JP2010080824A - エピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】開閉部材の操作によって対応するガス流出口を開閉させ、エピ厚傾きの変化の傾向をモデル化し、エピ厚傾き変化傾向モデルを作成するモデル作成工程S1と、半導体ウェーハにエピタキシャル層を形成させるエピタキシャル層形成工程S2と、エピタキシャル層について半導体ウェーハの面内方向に配列する複数の測定位置においてエピタキシャル層の実厚みを測定する実厚み測定工程S3と、複数の測定位置におけるエピタキシャル層の実厚みに基づいて実厚みのエピ厚傾きである実エピ厚傾きを算出する実エピ厚傾き算出工程S4と、モデル作成工程S1により作成されたエピ厚傾き変化傾向モデルに基づいて開閉部材を操作することにより実エピ厚傾きを、その絶対値が小さくなるように修正する実エピ厚傾き修正工程S10とを備える。
【選択図】図4
Description
サセプタ13は、チャンバー12の内部に回転可能に設置されており、半導体ウェーハWを収容する凹部(図示せず)を複数有する。サセプタ13は、前記凹部に複数枚(例えば8枚)の半導体ウェーハWを載置することが可能に構成されている。サセプタ13の載置面には、複数枚の半導体ウェーハWがサセプタ13の回転方向に沿って、所定間隔を置いて配列して載置される。従って、サセプタ13を回転させることにより複数枚の半導体ウェーハWがサセプタ13の中心を回転中心として公転し、公転する半導体ウェーハWの主表面に、同時にエピタキシャル層が形成される。
複数個のガス流出口22は、整流部2において、高さ方向には同じ位置に配置しており、幅方向には等間隔で配列している。
複数のガス流出口22は、複数の分割空間26に対応して配置されている。本形態においては、40個のガス流出口22は、一方の外壁24の側から6個、6個、8個、8個、6個及び6個ごとに分割空間26に対応して配置される。
開閉部材23それぞれの操作によって開閉部材23に対応するガス流出口22を開閉させ、エピ厚傾きφの変化の傾向をモデル化して、エピ厚傾き変化傾向モデルを作成する。
ガス供給源14から反応ガスGをチャンバー12の内部に供給することにより、チャンバー12に収容された半導体ウェーハWの主表面にエピタキシャル層を形成する。詳細には、反応ガスGは、ガス供給源14から供給配管16を介して整流部2における各分割空間26に導入され、整流部2において整流されてからチャンバー12の内部に供給される。
エピタキシャル層形成工程S2により形成されたエピタキシャル層について半導体ウェーハWの面内方向に配列する複数の測定位置P1〜P7においてエピタキシャル層の実厚みを測定する。前述したように、バッチ式の気相成長装置1の場合には、ウェーハWをサセプタ13上における最も反応ガスGの流れ方向の上流側に配置させた状態で、エピタキシャル層の実厚みを測定する。エピタキシャル層の実厚みは、例えば、FTIR法を用いて低抵抗の半導体ウェーハの主表面上にエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウェーハにより測定される。
実厚み測定工程S3により測定された複数の測定位置におけるエピタキシャル層の実厚みに基づいて、実厚みのエピ厚傾きである実エピ厚傾きを算出する。実エピ厚傾きは、モデル作成工程S1におけるエピ厚傾きφと同様の方法で算出される。
モデル作成工程S1により作成されたエピ厚傾き変化傾向モデルと、実厚み測定工程S3で測定されたエピタキシャル層の実厚みとに基づいて開閉部材23を操作することにより、実エピ厚傾き算出工程S4により算出された実エピ厚傾きを、その絶対値が小さくなるように修正し、かつ各測定位置におけるエピタキシャル層の実厚みも等しくなるように修正する。
実エピ厚傾き修正工程S10は、下記実エピ厚傾き修正量算出工程S11、開閉パターン選択工程S12及び開閉部材操作工程S13を備えている。
実エピ厚傾き算出工程S4により算出された実エピ厚傾きの修正量を算出する。具体的には、実エピ厚傾きの絶対値が小さくなるように、実エピ厚傾きの修正量を算出する。
実エピ厚傾き修正量算出工程S11により算出された実エピ厚傾きの修正量に基づいて、開閉部材23によるガス流出口22の開閉パターンを選択する。ガス流出口22の開閉パターンは、モデル作成工程S1により作成されたエピ厚傾き変化傾向モデルに基づいて選択される。
開閉パターン選択工程S12により選択されたガス流出口22の開閉パターンに基づいて開閉部材23を操作する。開閉部材操作工程S13は、次のエピタキシャル層形成工程S2’の前に行われることになる。
開閉部材23は、ガス流出口22を完全に開くか、あるいは完全に閉じるかの択一的に開閉してもよい。また、開閉部材23は、ガス流出口22の開き度(開口度)を無段階で又は段階的に調整してもよい(例えば、70%の開き度で開く)。開閉部材23は、気相成長プロセスの途中でガス流出口22の開閉の調整(開き度の調整を含む)を行ってもよい。
開閉部材23の操作は、開閉パターン選択工程S12により選択されたガス流出口22の開閉パターンに連動させて機械的に行うこともでき、あるいは作業者の操作によって行うこともできる。
モデル作成工程S1により作成されたエピ厚傾き変化傾向モデルを、既に行われた実エピ厚傾き算出工程S4において算出された実エピ厚傾きに基づいて補正する。
エピ厚傾き変化傾向モデル補正工程S21の後、次のエピタキシャル層形成工程S2’が行われる。エピタキシャル層形成工程S2’の前には、チャンバー12の構成部材の洗浄などのメンテナンス、気相成長プロセスの条件の変更(反応ガスの変更、雰囲気ガスの変更、半導体ウェーハWの直径の変更など)などを行うことができる。
本実施態様においては、モデル作成工程S1により作成されたエピ厚傾き変化傾向モデルに基づいて開閉部材23を操作することにより、実エピ厚傾き算出工程S4により算出された実エピ厚傾きを、その絶対値が小さくなるように修正する実エピ厚傾き修正工程S10を備えている。そのため、エピタキシャル層の厚みについての面内方向の均一性を向上させることができる。従って、平坦度が優れ、比抵抗についての面内方向の分布も優れたエピタキシャルウェーハが得られる。
これに対して、本実施態様によれば、ガス流出口22の開閉度とサセプタ13の回転中心に向かう方向の厚さ分布との関係により最適な条件を抽出できる工程を採用することで、サセプタ13の回転中心に向かう方向の厚さ分布を向上させることができる。従って、エピ厚の面内均一性を向上させることができる。
例えば、モデル作成工程S1におけるエピタキシャル層の厚みを測定する測定位置及び実厚み測定工程S3におけるエピタキシャル層の実厚みを測定する測定位置については、その位置、その数などは特に制限されない。
開閉部材操作工程は、エピタキシャル層形成工程の途中に行うこともできる。
整流部2におけるガス流出口22が設けられた面は、サセプタ13の周方向に沿って湾曲していてもよい。整流部2には、整流板が設けられていてもよい。
気相成長装置は、バッチ式の装置に制限されず、枚葉式の装置でもよい。また、気相成長装置は、半導体ウェーハの主表面に対して側方から反応ガスを供給する形態の装置でもよい。半導体ウェーハは、シリコンウェーハに制限されない。
エピ厚傾きφについて、全てのガス流出口22を全開させた状態において、エピ厚傾きφの変化の傾向をモデル化し、エピ厚傾き変化傾向モデルを作成した。
開閉部材23によるガス流出口22の開閉パターンがエピ厚に与える影響は、例えば以下のように求めることができる。
更に、開閉部材23によるガス流出口22の開閉パターンを固定した状態で、反応ガスの流量比を調整することにより、エピ厚についての面内方向の分布を0.82%に向上させることができた。
2 整流部
12 チャンバー
13 サセプタ
14 ガス供給源
22 ガス流出口
23 開閉部材
25 仕切部材
26 分割空間(空間)
S1 モデル作成工程
S2,S2’ エピタキシャル層形成工程
S3 実厚み測定工程
S4 実エピ厚傾き算出工程
S10 実エピ厚傾き修正工程
S11 実エピ厚傾き修正量算出工程
S12 開閉パターン選択工程
S13 開閉部材操作工程
S21 エピ厚傾き変化傾向モデル補正工程
W 半導体ウェーハ
Claims (4)
- 半導体ウェーハを収容するチャンバーと、該半導体ウェーハを載置可能に該チャンバーの内部に設置されるサセプタと、原料ガス又はキャリアガスを少なくとも含む反応ガスを前記チャンバーの内部に供給するガス供給源と、該ガス供給源から供給される前記反応ガスを前記チャンバーの内部へ流出させる複数のガス流出口及び該ガス流出口を開閉する複数の開閉部材を有する整流部と、を備え、前記チャンバーに収容された前記半導体ウェーハの主表面にエピタキシャル層を形成させる気相成長装置を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
前記サセプタに載置された前記半導体ウェーハの面内方向に配列する複数の測定位置において前記エピタキシャル層の厚みを測定し、基準位置からの該測定位置の距離を横軸とし、該測定位置に対応する該エピタキシャル層の厚みを縦軸として作成された、該測定位置と該測定位置に対応する該エピタキシャル層の厚みとの関係についてのグラフで、隣接する該測定位置に対応する該エピタキシャル層の厚みを結んだ直線の傾きをエピ厚傾きと定義する場合に、
前記開閉部材それぞれの操作によって該開閉部材に対応する前記ガス流出口を開閉させ、前記エピ厚傾きの変化の傾向をモデル化して、エピ厚傾き変化傾向モデルを作成するモデル作成工程と、
前記半導体ウェーハに前記エピタキシャル層を形成させるエピタキシャル層形成工程と、
前記エピタキシャル層形成工程により形成された前記エピタキシャル層について前記半導体ウェーハの面内方向に配列する複数の前記測定位置において該エピタキシャル層の実厚みを測定する実厚み測定工程と、
前記実厚み測定工程により測定された複数の前記測定位置における前記エピタキシャル層の実厚みに基づいて、該実厚みのエピ厚傾きである実エピ厚傾きを算出する実エピ厚傾き算出工程と、
前記モデル作成工程により作成された前記エピ厚傾き変化傾向モデルに基づいて前記開閉部材を操作することにより、前記実エピ厚傾き算出工程により算出された前記実エピ厚傾きを、その絶対値が小さくなるように修正する実エピ厚傾き修正工程と、を備えることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記実エピ厚傾き修正工程は、
前記実エピ厚傾きの修正量を算出する実エピ厚傾き修正量算出工程と、
前記実エピ厚傾き修正量算出工程により算出された前記実エピ厚傾きの修正量に基づいて前記開閉部材による前記ガス流出口の開閉パターンを選択する開閉パターン選択工程と、
前記開閉パターン選択工程により選択された前記ガス流出口の開閉パターンに基づいて前記開閉部材を操作する開閉部材操作工程と、を備えることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記整流部は、その内部空間が複数の空間に仕切られ、複数の前記ガス流出口が複数の該空間に対応して配置されており、該空間に導入された前記反応ガスが該空間に対応する該ガス流出口から流出するように構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記モデル作成工程により作成された前記エピ厚傾き変化傾向モデルを、既に行われた前記実エピ厚傾き算出工程において算出された実エピ厚傾きに基づいて補正するエピ厚傾き変化傾向モデル補正工程を更に備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
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