JPH0770532B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0770532B2 JPH0770532B2 JP1338900A JP33890089A JPH0770532B2 JP H0770532 B2 JPH0770532 B2 JP H0770532B2 JP 1338900 A JP1338900 A JP 1338900A JP 33890089 A JP33890089 A JP 33890089A JP H0770532 B2 JPH0770532 B2 JP H0770532B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- chamber
- processing chamber
- coil
- induction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32688—Multi-cusp fields
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 本発明は、電子回路チツプ基体のプラズマ処理装置に係
り、より詳細に言えば、電子回路チツプ或はパツケージ
材料から除去する処理（蝕刻処理）装置及びチツプ或は
パツケージ材料に付加する処理（被着処理）装置に関す
る。
り、より詳細に言えば、電子回路チツプ或はパツケージ
材料から除去する処理（蝕刻処理）装置及びチツプ或は
パツケージ材料に付加する処理（被着処理）装置に関す
る。
B.従来の技術 米国特許第3705091号（発明者：ヤコブ）は、半導体ス
ライスの面を蝕刻するための真空中でプラズマを発生す
るために、高い周波数（13.5メガヘルツ）によつて付勢
されるヘリカル型のRFコイルで同軸的に取り巻かれた円
筒状のガラス反応室を示している。この装置は、約１ト
ルの圧力で動作し、そして主としてリアクテイブ・ラジ
カル（反応基）を発生させるものである。このヤコブ・
システムは、本発明の所定の反応イオン蝕刻モード、即
ちRIE（Reactive ion etching）モードでは動作しな
い。１ミリトル乃至50ミリトルの本発明に必要な圧力範
囲において、このヤコブ・システムは、蝕刻の均一性が
全くなく、そして蝕刻速度が非常に遅い。この特許に
は、プラズマを閉じ込める手段が示されていない。
ライスの面を蝕刻するための真空中でプラズマを発生す
るために、高い周波数（13.5メガヘルツ）によつて付勢
されるヘリカル型のRFコイルで同軸的に取り巻かれた円
筒状のガラス反応室を示している。この装置は、約１ト
ルの圧力で動作し、そして主としてリアクテイブ・ラジ
カル（反応基）を発生させるものである。このヤコブ・
システムは、本発明の所定の反応イオン蝕刻モード、即
ちRIE（Reactive ion etching）モードでは動作しな
い。１ミリトル乃至50ミリトルの本発明に必要な圧力範
囲において、このヤコブ・システムは、蝕刻の均一性が
全くなく、そして蝕刻速度が非常に遅い。この特許に
は、プラズマを閉じ込める手段が示されていない。
1985年５月/6月、真空技術協会誌（J.Vac.Sci.Techno
l.）A3（３）、1218頁乃至1221頁の「ニユートラル・ビ
ーム用のRFプラズマ発生器の改良」（Development of
R.F.Plasma Generators for Neutral Beams）と題する
ベラ（M.C.Vella）等の文献は、反応温度まで、大きな
溶融プラズマを加熱するための高出力のニユートラル・
ビームを発生するのに使用されるRFプラズマ発生装置を
記載している。この装置における圧力は、１ミリトル乃
至20ミリトルである。この装置において、RF周波数で使
用するプラズマ発生用円筒チヤンバを取り囲んで装着さ
れた複数個の磁石により、プラズマ用の磁気シールドを
作つている。この特徴は、プラズマを発生するために、
RF誘導を用いることを教示しているけれども、プラズマ
がRFコイル上の被膜を蝕刻し、そして絶縁体を被着する
ような、蝕刻作用や、被着作用を行うためのRF誘導技術
の利用を示唆、または教示していない。
l.）A3（３）、1218頁乃至1221頁の「ニユートラル・ビ
ーム用のRFプラズマ発生器の改良」（Development of
R.F.Plasma Generators for Neutral Beams）と題する
ベラ（M.C.Vella）等の文献は、反応温度まで、大きな
溶融プラズマを加熱するための高出力のニユートラル・
ビームを発生するのに使用されるRFプラズマ発生装置を
記載している。この装置における圧力は、１ミリトル乃
至20ミリトルである。この装置において、RF周波数で使
用するプラズマ発生用円筒チヤンバを取り囲んで装着さ
れた複数個の磁石により、プラズマ用の磁気シールドを
作つている。この特徴は、プラズマを発生するために、
RF誘導を用いることを教示しているけれども、プラズマ
がRFコイル上の被膜を蝕刻し、そして絶縁体を被着する
ような、蝕刻作用や、被着作用を行うためのRF誘導技術
の利用を示唆、または教示していない。
1973年６月、科学器具に関する刊行物（Rev.Sci.Instru
m.）、第44巻第６号726頁乃至731頁の「大型で均一の無
衝突静止プラズマの複数磁極による閉じ込め」（Magnet
ic Multipole Confinement of Large Uniform Collisio
nless Quiesent Plasmas）と題するリムポーチヤ（R.Li
mpaecher）等の文献は、0.002トルの圧力において、ア
ルゴンのプラズマを閉じ込めるための複数の磁極を用い
ることが示されている。この文献は、加熱フイラメント
による電子放射からのプラズマの発生において、一次電
子を複数個の磁石によつて閉じ込めることに関して記載
したオリジナルな文献の１つである。
m.）、第44巻第６号726頁乃至731頁の「大型で均一の無
衝突静止プラズマの複数磁極による閉じ込め」（Magnet
ic Multipole Confinement of Large Uniform Collisio
nless Quiesent Plasmas）と題するリムポーチヤ（R.Li
mpaecher）等の文献は、0.002トルの圧力において、ア
ルゴンのプラズマを閉じ込めるための複数の磁極を用い
ることが示されている。この文献は、加熱フイラメント
による電子放射からのプラズマの発生において、一次電
子を複数個の磁石によつて閉じ込めることに関して記載
したオリジナルな文献の１つである。
米国特許第4483737号は、電子を放出させるために、電
気的に加熱するフイラメントを使用しているが、併し第
５欄の第53行乃至第65行において、中空カソード、また
はイオン・サイクロトン共振が電子を発生するのに使用
することが出来ると述べている。後に、RFパワー源は放
電電流のために、またはプラズマを閉じ込める表面磁界
を発生するためには使用されないと述べている。第６欄
の第52行乃至第58行において、「プラズマは、RF電圧を
印加するのではなく、１組の加熱タングステン・フイラ
メントから取り出された高速のイオン化電子からの衝突
によつて発生される。」と延べている。
気的に加熱するフイラメントを使用しているが、併し第
５欄の第53行乃至第65行において、中空カソード、また
はイオン・サイクロトン共振が電子を発生するのに使用
することが出来ると述べている。後に、RFパワー源は放
電電流のために、またはプラズマを閉じ込める表面磁界
を発生するためには使用されないと述べている。第６欄
の第52行乃至第58行において、「プラズマは、RF電圧を
印加するのではなく、１組の加熱タングステン・フイラ
メントから取り出された高速のイオン化電子からの衝突
によつて発生される。」と延べている。
また、1983年６月１日の応用物理レター（Appl.Phys.Le
tt.）43（１）、84乃至86頁の「表面磁界の閉じ込めに
よるプラズマ蝕刻」（Plasma Etching with Surface Ma
gnetic field Confinement）と題するマンテイ（T.D.Ma
ntei）等の文献と、1985年４月のソリツド・ステート技
術（Solid State Technology）263頁乃至265頁の「磁気
閉じ込めによる低圧プラズマ蝕刻」（Low Pressure Pla
sma Etching with Magnetic Confinement）と題するマ
ンテイ等の文献がある。
tt.）43（１）、84乃至86頁の「表面磁界の閉じ込めに
よるプラズマ蝕刻」（Plasma Etching with Surface Ma
gnetic field Confinement）と題するマンテイ（T.D.Ma
ntei）等の文献と、1985年４月のソリツド・ステート技
術（Solid State Technology）263頁乃至265頁の「磁気
閉じ込めによる低圧プラズマ蝕刻」（Low Pressure Pla
sma Etching with Magnetic Confinement）と題するマ
ンテイ等の文献がある。
1984年１月15日の応用物理レター第44巻185頁乃至187頁
の「RFマグネトロン・プラズマによる低周波高磁束反応
イオン蝕刻」（Low−Energy High Flux Reactive Ion E
tching by R.F.Magnetrohn Plasma）と題するリン（I.L
in）等の文献は、プラズマの発生に使用されるプラズマ
の閉じ込めについて記載しており、RF周波数の入力がプ
ラズマを発生するのに使用されている。RF入力は、電極
として使用されている銅プリズムに容量結合されてい
る。これは、沢山ある磁気リアクテイブ・イオン蝕刻シ
ステムの１つである。これらの大多数の装置は、電子密
度が陰極からの二次電子のEXBドリフトの方向に増加す
る装置を達成するような努力に向けられている。また、
これらのシステムは、ウエハを打撃するイオンのエネル
ギを調節する能力を持つていない。
の「RFマグネトロン・プラズマによる低周波高磁束反応
イオン蝕刻」（Low−Energy High Flux Reactive Ion E
tching by R.F.Magnetrohn Plasma）と題するリン（I.L
in）等の文献は、プラズマの発生に使用されるプラズマ
の閉じ込めについて記載しており、RF周波数の入力がプ
ラズマを発生するのに使用されている。RF入力は、電極
として使用されている銅プリズムに容量結合されてい
る。これは、沢山ある磁気リアクテイブ・イオン蝕刻シ
ステムの１つである。これらの大多数の装置は、電子密
度が陰極からの二次電子のEXBドリフトの方向に増加す
る装置を達成するような努力に向けられている。また、
これらのシステムは、ウエハを打撃するイオンのエネル
ギを調節する能力を持つていない。
米国特許第4632719号は、アルゴン・ガス中のRF磁界に
おいて、半導体ウエハの蝕刻を記載している。ウエハの
上方に配置された同心円の磁石の一対のリングがウエハ
の上方に一対のプラズマのリングを発生する。これは、
均一な蝕刻、または均一な被着を与えることが要求され
るシステムにおいて避けねばならない均一性のないプラ
ズマを発生する。従つて、この米国特許は、本発明が求
める方法とは逆方向のものである。
おいて、半導体ウエハの蝕刻を記載している。ウエハの
上方に配置された同心円の磁石の一対のリングがウエハ
の上方に一対のプラズマのリングを発生する。これは、
均一な蝕刻、または均一な被着を与えることが要求され
るシステムにおいて避けねばならない均一性のないプラ
ズマを発生する。従つて、この米国特許は、本発明が求
める方法とは逆方向のものである。
米国特許第4384938号は、陽極として作用する円筒形の
反応イオン蝕刻チヤンバと、陰極として作用する板状部
材とを有する反応イオン蝕刻装置を開示しており、この
装置において、陰極及び陽極の間に印加されるRF信号
は、内部表面の上に存在するダーク・スペースを持つ処
理チヤンバ内の活性グロー領域を発生するために作用す
る。反応イオン蝕刻の処理チヤンバの構造は、内部の上
表面と、一対の側壁とを持ち、それらの側壁は、上部表
面の下で、且つ側壁の間に置かれた陰極プレートに対し
て物理的に対称的に配置されており、そして、ガスの入
口と、ガスの出口との開口が、内部表面の上に存在する
ダーク・スペースの厚さよりも小さい寸法を持つている
ことを除いて、上部表面と一対の側壁とは一様に平坦で
ある。
反応イオン蝕刻チヤンバと、陰極として作用する板状部
材とを有する反応イオン蝕刻装置を開示しており、この
装置において、陰極及び陽極の間に印加されるRF信号
は、内部表面の上に存在するダーク・スペースを持つ処
理チヤンバ内の活性グロー領域を発生するために作用す
る。反応イオン蝕刻の処理チヤンバの構造は、内部の上
表面と、一対の側壁とを持ち、それらの側壁は、上部表
面の下で、且つ側壁の間に置かれた陰極プレートに対し
て物理的に対称的に配置されており、そして、ガスの入
口と、ガスの出口との開口が、内部表面の上に存在する
ダーク・スペースの厚さよりも小さい寸法を持つている
ことを除いて、上部表面と一対の側壁とは一様に平坦で
ある。
また、他の従来技術として、米国特許第4383177号の複
数個の磁石を持つインプランテーシヨンのアイソトープ
の分離イオン・ビーム源がある。
数個の磁石を持つインプランテーシヨンのアイソトープ
の分離イオン・ビーム源がある。
C.発明が解決しようとする課題 薄膜を蝕刻し、または被着するのに使用されるプラズマ
を発生するRFエネルギの供給を容量結合により与える場
合の問題は、処理に必要なプラズマを発生するのに必要
なレベルに、パワーを増加するための電圧が非常に高い
ので、プラズマ中のチヤージ粒子の運動エネルギが過剰
なレベルまで加速され、そして、被加工物や、マスクを
蝕刻する傾向を生じる。その結果、マスクの開口の縁を
削り取ることになり、マスクの開口の大きさを増加させ
る。また、他の問題として、イオンが損なわれ、エネル
ギを調節する選択性の幅が小さくなる。これは、微小電
子素子が益々小型化しており、マスクの開口の大きさ
を、より小さくする要求のある現在では、受け入れるこ
とは出来ない。従つて、使用される処理の内容に従つて
イオン・エネルギを変化させるような柔軟性を持たせる
ことが望まれる。
を発生するRFエネルギの供給を容量結合により与える場
合の問題は、処理に必要なプラズマを発生するのに必要
なレベルに、パワーを増加するための電圧が非常に高い
ので、プラズマ中のチヤージ粒子の運動エネルギが過剰
なレベルまで加速され、そして、被加工物や、マスクを
蝕刻する傾向を生じる。その結果、マスクの開口の縁を
削り取ることになり、マスクの開口の大きさを増加させ
る。また、他の問題として、イオンが損なわれ、エネル
ギを調節する選択性の幅が小さくなる。これは、微小電
子素子が益々小型化しており、マスクの開口の大きさ
を、より小さくする要求のある現在では、受け入れるこ
とは出来ない。従つて、使用される処理の内容に従つて
イオン・エネルギを変化させるような柔軟性を持たせる
ことが望まれる。
本発明の目的は、 （ａ）均一なプラズマと、 （ｂ）入力が大きくなつてもプラズマ密度が飽和しない
ことと、 （ｃ）イオンのエネルギを制御することと、 （ｄ）与えられた入力のレベルに対して高い蝕刻速度を
持たせることと、 （ｅ）構造が簡単であることと、 を有するブラズマ処理装置を提供することにある。
ことと、 （ｃ）イオンのエネルギを制御することと、 （ｄ）与えられた入力のレベルに対して高い蝕刻速度を
持たせることと、 （ｅ）構造が簡単であることと、 を有するブラズマ処理装置を提供することにある。
D.課題を解決するための手段 本発明に従つてプラズマ蝕刻用、またはプラズマ被着用
の乾式処理装置は、ガス中でプラズマ処理を施すべき被
加工物の面を収納し、外壁を持つ処理チヤンバを持つて
いる。誘導磁界の発生源は、被加工物とは反対側にある
処理チヤンバの外側に設けられている。処理チヤンバに
印加されたRF周波数の誘導磁界が、ガス中のプラズマを
発生する。プラズマは、プラズマを閉じ込めるための表
面磁界を与える複数個の磁石によつて、処理チヤンバ中
の外壁内に閉じ込められる。表面磁界が外壁に隣接した
空間に閉じ込められる。他のRF周波数発生装置が、被加
工物に対してRF周波数で発生されたバイアス電圧を与え
る。処理チヤンバは、プラズマに対して不活性な材料、
即ち被加工物に対して汚染を与えない材料で作られてお
り、そして、渦巻形状、即ちスパイラル誘導コイルが被
加工物とは反対側の、処理チヤンバの外側の平坦な部分
に設けられている。処理チヤンバ中へのガスの導入は、
マニホールドが処理チヤンバの周囲に沿つて設けられて
いるので、上部カバーの周辺で均一になる。処理チヤン
バに設けられたオリフイスは、処理チヤンバに流入する
ガスの圧力を制御し、マニホールドは、処理チヤンバの
カバーの周辺において、均一な圧力で、処理チヤンバ内
にガスを供給する。処理チヤンバの上部に磁界を閉じ込
めるために誘導コイルに隣接して表面磁界を置くことが
望ましい。更に、RF周波数で発生されたバイアスを調節
するために、誘導コイルと直列に接続されたコンデン
サ、または誘導子を設けるのが好ましい。
の乾式処理装置は、ガス中でプラズマ処理を施すべき被
加工物の面を収納し、外壁を持つ処理チヤンバを持つて
いる。誘導磁界の発生源は、被加工物とは反対側にある
処理チヤンバの外側に設けられている。処理チヤンバに
印加されたRF周波数の誘導磁界が、ガス中のプラズマを
発生する。プラズマは、プラズマを閉じ込めるための表
面磁界を与える複数個の磁石によつて、処理チヤンバ中
の外壁内に閉じ込められる。表面磁界が外壁に隣接した
空間に閉じ込められる。他のRF周波数発生装置が、被加
工物に対してRF周波数で発生されたバイアス電圧を与え
る。処理チヤンバは、プラズマに対して不活性な材料、
即ち被加工物に対して汚染を与えない材料で作られてお
り、そして、渦巻形状、即ちスパイラル誘導コイルが被
加工物とは反対側の、処理チヤンバの外側の平坦な部分
に設けられている。処理チヤンバ中へのガスの導入は、
マニホールドが処理チヤンバの周囲に沿つて設けられて
いるので、上部カバーの周辺で均一になる。処理チヤン
バに設けられたオリフイスは、処理チヤンバに流入する
ガスの圧力を制御し、マニホールドは、処理チヤンバの
カバーの周辺において、均一な圧力で、処理チヤンバ内
にガスを供給する。処理チヤンバの上部に磁界を閉じ込
めるために誘導コイルに隣接して表面磁界を置くことが
望ましい。更に、RF周波数で発生されたバイアスを調節
するために、誘導コイルと直列に接続されたコンデン
サ、または誘導子を設けるのが好ましい。
E.実施例 第１図はプラズマ処理によつて処理される被加工物を含
む半導体ウエハ11を含む真空の処理チヤンバ10を有する
プラズマ処理装置９を示す図である。この装置は、蝕刻
または被着によつてウエハ11を処理するためのプラズマ
を形成するのに用いられる。円形状外壁を形成するライ
ナ16は、プラズマを形成するために付勢されるガスを囲
んでいる。
む半導体ウエハ11を含む真空の処理チヤンバ10を有する
プラズマ処理装置９を示す図である。この装置は、蝕刻
または被着によつてウエハ11を処理するためのプラズマ
を形成するのに用いられる。円形状外壁を形成するライ
ナ16は、プラズマを形成するために付勢されるガスを囲
んでいる。
ライナ16は、プラズマ処理チヤンバ10中に含まれるプラ
ズマに対して実質的に不活性な材料、即ちプラズマを汚
染しない石英、または他の材料である。プラズマ処理チ
ヤンバ10のカバーも石英で作られている。従つて、チヤ
ンバ10は底部のウエハ11に対して、側壁を構成している
ライナ16の石英及び処理チヤンバの上部カバー17の石英
によつて取り囲まれている。ウエハ11は金属の基台23に
支持されているが、基台23の上表面に設けられた絶縁リ
ング40によつて基台から絶縁されている。ウエハ11の縁
を支持するための窪み32を有する平坦な絶縁リング40
は、ウエハ11の周囲を取り囲んで基台23の上面に与えら
れている。絶縁リング40はその表面からプラズマを分離
し、そして、チヤンバ10の基台の中央の位置にウエハ11
を支持する窪み32を持つ図示の形状を持つている。
ズマに対して実質的に不活性な材料、即ちプラズマを汚
染しない石英、または他の材料である。プラズマ処理チ
ヤンバ10のカバーも石英で作られている。従つて、チヤ
ンバ10は底部のウエハ11に対して、側壁を構成している
ライナ16の石英及び処理チヤンバの上部カバー17の石英
によつて取り囲まれている。ウエハ11は金属の基台23に
支持されているが、基台23の上表面に設けられた絶縁リ
ング40によつて基台から絶縁されている。ウエハ11の縁
を支持するための窪み32を有する平坦な絶縁リング40
は、ウエハ11の周囲を取り囲んで基台23の上面に与えら
れている。絶縁リング40はその表面からプラズマを分離
し、そして、チヤンバ10の基台の中央の位置にウエハ11
を支持する窪み32を持つ図示の形状を持つている。
ガスの流入口ブロツク12からパイプ13を通り、円形状ベ
ース27及び処理チヤンバの上部カバー17により形成され
た円形状マニホールド14を経てガスが処理チヤンバ10に
与えられる。マニホールド14は約6.985ミリメートルの
深さを持つている。マニホールド14は約0.127ミリメー
トルの周囲を取り巻く狭い円形状オリフイス15を経て処
理チヤンバ10に連続しており、この狭い円形状オリフイ
ス15は、チヤンバ10の上方の全体の周囲に亙つて均一な
圧力でガスが配分されるように、マニホールド14のガス
の圧力を維持する。処理チヤンバ10の上方の周囲のすべ
ての部分に亙つて、単位時間当りの流量がほぼ同じ大き
さになるように、マニホールド14中のガスは、円形状ベ
ース27の舌片部の上面と、カバー17の下面との間のオリ
フイス15を通過させ、これにより、処理チヤンバ10内の
プラズマに一層高度の均一性を保たせる。処理チヤンバ
10中のガスの圧力は約１乃至５トルの低い圧力であるこ
とが望ましい。処理チヤンバ10から排出されるガスは、
ライナ16の基部、または磁石21の間に設けられた円形状
のオリフイス18から、出口89を通り真空ポンプ（図示せ
ず）に接続されている排出室19に通される。
ース27及び処理チヤンバの上部カバー17により形成され
た円形状マニホールド14を経てガスが処理チヤンバ10に
与えられる。マニホールド14は約6.985ミリメートルの
深さを持つている。マニホールド14は約0.127ミリメー
トルの周囲を取り巻く狭い円形状オリフイス15を経て処
理チヤンバ10に連続しており、この狭い円形状オリフイ
ス15は、チヤンバ10の上方の全体の周囲に亙つて均一な
圧力でガスが配分されるように、マニホールド14のガス
の圧力を維持する。処理チヤンバ10の上方の周囲のすべ
ての部分に亙つて、単位時間当りの流量がほぼ同じ大き
さになるように、マニホールド14中のガスは、円形状ベ
ース27の舌片部の上面と、カバー17の下面との間のオリ
フイス15を通過させ、これにより、処理チヤンバ10内の
プラズマに一層高度の均一性を保たせる。処理チヤンバ
10中のガスの圧力は約１乃至５トルの低い圧力であるこ
とが望ましい。処理チヤンバ10から排出されるガスは、
ライナ16の基部、または磁石21の間に設けられた円形状
のオリフイス18から、出口89を通り真空ポンプ（図示せ
ず）に接続されている排出室19に通される。
プラズマを磁気的に閉じ込めるための装置は、第１図、
第２図及び第３図に示されたように、垂直軸を持つ複数
個の磁石（複数磁極）21の型式が用いられる。複数磁極
21は円筒形の処理チヤンバ10の中心軸に対して垂直方向
に向けられた磁界を持つている。複数磁極21は、従来の
技術に従つた磁気閉じ込めのための円筒形配列にされ、
ライナ16の周辺に沿つて配列されている。複数磁極は、
第２図に示したように、内側に向けられた磁界を持つて
いる。第２図に示したように、複数磁極21のＮ極及びＳ
極の交代する配列によつて、処理チヤンバ10の内側に向
けて電子を弾き返す磁力の壁を発生させ、これにより、
磁力の壁を打撃する活性化されたイオンの数を減少し、
そしてウエハ11の付近に集中するプラズマの均一性を制
御する。第２図から理解出来るように、磁界は複数磁極
21に向かうカスプ（先端）を含んでいる。この場合に
は、磁石21が線カスプではなく円筒形状のカスプを与え
ていることは、当業者には容易に理解出来るであろう。
RFコイル22は、第３図に示したような処理チヤンバ10の
石英の上部カバー17の上側に渦巻状、即ちスパイラル状
に巻かれている。スパイラル・コイル22はガスのイオン
流、１アンペア毎に約300ワツトの入力を持つ13メガヘ
ルツのRF周波数の発信源によつて付勢される。発信源30
の他の側は回路を完成するためにアースに接続されてい
る。スパイラル・コイル22の内側端子は、端子28から電
線46に接続されたスイツチ48を通つて、プラズマ装置９
の接地された側壁31に設けられている接地端子29に接続
されている。
第２図及び第３図に示されたように、垂直軸を持つ複数
個の磁石（複数磁極）21の型式が用いられる。複数磁極
21は円筒形の処理チヤンバ10の中心軸に対して垂直方向
に向けられた磁界を持つている。複数磁極21は、従来の
技術に従つた磁気閉じ込めのための円筒形配列にされ、
ライナ16の周辺に沿つて配列されている。複数磁極は、
第２図に示したように、内側に向けられた磁界を持つて
いる。第２図に示したように、複数磁極21のＮ極及びＳ
極の交代する配列によつて、処理チヤンバ10の内側に向
けて電子を弾き返す磁力の壁を発生させ、これにより、
磁力の壁を打撃する活性化されたイオンの数を減少し、
そしてウエハ11の付近に集中するプラズマの均一性を制
御する。第２図から理解出来るように、磁界は複数磁極
21に向かうカスプ（先端）を含んでいる。この場合に
は、磁石21が線カスプではなく円筒形状のカスプを与え
ていることは、当業者には容易に理解出来るであろう。
RFコイル22は、第３図に示したような処理チヤンバ10の
石英の上部カバー17の上側に渦巻状、即ちスパイラル状
に巻かれている。スパイラル・コイル22はガスのイオン
流、１アンペア毎に約300ワツトの入力を持つ13メガヘ
ルツのRF周波数の発信源によつて付勢される。発信源30
の他の側は回路を完成するためにアースに接続されてい
る。スパイラル・コイル22の内側端子は、端子28から電
線46に接続されたスイツチ48を通つて、プラズマ装置９
の接地された側壁31に設けられている接地端子29に接続
されている。
第３図を参照すると、プラズマの密度を高めるために、
プラズマ処理装置９の上面の上部カバー17の上に位置す
る磁石39をコイル22に隣接して設けることによつて、カ
バー17に対するプラズマの損失を減少させることが出来
る。
プラズマ処理装置９の上面の上部カバー17の上に位置す
る磁石39をコイル22に隣接して設けることによつて、カ
バー17に対するプラズマの損失を減少させることが出来
る。
スイツチ48はRFコイル22に対して直列に接続されている
リアクタンス50を電線49及び51を介して短絡させる。リ
アクタンス50は、プラズマのRFバイアス電圧を調節する
ために、容量性手段か、または誘導性手段によつて可変
型にしてもよいし、または固定型にしてもよい。端子28
と接地端子29との間で、スパイラル・コイル22と直列に
接続されたリアクタンス50を含む回路は、発信源24から
のRFバイアス電圧を使用しない場合、即ちRFコイル22だ
けを使用する場合に使用される。リアクタンス50は、RF
発信源24からのバイアスなしでRF誘導子を使用したい場
合に使用される。この場合、この装置は、約10電子ボル
トの低いエネルギか、または約80電子ボルトの高いエネ
ルギかに変化することが出来る。本発明のこの特徴に従
つて、この装置は、アースに対してインピーダンスを変
化することが出来る（スイツチ48がリアクタンス50を、
電線49、51及び39と、端子29とを通つてアースに接続す
る回路が開かれ、または閉じられた時、コイル22の中心
からバイパス・ラインの間のインピーダンスを変化す
る）。これは、コイルの誘導性インピーダンスの半分に
等しい容量性インピーダンスの値を持つような小さな容
量性結合の大きさから、誘導性リアクタンス50よりも大
きな誘導性結合に、この装置が変化する。
リアクタンス50を電線49及び51を介して短絡させる。リ
アクタンス50は、プラズマのRFバイアス電圧を調節する
ために、容量性手段か、または誘導性手段によつて可変
型にしてもよいし、または固定型にしてもよい。端子28
と接地端子29との間で、スパイラル・コイル22と直列に
接続されたリアクタンス50を含む回路は、発信源24から
のRFバイアス電圧を使用しない場合、即ちRFコイル22だ
けを使用する場合に使用される。リアクタンス50は、RF
発信源24からのバイアスなしでRF誘導子を使用したい場
合に使用される。この場合、この装置は、約10電子ボル
トの低いエネルギか、または約80電子ボルトの高いエネ
ルギかに変化することが出来る。本発明のこの特徴に従
つて、この装置は、アースに対してインピーダンスを変
化することが出来る（スイツチ48がリアクタンス50を、
電線49、51及び39と、端子29とを通つてアースに接続す
る回路が開かれ、または閉じられた時、コイル22の中心
からバイパス・ラインの間のインピーダンスを変化す
る）。これは、コイルの誘導性インピーダンスの半分に
等しい容量性インピーダンスの値を持つような小さな容
量性結合の大きさから、誘導性リアクタンス50よりも大
きな誘導性結合に、この装置が変化する。
第４図を参照すると、スパイラル・コイル22は、コイル
22を電線46及び38に接続するためにねじ孔を付された端
子28及び47を持つスパイラル巻線を含んでいる。図示さ
れたように、スパイラル・コイル22は、コイル22の誘導
性の性能を強化するために、遷移部33から遷移部35まで
の第２（中間）巻線34を有する３回巻きのスパイラル・
コイルである。外側巻線36と内側巻線37とは、ほぼ同じ
幅を持つている。この形状の利益は、単一幅の巻線を持
つコイルよりも、プラズマが、より均一になることであ
る。一般論として、この原理は巻線数と無関係に適用す
ることが出来る。巻線の幅（断面の領域）の変化に含ま
れているものは、３回巻きのコイルのインダクタンスが
再びバランスされていることである。
22を電線46及び38に接続するためにねじ孔を付された端
子28及び47を持つスパイラル巻線を含んでいる。図示さ
れたように、スパイラル・コイル22は、コイル22の誘導
性の性能を強化するために、遷移部33から遷移部35まで
の第２（中間）巻線34を有する３回巻きのスパイラル・
コイルである。外側巻線36と内側巻線37とは、ほぼ同じ
幅を持つている。この形状の利益は、単一幅の巻線を持
つコイルよりも、プラズマが、より均一になることであ
る。一般論として、この原理は巻線数と無関係に適用す
ることが出来る。巻線の幅（断面の領域）の変化に含ま
れているものは、３回巻きのコイルのインダクタンスが
再びバランスされていることである。
スパイラル・コイル22からのRFエネルギは、ウエハ11の
付加的処理か、または、除去的処理を行うために、処理
チヤンバ10中のガスを持続するプラズマにイオン化す
る。ウエハ11は金属の基台23の上に保持されている。金
属の基台23は、静電式のクランプ作用によつて保持され
ているウエハ11を、基台の裏側からの冷却手段（図示せ
ず）によつて冷却するが、この冷却手段は当業者には自
明の技術だから、これ以上の説明はしない。金属の基台
23は、ウエハ11に直流バイアスに導くRFバイアス源24に
接続されており、このRFバイアス源24は、約13メガヘル
ツ以上の周波数、好ましくは40メガヘルツの周波数のRF
バイアスを、ウエハ11とプラズマとの間に設定する。異
なつた周波数を使用することによつて、２つの電源の間
の結合を減少する。高い周波数のRFバイアスは、イオン
・エネルギに対して、より良い一元的な配分を与えて、
エネルギの制御を向上させるので、蝕刻の速度に対し
て、より良い選択性を与えることが出来る。
付加的処理か、または、除去的処理を行うために、処理
チヤンバ10中のガスを持続するプラズマにイオン化す
る。ウエハ11は金属の基台23の上に保持されている。金
属の基台23は、静電式のクランプ作用によつて保持され
ているウエハ11を、基台の裏側からの冷却手段（図示せ
ず）によつて冷却するが、この冷却手段は当業者には自
明の技術だから、これ以上の説明はしない。金属の基台
23は、ウエハ11に直流バイアスに導くRFバイアス源24に
接続されており、このRFバイアス源24は、約13メガヘル
ツ以上の周波数、好ましくは40メガヘルツの周波数のRF
バイアスを、ウエハ11とプラズマとの間に設定する。異
なつた周波数を使用することによつて、２つの電源の間
の結合を減少する。高い周波数のRFバイアスは、イオン
・エネルギに対して、より良い一元的な配分を与えて、
エネルギの制御を向上させるので、蝕刻の速度に対し
て、より良い選択性を与えることが出来る。
このRFバイアスは、基台23のRFレベルがRF源24によつて
変化されるので、プラズマからのイオンのエネルギ制御
を与える。ダーク・スペースがウエハ11の上表面に存在
する。プラズマを発生するために、容量結合RF電極を使
用せずに、RFコイル22を使用することは、ライナ16の壁
及びウエハ11を打撃するイオンの運動エネルギを減少さ
せるよう制御する利点があるので、これにより、本発明
の装置を効果的に使用する時に必要なプラズマ処理に用
いる高いエネルギ・レベルにおけるイオン及び電子によ
つて生じるであろう損傷を減少することが出来る。ま
た、このことは、必要とする処理に応じてイオン・エネ
ルギの調節に柔軟性を与えることを意味する。
変化されるので、プラズマからのイオンのエネルギ制御
を与える。ダーク・スペースがウエハ11の上表面に存在
する。プラズマを発生するために、容量結合RF電極を使
用せずに、RFコイル22を使用することは、ライナ16の壁
及びウエハ11を打撃するイオンの運動エネルギを減少さ
せるよう制御する利点があるので、これにより、本発明
の装置を効果的に使用する時に必要なプラズマ処理に用
いる高いエネルギ・レベルにおけるイオン及び電子によ
つて生じるであろう損傷を減少することが出来る。ま
た、このことは、必要とする処理に応じてイオン・エネ
ルギの調節に柔軟性を与えることを意味する。
排出マニホールド、即ち排出チヤンバ19において、処理
チヤンバ19の天井部分から床部分までを被う大きな垂直
網手段25と、円筒状の基体の上部から底部までを被う小
さな垂直網手段26とが設けられている。これらの垂直な
網手段25及び26は、排出チヤンバ19中へのプラズマの漏
洩を避けるために、接地されている。ナイロン製のボル
ト42は、外部大気から処理チヤンバ10の内部を隔離し、
密閉するためのガスケツト41を介して、基台23をプラズ
マ処理装置９に固着している。
チヤンバ19の天井部分から床部分までを被う大きな垂直
網手段25と、円筒状の基体の上部から底部までを被う小
さな垂直網手段26とが設けられている。これらの垂直な
網手段25及び26は、排出チヤンバ19中へのプラズマの漏
洩を避けるために、接地されている。ナイロン製のボル
ト42は、外部大気から処理チヤンバ10の内部を隔離し、
密閉するためのガスケツト41を介して、基台23をプラズ
マ処理装置９に固着している。
プラズマを発生させるのに使用するガスは公知であるけ
れども、プラズマ発生に適するガスの幾つかの例を以下
に示す。
れども、プラズマ発生に適するガスの幾つかの例を以下
に示す。
CCl2F2＋20％のSF6 C3F8＋16％のSF6 C3F8 CF4 O2 Ar＋10％のO2 第５図は３種類のプラズマ処理装置のイオン流対RF入力
との関係を示すグラフである。１つのグラフは、本発明
の実施例に使用された誘導コイル22に印加されたRF入力
により発生されたイオン流のグラフであり、ほぼ直線状
になつている。第５図において破線で示されたグラフ
は、従来の装置である、電子サイクロトロン共振（EC
R）装置によつて発生されたプラズマを示すものであ
る。他の実線で示されたグラフはRFダイオード装置、即
ち容量結合されたRF装置によつて発生されたプラズマ流
を示している。高い入力レベルにおいて、RF誘導は、与
えられた入力レベルにおいて遥かに高いイオン流を発生
し、しかも直線的に増加するという秀れた特性を持つて
いる。本発明の装置により発生されたイオン流は、入力
が増加しても飽和することがなく、従つて、イオンの低
い運動エネルギで、非常に高いプラズマ密度を得ること
が出来る。
との関係を示すグラフである。１つのグラフは、本発明
の実施例に使用された誘導コイル22に印加されたRF入力
により発生されたイオン流のグラフであり、ほぼ直線状
になつている。第５図において破線で示されたグラフ
は、従来の装置である、電子サイクロトロン共振（EC
R）装置によつて発生されたプラズマを示すものであ
る。他の実線で示されたグラフはRFダイオード装置、即
ち容量結合されたRF装置によつて発生されたプラズマ流
を示している。高い入力レベルにおいて、RF誘導は、与
えられた入力レベルにおいて遥かに高いイオン流を発生
し、しかも直線的に増加するという秀れた特性を持つて
いる。本発明の装置により発生されたイオン流は、入力
が増加しても飽和することがなく、従つて、イオンの低
い運動エネルギで、非常に高いプラズマ密度を得ること
が出来る。
実用上の適用 本発明の装置及び方法は、プラズマ蝕刻及びプラズマ被
着の両方に用いることが出来、半導体装置及びそのパツ
ケージの分野に特に有用である。また、本発明は、微小
加工を必要とする分野にも用いることが出来る。
着の両方に用いることが出来、半導体装置及びそのパツ
ケージの分野に特に有用である。また、本発明は、微小
加工を必要とする分野にも用いることが出来る。
酸化物ゲート、即ち酸化物絶縁層のプラズマ焼鈍しにお
いて、夫々約287、401及び532である炭素、窒素及び酸
素の「Ｋアルフア」エネルギ以上のあらゆるピークから
ピーク電圧を回避する必要がある。これに付随して、水
素原子及び水素イオンの高い密度が必要である。これら
のことは、マグネトロン・モードにおいてさえも、達成
することが非常に困難である。然しながら、本発明のRF
誘導結合プラズマ装置を使用すると、上述のことは極め
て容易に達成することが出来る。
いて、夫々約287、401及び532である炭素、窒素及び酸
素の「Ｋアルフア」エネルギ以上のあらゆるピークから
ピーク電圧を回避する必要がある。これに付随して、水
素原子及び水素イオンの高い密度が必要である。これら
のことは、マグネトロン・モードにおいてさえも、達成
することが非常に困難である。然しながら、本発明のRF
誘導結合プラズマ装置を使用すると、上述のことは極め
て容易に達成することが出来る。
本発明の装置は薄膜を蝕刻するための湿式HFの解決方法
に代替することが出来る。
に代替することが出来る。
F.発明の効果 本発明のプラズマ発生装置は、RF入力が増加してもイオ
ン流が飽和することがなく、従つて、イオンの低い運動
エネルギで、非常に高いプラズマ密度を得ることが出来
る。
ン流が飽和することがなく、従つて、イオンの低い運動
エネルギで、非常に高いプラズマ密度を得ることが出来
る。
第１図は本発明に従つたプラズマ処理装置の実施例の断
面図、第２図は本発明のプラズマ処理装置に使用される
プラズマ閉じ込め用の複数磁極装置の模式図、第３図は
第１図のプラズマ処理装置に含まれる一部分を示した模
式図、第４図は本発明のプラズマ処理装置に使用される
インボリウト、即ちスパイラル形状のRF周波数誘導磁界
発生用コイルの平面図、第５図は３種類のプラズマ処理
装置に対するイオン流対RF入力との関係を示すグラフで
ある。 10……処理チヤンバ、11……半導体ウエハ、12……ガス
の流入口ブロツク、14……円形状マニホールド、15……
円形状オリフイス、16……ライナ、17……処理チヤンバ
の上部表面、19……排出チヤンバ、21、32……磁石、22
……RFコイル（スパイラル・コイル）、23……基台、2
4、30……RF発信源、25、26……網手段、36……外側巻
線、37……内側巻線、50……リアクタンス。
面図、第２図は本発明のプラズマ処理装置に使用される
プラズマ閉じ込め用の複数磁極装置の模式図、第３図は
第１図のプラズマ処理装置に含まれる一部分を示した模
式図、第４図は本発明のプラズマ処理装置に使用される
インボリウト、即ちスパイラル形状のRF周波数誘導磁界
発生用コイルの平面図、第５図は３種類のプラズマ処理
装置に対するイオン流対RF入力との関係を示すグラフで
ある。 10……処理チヤンバ、11……半導体ウエハ、12……ガス
の流入口ブロツク、14……円形状マニホールド、15……
円形状オリフイス、16……ライナ、17……処理チヤンバ
の上部表面、19……排出チヤンバ、21、32……磁石、22
……RFコイル（スパイラル・コイル）、23……基台、2
4、30……RF発信源、25、26……網手段、36……外側巻
線、37……内側巻線、50……リアクタンス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−174321（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−143330（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−138432（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−203781（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】外壁を有するプラズマ処理用チャンバであ
って、該チャンバはプラズマで処理される表面を持つ少
なくとも１個の被加工物を上記外壁内に収容する処理チ
ャンバと、 上記処理チャンバ内にプラズマを発生するために、上記
処理チャンバ中にRF誘導磁界を与える誘導手段とを備
え、、 上記誘導手段は上記処理チャンバの外側で、且つ上記被
加工物とは反対側の上記処理チャンバの上部に設けられ
ているプラズマ処理装置。 - 【請求項２】プラズマ処理装置であって、 ａ）プラズマで処理される表面を持つ少なくとも１個の
被加工物を収容するプラズマ処理用チャンバと、 ｂ）上記チャンバ内にプラズマを発生させるために上記
チャンバにRF誘導磁界を与える、上記チャンバの上記被
加工物と反対側の端部に設けられた平板状のスパイラル
誘導コイルと、 ｃ）上記チャンバの周辺に閉じ込め磁界を発生する閉じ
込め手段と、 を備えるプラズマ装置。 - 【請求項３】上記誘導コイルが上記チャンバの外側にあ
る、請求項２に記載のプラズマ装置。 - 【請求項４】上記被加工物にRFバイアスを与える手段を
備える請求項１または２に記載のプラズマ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US30193389A | 1989-01-25 | 1989-01-25 | |
| US301933 | 1989-01-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02235332A JPH02235332A (ja) | 1990-09-18 |
| JPH0770532B2 true JPH0770532B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=23165518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1338900A Expired - Lifetime JPH0770532B2 (ja) | 1989-01-25 | 1989-12-28 | プラズマ処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0379828B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0770532B2 (ja) |
| DE (1) | DE68924413T2 (ja) |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4948458A (en) * | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma |
| US5280154A (en) * | 1992-01-30 | 1994-01-18 | International Business Machines Corporation | Radio frequency induction plasma processing system utilizing a uniform field coil |
| US5241245A (en) * | 1992-05-06 | 1993-08-31 | International Business Machines Corporation | Optimized helical resonator for plasma processing |
| WO1994006263A1 (en) * | 1992-09-01 | 1994-03-17 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | High pressure magnetically assisted inductively coupled plasma |
| USRE40963E1 (en) * | 1993-01-12 | 2009-11-10 | Tokyo Electron Limited | Method for plasma processing by shaping an induced electric field |
| US6136140A (en) * | 1993-01-12 | 2000-10-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| KR100238627B1 (ko) * | 1993-01-12 | 2000-01-15 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마 처리장치 |
| US5433812A (en) * | 1993-01-19 | 1995-07-18 | International Business Machines Corporation | Apparatus for enhanced inductive coupling to plasmas with reduced sputter contamination |
| TW260857B (ja) * | 1993-03-04 | 1995-10-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| US5565114A (en) * | 1993-03-04 | 1996-10-15 | Tokyo Electron Limited | Method and device for detecting the end point of plasma process |
| FR2707449B1 (fr) * | 1993-07-05 | 1995-08-11 | Cit Alcatel | Réacteur à plasma pour un procédé de dépôt ou de gravure. |
| US5614055A (en) * | 1993-08-27 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD and etching reactor |
| KR100264445B1 (ko) * | 1993-10-04 | 2000-11-01 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치 |
| TW273067B (ja) * | 1993-10-04 | 1996-03-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| TW293983B (ja) * | 1993-12-17 | 1996-12-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| US5518547A (en) * | 1993-12-23 | 1996-05-21 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for reducing particulates in a plasma tool through steady state flows |
| US5783492A (en) * | 1994-03-04 | 1998-07-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method, plasma processing apparatus, and plasma generating apparatus |
| US5522934A (en) * | 1994-04-26 | 1996-06-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another |
| DE69531880T2 (de) | 1994-04-28 | 2004-09-09 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Verfahren zum Betreiben eines CVD-Reaktors hoher Plasma-Dichte mit kombinierter induktiver und kapazitiver Einkopplung |
| JP3171222B2 (ja) * | 1994-06-14 | 2001-05-28 | 日本電気株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| US5587038A (en) * | 1994-06-16 | 1996-12-24 | Princeton University | Apparatus and process for producing high density axially extending plasmas |
| US5540800A (en) * | 1994-06-23 | 1996-07-30 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled high density plasma reactor for plasma assisted materials processing |
| US5540824A (en) * | 1994-07-18 | 1996-07-30 | Applied Materials | Plasma reactor with multi-section RF coil and isolated conducting lid |
| US5521351A (en) * | 1994-08-30 | 1996-05-28 | Wisconsin Alumni Research Foundation | Method and apparatus for plasma surface treatment of the interior of hollow forms |
| US5777289A (en) | 1995-02-15 | 1998-07-07 | Applied Materials, Inc. | RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling |
| US5753044A (en) * | 1995-02-15 | 1998-05-19 | Applied Materials, Inc. | RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling |
| EP0710055B1 (en) | 1994-10-31 | 1999-06-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactors for processing semi-conductor wafers |
| US5688357A (en) * | 1995-02-15 | 1997-11-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor |
| US6270617B1 (en) | 1995-02-15 | 2001-08-07 | Applied Materials, Inc. | RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling |
| US5653811A (en) | 1995-07-19 | 1997-08-05 | Chan; Chung | System for the plasma treatment of large area substrates |
| TW356554B (en) * | 1995-10-23 | 1999-04-21 | Watkins Johnson Co | Gas injection system for semiconductor processing |
| DE19606375A1 (de) * | 1996-02-21 | 1997-08-28 | Balzers Prozes Systeme Gmbh | Plasmaquelle mit eingekoppelten Whistler- oder Helikonwellen |
| US6093660A (en) * | 1996-03-18 | 2000-07-25 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Inductively coupled plasma chemical vapor deposition technology |
| CA2207154A1 (en) * | 1996-06-10 | 1997-12-10 | Lam Research Corporation | Inductively coupled source for deriving substantially uniform plasma flux |
| US5993678A (en) * | 1996-07-31 | 1999-11-30 | Toyo Technologies Inc. | Device and method for processing a plasma to alter the surface of a substrate |
| US5942855A (en) * | 1996-08-28 | 1999-08-24 | Northeastern University | Monolithic miniaturized inductively coupled plasma source |
| US6214162B1 (en) | 1996-09-27 | 2001-04-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JP3483725B2 (ja) * | 1997-04-02 | 2004-01-06 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及び処理方法 |
| US6033974A (en) | 1997-05-12 | 2000-03-07 | Silicon Genesis Corporation | Method for controlled cleaving process |
| US6162705A (en) | 1997-05-12 | 2000-12-19 | Silicon Genesis Corporation | Controlled cleavage process and resulting device using beta annealing |
| US6027988A (en) * | 1997-05-28 | 2000-02-22 | The Regents Of The University Of California | Method of separating films from bulk substrates by plasma immersion ion implantation |
| US6369348B2 (en) | 1997-06-30 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc | Plasma reactor with coil antenna of plural helical conductors with equally spaced ends |
| US6103599A (en) * | 1997-07-25 | 2000-08-15 | Silicon Genesis Corporation | Planarizing technique for multilayered substrates |
| US5982100A (en) * | 1997-07-28 | 1999-11-09 | Pars, Inc. | Inductively coupled plasma reactor |
| US6051073A (en) * | 1998-02-11 | 2000-04-18 | Silicon Genesis Corporation | Perforated shield for plasma immersion ion implantation |
| US6228176B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-05-08 | Silicon Genesis Corporation | Contoured platen design for plasma immerson ion implantation |
| US6335293B1 (en) | 1998-07-13 | 2002-01-01 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for two-sided etch of a semiconductor substrate |
| US6213050B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-04-10 | Silicon Genesis Corporation | Enhanced plasma mode and computer system for plasma immersion ion implantation |
| JP2000235900A (ja) * | 1999-02-15 | 2000-08-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US6221740B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-04-24 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving tool and method |
| US6263941B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-07-24 | Silicon Genesis Corporation | Nozzle for cleaving substrates |
| JP3787079B2 (ja) | 2001-09-11 | 2006-06-21 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
| DE10358505B4 (de) * | 2003-12-13 | 2007-10-11 | Roth & Rau Ag | Plasmaquelle zur Erzeugung eines induktiv gekoppelten Plasmas |
| US7464662B2 (en) * | 2004-01-28 | 2008-12-16 | Tokyo Electron Limited | Compact, distributed inductive element for large scale inductively-coupled plasma sources |
| JP4657620B2 (ja) | 2004-04-13 | 2011-03-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US8993410B2 (en) | 2006-09-08 | 2015-03-31 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving under controlled stress conditions |
| US9362439B2 (en) | 2008-05-07 | 2016-06-07 | Silicon Genesis Corporation | Layer transfer of films utilizing controlled shear region |
| CN108271309B (zh) * | 2016-12-30 | 2020-05-01 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种电感耦合等离子处理装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6058794B2 (ja) * | 1981-06-10 | 1985-12-21 | 日本電子株式会社 | プラズマ加工装置 |
| US4431898A (en) * | 1981-09-01 | 1984-02-14 | The Perkin-Elmer Corporation | Inductively coupled discharge for plasma etching and resist stripping |
| FR2538987A1 (fr) * | 1983-01-05 | 1984-07-06 | Commissariat Energie Atomique | Enceinte pour le traitement et notamment la gravure de substrats par la methode du plasma reactif |
| US4483737A (en) * | 1983-01-31 | 1984-11-20 | University Of Cincinnati | Method and apparatus for plasma etching a substrate |
| JPH0740468B2 (ja) * | 1984-12-11 | 1995-05-01 | 株式会社日立製作所 | 高周波プラズマ発生装置 |
| EP0203560A1 (en) * | 1985-05-31 | 1986-12-03 | Tegal Corporation | Plasma trench etch |
| GB8622820D0 (en) * | 1986-09-23 | 1986-10-29 | Nordiko Ltd | Electrode assembly & apparatus |
| GB8629634D0 (en) * | 1986-12-11 | 1987-01-21 | Dobson C D | Reactive ion & sputter etching |
| EP0284867A2 (en) * | 1987-04-03 | 1988-10-05 | Tegal Corporation | Dry etching apparatus using surface magnetic field confinement of plasma |
-
1989
- 1989-12-19 DE DE1989624413 patent/DE68924413T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-19 EP EP19890480185 patent/EP0379828B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-12-28 JP JP1338900A patent/JPH0770532B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0379828B1 (en) | 1995-09-27 |
| DE68924413T2 (de) | 1996-05-02 |
| JPH02235332A (ja) | 1990-09-18 |
| DE68924413D1 (de) | 1995-11-02 |
| EP0379828A2 (en) | 1990-08-01 |
| EP0379828A3 (en) | 1991-01-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0770532B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US5304279A (en) | Radio frequency induction/multipole plasma processing tool | |
| US7863582B2 (en) | Ion-beam source | |
| EP0271341B1 (en) | Method and apparatus for ion etching | |
| US5277751A (en) | Method and apparatus for producing low pressure planar plasma using a coil with its axis parallel to the surface of a coupling window | |
| EP0510401B1 (en) | Processing apparatus using plasma | |
| KR940008368B1 (ko) | 마이크로파로 생성한 플라즈마를 사용하는 플라즈마 처리장치 | |
| JP3987131B2 (ja) | 誘導増強された反応性イオンエッチング | |
| GB2231197A (en) | Plasma apparatus electrode assembly | |
| US9564297B2 (en) | Electron beam plasma source with remote radical source | |
| US20060254519A1 (en) | Locally-efficient inductive plasma coupling for plasma processing system | |
| JP2005514762A (ja) | 加工物をプラズマ処理するための磁気フィルタを備える方法および装置 | |
| KR20010040736A (ko) | 종의 밀도를 개별적으로 제어할 수 있는 플라즈마어시스티드 프로세싱 챔버 | |
| WO2001086697A2 (en) | Inductive plasma loop enhancing magnetron sputtering | |
| JP3254069B2 (ja) | プラズマ装置 | |
| JP2002503031A (ja) | 種密度を個別制御するプラズマアシスト処理チャンバ | |
| JPH088229A (ja) | マイクロ波プラズマ処理方法 | |
| EP0789506B1 (en) | Apparatus for generating magnetically neutral line discharge type plasma | |
| KR20070101067A (ko) | 복합 플라즈마 소스 및 이를 이용한 가스 분리 방법 | |
| US20050194361A1 (en) | Neutral beam source having electromagnet used for etching semiconductor device | |
| JPH11135297A (ja) | プラズマ発生器 | |
| JP3294839B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH1140544A (ja) | 反応性イオンエッチング装置 | |
| JPH08195379A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
| JP3205542B2 (ja) | プラズマ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070731 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080731 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080731 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090731 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100731 Year of fee payment: 15 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100731 Year of fee payment: 15 |