JPH01184827A - マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、エレクトロニクスデバイス製造方法及び装置
に係り、特に、異方性エツチング、プラズマドーピング
、成膜において、低損傷化や処理効率の向上化に好適な
マイクロ波プラズマ処理方法と装置に関する。

〔従来の技術〕

従来のマイクロ波プラズマ処理方法では、基板をプラズ
マ処理するのに、特開昭５６−１５５５３５号及び特開
昭５９−３０１８号に記載のように、荷電粒子とラジカ
ル粒子を合わせたプラズマ種を分いた方法と、特開昭６
１−１３６３４号に記載のようにラジカル粒子のみを用
いた方法があった。また、ラジオ波放電によるプラズマ
処理方法で、特開昭６２−７１３１号記載のように、基
板に到達させるイオン量を制御した方法があった。

〔発明が解決しようとした課題〕

上記従来技術は、プラズマ種による処理特性の違いにつ
いて充分配慮されていなかった。例えば、エツチングに
おいて１強異方性エツチングを行なうためには、プラズ
マ種のうち、イオン成分の基板入射量とその運動量を多
く、大きくすることが必要であるが、このような条件に
すると、マスクや下地材との選択性が低下し、また、エ
ツチングダメージやエツチング面の結晶欠陥を招く問題
がある。また、同様に、基板へ入射するプラズマ種のう
ち、イオン成分量があると、プラズマドーピングの際に
も、ドーピング面での結晶欠陥を招く問題があり、膜形
成時にも、下地材や形成改にダメージを与える等の問題
がある。これに対し、プラズマ種としてラジカル成分の
みで処理を行なうと、プロセス的にはダメージレスとな
るが、エツチングにおいて、高選択性となるものの、異
方性エツチングとならない問題と、プラズマドーピング
では、ドーピング量が著しく減少する問題、膜−形成で
は、膜の緻密性が著しく低下するという問題がある。

ラジオ波放電によるプラズマでは、基板へ到達させるイ
オン量を、ある程度は制御できるが、基板に誘導される
自己バイアス電位が大きくなるため、完全にラジカル成
分のみで基板を処理することが出来ず、プロセス的に、
イオンダメージが伴うという問題がある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は。

１）基板にイオン成分をもったプラズマ種を入射させて
処理する。

２）基板にイオン成分をもたないプラズマ種、すなわち
ラジカル種のみを、入射させて処理する。

これら２つの工程を組み合わせることにより達成させる
。

また、上記２つの工程におけるプラズマ種成分の制御は
、プラズマの生成にマイクロ波放電を利用し。

Ａ）マイクロ波導入窓側から基板方向に向かって磁束密
度が単調に減少する発散磁界分布を形成する。

あるいは、形成されている所に基板を設置して磁力線に
引かれて基板にイオンが到達することを利用する。

Ｂ）基板位置に近い方で、マイクロ波導入窓側に磁力線
方向をもった磁界を発生させる等で、該導入窓と基板と
の間に磁界の反転分布を形成するあるいは、反転分布外
に基板を埋置して、基板へイオンは到達しないことを利
用する。

または、装置中心軸方向にミラー磁界を発生させ、電子
サイクロトロン共鳴（以後ＥＣＲと略す）条件を道たす
場所が、装置中心軸方向に２箇所ある分布を形成し、 Ａ’）基板が、上記ＥＣＲ条件を満たす２箇所の間にな
るように磁界あるいは基板位置を調整し、基板のイオン
処理を利用する。

Ｂ’）基板が、上記ＥＣＲ条件を満たす２箇所の地点の
間、すなわち荷電粒子の閉じ込め領域よりも、マイクロ
波導入窓から遠方の地点になるように磁界あるいは基板
位置を調整し、基板へのイオン到達がない、無電荷粒子
処理を利用する。

これら、Ａ）とＢ）あるいはＡ’）とＢ’）の方法の組
み合わせ等により達成される。

〔作用〕

エツチングにおいては、プラズマ種のイオン成分を多く
することにより、強異方性エツチングができる。初めに
、先の１）の工程により、所望材を強異方性エツチング
する。この異方性エツチングでは、下地材との選択性は
良好でなく、また、エツチング面にダメージを与えるた
め、下地材が現われるまでエツチングするのは望ましく
ない。

下地材が現われる寸前から、ダメージレスの高選択エツ
チングができる２）の工程にうつる。この工程で、ダメ
ージレスの高選択性エツチングにより、ダメージを受け
た面を、下地材をほとんどエツチングすることなしに取
り除く。この工程は、等方性エツチングとなるが先に、
所望の形状を形成しているため、形状的には異方性が保
持されるため、結果的に、強異方性、高選択性、低ダメ
ージのエツチングが可能となる。この手順は、もちろん
、満エツチングにも使える。すなわち、１）→２）の工
程手順を行なうと、ダメージを受けた面がダメージレス
で取り除けるため異方性で低ダメージの溝形成ができる
。

プラズマドーピングあるいはプラズマ酸化等においては
、先の１）の工程のみでは、ドーピング面あるいは酸化
面等で、ダングリングボンド等の発生により基板がダメ
ージを受けているが、２）の工程が加えると、ドーピン
グ種あるいは酸素ラジカル等により、ダングリングボン
ド等は低減されるため、結果的に低ダメージのプラズマ
ドーピングやプラズマ酸化等が可能となる。すなわち、
１）→２）、言い換えるとＡ）→Ｂ）あるいはＡ’）→
Ｂ’）の手順でドーピングやプラズマ酸化等を行なうと
、プラズマ処理の適正化がなされる。

膜形成においては、工程手順として２）→１）、すなわ
ち、磁界制御手順としてはＢ）→Ａ）あるいはＡ’）→
Ｂ’）としたと、界面準位の発生が少ない、低ダメージ
の高品質膜の形成ができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面を用いて、詳細に説明する
。第１図は本発明のマイクロ波プラズマ処理装置の主要
部の模式図である。本装置はプラズマ生成室４、マイク
ロ波導波管７、（マイクロ波６の発振機は図省略）、Ｅ
ＣＲ用磁界コイル９及び付加磁界コイル１３，１４、処
理室２、排気口１２（排気系は図省略）、反応ガス供給
ノズル５及び１１（反応ガス供給系は図省略）、基板支
持台３．より成る。プラズマ生成室４は直径３７０［鵬
］φ、長さ２５０［ｍｍｌの透明石英製で、円錐形の頂
部がマイクロ波導入窓８となっている。

ＥＣＲ用磁界コイル９及び付加磁界コイル１３゜１４は
プラズマ生成室及び処理室の周囲に設置され、プラズマ
生成室の最大磁束密度は２．６［ＫＧａｕｓｓ］それぞ
れ分割（９は３個に分割）されたコイルを個別に調整す
ることにより、装置内に印加される磁束密度分布を制御
でき及びプラズマ流１０の方向等が制御できる。処理室
２は直径、３７０［ｍ］φのステンレス鋼製で、中に設
置された基板支持台３は直径１２Ｇ［ａｓｌφのアルミ
ナ製でその位置は装置中心軸方向に可変である。

第２図は、装置中心軸方向の分布を示す。ＥＣＲ点１５
はプラズマ生成室内に位置させた。ＥＣＲ磁界コイル９
及び付加磁界コイル１３．１４の電流値や電流方向を調
整することにより、Ａ、Ｂのような分布を作ること、及
び基板支持台３の位置を調整することにより、基板と反
転磁界面１６との距離を制御できる。

実施例１゜ 被処理基板１として、シリコンウェハ（直径１１００ｒ
ｎ］φ）上に厚さ１００［ｎｍ］の熱酸化膜を形成した
後に多結晶シリコンを５００［ｎｍ］堆積させ、その上
にレジストでパターニングしたものを用い、多結晶シリ
コンのエツチングを行なった。基板は、ＥＣＲ点１点上
５も１５［ｃｍｌ離れた位置にした。プラズマ生成室内
に第１のガス導入管を通して（、Ｒｚを４０　［ｍ　Ｑ
　／　ｍ１ｎｌ導入し。

２．４５［ＧＨｚ　］のマイクロ波６を導波管７により
伝播させて、マイクロ波導入窓８を通してプラズマ生成
室に導入した。

この時印加した磁束密度分布は、 Ａ）プラズマ生成室外側に設置されＥＣＲ用磁外磁界コ
イル９り８７５　［Ｇ、ａｕｓｓ］以上の磁界をかけ第
２図のＡに示したように単調減少な磁束密度分布を形成
した。

Ｂ）ＥＣＲ用磁外磁界コイル９りでなく、処理室外側に
設置した付加磁界コイル１３と１４にも電流を流し、た
だし、該磁界コイル１３．１４には、９のコイルと反対
方向に電流を流し、反対方向の磁力線を発生させ、第２
図のＢに示したように反転磁界面１６を、マイクロ波導
入窓と基板の間に形成し、基板の上流側にプラズマ閉じ
込めた。

の２通りにした。処理室２内の圧力は排気系２により２
　［ｍＴｏｒｒｌにした。初めに、Ａ）の磁束密度分布
で、エツチングを行なった。エツチングは、１０［％］
のオーバエツチングを行なった。サイドエッチ呈は、１
０［ｎｍ］以下であったがこの時の下地５ｉＣ）ｚ膜は
２５［ｎｍｌエツチングされた。

レジストを除去後、マスクされた多結晶シリコンを電極
とし、下地５ｉＯｚ膜の絶縁破壊電圧Ｖａｂ、とＣ−■
特性から、しきい値電圧Ｖｔｈを測定した所、それぞれ
Ｖａｂ＝６±１　［ＭＶ／ｃｍｌ　、　Ｖｔｈ＝５．２
±０．７　［Ｖ］であった。次に、Ａ）の磁束密度分布
で、多結晶シリコンを４５０［ｎｍｌエツチングし、残
り５０［ｎｍ］を基板位置は固定したままＢ）の磁束密
度分布でオーバエッチ１００［％］でエツチングした。

サイドエツチング量は、８０［ｎｍｌで、下地５ｉＣ）
ｚ膜のエッチ量は５［ｎｍ］以下であった。先と同様に
、レジストを除去後、マスクされた多結晶シリコンを電
極として、ＶａｂとＶｔｈを測定した所Ｖａｂ＝　８　
±０　、５　［ＭＶ／ｃｍ］　、Ｖｔｈ＝０．５”０．
１　［ｖコであった。これらの結果から、Ａ）の磁束密
度分布だけでは、下地５ｉｆｔ膜がエツチングされるよ
うに、選択性は小さく、また、Ｖａｂ、　Ｖｉｈの測定
からもダメージは大きかった。しかし、Ａ）の後にＢ）
の磁束密度分布でエツチングを加えた時には、強異方性
で高選択性、低ダメージのエツチングができることがわ
かった。

実施例２゜ 被処理基板として、ｎ型（抵抗１２［Ω・ａ１１］）の
シリコンウェハ上に熱酸化膜を１０［ｎｍｌの厚さで形
成し、その上にレジストでパターニングした基板を用い
て、第１のガス導入管を通して、ＢｚＨｅを４０　［ｍ
ｆｌ　／ｍ１ｎｌ導入し、圧力０．５［ｍＴｏｒｒ］プ
ラズマドーピングを行なった。他の条件は実施例１と同
じである。初めにＡ）の磁束密度分布で、ドーピングを
行なった。ドーピングのプロファイルは、拡散方向に対
し、Ｄ＝ＣＸ１０−１の型で現わされ、３０分のドーピ
ングにおいては、垂直方向の深さｘｐに対しＢ濃度定数
。

Ｃｐ＝　１０”　［ｃｓ−”］プロファイルの傾斜定数
ｐｐ＝１０２１［ａｍ″″３／ｎＩＩＩ］、で、マスク
直下からの水平方向の距離ＸＨに対しては、ｃｏ＝　１
０”［■″″３コ、ＰＨ＝　１０”［ａｍ−３／ｎｍコ
であった。この拡散層の上部にアルミニウム、ＡＱで電
極を形成してＣ−■特性から、界面電荷密度ＮＦＢと、
しきい値電圧Ｖｔｈを測定したところ、それぞれ、ＮＦ
Ｂ二３×１０”［Ｃｌ１１″″３］　ｔ　Ｖｔｈ二５±
ｌ　［Ｖコであった。

次に、Ａ）の磁束密度分布で３０分ｔＢ）の磁束密度分
布で１０分、プラズマドーピングを行なって、濃度分布
とＣ−Ｖ特性の測定を行った。濃度分布については、ほ
ぼそのプロファイルは先と同じであるが、表面での濃度
の増加が見られた。また、Ｎｐａ＝２Ｘ１０”　［ａｌ
ｌ″″３］　−Ｖｔｈ＝　１　、０　　±０．３［Ｖ］
であり、Ｂ）の磁束密度分布でのドーピング条件を加え
ると、ダメージが著しく低下することかわかった。

実施例３゜ 被処理基板として、ｎ型（抵抗１２［Ω・ａｍ］）のシ
リコンウェハを用いて、第１のガス導入管を通して、ｏ
２を４０　［ｎ＋Ｑ　／ｍ１ｎｌ導入し、圧力１　、　
Ｏ［ｍＴｏｒｒｌで、シリコンを酸素プラズマで酸化さ
せた。他の条件は実施例１と同じである。初めにＡ）の
磁束密度分布で３０［分］プラズマ酸化を行ない、この
面上にアルミニウム、ＡＱで電極を形成してＣ−■特性
から、ＮＦＢとＶｔ１ｔを測定した。形成されたプラズ
マ酸化膜厚は１５［ｎｍｌテアリ、Ｎｐｎ＝　１　ｘ　
１０　”　［ａｍ−’］　、　Ｖｔｈ＝　３　±１　［
Ｖ］であった。次にＡ）の磁束密度分布で３０［分］、
Ｂの磁束密度１０［分］、プラズマ酸化膜を形成して、
先と同様にＮｒａとＶｔｈを測定した。膜厚は１６［ｎ
ｍ］で、Ｎｐｎ＝２Ｘ１０１１［（１ｍ−８］　ｔ　Ｖ
ｔｈ＝　Ｏ−５’ｔ　Ｏ−１［Ｖ］　テアツｔ：、。

このように、Ａ）の処理に続いてＢ）の処理を加えたこ
とにより、プラズマ酸化におけるダメージは著しく低下
することがわかった。

実施例４゜ 被処理基板１として、ｎ型のシリコンウェハ上に熱酸化
膜を１０　［ｒ＋ｎ＋］の厚さで形成した基板を用いた
。第１のガス導入管を通して０２を４０［ｍＲ／ｍ１ｎ
ｌ導入し、第２のガス導入管を通してモノシラン、Ｓｉ
Ｈ４を６　［ｍＱ／ｗｉｎコ導入し、圧力２　［ｍＴｏ
ｒｒｌで５ｉｆｔ膜を基板に堆積された。

他の条件は実施例１と同じである。最初に、Ａ）の磁束
密度分布で３００［ｎｍ］の厚さの５ｉＯｚ膜を堆積さ
れて、Ｃ−Ｖ特性の測定と、絶縁破壊。

電圧Ｖａｂの測定を行なった。Ｖａｂは８．５±１０［
ＭＶ／Ｃ１１１１テ、ＮＦＢ：　ｌ　、　Ｏ：ｔ：　０
　、５　Ｘ　１０”［ａｍ−３］　。

Ｓｉ○２膜堆積前後におけるしきい値電圧のシフト値は
ＡＶ＝ｈ＝０．５＋０．１　［Ｖ］　であった。次にＢ
）の磁束密度分布で３０［ｎｍ］厚さの５ｉＯｚ膜を形
成後、Ａ）の磁束密度分布で残り２７０　［ｎｆｆ１コ
厚さの５ｉＯｚ膜を堆積させて、Ｖａｂ、　ＮＦＢ及び
シフト値ΔＶ　ｔ　ｈを測定とた。その結果は、Ｖａｂ
”８．５＋０．１　［ＭＶ／ａｍ］　＋　Ｎｐｎ＝３Ｘ
１０１Ｏｒａｍ−３］＋ΔＶｔｈ＝０．０６＋０．０１
　［Ｖ］　であった。この結果から、初めに膜形成面に
イオンダメージを与えずに膜形成すると、界面準位の発
生は小さく、また、界面でのダメージも著しく小さくで
きることがわかった。

実施例５゜ 被処理基板１として、シリコンウェハ上に厚さ１００［
ｎｍ］の熱酸化膜を形成した後に多結晶シリコンを５０
０［ｎｍ］堆積させ、その上にレジストでパターニング
したものを用い、実施例１と同様に多結晶シリコンのエ
ツチングを行なった。

この時印加した磁束密度分布は、 Ａ’）プラズマ生成室外側に設置されたＥＣＲ用磁外磁
界コイル９り８７５　［Ｇａｕｓｓ１以上の磁界をかけ
、第３図のＡ′に示したように単調減少な磁束密度分布
を形成した。

Ｂ’）ＥＣＲ用磁外磁界コイル９りでなく、処理室外側
に設置した付加磁界コイル１３と１４にも電流を通し、
ただし、該磁界コイル１３には、９と１４のコイルを反
対方向の電流を流し、第３図のＢ′に示したようにミラ
ー型の磁束密度分布を形成してマイクロ波導入窓と基板
の間に荷電粒子の閉じ込め領域を形成した。

の２通りにした。他の条件は実施例１と同じである。初
めに、Ａ’）の磁束密度分布でエツチングを行なった。

゛エツチングは１０［％コのオーバエッチを行なった。

サイドエッチ量は１０［ｎｍ］以下であったが、この時
の下地５ｉＯｚ膜は２５［ｎｍｌエツチングされた。レ
ジスト除去後、マスクされた多結晶シリコンを電極とし
、下地５ｉＯｚ膜の絶縁破壊電圧Ｖａｂ、としきい値電
圧Ｖｔｈを測定した所、それぞれ、Ｖａｂ＝６　±１　
［ＭＶ／　Ｃａｌ　、　Ｖｔｈ＝５．２±０．７　［Ｖ
コであった０次に、Ａ’）の磁束密度分布で、多結晶シ
リコンを４５０［ｎｍｌエツチングし、残り５０［ｎｍ
］をＢ’）の磁束密度分布でオーバエッチ１００　［％
］でエツチングした。

サイドエツチング量は、８０［ｎｍｌで、下地５ｉＯｚ
膜のエツチング量は５　［ｎｍ］以下であった。先と同
様に、ＶａｂとＶｔｈを測定した所、Ｖａｂ＝８＋０．
５　［ＭＶ／ｃｍ］　、　Ｖｔｈ＝０．５　　＋０．１
［Ｖ］であった。これらの結果から、ミラー磁界で荷電
粒子の閉じ込めを行ない、基板の無電荷プラズマ種処理
を加えることにより、実施例１と同様に、異方性で高選
択、低ダメージのエツチングができることがわかった。

実施例６゜ 第４図は基板ホルダ３の後方に磁力線方向を制御する整
形磁界コイルを設置した本発明のマイクロ波プラズマ処
理装置を示す。被処理基板として、ｎ型のシリコンウェ
ハを用いて、実施例４と同様にＳｉ０ｇ膜を形成した。

膜形成は初めに、上記整形磁界コイル１７に電流を通さ
ずに、実施例ＩＢ）に記述した反転磁界面を形成されて
行なった。

この時の磁力線及び等磁束密度の分布を第５図（、）に
模式的に示す。５ｉＯｚ膜の堆積速度はウェハ中心で２
０［ｎｍ／ｍｉｎ］　、ウェハ周辺より５［ＩＩｎＩｎ
側では、ｌ　１３　［１ｍ／　ｗｉｎコであった。次に
。

整形磁界コイル１７に電流を通し、磁力線方向を第５図
（ｂ）に示したように方向をそろえて、ＳｉＯ２膜を堆
積させた。この時の堆積速度は、ウェハ中心で１９　［
ｎｍ／ｍｉｎ］−ウェハ周辺より５［曜］内側でも１９
　［ｎｍ／ｍｉｎコとなり、均一であった。この結果か
ら１反応容器の外周ばかりでなく、基板ホルダー後方等
、反応容器内にも磁界コイルを設置して、磁力線方向を
制御すると、プラズマ処理の均一化がなされることがわ
かった。

このように、本実施例によれば、マイクロ波プラズマ処
理方法及び装置において、イオン成分を含んだプラズマ
処理と、イオンを含まず、ラジカル成分のみのプラズマ
処理を組み合わせることにより、エツチングやプラズマ
ドーピング及び膜形成等の処理の好適化が図れる効果が
あることがわかった。また、荷電粒子の閉じ込め領域を
形成する際に、磁力線方向をそろえることにより、処理
の均一化が図れる効果があることがわかった。

尚本流例においては、Ａ）とＢ）あるいはＡ’）とＢ’
）の磁束密度分布での処理に磁界発生コイルの電流値や
電流方向を調整したが、作用の項で記述したように、初
めからプラズマ閉じ込め領域を形成しておき、この領域
の内外に基板を移動させることでも同じ効果は得られる
。

〔発明の効果〕

本発明によれば、マイクロ波プラズマ処理において、処
理の好適化がなされるため、イオンダメージを受けやす
い超微細素子の形成や、イオン衝突による温度上昇を嫌
う化合物半導体装置の形成もできる効果がある。また、
上記プラズマ処理の好適化が、同一装置の同一反応容器
で続けて行なうことが出来るため、スループットの向上
と、基板に付着する異物が低減化される効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のマイクロ波プラズマ処理装置の説明図
、第２図は発散型の磁束密度分布と反転磁界面を有した
磁束密度分布を示した図、第３図は発散型の磁束密度分
布とミラー磁界分布を示した図、第４図は磁力線方向を
整形する機構を有した本発明のマイクロ波プラズマ処理
装置の説明図、第５図（ａ）及び（ｂ）は整形磁界コイ
ルなし及びコイルありのときのプラズマ流と等磁束密度
面を示した模式図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、マイクロ波導入窓、ガス供給系と排気系を有した真
   空容器と、真空容器内に磁界を印加する磁界発生部を有
   したマイクロ波プラズマ処理装置を用いて基板を処理す
   る際に、荷電粒子を基板に入射させる処理と、該導入窓
   と基板との間に荷電粒子をほぼ閉じ込める領域を形成す
   ることにより、荷電粒子を基板に入射させない処理を組
   み合わせることを特徴としたマイクロ波プラズマ処理方
   法。 ２、上記荷電粒子の閉じ込めに、反転磁界分布を用いる
   ことを特徴とした特許請求の範囲の第１項記載のマイク
   ロ波プラズマ処理方法。 ３、上記荷電粒子の閉じ込めに、ミラー磁界分布を用い
   ることを特徴とした特許請求の範囲の第１項記載のマイ
   クロ波プラズマ処理方法。 ４、上記反転磁界面あるいはミラー磁界面を形成する磁
   力線ベクトルは互いにほぼ平行とし、かつ、マイクロ波
   の伝播方向にも、ほぼ平行にしたことを特徴とした特許
   請求の範囲の第１項及び第２項記載のマイクロ波プラズ
   マ処理方法。 ５、基板をエッチングすることを特徴とした特許請求の
   範囲第１項乃至第４項に記載のマイクロ波プラズマ処理
   方法。 ６、基板に化学気相波長させて薄膜を形成することを特
   徴とした特許請求の範囲第１項乃至第４項に記載のマイ
   クロ波プラズマ処理方法。 ７、被処理基板上の所望材の化学組成を異ならせること
   を特徴とした特許請求の範囲第１項乃至第４項に記載の
   マイクロ波プラズマ処理方法。 ８、被処理基板に、不純物元素を添加させる処理を行な
   うことを特徴とした特許請求の範囲第１項乃至第４項に
   記載のマイクロ波プラズマ処理方法。 ９、マイクロ波導入窓、ガス供給系と排気系を有した真
   空容器と、真空容器内に磁界を昆加する磁界発生部を有
   したマイクロ波プラズマ処理装置において、該マイクロ
   波導入窓と被処理基板との間に荷電粒子をほぼ閉じ込め
   る領域の形成が可能で、かつ、その形成を間欠に出来る
   手段を有したことを特徴としたマイクロ波プラズマ処理
   装置。 １０、上記荷電粒子の閉じ込め領域に、基板の挿入ある
   いは引き出しが可能で、基板の荷電粒子による処理と無
   荷電粒子の処理の組み合せが可能であることを特徴とし
   た特許請求の範囲第９項記載のマイクロ波プラズマ処理
   装置。 １１、上記荷電粒子の閉じ込め面を形成する磁力線ベク
   トルは互いにほぼ平行とし、かつ、マイクロ波の伝播方
   向にも、ほぼ平行にしたことを特徴とした特許請求の範
   囲第１０項記載のマイクロ波プラズマ処理装置。