JP2900546B2 - 液晶配向処理装置 - Google Patents
液晶配向処理装置Info
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- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は液晶表示素子の電極基板上に積層される液晶
配向膜の配向処理ができる液晶配向処理装置に関する。
配向膜の配向処理ができる液晶配向処理装置に関する。
従来、この種液晶配向膜の液晶配向処理装置として、
例えばポリイミドの表面をローラーに巻き付けた布など
を用いて摩擦するラビング装置が知られている。また、
別の方法として、液晶配向膜材であるSiOx自体を基板に
対して斜方から蒸着する斜方蒸着機がある。
例えばポリイミドの表面をローラーに巻き付けた布など
を用いて摩擦するラビング装置が知られている。また、
別の方法として、液晶配向膜材であるSiOx自体を基板に
対して斜方から蒸着する斜方蒸着機がある。
しかしながら、前記ラビング装置を用いた液晶配向膜
の配向処理法では、ポリイミド等の配向膜が剥れたり、
この方法の中で使用する布から発生する繊維状の塵によ
る表示不良が発生し易いという不都合を有する。
の配向処理法では、ポリイミド等の配向膜が剥れたり、
この方法の中で使用する布から発生する繊維状の塵によ
る表示不良が発生し易いという不都合を有する。
一方、SiOxの斜方蒸着機を用いる方法では上記不都合
はないが、生産性が低いという問題点を有する。
はないが、生産性が低いという問題点を有する。
本発明は、このような課題を解決するものでその目的
とするところは、液晶配向膜が剥れたりすることなく均
一に液晶配向処理が施されかつダストフリーで生産性の
高い液晶配向処理装置を提供するところにある。
とするところは、液晶配向膜が剥れたりすることなく均
一に液晶配向処理が施されかつダストフリーで生産性の
高い液晶配向処理装置を提供するところにある。
本発明の液晶配向処理装置は、グロー放電発生室と該
グロー放電発生室の上方に設けた液晶配向処理室とを備
えた真空容器と、前記グロー放電発生室と前記液晶配向
処理室との間に介在させたイオン引き出しメッシュ電極
と、前記イオン引き出しメッシュ電極に直流のマイナス
電位を印加するための直流電源と、前記イオン引き出し
メッシュ電極より引き出されたイオンを電気的に中和さ
せる中和電子放出陰極と、前記グロー放電発生室にグロ
ー放電を発生させるためのグロー放電発生用電極とガス
導入口と、前記グロー放電発生用電極に電圧を印加する
電源と、前記液晶配向処理室内に液晶配向処理すべき処
理物を保持するための基板ホルダと、前記基板ホルダに
対してグロー放電発生用電極とイオンのほぼ反射方向に
設けたガス排気口と、前記基板ホルダを保持するための
マニピュレータと、前記マニピュレータを設けられた前
記基板ホルダの方向を変えることのできる換向機構とに
より構成されることを特徴とする。
グロー放電発生室の上方に設けた液晶配向処理室とを備
えた真空容器と、前記グロー放電発生室と前記液晶配向
処理室との間に介在させたイオン引き出しメッシュ電極
と、前記イオン引き出しメッシュ電極に直流のマイナス
電位を印加するための直流電源と、前記イオン引き出し
メッシュ電極より引き出されたイオンを電気的に中和さ
せる中和電子放出陰極と、前記グロー放電発生室にグロ
ー放電を発生させるためのグロー放電発生用電極とガス
導入口と、前記グロー放電発生用電極に電圧を印加する
電源と、前記液晶配向処理室内に液晶配向処理すべき処
理物を保持するための基板ホルダと、前記基板ホルダに
対してグロー放電発生用電極とイオンのほぼ反射方向に
設けたガス排気口と、前記基板ホルダを保持するための
マニピュレータと、前記マニピュレータを設けられた前
記基板ホルダの方向を変えることのできる換向機構とに
より構成されることを特徴とする。
以下図面に従って本発明の実施例を説明する。第１図
は本発明の液晶配向処理装置の一例を示すもので、１つ
は真空容器で、真空容器１内ではグロー放電発生室２と
液晶配向処理室３の二室に分かれている。４はガス導入
口で、５はガス排気口である。圧力コントロールはマス
フローコントローラを用いるか、排気スピードをコント
ロールしてもよい。６はグロー放電発生室内にグロー放
電を発生させるためのグロー放電発生用電極で、電源７
によりグロー放電発生用電極６に電圧を印加し、グロー
放電を発生させる。このグロー放電の発生方法には、電
源７として直流電源を用いるDC放電、高周波電源を用い
るRF放電がある。さらに磁界との共鳴を用いるECR放電
でも可能で、この場合にはグロー放電発生用電極６は不
用で無極放電が可能である。要するにグロー放電発生室
２にグロー放電を発生させることができれば、いかなる
電源７も使用可能で、電源７の種類に合わせてグロー放
電発生用電極６が必要な場合は使用し、そうでない場合
は使用しなくてもよい。８はイオン引き出しメッシュ電
極で、グロー放電発生室２と液晶配向処理室３との間に
介在している。９はイオン引き出しメッシュ電極８に直
流のマイナス電位を印加するための直流電源である。10
は中和電子放出陰極で、イオン引き出しメッシュ電極８
より引き出されたイオンに中和電子放出陰極10より電子
を供給し、電気的に中和してラジカル及び原子のシャワ
ーとする。この中和電子放出陰極10によるイオンの中和
には、イオンが引き出し電極８より引き出された後の空
間電荷力によるビームの発散および空間電荷効果による
引き出されるイオン電流の空間電荷制限を緩和する効果
がある。11は液晶配向処理室３内に位置し予め処理すべ
き液晶配向膜を積層した基板で、これを基板ホルダ12で
保持する。13は基板ホルダ12を保持するためのマニピュ
レータで、このマニピュレータ13には基板ホルダ12の方
向を変えることができる換向機構14が設けられている。
は本発明の液晶配向処理装置の一例を示すもので、１つ
は真空容器で、真空容器１内ではグロー放電発生室２と
液晶配向処理室３の二室に分かれている。４はガス導入
口で、５はガス排気口である。圧力コントロールはマス
フローコントローラを用いるか、排気スピードをコント
ロールしてもよい。６はグロー放電発生室内にグロー放
電を発生させるためのグロー放電発生用電極で、電源７
によりグロー放電発生用電極６に電圧を印加し、グロー
放電を発生させる。このグロー放電の発生方法には、電
源７として直流電源を用いるDC放電、高周波電源を用い
るRF放電がある。さらに磁界との共鳴を用いるECR放電
でも可能で、この場合にはグロー放電発生用電極６は不
用で無極放電が可能である。要するにグロー放電発生室
２にグロー放電を発生させることができれば、いかなる
電源７も使用可能で、電源７の種類に合わせてグロー放
電発生用電極６が必要な場合は使用し、そうでない場合
は使用しなくてもよい。８はイオン引き出しメッシュ電
極で、グロー放電発生室２と液晶配向処理室３との間に
介在している。９はイオン引き出しメッシュ電極８に直
流のマイナス電位を印加するための直流電源である。10
は中和電子放出陰極で、イオン引き出しメッシュ電極８
より引き出されたイオンに中和電子放出陰極10より電子
を供給し、電気的に中和してラジカル及び原子のシャワ
ーとする。この中和電子放出陰極10によるイオンの中和
には、イオンが引き出し電極８より引き出された後の空
間電荷力によるビームの発散および空間電荷効果による
引き出されるイオン電流の空間電荷制限を緩和する効果
がある。11は液晶配向処理室３内に位置し予め処理すべ
き液晶配向膜を積層した基板で、これを基板ホルダ12で
保持する。13は基板ホルダ12を保持するためのマニピュ
レータで、このマニピュレータ13には基板ホルダ12の方
向を変えることができる換向機構14が設けられている。
この装置を用いた液晶配向処理の一例を液晶配向膜と
してポリイミドを、ガス種としてアルゴンを、そしてグ
ロー放電の発生に高周波電源を用いた場合について以下
に説明する。
してポリイミドを、ガス種としてアルゴンを、そしてグ
ロー放電の発生に高周波電源を用いた場合について以下
に説明する。
真空容器１内を10-6Torr台に排気後、ガス導入口４よ
りアルゴンガスを真空容器１内に導入して、所望の真空
度に設定する。その後、13.56MHzの高周波電源を用い
て、グロー放電発生室２内にアルゴンプラズマを発生さ
せる。発生したアルゴンプラズマ中にはイオン、電子、
励起原子、励起分子等の活性粒子が生成され、イオン引
き出し電極８によりイオンを引き出す。そのイオンを中
和電子放出陰極10で電気的な中性すなわちラジカル及び
原子とし、ポリイミド液晶配向膜を予め形成してある基
板11に晒す。
りアルゴンガスを真空容器１内に導入して、所望の真空
度に設定する。その後、13.56MHzの高周波電源を用い
て、グロー放電発生室２内にアルゴンプラズマを発生さ
せる。発生したアルゴンプラズマ中にはイオン、電子、
励起原子、励起分子等の活性粒子が生成され、イオン引
き出し電極８によりイオンを引き出す。そのイオンを中
和電子放出陰極10で電気的な中性すなわちラジカル及び
原子とし、ポリイミド液晶配向膜を予め形成してある基
板11に晒す。
製造、形成条件は幅広いが一例を示すと、処理ガス圧
は当然放電可能領域である訳だが、ガス圧が高い程イオ
ン引き出し電極８により引き出されるイオンは多くなり
処理時間は短くなる。反面、イオン量が増すと中和しに
くいという問題が生じる。また、イオン引き出し電極８
のマイナス電位を大きくしても処理時間は短くなる。し
かし、これも上記同様に中和しにくいという問題ばかり
か、液晶配向膜表面に物理的な衝撃によるダメージが発
生する。このダメージは従来のラビング処理時に強く擦
った場合とよく似ている。結局、イオン引き出しメッシ
ュ電極８に印加するマイナス電位は、従来のラビング処
理時の液晶配向膜へのローラーの加圧に匹敵する。従っ
て、このイオン引き出しメッシュ電極８の電位により液
晶配向力を調整できるのである。また、基板11の法線方
向に対する原子シャワーの角度は、40°〜80°位が最も
効率的で、角度が大きいほど液晶分子のプレティルト角
が小さくなる。すなわち、基板11の原子シャワーに対す
る角度により、液晶分子のプレティルト角を調整できる
のである。さらに、電気的に中性な原子シャワーを用い
るため、電気的ダメージに弱い基板でも配向処理が可能
である。
は当然放電可能領域である訳だが、ガス圧が高い程イオ
ン引き出し電極８により引き出されるイオンは多くなり
処理時間は短くなる。反面、イオン量が増すと中和しに
くいという問題が生じる。また、イオン引き出し電極８
のマイナス電位を大きくしても処理時間は短くなる。し
かし、これも上記同様に中和しにくいという問題ばかり
か、液晶配向膜表面に物理的な衝撃によるダメージが発
生する。このダメージは従来のラビング処理時に強く擦
った場合とよく似ている。結局、イオン引き出しメッシ
ュ電極８に印加するマイナス電位は、従来のラビング処
理時の液晶配向膜へのローラーの加圧に匹敵する。従っ
て、このイオン引き出しメッシュ電極８の電位により液
晶配向力を調整できるのである。また、基板11の法線方
向に対する原子シャワーの角度は、40°〜80°位が最も
効率的で、角度が大きいほど液晶分子のプレティルト角
が小さくなる。すなわち、基板11の原子シャワーに対す
る角度により、液晶分子のプレティルト角を調整できる
のである。さらに、電気的に中性な原子シャワーを用い
るため、電気的ダメージに弱い基板でも配向処理が可能
である。
以上の方法で、アルゴンガス圧を５×10-2Torr、イオ
ン引き出し電位を−100V、基板の法線方向に対する原子
シャワーの角度を60°、処理時間１分として配向処理を
行なったところ、均一性の高い配向が得られ、磁界電位
法によって測定した液晶分子のプレティルト角は１°で
あった。
ン引き出し電位を−100V、基板の法線方向に対する原子
シャワーの角度を60°、処理時間１分として配向処理を
行なったところ、均一性の高い配向が得られ、磁界電位
法によって測定した液晶分子のプレティルト角は１°で
あった。
液晶配向膜にポリビニルアルコール、ポリエチレンオ
キサイド、ポリアクリロニトリル、SiO2、Ta2O5、ITOを
使用した場合もポリイミドと同様均一な配向が得られる
が、SiO2、Ta2O5、ITOの場合は他の有機膜と同等の配向
性を得るには、有機膜の配向処理条件に比べて、イオン
引き出しメッシュ電極８に印加するマイナス電位を大き
くするか、処理時間を長くする必要がある。
キサイド、ポリアクリロニトリル、SiO2、Ta2O5、ITOを
使用した場合もポリイミドと同様均一な配向が得られる
が、SiO2、Ta2O5、ITOの場合は他の有機膜と同等の配向
性を得るには、有機膜の配向処理条件に比べて、イオン
引き出しメッシュ電極８に印加するマイナス電位を大き
くするか、処理時間を長くする必要がある。
ガス種に関しては、水素、ヘリウム、酸素、窒素、水
蒸気、空気のいずれにおいても配向処理の効果があった
が、酸素を含むガス種を使用する場合は、装置を使用し
続けるとイオン引き出しメッシュ電極８の表面が酸化さ
れ引き出し効果が薄れるため、定期的に電極のクリーニ
ングあるいは交換を必要とする。
蒸気、空気のいずれにおいても配向処理の効果があった
が、酸素を含むガス種を使用する場合は、装置を使用し
続けるとイオン引き出しメッシュ電極８の表面が酸化さ
れ引き出し効果が薄れるため、定期的に電極のクリーニ
ングあるいは交換を必要とする。
以上述べたように、本発明の装置によれば、液晶配向
膜が剥れたりすることなく均一に液晶配向処理が施され
かつダストフリーで生産性の高い液晶配向処理を行なう
のに使用することができる。
膜が剥れたりすることなく均一に液晶配向処理が施され
かつダストフリーで生産性の高い液晶配向処理を行なう
のに使用することができる。
また、液晶配向処理室をグロー放電発生室の上方に設
け、グロー放電発生室にガス導入口を、液晶配向処理室
に基板ホルダに対してグロー放電発生用電極とイオンの
ほぼ反射方向にガス排気口を設けることにより、配向処
理に用いる原子シャワーの指向性を向上することが可能
で、より均一な配向処理を行なうことができる。また、
原子シャワーを用いるためシャワーの指向性が高くかつ
基板に対して電気的ダメージが生じない。
け、グロー放電発生室にガス導入口を、液晶配向処理室
に基板ホルダに対してグロー放電発生用電極とイオンの
ほぼ反射方向にガス排気口を設けることにより、配向処
理に用いる原子シャワーの指向性を向上することが可能
で、より均一な配向処理を行なうことができる。また、
原子シャワーを用いるためシャワーの指向性が高くかつ
基板に対して電気的ダメージが生じない。
さらに、イオン引き出し電位により液晶配向力を、基
板に対する原子シャワーの角度により液晶分子のプレテ
ィルト角をそれぞれ調整できるという多大な効果を有す
る。
板に対する原子シャワーの角度により液晶分子のプレテ
ィルト角をそれぞれ調整できるという多大な効果を有す
る。
第１図は、本発明の液晶配向処理装置の断面図。 １……真空容器 ２……グロー放電発生室 ３……液晶配向処理室 ４……ガス導入口 ５……ガス排気口 ６……グロー放電発生用電極 ７……グロー放電発生用電源 ８……イオン引き出しメッシュ電極 ９……直流電源 10……中和電子放出陰極 11……基板 12……基板ホルダ 13……マニピュレータ 14……換向機構
Claims (1)
- 【請求項１】グロー放電発生室と該グロー放電発生室の
上方に設けた液晶配向処理室とを備えた真空容器と、前
記グロー放電発生室と前記液晶配向処理室との間に介在
させたイオン引き出しメッシュ電極と、前記イオン引き
出しメッシュ電極に直流のマイナス電位を印加するため
の直流電源と、前記イオン引き出しメッシュ電極より引
き出されたイオンを電気的に中和させる中和電子放出陰
極と、前記グロー放電発生室にグロー放電を発生させる
ためのグロー放電発生用電極とガス導入口と、前記グロ
ー放電発生用電極に電圧を印加する電源と、前記液晶配
向処理室内に液晶配向処理すべき処理物を保持するため
の基板ホルダと、前記基板ホルダに対してグロー放電発
生用電極とイオンのほぼ反射方向に設けたガス排気口
と、前記基板ホルダを保持するためのマニピュレータ
と、前記マニピュレータを設けられた前記基板ホルダの
方向を変えることのできる換向機構とにより構成される
ことを特徴とする液晶配向処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17591690A JP2900546B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 液晶配向処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17591690A JP2900546B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 液晶配向処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0463325A JPH0463325A (ja) | 1992-02-28 |
| JP2900546B2 true JP2900546B2 (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=16004494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17591690A Expired - Fee Related JP2900546B2 (ja) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | 液晶配向処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2900546B2 (ja) |
-
1990
- 1990-07-03 JP JP17591690A patent/JP2900546B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0463325A (ja) | 1992-02-28 |
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