JPH0831799A - エッチング装置 - Google Patents
エッチング装置Info
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- JPH0831799A JPH0831799A JP16093694A JP16093694A JPH0831799A JP H0831799 A JPH0831799 A JP H0831799A JP 16093694 A JP16093694 A JP 16093694A JP 16093694 A JP16093694 A JP 16093694A JP H0831799 A JPH0831799 A JP H0831799A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】デジタルエッチングやハイブリッド加工に必要
な２種類の処理を単一のプラズマ形成手段で実現する。 【構成】単一の放電管１を引き出し電極５によりイオン
引き出し領域８と被加工試料側領域９に分離し、プラズ
マ形成に用いる磁場またはマイクロ波電力の分布を二領
域で調整することでそれぞれのプラズマを独自に形成す
るようした。またプラズマ形成領域の切り替えに同期し
て導入ガスの種類を変える機構や被加工試料１２に高周
波電位または直流電位を印加する手段を設けた。
な２種類の処理を単一のプラズマ形成手段で実現する。 【構成】単一の放電管１を引き出し電極５によりイオン
引き出し領域８と被加工試料側領域９に分離し、プラズ
マ形成に用いる磁場またはマイクロ波電力の分布を二領
域で調整することでそれぞれのプラズマを独自に形成す
るようした。またプラズマ形成領域の切り替えに同期し
て導入ガスの種類を変える機構や被加工試料１２に高周
波電位または直流電位を印加する手段を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置材料の微細加
工を行う半導体製造装置に係り、露光装置等により描画
された微細パターンどおりに半導体材料のエッチングを
行う装置に関する。
工を行う半導体製造装置に係り、露光装置等により描画
された微細パターンどおりに半導体材料のエッチングを
行う装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】デジタルエッチングに代表されるラジカ
ル供給とイオンビーム供給を交互に行う加工法では、従
来ラジカル発生用プラズマ源とイオンビーム形成用プラ
ズマ源の２プラズマ源を用い被加工試料をプラズマ源間
で移動させることによりラジカル供給とイオンビーム供
給を交互に行っていた。
ル供給とイオンビーム供給を交互に行う加工法では、従
来ラジカル発生用プラズマ源とイオンビーム形成用プラ
ズマ源の２プラズマ源を用い被加工試料をプラズマ源間
で移動させることによりラジカル供給とイオンビーム供
給を交互に行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術ではラジカル
供給用とイオンビーム用の二組のプラズマ源が必要であ
り、装置が大型となりコストも高くなる。また機械的に
被加工試料かプラズマ源を移動させなくてはならないた
め処理時間が移動時間分長くなったり、駆動部から生じ
るダストにより被加工試料が汚染されるという問題があ
る。
供給用とイオンビーム用の二組のプラズマ源が必要であ
り、装置が大型となりコストも高くなる。また機械的に
被加工試料かプラズマ源を移動させなくてはならないた
め処理時間が移動時間分長くなったり、駆動部から生じ
るダストにより被加工試料が汚染されるという問題があ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明では単一の放電管
をイオン引き出し電極によりイオン引き出し側領域と被
加工試料側領域に分離し、プラズマ形成に用いる磁場ま
たはマイクロ波電力の分布を二領域で調整することでそ
れぞれのプラズマを独自に形成するようした。
をイオン引き出し電極によりイオン引き出し側領域と被
加工試料側領域に分離し、プラズマ形成に用いる磁場ま
たはマイクロ波電力の分布を二領域で調整することでそ
れぞれのプラズマを独自に形成するようした。
【０００５】
【作用】本発明により磁場分布またはマイクロ波電力の
伝送特性を調節することで単一放電管をイオン源とラジ
カル源に切り替えることができ、装置の小型化および低
コスト化を達成できる。本発明では機械的駆動部無しで
イオン源またはラジカル源プラズマの切り替えができる
ため、移動時間に伴う処理速度の低減が緩和され、さら
に駆動部から生じるダストの問題も無くなる。
伝送特性を調節することで単一放電管をイオン源とラジ
カル源に切り替えることができ、装置の小型化および低
コスト化を達成できる。本発明では機械的駆動部無しで
イオン源またはラジカル源プラズマの切り替えができる
ため、移動時間に伴う処理速度の低減が緩和され、さら
に駆動部から生じるダストの問題も無くなる。
【０００６】また本発明による装置は通常のプラズマに
よる加工とイオンビーム（または中性ビーム）を用いた
加工や、エッチングとレジスト除去を同一装置で行う様
な場合のハイブリッド化にも適している。
よる加工とイオンビーム（または中性ビーム）を用いた
加工や、エッチングとレジスト除去を同一装置で行う様
な場合のハイブリッド化にも適している。
【０００７】
【実施例】図１に本発明のブロック図を示す。石英で形
成された釣鐘状の放電管１の周辺に磁場発生用コイル
２，３が配置されている。放電管１には導波管４により
マイクロ波電力が供給されている。また、放電管１の中
央部付近にイオンを引き出す引き出し電極５が設置され
ている。導波管４にはマイクロ波調整用チューナ６が設
置されている。放電管１内にはマイクロ波と磁場発生用
コイルによる磁場によりプラズマが形成される。
成された釣鐘状の放電管１の周辺に磁場発生用コイル
２，３が配置されている。放電管１には導波管４により
マイクロ波電力が供給されている。また、放電管１の中
央部付近にイオンを引き出す引き出し電極５が設置され
ている。導波管４にはマイクロ波調整用チューナ６が設
置されている。放電管１内にはマイクロ波と磁場発生用
コイルによる磁場によりプラズマが形成される。
【０００８】図２に放電管１内部での磁場分布によるプ
ラズマの形成状態の違いを示す。図２の各グラフは図１
中に示した放電管中心部の磁場測定範囲７の測定結果で
ある。プラズマの形成状態には、（１）イオン引き出し
領域８のみプラズマが点火する状態、（２）被加工試料
側領域９のみプラズマが点火している状態、（３）両プ
ラズマ領域共プラズマが点火している状態、の三状態が
ある。
ラズマの形成状態の違いを示す。図２の各グラフは図１
中に示した放電管中心部の磁場測定範囲７の測定結果で
ある。プラズマの形成状態には、（１）イオン引き出し
領域８のみプラズマが点火する状態、（２）被加工試料
側領域９のみプラズマが点火している状態、（３）両プ
ラズマ領域共プラズマが点火している状態、の三状態が
ある。
【０００９】図２には各プラズマ領域が単独に形成され
る場合のみの磁場条件を示した。両プラズマ領域共プラ
ズマが点火している状態はその状態が安定に形成される
磁場条件範囲が狭く、どちらか一方のプラズマのみ点火
している状態を維持するのは容易である。図２からイオ
ン引き出し領域８と被加工試料側領域９のプラズマ形成
を制御するには点火したい領域に電子サイクロトロン共
鳴条件を満たす磁場を分布させればよいことが分かる。
本実施例では２.４５ＧＨｚ のマイクロ波を用いている
ので電子サイクロトロン共鳴条件を満たす磁場は８７５
Gauss である。
る場合のみの磁場条件を示した。両プラズマ領域共プラ
ズマが点火している状態はその状態が安定に形成される
磁場条件範囲が狭く、どちらか一方のプラズマのみ点火
している状態を維持するのは容易である。図２からイオ
ン引き出し領域８と被加工試料側領域９のプラズマ形成
を制御するには点火したい領域に電子サイクロトロン共
鳴条件を満たす磁場を分布させればよいことが分かる。
本実施例では２.４５ＧＨｚ のマイクロ波を用いている
ので電子サイクロトロン共鳴条件を満たす磁場は８７５
Gauss である。
【００１０】図１の装置を用いてデジタルエッチングを
行う場合の説明を記す。デジタルエッチングとはラジカ
ル供給とイオンビーム照射を交互に行い、吸着したラジ
カルをイオンビームで励起しエッチング反応を誘起する
方法である。イオンビーム照射によるエッチング量は最
初に吸着させたラジカル量で決まるためラジカル吸着量
を制御することで、ラジカル供給とイオンビーム照射の
１サイクルのエッチング量が規定できる。よってデジタ
ルエッチングではラジカル供給とイオンビーム照射のサ
イクル数により正確にエッチング量を制御できる。
行う場合の説明を記す。デジタルエッチングとはラジカ
ル供給とイオンビーム照射を交互に行い、吸着したラジ
カルをイオンビームで励起しエッチング反応を誘起する
方法である。イオンビーム照射によるエッチング量は最
初に吸着させたラジカル量で決まるためラジカル吸着量
を制御することで、ラジカル供給とイオンビーム照射の
１サイクルのエッチング量が規定できる。よってデジタ
ルエッチングではラジカル供給とイオンビーム照射のサ
イクル数により正確にエッチング量を制御できる。
【００１１】まず最初に磁場発生用コイル２，３の制御
装置１０により被加工試料側領域９にプラズマが点火す
る状態とする。この時は導入ガス切り替え手段１１で反
応性ガスである塩素等のハロゲンガスを供給し被加工試
料１２に塩素ラジカルを供給する。次に、磁場発生用コ
イル２，３の制御装置１０によりイオン引き出し領域８
にプラズマが点火する状態とする。この時は導入ガスを
導入ガス切り替え手段１１によりハロゲンガスからアル
ゴンガスに切り替える。イオン引き出し領域８に形成さ
れたアルゴンプラズマから引き出し電極５によりイオン
を引き出し、エッチングを行う。引き出し電極５への直
流電位印加は直流電位制御部１３で制御される。磁場分
布の制御，導入ガスの切り替え，引き出し電極の直流電
位制御は連動して中央制御部１４により制御される。
装置１０により被加工試料側領域９にプラズマが点火す
る状態とする。この時は導入ガス切り替え手段１１で反
応性ガスである塩素等のハロゲンガスを供給し被加工試
料１２に塩素ラジカルを供給する。次に、磁場発生用コ
イル２，３の制御装置１０によりイオン引き出し領域８
にプラズマが点火する状態とする。この時は導入ガスを
導入ガス切り替え手段１１によりハロゲンガスからアル
ゴンガスに切り替える。イオン引き出し領域８に形成さ
れたアルゴンプラズマから引き出し電極５によりイオン
を引き出し、エッチングを行う。引き出し電極５への直
流電位印加は直流電位制御部１３で制御される。磁場分
布の制御，導入ガスの切り替え，引き出し電極の直流電
位制御は連動して中央制御部１４により制御される。
【００１２】このラジカル吸着とイオンビーム照射のサ
イクルを何回か繰り返すことで所望のエッチング量を正
確に得ることができる。図１の装置により被加工試料１
２またはプラズマ源の機械的移無しでデジタルエッチン
グが可能となり、従来装置で問題となっていた移動に伴
う時間軽減と駆動部からのダストの低減を図る。
イクルを何回か繰り返すことで所望のエッチング量を正
確に得ることができる。図１の装置により被加工試料１
２またはプラズマ源の機械的移無しでデジタルエッチン
グが可能となり、従来装置で問題となっていた移動に伴
う時間軽減と駆動部からのダストの低減を図る。
【００１３】図３により本発明を通常のプラズマエッチ
ングと中性ビームエッチングのハイブリッドエッチング
に適用した場合の実施例を説明する。本実施例では超Ｌ
ＳＩの層間絶縁膜のコンタクトホール加工を行う場合の
例について説明する。従来ではプラズマ中に被加工試料
を挿入し、被加工試料に高周波電位を印加することで加
速したイオンを入射させエッチングを行っていた。従来
方式では高速エッチングが可能であるがコンタクトホー
ル形成後の下地の配線に荷電粒子が流れ込み配線に接続
される能動素子を劣化させるという問題がある。
ングと中性ビームエッチングのハイブリッドエッチング
に適用した場合の実施例を説明する。本実施例では超Ｌ
ＳＩの層間絶縁膜のコンタクトホール加工を行う場合の
例について説明する。従来ではプラズマ中に被加工試料
を挿入し、被加工試料に高周波電位を印加することで加
速したイオンを入射させエッチングを行っていた。従来
方式では高速エッチングが可能であるがコンタクトホー
ル形成後の下地の配線に荷電粒子が流れ込み配線に接続
される能動素子を劣化させるという問題がある。
【００１４】この能動素子の損傷を低減するため、荷電
粒子を用いず中性ビームにより層間絶縁膜の加工を行う
方法がある。しかし、中性ビームを用いた装置は加工速
度が遅いという問題がある。
粒子を用いず中性ビームにより層間絶縁膜の加工を行う
方法がある。しかし、中性ビームを用いた装置は加工速
度が遅いという問題がある。
【００１５】これら従来方式の問題を解決するため図３
の装置では最初に図１の実施例と同様な手段で被加工試
料側領域９のみにプラズマを点火させ従来のプラズマエ
ッチングと同様な層間絶縁膜エッチングを行う。このエ
ッチング中には被加工試料に高周波電位印加手段１６に
より高周波電位が印加されており高速なエッチングを行
うことができる。次にエッチング終了直前にイオン引き
出し領域８にプラズマ形成を切り替える。引き出し電極
５に必要な直流加速電位を印加することでイオンビーム
が形成される。引き出されたイオンビームは気相中を飛
行中にその一部が電荷交換反応により中性ビームとな
る。
の装置では最初に図１の実施例と同様な手段で被加工試
料側領域９のみにプラズマを点火させ従来のプラズマエ
ッチングと同様な層間絶縁膜エッチングを行う。このエ
ッチング中には被加工試料に高周波電位印加手段１６に
より高周波電位が印加されており高速なエッチングを行
うことができる。次にエッチング終了直前にイオン引き
出し領域８にプラズマ形成を切り替える。引き出し電極
５に必要な直流加速電位を印加することでイオンビーム
が形成される。引き出されたイオンビームは気相中を飛
行中にその一部が電荷交換反応により中性ビームとな
る。
【００１６】またイオン引き出し領域８にプラズマ形成
を切り替えた時、同時にバイアス制御部１７で被加工試
料１２に印加していた高周波電位を正の直流電位に切り
替える。この直流電位を引き出し電極５により引き出さ
れたイオンビームのエネルギより高くすることで中性化
しなかったイオンの入射を阻止し、中性ビームのみ被加
工試料へ入射させることができる。
を切り替えた時、同時にバイアス制御部１７で被加工試
料１２に印加していた高周波電位を正の直流電位に切り
替える。この直流電位を引き出し電極５により引き出さ
れたイオンビームのエネルギより高くすることで中性化
しなかったイオンの入射を阻止し、中性ビームのみ被加
工試料へ入射させることができる。
【００１７】以上の効果により、従来のプラズマエッチ
ングと同様な高速エッチングで、かつ素子損傷の無いコ
ンタクトホール加工を行うことができる。
ングと同様な高速エッチングで、かつ素子損傷の無いコ
ンタクトホール加工を行うことができる。
【００１８】図３では層間絶縁膜がシリコン酸化膜の場
合の実施例である。よって導入するガスをＣＨＦ3 等の
フロンガスとした。またフロンガスとアルゴンガスの混
合ガスを用いた場合も同様な効果がある。図３の実施例
でも図１の実施例と同様に磁場分布の制御，引き出し電
極の直流電位の制御，被加工試料のバイアス制御および
導入ガス切り替え制御は中央制御部１４により連動して
制御される。
合の実施例である。よって導入するガスをＣＨＦ3 等の
フロンガスとした。またフロンガスとアルゴンガスの混
合ガスを用いた場合も同様な効果がある。図３の実施例
でも図１の実施例と同様に磁場分布の制御，引き出し電
極の直流電位の制御，被加工試料のバイアス制御および
導入ガス切り替え制御は中央制御部１４により連動して
制御される。
【００１９】次に半導体材料のエッチング加工とエッチ
ングのマスクとして用いているレジスト膜の除去を行う
実施例を記す。装置構成を図４に示す。最初に被加工試
料側領域９のみ反応性ガスのプラズマを形成し、プラズ
マによりエッチングを行う。実施例と同様にエッチング
を行う時、必要に応じて被加工試料１２に高周波電位を
印加する。
ングのマスクとして用いているレジスト膜の除去を行う
実施例を記す。装置構成を図４に示す。最初に被加工試
料側領域９のみ反応性ガスのプラズマを形成し、プラズ
マによりエッチングを行う。実施例と同様にエッチング
を行う時、必要に応じて被加工試料１２に高周波電位を
印加する。
【００２０】エッチング終了後、導入ガスを酸素に切り
替え、さらにイオン引き出し領域８のみにプラズマが形
成されるように磁場分布を変える。イオン引き出し領域
８に形成された酸素プラズマから引き出し電極孔を介し
て酸素ラジカルが被加工試料に供給されレジスト膜の除
去が行われる。このレジスト膜除去の時、引き出し電極
に適当な直流電位を印加することで被加工試料側への荷
電粒子の流入が低減され低損傷なレジスト除去が実現で
きる。
替え、さらにイオン引き出し領域８のみにプラズマが形
成されるように磁場分布を変える。イオン引き出し領域
８に形成された酸素プラズマから引き出し電極孔を介し
て酸素ラジカルが被加工試料に供給されレジスト膜の除
去が行われる。このレジスト膜除去の時、引き出し電極
に適当な直流電位を印加することで被加工試料側への荷
電粒子の流入が低減され低損傷なレジスト除去が実現で
きる。
【００２１】以上の効果により単一の装置でエッチング
とレジスト除去が可能となり加工時間の短縮および装置
コストの低減が可能となる。
とレジスト除去が可能となり加工時間の短縮および装置
コストの低減が可能となる。
【００２２】図４の実施例ではエッチングの対象がシリ
コンの場合、被加工試料側領域９にＳＦ6 プラズマまた
は塩素プラズマを形成する。またエッチングの対象がシ
リコン酸化膜の場合はフロンガスまたはフロンとアルゴ
ンの混合ガスプラズマを形成する。図４の実施例でも図
１の実施例と同様に磁場分布の制御，引き出し電極の直
流電位の制御，被加工試料のバイアス制御および導入ガ
ス切り替え制御は中央制御部１４により連動して制御さ
れる。
コンの場合、被加工試料側領域９にＳＦ6 プラズマまた
は塩素プラズマを形成する。またエッチングの対象がシ
リコン酸化膜の場合はフロンガスまたはフロンとアルゴ
ンの混合ガスプラズマを形成する。図４の実施例でも図
１の実施例と同様に磁場分布の制御，引き出し電極の直
流電位の制御，被加工試料のバイアス制御および導入ガ
ス切り替え制御は中央制御部１４により連動して制御さ
れる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によりデジタルエッチングやハイ
ブリッド加工に必要な２種類の処理を単一プラズマ源で
達成できる。しかも、機械的駆動部がないため移動に伴
う加工時間のロスがなく、また駆動部から生じるダスト
も無くすことができる。これにより比較的小型の装置で
上記の加工が可能となりスループットの増大および装置
コストの低減ができる。
ブリッド加工に必要な２種類の処理を単一プラズマ源で
達成できる。しかも、機械的駆動部がないため移動に伴
う加工時間のロスがなく、また駆動部から生じるダスト
も無くすことができる。これにより比較的小型の装置で
上記の加工が可能となりスループットの増大および装置
コストの低減ができる。
【図１】本発明のデジタルエッチングを行う場合の実施
例のブロック図。
例のブロック図。
【図２】放電管内での磁場分布と各磁場分布によるプラ
ズマ形成状態の説明図。
ズマ形成状態の説明図。
【図３】本発明をハイブリッドエッチング装置に適用し
た場合の一実施例のブロック図。
た場合の一実施例のブロック図。
【図４】本発明をハイブリッドエッチング装置に適用し
た場合の第二実施例のブロック図。
た場合の第二実施例のブロック図。
１…放電管、２…磁場発生用コイル、３…磁場発生用コ
イル、４…導波管、５…引き出し電極、６…マイクロ波
調整用チューナ、７…磁場測定範囲、８…イオン引き出
し領域、９…被加工試料側領域、１０…制御装置、１１
…導入ガス切り替え手段、１２…被加工試料、１３…直
流電位制御部、１４…中央制御部、１５…被加工試料
台。
イル、４…導波管、５…引き出し電極、６…マイクロ波
調整用チューナ、７…磁場測定範囲、８…イオン引き出
し領域、９…被加工試料側領域、１０…制御装置、１１
…導入ガス切り替え手段、１２…被加工試料、１３…直
流電位制御部、１４…中央制御部、１５…被加工試料
台。
Claims (18)
- 【請求項１】磁場とマイクロ波領域の電磁波を用いプラ
ズマを形成し、前記プラズマ中の粒子を用いて半導体装
置材料のエッチングを行うエッチング装置において、プ
ラズマを形成する放電管をイオンを引き出す引き出し電
極によりイオン引き出し領域と被加工試料側領域に分割
し、前記二領域の磁場分布または電磁波強度を調節する
手段により前記二領域でのプラズマ形成状態を調節する
ことを特徴とするエッチング装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記磁場分布を調節す
る手段により前記イオン引き出し領域のみプラズマを形
成する状態と前記被加工試料側領域のみプラズマを形成
する状態を切り替えることが可能であるエッチング装
置。 - 【請求項３】請求項２において、前記磁場分布を調節す
る手段により前記イオン引き出し領域のみプラズマを形
成する状態と前記被加工試料側領域のみプラズマを形成
する状態を切り替え、前記二状態を交互に形成すること
でイオンビーム照射と反応性ラジカル供給を同一気相内
で交互に行うエッチング装置。 - 【請求項４】請求項１，２または３において、前記イオ
ン引き出し領域のみプラズマを形成する状態と前記被加
工試料側領域のみプラズマを形成する状態を切り替える
とき、同時に導入するガスの種類も切り替えることが可
能な手段を有するエッチング装置。 - 【請求項５】請求項１または２において、前記被加工試
料側領域のみプラズマを形成する状態とし前記プラズマ
により前記被加工試料のエッチングを行い、つづいてエ
ッチング終点直前でイオン引き出し領域のみプラズマを
形成する状態に切り替えイオンビームを引き出し、さら
に前記被加工試料を設置する試料台にイオンを反射する
直流電位を印加することで、前記イオンビームの内気相
中で中性化した中性ビームのみを入射させ残りのエッチ
ングを行うエッチング装置。 - 【請求項６】請求項５において、前記被加工試料を設置
する試料台が高周波電位を印加する手段を有し、前記被
加工試料側領域のみプラズマを形成する状態でエッチン
グを行っている時に高周波電位を印加しエッチングの効
率を高めるエッチング装置。 - 【請求項７】請求項２，３または４において、前記被加
工試料側プラズマ領域のみプラズマを形成する状態の時
はハロゲンガスを導入し、イオン引き出し用プラズマ領
域のみプラズマを形成する状態ではアルゴンガスを導入
するエッチング装置。 - 【請求項８】請求項５または６において、導入するガス
にフロンガス単体またはフロンガスとアルゴンガスの混
合ガスを用い、シリコン酸化膜のエッチングを行うエッ
チング装置。 - 【請求項９】請求項１または２において、前記被加工試
料側領域のみプラズマを形成させ反応性ガスにより被加
工試料のエッチングを行い、エッチング終了後導入ガス
を酸素に変え、さらにイオン引き出領域のみプラズマが
形成される状態とし、酸素プラズマから引き出し電極の
引き出し孔をへて拡散してくる酸素ラジカルによりレジ
スト膜の除去を行うエッチング装置。 - 【請求項１０】請求項９において、前記被加工試料側領
域のみプラズマを形成しているときに前記被加工試料ま
たは前記被加工試料を設置する試料台に高周波電位印加
手段により高周波電位を印加し、エッチングの効率を高
めるエッチング装置。 - 【請求項１１】請求項９において、イオン引き出し領域
から被加工試料側に荷電流粒子が流入するのを低減する
ため引き出し電極に直流電位を印加するエッチング装
置。 - 【請求項１２】請求項１において、イオン引き出し領域
と被加工試料側領域の電磁波強度を調節する手段が棒状
の誘電体または導体を電磁波の導波管内に挿入すること
で行われるエッチング装置。 - 【請求項１３】請求項２において、磁場分布を調節する
手段が磁場発生用コイルに流す電流量を調節する手段で
あるエッチング装置。 - 【請求項１４】請求項１，２，３，４，５，６，７，
８，９，１０，１１，１２または１３において、磁場分
布の制御と電磁波強度の制御と導入ガス切り替え制御お
よび被加工試料または試料台に印加する高周波電位また
は直流電位の制御を連動して制御する手段を有するエッ
チング装置。 - 【請求項１５】請求項９において、導入する反応性ガス
にＳＦ6 を用い、シリコンのエッチングを行うエッチン
グ装置。 - 【請求項１６】請求項９において、導入する反応性ガス
に塩素を用い、シリコンのエッチングを行うエッチング
装置。 - 【請求項１７】請求項９において、導入する反応性ガス
にフロンまたはフロンとアルゴンの混合ガスを用い、シ
リコン酸化膜のエッチングを行うエッチング装置。 - 【請求項１８】請求項１または２において、磁場分布を
制御しイオン引き出し領域と被加工試料側領域のプラズ
マ形成状態を制御する時、プラズマを形成したい領域の
みの磁場を電子サイクロトロン共鳴条件とするエッチン
グ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16093694A JPH0831799A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | エッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16093694A JPH0831799A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | エッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831799A true JPH0831799A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15725446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16093694A Pending JPH0831799A (ja) | 1994-07-13 | 1994-07-13 | エッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831799A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1067205C (zh) * | 1997-04-14 | 2001-06-13 | 鸿友科技股份有限公司 | 图像处理装置 |
| JP2009049078A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-05 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
-
1994
- 1994-07-13 JP JP16093694A patent/JPH0831799A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1067205C (zh) * | 1997-04-14 | 2001-06-13 | 鸿友科技股份有限公司 | 图像处理装置 |
| JP2009049078A (ja) * | 2007-08-15 | 2009-03-05 | Elpida Memory Inc | 半導体装置の製造方法 |
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