JP2018148202A - ガス噴射装置、これを備える基板処理設備及びこれを用いた基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
さらにまた、好ましくは、本発明に係る基板処理設備において、加熱ユニットは、載置部の上側に該載置部と対向するように少なくとも一方向に並べて配置され、光を放射する複数のランプを備える。
6151:噴射ブロック
6152:ノズル
6153:供給管
6154:噴射弁
Claims (18)
- 基板の一方の側の外側に前記基板の幅方向に並べて配置されて前記基板に向かってガスを噴射する複数のノズルを有する噴射部と、
前記複数のノズルを介して噴射されたガスによる前記基板の幅方向のガスの密度分布が目標とするガスの密度分布タイプとなるように、前記複数のノズルの各々からのガスの噴射の有無及び前記複数のノズルの各々からのガスの噴射量のうちの少なくとも一方を自動的に制御する噴射制御ユニットと、
を備えるガス噴射装置。 - 前記噴射制御ユニットは、
異なるガスの密度分布タイプが保存されたガス密度分布タイプ保存部と、
前記複数のガスの密度分布タイプの各々が実現可能な複数の噴射制御タイプが保存された噴射制御タイプ保存部と、
行おうとする基板工程に応じて、前記ガス密度分布タイプ保存部からいずれか一つのガスの密度分布タイプを選択し、選択されたガスの密度分布タイプを実現するように前記噴射制御タイプ保存部からいずれか一つの噴射制御タイプを選択し、前記噴射部から噴射されたガスの実際の噴射制御タイプが選択された噴射制御タイプとなるように前記噴射部の動作を制御する噴射制御部と、
を備える請求項1に記載のガス噴射装置。 - 前記噴射制御ユニットは、異なる複数の工程タイプが保存された工程タイプ保存部を備え、
前記噴射制御部は、前記工程タイプ保存部からいずれか一つの工程タイプを選択し、選択された工程タイプを行えるように、前記ガス密度分布タイプ保存部からいずれか一つのガスの密度分布タイプを選択する請求項2に記載のガス噴射装置。 - 前記噴射部は、
前記基板の一方の側の外側に配設され、前記基板の幅方向に延設され、内部に前記複数のノズルが設けられた噴射ブロックと、
前記複数のノズルの各々と連結され、前記複数のノズルの各々にガスを供給する複数の供給管と、
前記複数の供給管の各々に取り付けられ、前記供給管とノズルとの間の連通及びガス量を制御する噴射弁と、
を備える請求項2または請求項3に記載のガス噴射装置。 - 前記噴射制御部は、前記噴射弁と連動し、選択された噴射制御タイプに応じて前記複数の噴射弁の各々の動作を制御する請求項4に記載のガス噴射装置。
- 前記複数の供給管の各々にガスを搬送する搬送部と、
前記搬送部の延長経路のうちの少なくとも一つの位置に前記搬送部の少なくとも一部を収容するように配設されたケースと、
前記ケースに取り付けられ、前記ケース内のガスを感知して、前記搬送部からのガスの流出有無を監視するセンサーと、
を備える請求項4に記載のガス噴射装置。 - 片面に基板が載置される載置部と、
前記載置部と対向するように位置して、前記基板を加熱するための熱を与える加熱ユニットと、
前記載置部の上側に、且つ、前記載置部に載置される基板の一方の側の外側に配設されて前記基板に向かってガスを噴射する複数のノズルを有し、前記複数のノズルを介して噴射されたガスによる前記基板の幅方向のガスの密度分布が既に保存された複数のガスの密度分布タイプのうち目標とするいずれか一つのガスの密度分布タイプとなるように、前記複数のノズルの各々からのガスの噴射の有無及び前記複数のノズルの各々からのガスの噴射量のうちの少なくとも一方を自動的に制御するガス噴射装置と、
を備える基板処理設備。 - 前記ガス噴射装置は、
前記複数のノズル及び前記複数のノズルの各々に連結され、前記複数のノズルの各々からのガスの噴射の有無及び前記複数のノズルの各々からのガスの噴射量のうちの少なくとも一方を制御する複数の弁を有する噴射部と、
異なるガスの密度分布タイプが保存されたガス密度分布タイプ保存部と、
前記複数のガスの密度分布タイプの各々が実現可能な複数の噴射制御タイプが保存された噴射制御タイプ保存部と、
前記ガス密度分布タイプ保存部から、行おうとする基板工程に応じていずれか一つのガスの密度分布タイプを選択し、選択されたガスの密度分布タイプを実現するように前記噴射制御タイプ保存部からいずれか一つの噴射制御タイプを選択し、前記噴射部から噴射されたガスの実際の噴射制御タイプが選択された噴射制御タイプとなるように前記噴射部の動作を制御する噴射制御部と、
を備える請求項7に記載の基板処理設備。 - 前記噴射部は、前記基板の一方の側の外側に配設され且つ前記基板の幅方向に延設され、内部に前記複数のノズルが設けられた噴射ブロックと、
前記複数のノズルの各々と連結され、前記複数のノズルの各々にガスを供給する複数の供給管と、
を備え、
前記複数の噴射弁の各々は、前記複数の供給管の各々に取り付けられ、
前記噴射制御部は、前記噴射弁と連動し、選択された前記噴射制御タイプに応じて前記複数の噴射弁の各々の動作を制御する請求項8に記載の基板処理設備。 - 前記複数の供給管の各々にガスを搬送する搬送部と、
前記搬送部の延長経路のうちの少なくとも一つの位置に前記搬送部の少なくとも一部を収容するように配設されたケースと、
前記ケースに取り付けられ、前記ケース内のガスを感知して、前記搬送部からのガス流出を感知するセンサーと、
を備える請求項9に記載の基板処理設備。 - 前記載置部は、
上面に前記基板を載置するステージと、
前記ステージの上側に前記ステージから隔設され、少なくとも前記ステージに載置された基板を露出させるように開口が設けられたカバー部材と、
を備え、
前記噴射部は、前記ステージの上側に、且つ、前記カバー部材の一方の側に位置し、
前記載置部の他方の側の外側に前記噴射ブロックと対向するように配設されてガスを排気する排気部を備え、
一方の側の前記ステージとカバー部材との間の離隔空間は、前記噴射部から吐き出されたガスが前記基板に向かって供給されるガス供給流路であり、
他方の側の前記ステージとカバー部材との間の離隔空間は、前記基板の上側を通過したガスが排気部に向かって排出されるガス排気流路である請求項9または請求項10に記載の基板処理設備。 - 前記加熱ユニットは、前記載置部の上側に前記載置部と対向するように少なくとも一方向に並べて配置され、光を放射する複数のランプを備える請求項7乃至請求項10のうちのいずれか一項に記載の基板処理設備。
- 前記加熱ユニットは、複数のランプと前記載置部との間に介装されるウィンドウを備える請求項12に記載の基板処理設備。
- 載置部の上に基板を載置する過程と、
前記基板の一方の側の外側に配設された複数のノズルから前記基板に向かってガスを噴射して前記基板を処理する過程と、
を含み、
前記複数のノズルから前記基板に向かってガスを噴射する過程においては、
前記複数のノズルを介して噴射されたガスによる前記基板の幅方向のガスの密度分布が既に保存された複数のガスの密度分布タイプのうちのいずれか一つとなるように調節する基板処理方法。 - 前記複数のノズルから前記基板に向かってガスを噴射する過程は、
ガス密度分布タイプ保存部に保存された複数のガスの密度分布タイプのうちから前記基板を処理しようとする工程に見合うガスの密度分布タイプを選択する過程と、
噴射制御タイプ保存部に保存された複数の噴射制御タイプのうちから選択された前記ガスの密度分布タイプを実現するいずれか一つの噴射制御タイプを選択する過程と、
選択された前記噴射制御タイプとなるように前記複数のノズルの各々からのガスの噴射の有無及び前記複数のノズルの各々からのガスの噴射量のうちの少なくとも一方を調節する過程と、
を含む請求項14に記載の基板処理方法。 - 前記ガス密度分布タイプ保存部には、前記基板を処理するチャンバーの内部の複数の圧力条件の各々に伴う複数のガスの密度分布タイプが保存されており、
前記基板を処理しようとする工程に見合うガスの密度分布タイプを選択する過程において、
前記基板を処理しようとする前記チャンバー内の圧力に応じて、前記複数のガスの密度分布タイプのうちのいずれか一つを選択する請求項15に記載の基板処理方法。 - 前記基板に向かってガスを噴射する間に前記基板を加熱する過程を含む請求項15に記載の基板処理方法。
- 前記基板を加熱する過程においては、
前記基板に向かって光を照射する請求項15に記載の基板処理方法。
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