JPH0414822A - マイクロ波プラズマエッチング方法 - Google Patents
マイクロ波プラズマエッチング方法Info
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- JPH0414822A JPH0414822A JP11816890A JP11816890A JPH0414822A JP H0414822 A JPH0414822 A JP H0414822A JP 11816890 A JP11816890 A JP 11816890A JP 11816890 A JP11816890 A JP 11816890A JP H0414822 A JPH0414822 A JP H0414822A
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- plasma
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- etching
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Links
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子サイクロトロン共鳴現象を利用して生成
したプラズマを用いて基板表面のエツチングを行うマイ
クロ波プラズマエツチングに関し、特にポリシリコンの
エツチングに関する。
したプラズマを用いて基板表面のエツチングを行うマイ
クロ波プラズマエツチングに関し、特にポリシリコンの
エツチングに関する。
従来、この種の装置として２つの例が知られている。第
１の例は第３図に示す特開昭５６−１５５３５号広報所
載の発明である。この装置は、マイクロ波による電子サ
イクロトロン共鳴放電中にエツチング試料をセットし、
該試料のエツチング処理を行うものである。一方、第２
の例は、第４図に示す特開昭６０−１３４４２３号広報
所載の発明である。
１の例は第３図に示す特開昭５６−１５５３５号広報所
載の発明である。この装置は、マイクロ波による電子サ
イクロトロン共鳴放電中にエツチング試料をセットし、
該試料のエツチング処理を行うものである。一方、第２
の例は、第４図に示す特開昭６０−１３４４２３号広報
所載の発明である。
このエツチング装置は、プラズマ生成室内に反応性ガス
を導入し、マイクロ波導波管から導入したマイクロ波（
２，４５ＧＨｚ）及び磁気コイルの磁界を作用させてプ
ラズマ生成室内に反応性ガスプラズマを生成させ、磁気
コイルによる発散磁界を利用して反応性ガスプラズマを
設置した反応室に導入するものである。
を導入し、マイクロ波導波管から導入したマイクロ波（
２，４５ＧＨｚ）及び磁気コイルの磁界を作用させてプ
ラズマ生成室内に反応性ガスプラズマを生成させ、磁気
コイルによる発散磁界を利用して反応性ガスプラズマを
設置した反応室に導入するものである。
しかし、上述した従来の技術においては、マイクロ波プ
ラズマ中で、もっとも高密度なプラズマが生成されてい
る電子サイクロトロン共鳴点から十分に離れた場所に基
板が設置されているため、基板に入射するイオン電流密
度が少さく、かつ、電子を加速する磁場勾配が大きいの
で、基板に入射するイオンエネルギーも大きくなるとい
う問題があった。そのため、エツチング速度を上昇させ
また選択性（下地５ｉＯｚ）を上るために、ＣＣρ２Ｆ
２などのフレオン系ガスを用いてエツチングしていた。
ラズマ中で、もっとも高密度なプラズマが生成されてい
る電子サイクロトロン共鳴点から十分に離れた場所に基
板が設置されているため、基板に入射するイオン電流密
度が少さく、かつ、電子を加速する磁場勾配が大きいの
で、基板に入射するイオンエネルギーも大きくなるとい
う問題があった。そのため、エツチング速度を上昇させ
また選択性（下地５ｉＯｚ）を上るために、ＣＣρ２Ｆ
２などのフレオン系ガスを用いてエツチングしていた。
そのため、Ｃ系のデポジション膜がパターン側壁や装置
チャンバ内に付着し、エツチングの再現性を低下させ、
チャンバ内の洗浄頻度も高い、という問題点があった。
チャンバ内に付着し、エツチングの再現性を低下させ、
チャンバ内の洗浄頻度も高い、という問題点があった。
本発明は、上記目的を達成するため、プラズマ中の電子
サイクロトロン共鳴点の部分に基板を設置するとともに
塩素ガスに酸素カスを添加する。
サイクロトロン共鳴点の部分に基板を設置するとともに
塩素ガスに酸素カスを添加する。
この方法を用いることにより、十分なイオン電流密度と
ともに、磁場勾配が十分に小さいので、十分にイオンエ
ネルギーが小さくなるため、Ｃ１２２ガスを用いたエツ
チングでも十分に高速で、下地の酸化膜（Ｓ１０□）と
の選択比も大きくとれる。
ともに、磁場勾配が十分に小さいので、十分にイオンエ
ネルギーが小さくなるため、Ｃ１２２ガスを用いたエツ
チングでも十分に高速で、下地の酸化膜（Ｓ１０□）と
の選択比も大きくとれる。
さらに塩素ガスに酸素を添加していくことで、選択的に
５１ｏ２のエツチングを完全に抑制でき、ポリシリコン
と無限大の選択比を達成できる。また、さらに単結晶シ
リコン基板に対しても十分に大きな、選択比をとること
ができる。
５１ｏ２のエツチングを完全に抑制でき、ポリシリコン
と無限大の選択比を達成できる。また、さらに単結晶シ
リコン基板に対しても十分に大きな、選択比をとること
ができる。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は、本発明を実現するための装置の例である。本
装置は電子サイクロトロン共鳴によってプラズマを生成
するプラズマ発生室と、基板搬送室とが互いに隣接する
ように構成されている。このプラズマ室はマイクロ波の
電界強度の高め、放電の効率を高めるため、マイクロ波
空洞共振器の条件に適合する形状に構成されている。ま
た、このプラズマ生成室には、プラズマを生成するため
のガスを導入するガス導入系を備えるとともに、石英ガ
ラス、セラミック等の絶縁膜からなる導入窓が設けられ
ている。そして、該導入窓を介してマイクロ波電源から
導波管を通して送られてきたマイクロ波がプラズマ発生
室に導入されるようになっている。また上記プラズマ発
生室には、マイクロ波の周波数が２．４５ＧＨｚの場合
は、磁場強度が８７５ガウスの位置に基板ホルダーが設
置されている。この装置を用いて、酸化膜（ＳｉＯｚ）
上の１６Ω／ロ程度のリンドープポリシリコンのエツチ
ングをＣｊ’ ２ ＋０２ガスで検討した。図２に、５
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒで、Ｃ７２＋０２のトータル流
量を２０ｓｅｃｍとしたときの０□添加によるリンドー
プポリシリコンとＳｉｇｈのエツチング速度を示してい
る。０２を／ｓｃｃｍまで添加することで、Ｓｉｎ、、
のエツチング速度だけを選択的に抑制できるので、リン
ドープボロシリコン／５ｉｎ２の比は、無限大にできる
。
装置は電子サイクロトロン共鳴によってプラズマを生成
するプラズマ発生室と、基板搬送室とが互いに隣接する
ように構成されている。このプラズマ室はマイクロ波の
電界強度の高め、放電の効率を高めるため、マイクロ波
空洞共振器の条件に適合する形状に構成されている。ま
た、このプラズマ生成室には、プラズマを生成するため
のガスを導入するガス導入系を備えるとともに、石英ガ
ラス、セラミック等の絶縁膜からなる導入窓が設けられ
ている。そして、該導入窓を介してマイクロ波電源から
導波管を通して送られてきたマイクロ波がプラズマ発生
室に導入されるようになっている。また上記プラズマ発
生室には、マイクロ波の周波数が２．４５ＧＨｚの場合
は、磁場強度が８７５ガウスの位置に基板ホルダーが設
置されている。この装置を用いて、酸化膜（ＳｉＯｚ）
上の１６Ω／ロ程度のリンドープポリシリコンのエツチ
ングをＣｊ’ ２ ＋０２ガスで検討した。図２に、５
Ｘ １０−’Ｔｏｒｒで、Ｃ７２＋０２のトータル流
量を２０ｓｅｃｍとしたときの０□添加によるリンドー
プポリシリコンとＳｉｇｈのエツチング速度を示してい
る。０２を／ｓｃｃｍまで添加することで、Ｓｉｎ、、
のエツチング速度だけを選択的に抑制できるので、リン
ドープボロシリコン／５ｉｎ２の比は、無限大にできる
。
さらに、図３、単結晶Ｓｉとリンドープポリシリコンの
０２添加によるエツチング速度をしめした。０２を０．
５ｓｅｃｍまで添加することで、単結晶Ｓｉのエツチン
グ速度を、選択的に抑制できるので、リンドープポリシ
リコン／単結晶シリコンの比は、無限大にできる。
０２添加によるエツチング速度をしめした。０２を０．
５ｓｅｃｍまで添加することで、単結晶Ｓｉのエツチン
グ速度を、選択的に抑制できるので、リンドープポリシ
リコン／単結晶シリコンの比は、無限大にできる。
以上、説明した様に、本発明はマイクロ波プラズマエツ
チング装置において基板の処理を電子サイクロトロン共
鳴点で行い、かつ、Ｃ１２−０゜カスを用いることで高
速２高選択エツチングを実現できる効果がある。
チング装置において基板の処理を電子サイクロトロン共
鳴点で行い、かつ、Ｃ１２−０゜カスを用いることで高
速２高選択エツチングを実現できる効果がある。
第１図は本発明の実施を行う装置の例、第２図は第１図
に示した装置を用いて行った第１の実施例、第３図は第
２の実施例である。第４図、第５図は従来の装置の例を
示す。 ■・・・・・・プラズマ生成室、２・・・・・・基板搬
送室、３・・・・・・ソレノイドコイル、４・・・・・
・マイクロ波導入窓、５・・・・・・導波管、６・・・
・・・マイクロ、波電源、７・・・・・・ガス導入口、
８・・・・・・マイクロ波（２，４５ＧＨｚ）、９・・
・・・・電子サイクロトロン共鳴点、１０・・・・・基
板ホルダー １１・・・・・・高周波バイアス電源、１
２・・・・・・排気、１３・・・・・・プラズマ引き出
し窓、１４・・・・・・基板。 代理人 弁理士 内 原 晋 不′；１図 第づ図
に示した装置を用いて行った第１の実施例、第３図は第
２の実施例である。第４図、第５図は従来の装置の例を
示す。 ■・・・・・・プラズマ生成室、２・・・・・・基板搬
送室、３・・・・・・ソレノイドコイル、４・・・・・
・マイクロ波導入窓、５・・・・・・導波管、６・・・
・・・マイクロ、波電源、７・・・・・・ガス導入口、
８・・・・・・マイクロ波（２，４５ＧＨｚ）、９・・
・・・・電子サイクロトロン共鳴点、１０・・・・・基
板ホルダー １１・・・・・・高周波バイアス電源、１
２・・・・・・排気、１３・・・・・・プラズマ引き出
し窓、１４・・・・・・基板。 代理人 弁理士 内 原 晋 不′；１図 第づ図
Claims (2)
- （１）プラズマ発生室内でマイクロ波により発生する電
場と、該電場に直交する磁場とによっておこる電子サイ
クロトロン共鳴現象を利用して処理ガスをプラズマ化し
、該プラズマを設置された基板に照射して、基板のエッ
チングを行うマイクロ波プラズマ処理装置において、ポ
リシリコン膜をエッチングする際に、基板を電子サイク
ロトロン共鳴点に設置し、かつエッチングガスとして、
塩素ガス（Ｃｌ＿２）に塩素（Ｏ＿２）を添加すること
を特徴とするマイクロ波プラズマエッチング方法。 - （２）前記第１項記載のマイクロ波プラズマエッチング
方法において、塩素ガスに添加する酸素の量を全流量の
５％以下とすることを特徴とするマイクロ波プラズマエ
ッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11816890A JPH0414822A (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | マイクロ波プラズマエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11816890A JPH0414822A (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | マイクロ波プラズマエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0414822A true JPH0414822A (ja) | 1992-01-20 |
Family
ID=14729802
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11816890A Pending JPH0414822A (ja) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | マイクロ波プラズマエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0414822A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010080824A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| AT15513U1 (de) * | 2016-03-17 | 2017-11-15 | Isiqiri Interface Tech Gmbh | Lichtsensitiver Touchscreen |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61110782A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 反応性イオンエツチング方法 |
| JPH01184837A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | リード成形機 |
| JPH01184827A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
| JPH01243430A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Nec Corp | モリブデンシリサイドのエッチング方法 |
-
1990
- 1990-05-08 JP JP11816890A patent/JPH0414822A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61110782A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 反応性イオンエツチング方法 |
| JPH01184837A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Mitsubishi Electric Corp | リード成形機 |
| JPH01184827A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-24 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
| JPH01243430A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Nec Corp | モリブデンシリサイドのエッチング方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010080824A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| AT15513U1 (de) * | 2016-03-17 | 2017-11-15 | Isiqiri Interface Tech Gmbh | Lichtsensitiver Touchscreen |
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