JPS58123879A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS58123879A JPS58123879A JP559782A JP559782A JPS58123879A JP S58123879 A JPS58123879 A JP S58123879A JP 559782 A JP559782 A JP 559782A JP 559782 A JP559782 A JP 559782A JP S58123879 A JPS58123879 A JP S58123879A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- electrode
- etched
- etching
- upper electrode
- Prior art date
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- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体基板上の８１酸化膜、ムを又はＡｔ合
金膜、単結晶Ｓ１又は多結晶８１などの薄膜をガスプラ
ズマを利用してエツチング処理するプラズマエツチング
装置に関し、特に被エツチング試料を下向きにして上部
電極に装着する構造をもつプラズマエツチング装置に関
するものである。
金膜、単結晶Ｓ１又は多結晶８１などの薄膜をガスプラ
ズマを利用してエツチング処理するプラズマエツチング
装置に関し、特に被エツチング試料を下向きにして上部
電極に装着する構造をもつプラズマエツチング装置に関
するものである。
従来、対向電極型プラズマエツチング装置では第１図に
示すが如く、被エツチング試料１０を下部電極３の上に
置いてエツチングを行なっている。
示すが如く、被エツチング試料１０を下部電極３の上に
置いてエツチングを行なっている。
ガス導入弁７より、反応室１へ反応ガスを導入し上部電
極４と下部電極３の間に高周波電圧を印加することで、
両電極間の反応ガスをプラズマ化させ、エツチング試料
１０をエツチングしている。
極４と下部電極３の間に高周波電圧を印加することで、
両電極間の反応ガスをプラズマ化させ、エツチング試料
１０をエツチングしている。
しかしながら、このように被エツチング試料１０を下部
電極３の上に、上向きに置くという従来装置では、エツ
チング反応中に生成する反応生成物が、被エツチング試
料の上に堆積するという同一がある。反応生成物が堆積
すると、エツチング反応が止められたり、あるいはエツ
チングの均一性が悪くなる。
電極３の上に、上向きに置くという従来装置では、エツ
チング反応中に生成する反応生成物が、被エツチング試
料の上に堆積するという同一がある。反応生成物が堆積
すると、エツチング反応が止められたり、あるいはエツ
チングの均一性が悪くなる。
本発明は、従来のプラズマエツチング装置における上記
の欠点を除去するためのもので、被エツチング試料１０
を下向きにして、上部電極４に装着する構造を具備した
プラズマエツチング装置である。第２図に、本発明の実
施例を示し、詳細な説明を行なう。
の欠点を除去するためのもので、被エツチング試料１０
を下向きにして、上部電極４に装着する構造を具備した
プラズマエツチング装置である。第２図に、本発明の実
施例を示し、詳細な説明を行なう。
上部電極４は、回転軸１１を中心にして１８０゜回転可
能であり、又、上部電極４の内部には真空用経路が設け
られ、回転軸１１を通じてロータリーｉンプヘ真空経路
が接続されている。このプラズマエツチング装置では、
上部電極４の上に被エツチング試料、１０が配置される
と、真空により被エツチング試料１０を吸着し、１８０
°反転して、下部電極３と対向し、対向電極を形成する
。被エツチング試料は下向きの状態にあり、反応ガスが
導入されて、プラズマ化され、被エツチング試料をエツ
チングする。従って、エツチング反応中に生成する反応
生成物が、被エツチング試料１０の上に堆積する事もな
く、排気弁Ｂヘスムーズに移動し、排気される。
能であり、又、上部電極４の内部には真空用経路が設け
られ、回転軸１１を通じてロータリーｉンプヘ真空経路
が接続されている。このプラズマエツチング装置では、
上部電極４の上に被エツチング試料、１０が配置される
と、真空により被エツチング試料１０を吸着し、１８０
°反転して、下部電極３と対向し、対向電極を形成する
。被エツチング試料は下向きの状態にあり、反応ガスが
導入されて、プラズマ化され、被エツチング試料をエツ
チングする。従って、エツチング反応中に生成する反応
生成物が、被エツチング試料１０の上に堆積する事もな
く、排気弁Ｂヘスムーズに移動し、排気される。
以上述べたように、本発明の□メリットとしては被エツ
チング試料の上に反応生成物が堆積せず、エツチング均
一性も向上することが上げられる。
チング試料の上に反応生成物が堆積せず、エツチング均
一性も向上することが上げられる。
デメリットとしては、上部電極に何らかの方法で被エツ
チング試料を装着させる構造となり、従来装置より複雑
な構造となることである。また、本実施例では、被エツ
チング試料を上部電極に装着する方法として、真空吸着
法を用いたが、他に、静電チャックや機械的に爪による
装着方法も考えられる。
チング試料を装着させる構造となり、従来装置より複雑
な構造となることである。また、本実施例では、被エツ
チング試料を上部電極に装着する方法として、真空吸着
法を用いたが、他に、静電チャックや機械的に爪による
装着方法も考えられる。
第１図は、従来のプラズマエツチング装置例を示す、第
２図は、本発明の実施例を示す。 １・・・反応室 ２・・・反応室外壁 ５・・・下部電極 ４・・・上部電極 ５・・・高周波発振器 ６・・・ａ−タリーダンプ ７・・・ガス導入弁：。 ８・・・排気弁 ９・・・絶縁体 １０・・・被エツチング試料 １１・・・回転軸 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
２図は、本発明の実施例を示す。 １・・・反応室 ２・・・反応室外壁 ５・・・下部電極 ４・・・上部電極 ５・・・高周波発振器 ６・・・ａ−タリーダンプ ７・・・ガス導入弁：。 ８・・・排気弁 ９・・・絶縁体 １０・・・被エツチング試料 １１・・・回転軸 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 真空槽内にガスを導入し、電極間に高周波電圧を印加す
ることでガスプラズマを発生させ、真空槽内の被エツチ
ング試料をエツチングする対向電極型プラズマエツチン
グ装置において、被エツチング試料を上部電極に装着し
、被エツチング面を下向きとすることを特徴とする対向
電極型プラズマエツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP559782A JPS58123879A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP559782A JPS58123879A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58123879A true JPS58123879A (ja) | 1983-07-23 |
Family
ID=11615633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP559782A Pending JPS58123879A (ja) | 1982-01-18 | 1982-01-18 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58123879A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028369A (ja) * | 1988-01-29 | 1990-01-11 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
| CN109755159A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 干法刻蚀机台及干法刻蚀方法 |
-
1982
- 1982-01-18 JP JP559782A patent/JPS58123879A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH028369A (ja) * | 1988-01-29 | 1990-01-11 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
| CN109755159A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-14 | 武汉华星光电技术有限公司 | 干法刻蚀机台及干法刻蚀方法 |
| CN109755159B (zh) * | 2018-12-29 | 2021-02-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 干法刻蚀机台及干法刻蚀方法 |
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