものである。
上述したように本発明の反応性イオンエツチング装置に
よれば、被エツチング材の表面に塵がほぼ完全に存在し
ない状態でエツチングが可能になるので、微細加工に際
してエツチング上の障害を招来するおそれが極めて少な
くなる。
よれば、被エツチング材の表面に塵がほぼ完全に存在し
ない状態でエツチングが可能になるので、微細加工に際
してエツチング上の障害を招来するおそれが極めて少な
くなる。
しかも、塵を集塵用電極に引き付けることは、従来のよ
うにエツチング装置を開けて塵を除去する作業に比べて
はるかに能率的であり、エツチング後程の準備時間が著
しく短縮され、半導体装置の生産性の向上に大いに寄与
でき°る。
うにエツチング装置を開けて塵を除去する作業に比べて
はるかに能率的であり、エツチング後程の準備時間が著
しく短縮され、半導体装置の生産性の向上に大いに寄与
でき°る。
第１図は本発明に係る反応性イオンエツチング装置の一
実施例を示す構成説明図、第２図は第１図の装置におけ
る集塵用電極による集塵効果を評価するだめの実測デー
タの一例を示す図である。 １０・・・真空容器、１１・・・エツチング室、１２・
・・上部電極、１３・・・下部電極、１４・・・高周波
電源、１６・・・被エツチング材、Ｉ７・・・ガス導入
孔、２θ・・・排気孔、２３．２３・・・柔塵用の第１
．第２電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ７ １０１− 第２図 □工、＋−Ｆ Ｓ／／Ｔ’ＥＪｉＬ
実施例を示す構成説明図、第２図は第１図の装置におけ
る集塵用電極による集塵効果を評価するだめの実測デー
タの一例を示す図である。 １０・・・真空容器、１１・・・エツチング室、１２・
・・上部電極、１３・・・下部電極、１４・・・高周波
電源、１６・・・被エツチング材、Ｉ７・・・ガス導入
孔、２θ・・・排気孔、２３．２３・・・柔塵用の第１
．第２電極。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 ７ １０１− 第２図 □工、＋−Ｆ Ｓ／／Ｔ’ＥＪｉＬ
Claims (1)
- 排気系を有する真空容器内に高周波電力印加用の相対向
する電極を設け、上記真空容器のガス導入孔から内部へ
反応性ガスを導入し、前記相対向する電極の一方の上に
載置された材料をエツチングする反応性イオンエツチン
グ装置において、前記ガス導入孔から排気孔への経路の
途中に相対向する集塵用電極を設け、この電極に所定の
直流電圧あるいは交流電圧を印加する電源を具備してな
ることを特徴とする反応性イオンエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5602983A JPS59181619A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 反応性イオンエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5602983A JPS59181619A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 反応性イオンエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181619A true JPS59181619A (ja) | 1984-10-16 |
Family
ID=13015639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5602983A Pending JPS59181619A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 反応性イオンエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181619A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0321358A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置内の異物低減方法及び半導体製造装置 |
| JPH04192326A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ反応装置 |
| EP0767254A1 (en) * | 1995-09-25 | 1997-04-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system |
| US5693238A (en) * | 1993-05-03 | 1997-12-02 | Balzers Aktiengesellschaft | Method for improving the rate of a plasma enhanced vacuum treatment |
| US6045618A (en) * | 1995-09-25 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6187072B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| US6255222B1 (en) | 1999-08-24 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method for removing residue from substrate processing chamber exhaust line for silicon-oxygen-carbon deposition process |
| US6354241B1 (en) | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Heated electrostatic particle trap for in-situ vacuum line cleaning of a substrated processing |
| US6893532B1 (en) * | 1999-06-29 | 2005-05-17 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Method and apparatus for processing fine particle dust in plasma |
| DE102005055093A1 (de) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Aixtron Ag | CVD-Vorrichtung mit elektrostatischem Substratschutz |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP5602983A patent/JPS59181619A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0321358A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置内の異物低減方法及び半導体製造装置 |
| JPH04192326A (ja) * | 1990-07-10 | 1992-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ反応装置 |
| US5693238A (en) * | 1993-05-03 | 1997-12-02 | Balzers Aktiengesellschaft | Method for improving the rate of a plasma enhanced vacuum treatment |
| US6194628B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system |
| US6045618A (en) * | 1995-09-25 | 2000-04-04 | Applied Materials, Inc. | Microwave apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment |
| US6187072B1 (en) | 1995-09-25 | 2001-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| EP0767254A1 (en) * | 1995-09-25 | 1997-04-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a vacuum line in a CVD system |
| US6517913B1 (en) | 1995-09-25 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing perfluorocompound gases from substrate processing equipment emissions |
| US6680420B2 (en) | 1995-09-25 | 2004-01-20 | Applied Materials Inc. | Apparatus for cleaning an exhaust line in a semiconductor processing system |
| US6689930B1 (en) | 1995-09-25 | 2004-02-10 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for cleaning an exhaust line in a semiconductor processing system |
| US6893532B1 (en) * | 1999-06-29 | 2005-05-17 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Method and apparatus for processing fine particle dust in plasma |
| US6354241B1 (en) | 1999-07-15 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Heated electrostatic particle trap for in-situ vacuum line cleaning of a substrated processing |
| US6255222B1 (en) | 1999-08-24 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Method for removing residue from substrate processing chamber exhaust line for silicon-oxygen-carbon deposition process |
| DE102005055093A1 (de) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Aixtron Ag | CVD-Vorrichtung mit elektrostatischem Substratschutz |
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