JPH0613352A - プラズマアッシング装置 - Google Patents
プラズマアッシング装置Info
- Publication number
- JPH0613352A JPH0613352A JP16977892A JP16977892A JPH0613352A JP H0613352 A JPH0613352 A JP H0613352A JP 16977892 A JP16977892 A JP 16977892A JP 16977892 A JP16977892 A JP 16977892A JP H0613352 A JPH0613352 A JP H0613352A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shield electrode
- plasma
- potential
- wafer
- ashing
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】レジストの下地に形成される膜にダメージを与
えることなくより早い灰化処理をする。 【構成】スイッチ１１を介してシールド電極３とアース
との間にインピーダンス調整回路１０を設け、インピー
ダンスを変えることによってシールド電極３の電位を変
え、シールド電極３のイオンの捕捉率を制御し、下地の
膜のダメーズに対する許容度考慮してイオンによる物理
的スパッタリング効果を増やし、アッシングレートをよ
り高める。
えることなくより早い灰化処理をする。 【構成】スイッチ１１を介してシールド電極３とアース
との間にインピーダンス調整回路１０を設け、インピー
ダンスを変えることによってシールド電極３の電位を変
え、シールド電極３のイオンの捕捉率を制御し、下地の
膜のダメーズに対する許容度考慮してイオンによる物理
的スパッタリング効果を増やし、アッシングレートをよ
り高める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマアッシング装
置に関し、特にプラズマのダウンストリーム方式により
半導体基板に塗布されたレジストの剥離を行う同軸型の
プラズマアッシング装置の構造に関する。
置に関し、特にプラズマのダウンストリーム方式により
半導体基板に塗布されたレジストの剥離を行う同軸型の
プラズマアッシング装置の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程の一つであるドラ
イエッチング工程において、配線形成あるいは薄膜等の
ドライエッチング直後に、プラズマ、例えば酸素プラズ
マによりウェーハ上の全てのレジストを除去する剥離工
程がある。これに使用する製造装置の一つにダウンスト
リーム方式によるプラズマアッシング装置がある。この
同軸型のプラズマアッシング装置は、ウェーハがプラズ
マ領域に触れることがないので、低温で処理出来ること
と荷電粒子のチャージによる酸化膜のダメージがないこ
ととの利点があるため、ＭＯＳ構造の半導体装置の製造
に広く用いられるようになった。
イエッチング工程において、配線形成あるいは薄膜等の
ドライエッチング直後に、プラズマ、例えば酸素プラズ
マによりウェーハ上の全てのレジストを除去する剥離工
程がある。これに使用する製造装置の一つにダウンスト
リーム方式によるプラズマアッシング装置がある。この
同軸型のプラズマアッシング装置は、ウェーハがプラズ
マ領域に触れることがないので、低温で処理出来ること
と荷電粒子のチャージによる酸化膜のダメージがないこ
ととの利点があるため、ＭＯＳ構造の半導体装置の製造
に広く用いられるようになった。
【０００３】図２は従来の一例を示すプラズマアッシン
グ装置の模式断面図である。このプラズマアッシング装
置は、図２に示すように、ウェーハ４を載置するボード
５と、このボード５を収納する石英製のチャンバ２と、
このチャンバ２の外周に配置されるアノードとなる高周
波電極１と、チャンバ２の内側にあって、カソードとな
る円筒状に形成された多数の穴をもつシールド電極３と
を有している。
グ装置の模式断面図である。このプラズマアッシング装
置は、図２に示すように、ウェーハ４を載置するボード
５と、このボード５を収納する石英製のチャンバ２と、
このチャンバ２の外周に配置されるアノードとなる高周
波電極１と、チャンバ２の内側にあって、カソードとな
る円筒状に形成された多数の穴をもつシールド電極３と
を有している。
【０００４】このプラズマアッシング装置でウェーハ４
のレジストを灰化する場合は、チャンバ２を真空排気し
ながらプロセスガス、例えば酸素ガスを一定量導入す
る。そして高周波電源６により高周波電圧を高周波電極
に印加し、チャンバ２とシールド電極３との間にプラズ
マを発生させる。このことによりシールド３に設けられ
た穴からプラズマ中のラジカルのみ通過させ、ラジカル
がウェーハ４上に供給されることによりレジストを灰化
して、ウェーハ４より剥離していた。
のレジストを灰化する場合は、チャンバ２を真空排気し
ながらプロセスガス、例えば酸素ガスを一定量導入す
る。そして高周波電源６により高周波電圧を高周波電極
に印加し、チャンバ２とシールド電極３との間にプラズ
マを発生させる。このことによりシールド３に設けられ
た穴からプラズマ中のラジカルのみ通過させ、ラジカル
がウェーハ４上に供給されることによりレジストを灰化
して、ウェーハ４より剥離していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のプラズ
マアッシング装置では、シールド電極は、設置されてお
り、プラズマ放電により発生するイオンあるいは電子で
ある荷電粒子の大部分がシールド電極により補捉され、
このシールド電極の穴により通り抜けるイオンが減少
し、ウェーハのレジストにチャージアップしたり、レジ
ストとウェーハ面にある酸化膜に損傷を与えたりするこ
とがなくなるものの、アッシングレートが高くない欠点
がある。
マアッシング装置では、シールド電極は、設置されてお
り、プラズマ放電により発生するイオンあるいは電子で
ある荷電粒子の大部分がシールド電極により補捉され、
このシールド電極の穴により通り抜けるイオンが減少
し、ウェーハのレジストにチャージアップしたり、レジ
ストとウェーハ面にある酸化膜に損傷を与えたりするこ
とがなくなるものの、アッシングレートが高くない欠点
がある。
【０００６】本発明の目的は、半導体素子形成膜に損傷
を与えることなくより早い灰化処理速度をもつプラズマ
アッシング装置を提供することである。
を与えることなくより早い灰化処理速度をもつプラズマ
アッシング装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によるプラズマア
ッシング装置は、プラズマを利用してウェーハに塗布さ
れるレジストの除去を行う同軸型のプラズマアッシング
装置において、前記ウェーハを含むシールド電極とアー
スとの間にこのシールド電極の電位を調整するためのイ
ンピーダンス調整回路を備えている。
ッシング装置は、プラズマを利用してウェーハに塗布さ
れるレジストの除去を行う同軸型のプラズマアッシング
装置において、前記ウェーハを含むシールド電極とアー
スとの間にこのシールド電極の電位を調整するためのイ
ンピーダンス調整回路を備えている。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について図を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明のプラズマアンシング装置の
一実施例を示す模式断面図である。このプラズマアッシ
ング装置は、図１（ａ）に示すように、スイッチ１１を
介してシールド電極３の電位を変えるインピーダンス調
整回路１０を設けたことである。それ以外は従来例と同
じである。また、このインピーダンス調整回路１０はイ
ンピーダンスを変えることの出来る可変コイル７と直流
抵抗として抵抗９とが直列に接続されるとともに設置さ
れている。
一実施例を示す模式断面図である。このプラズマアッシ
ング装置は、図１（ａ）に示すように、スイッチ１１を
介してシールド電極３の電位を変えるインピーダンス調
整回路１０を設けたことである。それ以外は従来例と同
じである。また、このインピーダンス調整回路１０はイ
ンピーダンスを変えることの出来る可変コイル７と直流
抵抗として抵抗９とが直列に接続されるとともに設置さ
れている。
【００１０】次に、このプラズマアッシング装置の動作
を説明する。まず、従来例で説明したように、石英チャ
ンバー内を真空排気しながらプロセスガスである酸素ガ
スを一定量導入する。次に、高周波電源６により高周波
を高周波電極に印加し、石英製のチャンバー２とシール
ド電極３間にプラズマを発生させる。このとき、プラズ
マ放電で発生した電子及びイオンは、シールド電極３に
補足され、一部電子とイオンは中和されるものの、大部
分はイオン電流としてアース側に流れる。ここでスイッ
チ１１をインピーダンス調整回路１０側に入れると、イ
オン電量は可変コイル７及び抵抗９を経てアースに流れ
る。この流れるイオン電流に応じてシールド電流に応じ
てシールド電極３の電位が上ることになる。この電位が
上ることによってシールド電極３のイオンの補足率が下
り、電位の低い方にイオンは流れることになる。
を説明する。まず、従来例で説明したように、石英チャ
ンバー内を真空排気しながらプロセスガスである酸素ガ
スを一定量導入する。次に、高周波電源６により高周波
を高周波電極に印加し、石英製のチャンバー２とシール
ド電極３間にプラズマを発生させる。このとき、プラズ
マ放電で発生した電子及びイオンは、シールド電極３に
補足され、一部電子とイオンは中和されるものの、大部
分はイオン電流としてアース側に流れる。ここでスイッ
チ１１をインピーダンス調整回路１０側に入れると、イ
オン電量は可変コイル７及び抵抗９を経てアースに流れ
る。この流れるイオン電流に応じてシールド電流に応じ
てシールド電極３の電位が上ることになる。この電位が
上ることによってシールド電極３のイオンの補足率が下
り、電位の低い方にイオンは流れることになる。
【００１１】すなわち、この可変コイル７のインピーダ
ンスを変えることによりシールド電極３の電位が変わ
り、これにともないシールド電極３の穴を通り抜けるイ
オンの量（イオン電流）を変えることができる。従っ
て、下地の形成膜がダメージを受け難い場合は、インピ
ーダンスを大きくし、電位を上げることによって、物理
的に加工処理するイオンを増加させる。
ンスを変えることによりシールド電極３の電位が変わ
り、これにともないシールド電極３の穴を通り抜けるイ
オンの量（イオン電流）を変えることができる。従っ
て、下地の形成膜がダメージを受け難い場合は、インピ
ーダンスを大きくし、電位を上げることによって、物理
的に加工処理するイオンを増加させる。
【００１２】また逆に、ダメージの恐れのある下地膜で
あれば、スイッチ１１を切換え、シールド電極３をアー
ス電位にし、ラジカル酸素によりレジストに反応させ灰
化処理をする。
あれば、スイッチ１１を切換え、シールド電極３をアー
ス電位にし、ラジカル酸素によりレジストに反応させ灰
化処理をする。
【００１３】このように、物理的スパッタリング効果に
よる処理機能をもたせることにより、形成膜に応じてア
ッシングレートを高めることができる。なお、この補足
されるイオンの量は、電流計８を見ることによって観測
出来るから、シールド電極３の電位の調整も容易に行え
得る。すなわち、インピーダンス調整回路１０によりシ
ールド電極３の電位を変えて、イオン電流をダメージが
発生しない程度に調整し、最もエッチングレートの高い
状態を得るように設定出来る利点がある。
よる処理機能をもたせることにより、形成膜に応じてア
ッシングレートを高めることができる。なお、この補足
されるイオンの量は、電流計８を見ることによって観測
出来るから、シールド電極３の電位の調整も容易に行え
得る。すなわち、インピーダンス調整回路１０によりシ
ールド電極３の電位を変えて、イオン電流をダメージが
発生しない程度に調整し、最もエッチングレートの高い
状態を得るように設定出来る利点がある。
【００１４】
【発明の効果】以上、説明したように本発明は、シール
ド電極と接地間にインピーダンスを変えるインピーダン
ス調整回路を設け、シールド電極の電位を任意に変え
て、シールド電極でのイオンの捕捉率を変化させイオン
の供給量を制御することが出来るので、レジストの下地
に形成される形成膜にダメージを与えることなくより高
いアッシングレートで灰化処理ができるという効果があ
る。
ド電極と接地間にインピーダンスを変えるインピーダン
ス調整回路を設け、シールド電極の電位を任意に変え
て、シールド電極でのイオンの捕捉率を変化させイオン
の供給量を制御することが出来るので、レジストの下地
に形成される形成膜にダメージを与えることなくより高
いアッシングレートで灰化処理ができるという効果があ
る。
【図１】本発明の一実施例を示すプラズマアッシング装
置の模式断面図である。
置の模式断面図である。
【図２】従来の一例を示すプラズマアッシング装置の模
式断面図である。
式断面図である。
１ 高周波電極 ２ チャンバ ３ シールド電極 ４ ウェーハ ５ ボート ６ 高周波電源 ７ 可変コイル ８ 電流計 ９ 抵抗 １０ インピーダンス調整回路 １１ スイッチ
Claims (1)
- 【請求項１】 プラズマを利用してウェーハに塗布され
るレジストの除去を行う同軸型のプラズマアッシング装
置において、前記ウェーハを含むシールド電極とアース
との間にこのシールド電極の電位を調整するためのイン
ピーダンス調整回路を備えることを特徴とするプラズマ
アッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16977892A JPH0613352A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | プラズマアッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16977892A JPH0613352A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | プラズマアッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613352A true JPH0613352A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=15892692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16977892A Withdrawn JPH0613352A (ja) | 1992-06-29 | 1992-06-29 | プラズマアッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613352A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010515232A (ja) * | 2006-12-29 | 2010-05-06 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ封じ込みのための電界低減装置 |
| JP2012523101A (ja) * | 2009-04-06 | 2012-09-27 | ラム リサーチ コーポレーション | 多重周波数容量結合プラズマエッチングチャンバ |
| JP2016213033A (ja) * | 2015-05-07 | 2016-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
1992
- 1992-06-29 JP JP16977892A patent/JPH0613352A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010515232A (ja) * | 2006-12-29 | 2010-05-06 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ封じ込みのための電界低減装置 |
| JP2012523101A (ja) * | 2009-04-06 | 2012-09-27 | ラム リサーチ コーポレーション | 多重周波数容量結合プラズマエッチングチャンバ |
| JP2016213033A (ja) * | 2015-05-07 | 2016-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |