JPS62136579A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
- Publication number
- JPS62136579A JPS62136579A JP27623585A JP27623585A JPS62136579A JP S62136579 A JPS62136579 A JP S62136579A JP 27623585 A JP27623585 A JP 27623585A JP 27623585 A JP27623585 A JP 27623585A JP S62136579 A JPS62136579 A JP S62136579A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- sample
- tin oxide
- inert gas
- hydrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は乾式エツチング方法に係り、特にＩＣ等の半導
体の製造に用いられるプラズマエツチングにおいて、レ
ジスト材を劣化させずにエツチングの速度を増大させ得
るように数倍したエツチング方法に関するものである。
体の製造に用いられるプラズマエツチングにおいて、レ
ジスト材を劣化させずにエツチングの速度を増大させ得
るように数倍したエツチング方法に関するものである。
挙来のプラズマエツチング方法について、第２図を参照
しながら説明する。第２図は平行平板型のエツチング装
置の原理的略図である。図中１は石英等で作られている
エツチング室、２は電極。
しながら説明する。第２図は平行平板型のエツチング装
置の原理的略図である。図中１は石英等で作られている
エツチング室、２は電極。
３はガス導入口、４は排気口、５は電極２に載置された
試ｒ１．６は高周波電源、７は電圧計である。
試ｒ１．６は高周波電源、７は電圧計である。
略々このように構成されたエツチング装置でエツチング
を行なう従来の方法について、次に説明する。エツチン
グ室１ヘガス導入口３から例えばアルゴン（Δｒ）のよ
うな不活性ガスのみを導入した後ガス導入口３を閉じ、
排気口４から真空ポンプ（図示せず）で排気して、エツ
チング室１を所定の真空度に保つ。この状態で高周波電
源６により電１ｆ１２に例えば１３．５６ＭＨｚの高周
波電圧を印加してプラズマを発生させ、試料５にエツチ
ングを施こす。なお、試料５に選択的にエツチングを施
こす場合には、試料５の表面のうちエツチングを施さな
い面を、有機物のレジスト材等で予め部分的にマスキン
グ（保護）しておく。
を行なう従来の方法について、次に説明する。エツチン
グ室１ヘガス導入口３から例えばアルゴン（Δｒ）のよ
うな不活性ガスのみを導入した後ガス導入口３を閉じ、
排気口４から真空ポンプ（図示せず）で排気して、エツ
チング室１を所定の真空度に保つ。この状態で高周波電
源６により電１ｆ１２に例えば１３．５６ＭＨｚの高周
波電圧を印加してプラズマを発生させ、試料５にエツチ
ングを施こす。なお、試料５に選択的にエツチングを施
こす場合には、試料５の表面のうちエツチングを施さな
い面を、有機物のレジスト材等で予め部分的にマスキン
グ（保護）しておく。
〔発明が解決しようとする問題点３
以上のような従来のエツチング方法においては、湿式の
エツチング方法に比べてサイドエッチが少なく、また廃
液処理の問題も無い反面、エツチングの速度は被エツチ
ング材である試料５の種類により異なり、また一般的に
エツチング速度が遅い等、作業性の而で問題があった。
エツチング方法に比べてサイドエッチが少なく、また廃
液処理の問題も無い反面、エツチングの速度は被エツチ
ング材である試料５の種類により異なり、また一般的に
エツチング速度が遅い等、作業性の而で問題があった。
本発明では、酸化錫（Ｓｎ０２）又は酸化錫とインジウ
ムの化合物（ＩＴＯ）にエツチングを施すに当り、不活
性ガスと水素との混合気体雰囲気中でプラズマを発生さ
せることにより、上記問題を解決するものである。
ムの化合物（ＩＴＯ）にエツチングを施すに当り、不活
性ガスと水素との混合気体雰囲気中でプラズマを発生さ
せることにより、上記問題を解決するものである。
〔実論例〕゛
第１図は本発明方法を適用する平行平板型のエツチング
装置の原理的略図である。本図において第２図と同一構
成部分には同一番号を付し、その詳細な説明を省略する
。排気口４より排気しながらエツチング室１ヘガスを導
入する場合に、導入口を２つ設け、第１の導入口８から
はアルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスを、第２の導入口９
からは水素ガス〈Ｈ２）を夫々導入する。その際に導入
口８及び９に夫々取付けられている流量計（図示せず）
を見ながら両気体のモル比率を調節する。
装置の原理的略図である。本図において第２図と同一構
成部分には同一番号を付し、その詳細な説明を省略する
。排気口４より排気しながらエツチング室１ヘガスを導
入する場合に、導入口を２つ設け、第１の導入口８から
はアルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスを、第２の導入口９
からは水素ガス〈Ｈ２）を夫々導入する。その際に導入
口８及び９に夫々取付けられている流量計（図示せず）
を見ながら両気体のモル比率を調節する。
その後ガス導入口８．９を閉じ、排気口４から真空ポン
プ（図示せず）で排気して、エツチング室１内の混合ガ
スを吸出し、真空計（図示せず）によりエツチング室１
内を所定の真空度に設定する。
プ（図示せず）で排気して、エツチング室１内の混合ガ
スを吸出し、真空計（図示せず）によりエツチング室１
内を所定の真空度に設定する。
次に高周波電源６により電極２に高周波電圧を印加して
プラズマを発生させ、酸化錫等の試料５にエツチングを
施す。
プラズマを発生させ、酸化錫等の試料５にエツチングを
施す。
以上のような本発明方法により、例えば試料として酸化
錫にエツチングを施した場合の測定結果について、第３
図及び第４図を用い、従来の方法（Ａｒ等の不活性ガス
だけでエツチングを行なう方法）との比較においてその
点を説明する。第３図において横軸はエツチング室１内
の真空度（丁ｏｒｒ ） 、 Ｑ輪はエツチング速度（
１分当りのエツチング室さ）であり、曲線工は従来方法
２曲線■は本発明方法の一部（水素ガス５％の場合のみ
を示す）での測定結果である。なお、高周波電源６は３
００Ｗ、 １３．５６ ＭＨ２に設定した。この測定結
果によると、本発明方法の方がエツチング速度が速く、
特にエツチング室１内の真空度が、約１Ｏ−２Ｔｏｒｒ
強の時に最も速いことがわかる。そこで、次に真空度を
１．ＩＸ １０″２Ｔｏｒｒに設定し、水素ガスのモル
％を変化させて測定してみると、第４図のような特性が
現れた。この図によると、モル％で水素ガスが約２０％
の時がエツチング速度が最も速く、従来方法（即ち水素
ガスＯ％）より２倍近く速くなっていることがわかる。
錫にエツチングを施した場合の測定結果について、第３
図及び第４図を用い、従来の方法（Ａｒ等の不活性ガス
だけでエツチングを行なう方法）との比較においてその
点を説明する。第３図において横軸はエツチング室１内
の真空度（丁ｏｒｒ ） 、 Ｑ輪はエツチング速度（
１分当りのエツチング室さ）であり、曲線工は従来方法
２曲線■は本発明方法の一部（水素ガス５％の場合のみ
を示す）での測定結果である。なお、高周波電源６は３
００Ｗ、 １３．５６ ＭＨ２に設定した。この測定結
果によると、本発明方法の方がエツチング速度が速く、
特にエツチング室１内の真空度が、約１Ｏ−２Ｔｏｒｒ
強の時に最も速いことがわかる。そこで、次に真空度を
１．ＩＸ １０″２Ｔｏｒｒに設定し、水素ガスのモル
％を変化させて測定してみると、第４図のような特性が
現れた。この図によると、モル％で水素ガスが約２０％
の時がエツチング速度が最も速く、従来方法（即ち水素
ガスＯ％）より２倍近く速くなっていることがわかる。
なお、２０％に限らず、水素ガスが１０〜３０モル％の
範囲内なら充分効果が上がるものである。
範囲内なら充分効果が上がるものである。
なお、以上のようなエツチング方法において、試料５の
一部を覆った有機物のレジスト材は殆んど劣化せず、選
択エツチング用のマスクとしての役割を充分果している
こともわかった。また、上記エツチング方法においては
、被エツチング試料として酸化錫を使用した例で説明し
たが、酸化錫とインジウムの化合物にエツチングを施す
場合でも、その性質１殆んど同様な結果が得られるもの
である。なお、測定には平行平板型のエツチング装置を
用いたが、エツチング装置もこれに限らず例えば円筒型
エツチング装置等いかなる装置にも適用し１９ることは
言うまでもない。
一部を覆った有機物のレジスト材は殆んど劣化せず、選
択エツチング用のマスクとしての役割を充分果している
こともわかった。また、上記エツチング方法においては
、被エツチング試料として酸化錫を使用した例で説明し
たが、酸化錫とインジウムの化合物にエツチングを施す
場合でも、その性質１殆んど同様な結果が得られるもの
である。なお、測定には平行平板型のエツチング装置を
用いたが、エツチング装置もこれに限らず例えば円筒型
エツチング装置等いかなる装置にも適用し１９ることは
言うまでもない。
以上説明した如く、本発明のエツチング方法は、レジス
ト材を劣化させずにエツチングの速度を増大させ得る等
、実用１浸れた特長を有するものである。
ト材を劣化させずにエツチングの速度を増大させ得る等
、実用１浸れた特長を有するものである。
第１図及び第２図は夫々本発明方法及び従来方法で用い
られる平行平板型のエツチング装置の原理的略図、第３
図及び第４図は本発明方法によるエッチ速度特性を、従
来の方法との比較において説明する特性図である。 １・・・エツチング室、２．２′・・・電慢、４・・・
排気口、５・・・試料、６・・・高周波電源、８，９・
・・ガス導入口、２０・・・プラズマエツチング装置。
られる平行平板型のエツチング装置の原理的略図、第３
図及び第４図は本発明方法によるエッチ速度特性を、従
来の方法との比較において説明する特性図である。 １・・・エツチング室、２．２′・・・電慢、４・・・
排気口、５・・・試料、６・・・高周波電源、８，９・
・・ガス導入口、２０・・・プラズマエツチング装置。
Claims (1)
- 酸化錫（ＳｎＯ＿２）又は酸化錫とインジウムの化合物
（ＩＴＯ）にエッチングを施すに当り、不活性ガスと水
素との混合気体雰囲気中でプラズマを発生させることを
特徴とするエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27623585A JPS62136579A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27623585A JPS62136579A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62136579A true JPS62136579A (ja) | 1987-06-19 |
Family
ID=17566578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27623585A Pending JPS62136579A (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62136579A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108493152A (zh) * | 2017-02-13 | 2018-09-04 | 朗姆研究公司 | 创建气隙的方法 |
| US11551938B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-01-10 | Lam Research Corporation | Alternating etch and passivation process |
| US11784047B2 (en) | 2016-06-28 | 2023-10-10 | Lam Research Corporation | Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing |
-
1985
- 1985-12-09 JP JP27623585A patent/JPS62136579A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11784047B2 (en) | 2016-06-28 | 2023-10-10 | Lam Research Corporation | Tin oxide thin film spacers in semiconductor device manufacturing |
| CN108493152A (zh) * | 2017-02-13 | 2018-09-04 | 朗姆研究公司 | 创建气隙的方法 |
| JP2018142698A (ja) * | 2017-02-13 | 2018-09-13 | ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ | エアギャップの形成方法 |
| CN112242345A (zh) * | 2017-02-13 | 2021-01-19 | 朗姆研究公司 | 创建气隙的方法 |
| US11637037B2 (en) | 2017-02-13 | 2023-04-25 | Lam Research Corporation | Method to create air gaps |
| CN108493152B (zh) * | 2017-02-13 | 2024-03-08 | 朗姆研究公司 | 创建气隙的方法 |
| US11551938B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-01-10 | Lam Research Corporation | Alternating etch and passivation process |
| US11848212B2 (en) | 2019-06-27 | 2023-12-19 | Lam Research Corporation | Alternating etch and passivation process |
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