JPH0321358A - 半導体製造装置内の異物低減方法及び半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体装置内の異物低減方法に関するものであ
り、装置内に異物のないクリーンな装置内環境を実現す
る装置内異物低減方法及び半導体製造装置構造に関すん 従来の技術 従久　半導体製造装置内の異物を低減する方法として（
よ　定期的なウエットクリーニングやプラズマクリーニ
ングを行い異物の増加を抑える方法が行われてきた　し
かしなか板　プロセス中に発生する異物を取り除く事は
不可能であった発明が解決しようとする課題 ＬＳＩの歩留を決定する要因として、異物によるパター
ン欠陥があり、ＬＳＩの微細化が進むにつれて、ますま
す異物による歩留の低下が重大な課題となってきていも
　異物の中でもプロセス装置内の異物は直凰　歩留低下
につながるたべ　装置内異物の低減は大きな課題となっ
ていも本発明ｃ１　　上述の課題に鑑みて為されたもの
で、装置内異物を低減できる半導体製造装置内の異物低
減方法及び半導体製造装置を提供することを目的とすも 課題を解決するための手段 本発明は上述の課題を解決するたべ　半導体製造装置の
内壁を帯電させ、装置内の異物を吸着せしめ被加工物へ
の付着を防ぐというものであも作用 本発明は上述の構戒により、被加工物への装置内の異物
の付着を防ぐ事を可能とするた△　非常にクリーンな環
境において被加工物の加工が可能であり歩留の大幅な向
上を可能とすム 実施例 第１図に本発明を枚葉式の平行平板リアクティブイオン
エッチング装置に適用したー実施例を示ｔ　本装置はア
ルミナ等の誘電体２で被覆された金属狐　例えばアルミ
のプロセスチャンパー１と、前記チャンバー１に電気的
に接続された直流電圧源３と、プロセスチャンパー１と
電気的に絶縁されたプラズマ発生用の上部電極４ならび
に下部電極５と、カップリングコンデンサー７、ＲＦ電
源８、プロセスガス導入用配管９、真空排気用ダクト１
０から構或されていも　被加工物６は下部電極５に設置
されも 誘電体２で被覆されたプロセスチャンパー１に直流電源
３により電圧を印加すると誘電体２の表面が帯電すも　
この帯電によりプロセスチャンパー１の異物《友　チャ
ンバー１の内壁の誘電体２上に集塵され　被加工物６に
付着する事無しにクリ一ンな環境で被加工物の加工が可
能となムな抵　本発明はドライエッチング装置に対して
説明した力（　　ＣＶＤ装置等の他の半導体製造装置に
適用できることは言うまでもなｔ〜 発明の効果 以上の説明から明らかなように　本発明によれ１ヱ　被
加工物への異物付着を防ぎクリーンな環境での加工を可
能とし　微細な加工を要する半導体装置の製造に大きく
寄与するものであも

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる半導体製造装置の一実施例を示
す概略構戊図であも １・・・プロセスチャンパ−Ｓ　２・・・誘電体　３・
・・直流電温　４・・・上部電楓　５・・・下部電楓　
６・・・被加工惧　７・・・カップリングコンデンサー
，　８・・・ＲＦ電胤

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体装置の内壁を帯電させることにより前記装
   置内の異物を装置内壁に集め、前記装置内異物が被加工
   物に付着することを防ぐことを特徴とする半導体製造装
   置内の異物低減方法。
2. （２）第１項記載の装置内壁を帯電させる方式を持つ半
   導体製造装置。