JP2004327582A - 薄膜堆積装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チャンバ1の内部上方に設けられた複数のノズル部6から所定のガスGをチャンバ1内に吹き出し、チャンバ1内に設けた基板5に所定の薄膜を堆積させるようにした薄膜堆積装置において、前記各ノズル部6がガス吹き出し用のノズル11と、このノズル11の上流側において当該ノズル11へのガス供給量を制御するマスフローコントローラ13を備え、各ノズル部6から均一に所定のガスGを吹き出すようにした。
【選択図】 図3
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば、半導体装置の製造等に用いられる薄膜堆積装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、化学気相成長法(CVD法:Chemical Vapour Deposition)によって半導体基板の表面に所定の薄膜を堆積させるのに、従来においては、図5に示すような薄膜堆積装置を用いていた。すなわち、この図5において、51はチャンバで、チャンバ本体52とその上部に設けられる上板53とからなる。チャンバ本体52の内部下方には基板支持台54が設けられている。そして、上板53の下面側には、基板支持台54上に載置された半導体基板55に対して所定のガスを吹き付けることができるように、複数のノズル56が円周を均等に分割するようにして等配置されている。
【0003】
そして、57は前記複数のノズル56にガスを供給するガス供給管で、その下流側が二つの供給管57a,57bに分割され、これらの供給管57a,57bの下流側に複数のノズル56に対応してガス管58が接続され、これらのガス管58の下流端にノズル56がそれぞれ接続されている。そして、59はガス供給管57に設けられるガス切換え部で、その上流側には例えば二つのガス流路60,61が接続され、二つのガス流路60,61をそれぞれ流れてくるガスを択一的に選択してガス供給管57の下流側に流すように構成されている。そして、これらのガス流路60,61には、それぞれガスの流量を制御するマスフローコントローラ62,63が設けられている。
【0004】
上記構成の薄膜堆積装置においては、二つのガス流路60,61を流れているガスは、ガス切換え部59によって択一的に選択されてガス供給管57に供給される。そして、この選択されたガスは、ガス供給管57を介して複数のノズル56に供給され、これら複数のノズル56からチャンバ51内に吹き出される。この場合、ガス流路60(または61)に設けられたマスフローコントローラ62(または63)によってガス流量が制御される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の薄膜堆積装置においては、図6に示すように、ガスを吹き出すための複数のノズル56と前記ガスの流量制御を行うマスフローコントローラ62(または63)との間を結ぶ配管距離が長いため、配管の容積分に比例したイナーシャロスが大きくなるとともに、複数のノズル56に対して一つのマスフローコントローラ62(または63)が設けられているだけであるので、各ノズル56によって吹き出されるガスGに、同図において符号64で示すような長円形の分布が生じ、半導体基板55表面に対してガスを必ずしも均一に吹き付けられないことがあり、その結果、半導体基板55の表面には厚さが均一な薄膜を確実に堆積させ得ないことがあった。また、ノズル56におけるガス圧力は、ガスの吹き出し時では例えば10mTorrであるのに対し、吹き出し停止時では例えば10Torrというように、1000倍の開きがあり、このため、マスフローコントローラ62(または63)のバルブを開いたとき、瞬時に高い圧力がノズル56にかかり、ノズル56に残留するガスがチャンバ51内に吹き出され、半導体基板55が不用意に汚損されることがあった。
【0006】
なお、上述の課題は、半導体製造のみならず、例えば金属や他の素材からなる基板等の表面に所定の薄膜を堆積させる薄膜堆積装置においても同様に生じているところである。
【0007】
この発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その目的は、半導体基板などの基板表面に所定の均一な厚みを有する薄膜を確実に堆積させることのできる薄膜堆積装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、この発明は、チャンバの内部上方に設けられた複数のノズル部から所定のガスをチャンバ内に吹き出し、チャンバ内に設けた基板に所定の薄膜を堆積させるようにした薄膜堆積装置において、前記各ノズル部がガス吹き出し用のノズルと、このノズルの上流側において当該ノズルへのガス供給量を制御するマスフローコントローラを備え、各ノズル部から均一に所定のガスを吹き出すようにしたことを特徴としている(請求項1)。
【0009】
上記薄膜堆積装置においては、チャンバの内部上方に設けられる複数のノズルに対応するようにしてマスフローコントローラが設けられているので、各ノズルから吹き出されるガスの量を個別に設定し制御することができる。したがって、半導体基板など基板の表面に所定の均一な薄膜を確実に堆積させることができる。
【0010】
そして、請求項2に記載されているように、ノズルとマスフローコントローラとの間に圧力調整装置を介装し、ノズル側のガス圧力を調整するようして場合、前記ノズルにおけるガス圧力が確実に制御され、ノズルからそれに残留しているガスが不用意に吹き出されることによって半導体基板など基板が不用意に汚損されるのが確実に防止される。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の詳細を、図を参照しながら説明する。図1〜図4は、この発明の一つの実施の形態を示す。図1および図2は、この実施の形態における薄膜堆積装置の要部を概略的に示すもので、これらの図において、1はチャンバで、チャンバ本体2とこの上部に水平に設けられる上板蓋体3とからなる。チャンバ本体2の内部下方には基板支持台4が設けられている。そして、上板3の下面側には、基板支持台4上に載置された例えば半導体基板5に対して所定のガスを吹き付けることができるように、複数のノズル部6(その構成は後述する)が円周を均等に分割するようにして等配置されている。
【0012】
そして、7は前記複数のノズル部6にガスを供給する複数のノズル56にガスを供給するガス供給管で、その下流側が例えば二つの供給管7a,7bに分割され、これらの供給管7a,7bの下流側に複数のノズル6に対応してガス管8が接続され、これらのガス管8の下流端にノズル6がそれぞれ接続されている。そして、9はガス供給管7に設けられるガス切換え部で、その上流側には例えば二つのガス流路10a,10bが並列的に接続されており、これらのガス流路10a,10bをそれぞれ流れるガスA,Bを択一的にガス供給管7の下流側に供給することができるように構成されている。
【0013】
ここで、チャンバ1の内部上方に設けられる複数のノズル部6の構成を図3を参照しながら説明する。これら複数のノズル部6は、互いに同じ構成からなり、図3に示すように、ノズル部6は、ガスを吹き出すためのノズル11と、圧力調整装置12と、マスフローコントローラ13とがこの順で下流側から上流側に直列的に配置されてなり、マスフローコントローラ13の上流側は、ガス管8に接続されている。
【0014】
そして、前記ノズル11は、例えばピエゾノズルである。このピエゾノズル11は、ノズル本体14とこのノズル本体14の開度制御を行うピエゾ素子よりなるピエゾアクチュエータ15とからなり、ガスの吹き出し量を調節するものである。
【0015】
また、前記圧力調整装置12は、圧力計16とピエゾバルブ17とを直列に接続してなるもので、ピエゾバルブ17は、そのアクチュエータ部がピエゾ素子よりなるピエゾアクチュエータを備えた制御弁で、圧力計16の圧力検出結果に基づいて弁開度を調整し、ノズル11側の圧力を調整するものである。
【0016】
さらに、前記マスフローコントローラ13は、流量センサ部18とピエゾバルブ部17とを直列に配置してなるもので、ピエゾバルブ部17は、そのアクチュエータ部がピエゾ素子よりなるピエゾアクチュエータを備えた制御弁よりなり、流量センサ部18の流量検出結果に基づいてピエゾバルブ部17の弁開度を調整し、ノズル11側へのガス流量を調整するものである。
【0017】
なお、前記薄膜堆積装置は、コンピュータなどの演算制御装置(図示していない)を備えており、この演算制御装置に前記ノズル部6における検出信号が入力され、適宜演算が行われるとともに、これらの演算結果や外部入力によって、ノズル部6やガス切換え部9が制御されるようにしてある。
【0018】
上述のように構成された薄膜堆積装置においては、二つのガス流路10a,10bを流れてくるガスのいずれかがガス切換え部9によって択一的に選択されてガス供給管7に供給される。そして、この選択されたガスは、ガス供給管7およびガス管8を介して、チャンバ1の内部上方に設けられた複数のノズル部6にそれぞれ供給される。そして、各ノズル部6に入ったガスは、マスフローコントローラ13および圧力調整装置12を経てノズル11に至り、ノズル11のノズル本体14からチャンバ1内に吹き出される。
【0019】
この場合、前記各ノズル部6には、ガスGを吹き出すためのノズル14に可及的に近い位置にマスフローコントローラ13が設けられており、このマスフローコントローラ13の流量設定値を各ノズル部6において少しずつ変えるなどすることにより、図4の符号20に示すように、各ノズル14から吹き出されるガスGの分布が半導体基板5上において均一となるように制御することができる。そして、上述のように、各ノズル部6におけるノズル14とマスフローコントローラ13との間の距離、つまり、ガス配管部の長さは、図5に示した従来のものとは大幅に短縮されており、配管の容積分に比例したイナーシャロスが大幅に低減されるので、ノズル14から吹き出されるガス量を確実に制御することができる。
【0020】
そして、上記実施の形態においては、各ノズル部6におけるノズル14とマスフローコントローラ13との間に、圧力計16とピエゾバルブ17とを直列に接続してなる圧力調整装置12を設けて、ノズル14側のガス圧力を調整するようしてあるので、ノズル14におけるガス吹き出し時とガス吹き出し停止時とにおけるガス圧力差を可及的に小さく抑制することができ、したがって、仮に、ノズル14に前に用いたガスが残留していてもこれがノズル14外に吹き出されるのが確実に防止され、半導体基板5の汚損が確実に防止される。
【0021】
また、上記実施の形態においては、ノズル14の制御や、マスフローコントローラ13および圧力調整装置12における弁開度の制御をピエゾアクチュエータによって行うようにしているので、ノズル14、マスフローコントローラ13および圧力調整装置12を小型コンパクトなものとすることができ、ノズル部6の構成がコンパクトになる。
【0022】
この発明は、上述の実施の形態に限られるものではなく、例えば、ノズル14の吹き出し量制御を行うものとして電磁弁を用いてもよい。そして、マスフローコントローラ13および圧力調整装置12におけるバルブとして電磁弁など他の制御方式のものを用いるようにしてもよい。
【0023】
そして、この発明は、上記半導体基板5への薄膜堆積装置のみならず、例えば金属や他の素材からなる基板等の表面に所定の薄膜を堆積させる薄膜堆積装置にも広く適用することができるのは言うまでもない。
【0024】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、チャンバの内部上方に設けられた複数のノズル部から所定のガスをチャンバ内に吹き出し、チャンバ内に設けた基板に所定の薄膜を堆積させるようにした薄膜堆積装置において、前記各ノズル部がガス吹き出し用のノズルと、このノズルの上流側において当該ノズルへのガス供給量を制御するマスフローコントローラを備え、各ノズル部から均一に所定のガスを吹き出すようにしているので、基板表面に所定の均一な厚みを有する薄膜を確実に堆積させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の薄膜堆積装置の要部の構成を概略的に示す透視斜視図である。
【図2】前記薄膜堆積装置のガス流路の構成を概略的に示す図である。
【図3】前記薄膜堆積装置において用いるノズル部の構成の一例を概略的に示す図である。
【図4】前記ノズル部によって吹き出されるガスの分布状態を模式的に示す図である。
【図5】従来の薄膜堆積装置における要部の構成を概略的に示す図である。
【図6】前記薄膜堆積装置におけるノズルによって吹き出されるガスの分布状態を模式的に示す図である。
【符号の説明】
1…チャンバ、5…基板、6…ノズル部、11…ノズル、12…圧力調整装置、13…マスフローコントローラ、G…ガス。
Claims (2)
- チャンバの内部上方に設けられた複数のノズル部から所定のガスをチャンバ内に吹き出し、チャンバ内に設けた基板に所定の薄膜を堆積させるようにした薄膜堆積装置において、前記各ノズル部がガス吹き出し用のノズルと、このノズルの上流側において当該ノズルへのガス供給量を制御するマスフローコントローラを備え、各ノズル部から均一に所定のガスを吹き出すようにしたことを特徴とする薄膜堆積装置。
- ノズルとマスフローコントローラとの間に圧力調整装置を介装し、ノズル側のガス圧力を調整するようしてある請求項1に記載の薄膜堆積装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2003118185A JP2004327582A (ja) | 2003-04-23 | 2003-04-23 | 薄膜堆積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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Family
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Country Status (1)
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JP (1) | JP2004327582A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010080824A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03281780A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-12 | Hitachi Ltd | Cvd装置 |
JPH04187594A (ja) * | 1990-11-19 | 1992-07-06 | Nikko Kyodo Co Ltd | 気相エピタキシャル成長装置 |
JPH0536730A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-12 | Fujitsu Ltd | 気相エピタキシヤル成長装置 |
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2003
- 2003-04-23 JP JP2003118185A patent/JP2004327582A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03281780A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-12 | Hitachi Ltd | Cvd装置 |
JPH04187594A (ja) * | 1990-11-19 | 1992-07-06 | Nikko Kyodo Co Ltd | 気相エピタキシャル成長装置 |
JPH0536730A (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-12 | Fujitsu Ltd | 気相エピタキシヤル成長装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010080824A (ja) * | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
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