JPH01253238A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH01253238A JPH01253238A JP7802288A JP7802288A JPH01253238A JP H01253238 A JPH01253238 A JP H01253238A JP 7802288 A JP7802288 A JP 7802288A JP 7802288 A JP7802288 A JP 7802288A JP H01253238 A JPH01253238 A JP H01253238A
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- Japan
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- plasma
- amount
- electrode
- processor
- cleaning
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理装置に係り、特に半導体素子基
板等の試料をプラズマによりエツチング等処理するのに
好適なプラズマ処理装置に関するものである。
板等の試料をプラズマによりエツチング等処理するのに
好適なプラズマ処理装置に関するものである。
従来、プラズマ処理装置としては、例えば、特開昭５８
−４６６３９号公報に記載のようなものが知られている
。
−４６６３９号公報に記載のようなものが知られている
。
上記従来技術は、プラズマに直接露呈される部材、この
場合、電極および電極上の試料押え等の載置物の構成材
料については配慮されていない。
場合、電極および電極上の試料押え等の載置物の構成材
料については配慮されていない。
従って、プラズマに露呈される部材がプラズマ発生中に
スパッタされ、このスパプタ物は、プラズマ処理時に処
理室内に付着した堆積物中に取り込まれてしまう。処理
室内に付着した堆積物は、プラズマ洗浄により除去され
るが、しかし、堆積物中に取り込まれたスパブタ物（例
えば、アルミニウム）は、除去されずに残存し、これが
発塵源となる問題を有している。
スパッタされ、このスパプタ物は、プラズマ処理時に処
理室内に付着した堆積物中に取り込まれてしまう。処理
室内に付着した堆積物は、プラズマ洗浄により除去され
るが、しかし、堆積物中に取り込まれたスパブタ物（例
えば、アルミニウム）は、除去されずに残存し、これが
発塵源となる問題を有している。
本発明の目的は、低発塵化を図ることができるプラズマ
処理装置を提供することにある。
処理装置を提供することにある。
上記目的は、プラズマ処理装置を、減圧排気可能で処理
ガスが導入される処理室内で生成されたプラズマに露呈
される部材をシリコン系材料で構成したものとすること
により、達成される。
ガスが導入される処理室内で生成されたプラズマに露呈
される部材をシリコン系材料で構成したものとすること
により、達成される。
処理室内でブラダ７にｊ！呈される部材をシリコン系材
料１例えば、 ８７０． ＳｉＮあるいは石英等で構
成すると、プラズマ発生中に、例えば、Ｍがスパツクさ
れることがな（、プラズマ洗浄によって除去できないス
パブタ物が処理室内に付着した堆積物に堆り込まれるこ
とがなくなる。このため、プラズマ洗浄後の発塵源とな
る残存物がなくなり、５＠塵を防止できる。
料１例えば、 ８７０． ＳｉＮあるいは石英等で構
成すると、プラズマ発生中に、例えば、Ｍがスパツクさ
れることがな（、プラズマ洗浄によって除去できないス
パブタ物が処理室内に付着した堆積物に堆り込まれるこ
とがなくなる。このため、プラズマ洗浄後の発塵源とな
る残存物がなくなり、５＠塵を防止できる。
以下、本発明の一実施例を第１図〜第４図により説明す
る。第１図に平行平板型プラズマエツチング装置の概略
図を示す。処理室１内に対向して上部電極２および下部
電極３が配置されている。
る。第１図に平行平板型プラズマエツチング装置の概略
図を示す。処理室１内に対向して上部電極２および下部
電極３が配置されている。
上部電極２は、対向面が電極面４で、外周がツブ素樹脂
製の絶縁カバー５で、構成されている。下部電極３上に
は試料１例えば、半導体素子基板６が載置され、その上
に試料押え７が配置されている。上部電極２は接続切り
換え器８を通してアースに、下５１１Ｌ極３は接続切り
換え器９を通して高置１１１１１１１＃１０に接続され
ている。接続切り換え器８゜９により、エツチング時に
は第２図に示すように下部゛１槙３に、ｔた。プラズマ
洗浄時には第３図に示すように上部電極２と下部電極３
に高周波電圧が印加されるように接続可能である。
製の絶縁カバー５で、構成されている。下部電極３上に
は試料１例えば、半導体素子基板６が載置され、その上
に試料押え７が配置されている。上部電極２は接続切り
換え器８を通してアースに、下５１１Ｌ極３は接続切り
換え器９を通して高置１１１１１１１＃１０に接続され
ている。接続切り換え器８゜９により、エツチング時に
は第２図に示すように下部゛１槙３に、ｔた。プラズマ
洗浄時には第３図に示すように上部電極２と下部電極３
に高周波電圧が印加されるように接続可能である。
この装置を用いてエツチング処理を行ない、続けてプラ
ズマ洗浄を行なった時の堆積物の洗浄残りの量と電極面
４の材料との関係を第４図に示す。
ズマ洗浄を行なった時の堆積物の洗浄残りの量と電極面
４の材料との関係を第４図に示す。
ｔ＆面４の材料としてＭを使用した場合と比較して１石
英＋ ＳＩＣのＳｉ系材料を用いると洗浄残りの量が
大幅に低減する。これは、プラズマ洗浄の洗浄残りの主
成分であるＭが、電極面４よりスパツクされることがな
くなったためである。同様に試料押え７の材料をＭ系の
アルミナからＳｉ系の石英あるいはＳｉｎ、ＳｉＮ等に
変更することにより、洗浄残りの量が大幅に減少する。
英＋ ＳＩＣのＳｉ系材料を用いると洗浄残りの量が
大幅に低減する。これは、プラズマ洗浄の洗浄残りの主
成分であるＭが、電極面４よりスパツクされることがな
くなったためである。同様に試料押え７の材料をＭ系の
アルミナからＳｉ系の石英あるいはＳｉｎ、ＳｉＮ等に
変更することにより、洗浄残りの量が大幅に減少する。
本実施例によれば、プラズマ洗浄による洗浄残りの量を
低減させることができ、低発塵化を達成できる。また、
低発塵のために、試料に付着する塵埃の麓を減少させる
ことができ試料の歩留りを向上できる。
低減させることができ、低発塵化を達成できる。また、
低発塵のために、試料に付着する塵埃の麓を減少させる
ことができ試料の歩留りを向上できる。
本発明によれば、プラズマ洗浄による洗浄残りの量を低
減できるので、！Ａ置の低発屡化を図る二とができる。
減できるので、！Ａ置の低発屡化を図る二とができる。
第１図は本発明の一実施例のプラズマエツチング装置の
概略図、第２図はエツチング処理時の高周波電源の結線
図、第３図はプラズマ洗浄時の高周波電源の結線図、第
４図は［極面材料とプラズマ洗浄後の洗浄残り量との関
係線図である。 ■・・・・・・処理室、２・・・・・・上部電極、３・
・１下部電極、４・・・・・・電極面、７・・・・・・
試料押え−＼ 代理人 弁理士 小 川 勝 男 パ：Ｉ
概略図、第２図はエツチング処理時の高周波電源の結線
図、第３図はプラズマ洗浄時の高周波電源の結線図、第
４図は［極面材料とプラズマ洗浄後の洗浄残り量との関
係線図である。 ■・・・・・・処理室、２・・・・・・上部電極、３・
・１下部電極、４・・・・・・電極面、７・・・・・・
試料押え−＼ 代理人 弁理士 小 川 勝 男 パ：Ｉ
Claims (1)
- １、減圧排気可能で処理ガスが導入される処理室内で生
成されたプラズマに露呈される部材をシリコン系材料で
構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7802288A JPH01253238A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7802288A JPH01253238A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01253238A true JPH01253238A (ja) | 1989-10-09 |
Family
ID=13650179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7802288A Pending JPH01253238A (ja) | 1988-04-01 | 1988-04-01 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01253238A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5494522A (en) * | 1993-03-17 | 1996-02-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma process system and method |
| US5585012A (en) * | 1994-12-15 | 1996-12-17 | Applied Materials Inc. | Self-cleaning polymer-free top electrode for parallel electrode etch operation |
| US6814814B2 (en) | 2002-03-29 | 2004-11-09 | Applied Materials, Inc. | Cleaning residues from surfaces in a chamber by sputtering sacrificial substrates |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58209111A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | Toshiba Corp | プラズマ発生装置 |
| JPS59163827A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-14 | Toshiba Corp | プラズマエツチング装置 |
| JPS6159833A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS635528A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Nec Corp | 反応性スパッタエッチング方法 |
| JPS63237529A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-04 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
-
1988
- 1988-04-01 JP JP7802288A patent/JPH01253238A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58209111A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | Toshiba Corp | プラズマ発生装置 |
| JPS59163827A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-14 | Toshiba Corp | プラズマエツチング装置 |
| JPS6159833A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS635528A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Nec Corp | 反応性スパッタエッチング方法 |
| JPS63237529A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-04 | Toshiba Corp | ドライエツチング装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5494522A (en) * | 1993-03-17 | 1996-02-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma process system and method |
| US5585012A (en) * | 1994-12-15 | 1996-12-17 | Applied Materials Inc. | Self-cleaning polymer-free top electrode for parallel electrode etch operation |
| US6814814B2 (en) | 2002-03-29 | 2004-11-09 | Applied Materials, Inc. | Cleaning residues from surfaces in a chamber by sputtering sacrificial substrates |
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